檢測技術與自動化裝置碩士

⑴ 矽片高溫吸雜溫度

第5卷第6期2006年12月江南大學學報(自然科學版)Journal of Southern Yangtze U niversity(N atural Science Edition)

Vol.5No.6Dec.2006

文章編號:1671-7147(2006)06-0749-04收稿日期:2005-03-10;修訂日期:2005-04-04.作者簡介：石湘波(1980-)，女，河南洛陽人，檢測技術與自動化裝置專業碩士研究生.

3通訊聯系人：朱拓(1957-)，男，江蘇蘇州人，教授，碩士生導師.主要從事現代光學理論與成像技術的研究.

Email :tzhu @sytu.e.cn

施正榮(1963-)，男，江蘇鎮如坦江人，高級工程師，工學博士，碩士生導師.主要從事太陽電池轉化效渣檔桐

率等研究.Email :zrshi @suntechpower.com 鑄造多晶硅的吸雜

石湘波1,許志強1,施正榮2,33,朱拓23,汪義川3

(1.江南大學通信與控制工程學院，江蘇無錫214122;2.江南大學理學院，江蘇無錫214122;

3.無錫尚德太陽能電力有限公司，江蘇無錫214028)

摘要：吸雜是減少多晶硅中有害金屬雜質的一種有效手段.比較了在800℃、900℃和1000℃條件下經2h 的磷吸雜、鋁吸雜和磷鋁共吸雜處理後的多晶硅少子壽命、電性能差異.實驗結果表明，磷鋁共吸雜少子壽命的增加比僅用磷、鋁單獨吸雜都明顯，但3種吸雜方式對太陽電池電性能都沒太大影響；同時發現退火到蠢歲700℃的熱處理並不能有效地改善磷吸雜效果.

關鍵詞：磷吸雜；鋁吸雜；磷鋁共吸雜；太陽電池；多晶硅太陽電池；少子壽命

中圖分類號:TM 914.41文獻標識碼:A

Study on C ast Multicrystalline Sijicon W afer by G ettering

SHI Xiang Οbo 1,XU Zhi Οqiang 1,SHI Zheng Οrong 2,3,ZHU Tuo 33,WAN G Y i Οchuan 2

(1.School of Communication and Control Engineering ,Southen Yangtze University ,Wuxi 214122,China ;2.School of Science ,Southen Yangtze University ,Wuxi 214122,China ;3.Wuxi Suntech Power Co ,Ltd ,Wuxi 214028,China )Abstract :Gettering is an effective met hod to rece t he deleterious metal imp urity from multicrystalline silicon (mc ΟSi ).The paper co mpares t he differences of lifetime ,elect rical performance of mc ΟSi after being t reated by p ho sp hor gettering ,aluminium gettering and Al/P Οcogettering under 800℃、900℃and 1000℃,2hours 』condition.The experimental demonst rates t hat Al/P Οcogettering is much better t han aluminium and p hosp horus gettering.But ,t here is some effect of t hree gettering met hods on t he elect rical performance of mc ΟSi.The hot t reat ment of annealing to 700

℃has some benefit on t he effect of p ho sp hor gettering.

K ey w ords :t ransition metal ;p hosp horus gettering ;aluminium gettering ;P/AL Οcogettering ;multicrystalline silicon (mc ΟSi )solar cell ;minority carrier lifetime

20世紀70年代鑄造多晶硅的出現逐漸打破了

單晶硅材料長期壟斷的地位，它以高性價比不斷排

擠單晶硅市場.在20世紀80年代末，其市場佔有率

僅為10%左右，而到了2003年，其佔有率就高達

56.3%，成為最主要的光伏材料.但是多晶硅中鐵、銅、鎳等重金屬雜質含量很高[1].這些雜質形成深能級，成為少數載流子的復合中心，影響了少子壽命和太陽電池的電性能.通常採用吸雜來提高矽片

的質量，國內外許多科研人員對多晶硅的吸雜進行了研究[2Ο5].

太陽電池製作中常用的吸雜方式為磷吸雜、鋁吸雜和磷鋁共吸雜.

磷吸雜是利用濃磷擴散形成重擴散層，它的吸雜原理包括馳豫吸雜和分凝吸雜，分凝吸雜部分是由於費米能級效應和離子成對效應而形成的在重擴散層的增強溶解；馳豫吸雜部分是由重擴散形成的位錯網路，同時由於硅擴散時形成過量的自間隙原子而導致金屬雜質從替位位置移動到間隙位置，導致了擴散速度的增加，從而加速磷吸雜的完成[1,6].由於POCl3能形成1021cm-3的濃磷吸雜層，所以文中使用POCl3為磷源進行磷吸雜.

鋁吸雜是利用金屬雜質在鋁硅合金中的固溶度大於在硅中的固溶度(最少為103，而鐵的分凝系數在750～950℃范圍時為105～106[7])，並且金屬雜質在硅中的擴散速度遠大於磷硼等替位式元素.當存在鋁吸雜層後，進行一段時間的高於磷鋁共熔點(577℃)的熱處理，金屬雜質就被吸附到鋁層，以此來改變矽片的性能[8].

磷吸雜要比鋁吸雜快，而鋁吸雜的吸雜穩定性又高於磷吸雜.磷鋁共吸雜兼顧了兩者的優點.通常磷鋁共吸雜是在一側為磷源另一側為鋁源的條件下進行吸雜的.

文中研究了不同溫度下磷吸雜、鋁吸雜和磷鋁共吸雜對少子壽命、太陽電池電性能影響.同時分析了緩慢降溫對磷吸雜的影響.

1實驗

1.1實驗材料

實驗過程中採用A公司的鑄造多晶矽片，氧炭含量中等，面積為125mm×125mm，厚度為330μm左右，電阻率為0.5～2Ω・cm.

1.2試驗方案

吸雜通常包括金屬雜質的釋放、擴散和捕獲3個步驟，吸雜的溫度、冷卻速度、吸雜的時間、金屬雜質的類型是吸雜效率的重要影響因素[9]，文中按下列方案進行了磷吸雜、鋁吸雜和磷鋁共吸雜的研究:

1)在900℃條件下進行2h熱處理和2h磷吸雜，分別採用急劇降溫和緩慢降溫，觀察溫度變化對磷吸雜的影響;

2)在800℃、900℃和1000℃條件下進行2h 的磷吸雜並在氮氣中退火到700℃;

3)單面蒸鍍2μm的鋁，然後在800℃、900℃

和1000℃條件下進行2h的鋁吸雜.

4)一面蒸鍍2μm的鋁，一面為預先淀積的磷源，在800℃、900℃和1000℃條件下進行2h的磷鋁共吸雜處理，並在氮氣中退火到700℃.

1.3實驗過程

樣品全部為60片多晶姊妹片(由同一多晶硅磚切下的具有相似晶粒分布的矽片，有相同的晶體結構分布)，在m(HF)∶m(HNO3)∶m(C H3COO H)= 8∶1∶2的混合溶液中共去除了15～20μm的損傷層.清洗乾燥後，其中15片矽片3片一組分為a,b, c,d,e5組.a組未進行任何熱處理，直接測其少子壽命;b組在900℃的氮氣中進行2h的熱處理;c 組在900℃條件的氮氣中進行2h的熱處理後，並在氮氣中退火到700℃(降溫速度為5℃/min);d 組在900℃條件下進行了2h的磷吸雜;e組在900℃條件下進行了2h的磷吸雜後退火到700℃(降溫速度為5℃/min).之後測定a,b,c,d,e5組的少子壽命.另外45片每15片一組共分為f,g,h3組,f組每5片一組在擴散爐中分別在800℃、900℃和1000℃的3種溫度條件下進行2h的磷吸雜並在氮氣中退火到700℃(降溫速度為5℃/ min).由文獻[10]知，蒸鋁在矽片上鋁的厚度為1.2μm時經燒結後鋁層的覆蓋率為100%，故文中在需蒸鍍鋁層的實驗矽片上均蒸鍍層.g組樣品在550X 型的真空鍍膜機中單面蒸鍍2μm的鋁，之後每5片一組在通氮氣的石英管中將溫度控制在800℃、900℃和1000℃條件下進行2h的鋁吸雜.h組樣品在850℃條件下在擴散爐中採用濃磷單面擴散擴散30min，表面的濃磷層作為磷源；然後在真空鍍膜機中對未擴磷面蒸鍍2μm的鋁；接著5片一組在通氮氣的石英管中將溫度控制在800℃、900℃、1000℃的條件下進行2h的磷鋁共吸雜，並在氮氣中退火到700℃(降溫速度為5℃/min).吸雜結束後,f組樣品在80℃、質量濃度為200g/L 的NaO H溶液中腐蝕5min，確保磷吸雜層徹底去除.g,h兩組樣品先在體積分數為20%的HCl中腐蝕10min，然後用去離子水沖洗干凈，接著在m(H F)∶m(HNO3)∶m(C H3COO H)=8∶1∶2的酸性溶液中腐蝕1min，此時矽片共被去除了20μm 的厚度，確保了吸雜層的完全去除.

f,g,h3組樣品清洗乾燥後，測其少子壽命，然後按下述工藝將f,g,h3組樣品製成太陽電池：清洗乾燥→擴散制結→刻蝕→去磷硅玻璃→清洗乾燥→PECVD鍍減反膜→絲網印刷電極→燒結.

057江南大學學報(自然科學版)第5卷

2結果和分析

採用暫穩態光電導少子壽命測試儀對熱處理後和吸雜後試驗矽片的少子壽命進行測試，分析熱處理對矽片的影響以及吸雜效果.採用文獻[11]的方法，首先在矽片上滴幾滴濃度為0.08mol/L的碘酒，把矽片上的碘酒塗均，然後把待測矽片裝入一透明的塑料袋中並密封好，確保矽片上沒有氣泡，用此方法來鈍化表面，以確保測得的值完全反映體內少子壽命.在做成太陽電池後，用IΟV測試儀測其電性能，並比較其差異.

2.1熱處理方式對矽片的影響

比較原始矽片，通入氮氣在900℃條件下進行2h熱處理，通氮氣在900℃條件下進行2h熱處理後退火到700℃，在900℃條件下進行2h磷吸雜和在900℃的溫度條件下進行2h磷吸雜並退火到700℃後矽片的少子壽命如圖1所示.可以看出，矽片在經過900℃高溫處理加熱後，均會導致少子壽命降低.原始矽片在900℃進行2h熱處理後，少子壽命降低到5μs以下.這是因為高溫導致位錯密度增加從而使間隙金屬雜質增多，同時又容易造成金屬雜質污染.緩慢降溫並未使這一情況得到任何改善，反而因其在高溫中時間長而導致少子壽命的進一步降低.為了給磷吸雜中的馳豫吸雜提供充足的沉積時間，故在900℃條件下完成2h磷吸雜後，即退火到700℃(降溫速度為5℃/min).圖2反映了不同溫度條件下吸雜後的少子壽命，可見少子壽命並沒有太大改善.這是因為高溫過程會導致缺陷密度的增加，使金屬在缺陷處被捕獲幾率增大，削減了由於緩慢降溫使金屬充分沉積到吸雜區域所形成的矽片少子壽命的增加，故在此緩慢降溫並沒使少子壽命升高(文中涉及到磷吸雜的均採用了5℃/min的緩慢降溫).

圖1900℃下有無吸雜和退火對矽片少子壽命的影響Fig.1Lifetime of w afers varies with gettering or annealing at900℃2.23種吸雜方式吸雜後少子壽命的比較

由圖2可以看出,3種吸雜方式在800℃的溫度條件下吸雜後，矽片的少子壽命均高於圖1所示的初始值.比較3種不同的吸雜方式，發現磷鋁共吸雜的效果比磷、鋁單獨吸雜的效果好，這是由於磷鋁共吸雜結合了磷吸雜快速和鋁吸雜穩定且吸雜能力強的優點.但是3種吸雜方式從800℃、900℃到1000℃，其少子壽命都明顯降低.造成這種現象的原因是隨著溫度增高，金屬雜質在硅中的固溶度增加，導致金屬沉積裂解加劇，其中的金屬雜質進入硅的間隙位，若此時被吸雜的金屬雜質少於由於高溫裂解而產生的金屬雜質，就會導致整個間隙金屬的增多，致使少子壽命的降低.所以文獻[7]建議針對多晶硅吸雜，吸雜溫度不要超過900℃，否則會導致矽片的退化

.

圖2不同溫度條件下吸雜後的少子壽命Fig.2Lifetime of gettered w afers vary with

temperatures and gettering methods

2.33種吸雜方式吸雜後電性能的比較

表1為不同吸雜方式與未吸雜電池電性能的比較.可以看出,1000℃高溫的磷吸雜可能是被測矽片在高溫過程中受到污染而在電性能方面表現異常外，其餘矽片電性能和未吸雜對比片的電性能相比差異沒有少子壽命明顯.其原因可能是由於吸雜效果的不均勻性或者說是多晶矽片自身的不均勻性所致.S.A.Mc Hugo等已研究了多晶矽片的不良區域中金屬沉積物，並識別了鐵在沉積中的化學狀態，得出Fe在這些不良區域中以氧化物或硅酸鹽復合物的形式存在.這些復合物非常穩定，去除這些復合物是去除Fe或FeSi x的108～1016倍.要依賴吸雜來改善整個矽片的性能已不可能.避免這些難以通過吸雜除去金屬復合物的產生需要從多晶硅矽片生長過程中控制[12].同時S.A.Mc Hugo 又比較了故意被Fe污染過的半導體級單晶硅和帶狀多晶硅的磷吸雜效果，發現半導體級單晶硅少子壽命恢復到被污染前，而多晶硅只能得到小於初始值的少子壽命[13].由此可見吸雜是否能在多晶硅上充分發揮其作用取決於矽片的整個熱歷史、金屬雜

157

第6期石湘波等：鑄造多晶硅的吸雜

質含量、易和金屬雜質形成復合物的氧炭的含量以及易成為金屬沉積中心的位錯和缺陷的密度.

表1各種吸雜方式和未吸雜電池電性能比較

T ab.1Comp arison of solar cell perform ance with and without gettering

吸附方式I sc/A U oc/V FF/%EFF/%R s/ΩR sh/Ω800℃磷吸雜 4.93680.598976.8414.56390.008324.2136 900℃磷吸雜 4.91720.599676.5314.46230.008521.6585 1000℃磷吸雜 4.79660.588974.7413.53360.009819.6318 800℃鋁吸雜 4.92100.596975.2914.10560.008712.7434 900℃鋁吸雜 4.86480.597976.4014.31900.008418.1185 1000℃鋁吸雜 4.94350.596776.3514.23000.008522.1357 800℃磷鋁共吸雜 4.88100.598676.2414.27900.008726.0451 900℃磷鋁共吸雜 4.82530.600776.8614.28090.008627.0731 1000℃磷鋁共吸雜 4.85530.600476.8614.27690.008425.8745未吸雜對比片 4.98790.596574.6414.21560.009728.8899

3結論

通過比較在800℃、900℃和1000℃條件下經2h的磷吸雜、鋁吸雜和磷鋁共吸雜處理後的多晶硅少子壽命、電性能差異，以及退火到700℃對磷吸雜的影響，可以得出如下結論:

1)高溫會造成多晶硅的退化，即使採用磷鋁共吸雜，應盡量避免或縮短多晶硅的高溫熱處理.

2)在磷吸雜、鋁吸雜、磷鋁共吸雜3種吸雜方式中，磷鋁共吸雜結合了磷吸雜和鋁吸雜的優點，吸雜效果最好.

3)吸雜能有效地提高矽片的少子壽命，但對多晶硅電性能的改善卻不明顯.

參考文獻:

[1]Périchaud I.Understanding defects in semiconctors as key to advancing device technology[J].Physica B,2003,340:1Ο

14.

[2]Plekhanov P S,G afiteanu R,G;sele U M,et al.Modeling of gettering of precipitated impurities f rom Si for carrier lifetime

improvement in solar cell applications[J].Journal of Applied Physics,1999,86(5):2453Ο2458.

[3]Boudaden J,Monna R,Loghmarti M,et al.Comparison of phosphorus gettering for different multicrystalline silicon[J].

Solar Energy Materials&Solar Cells,2002,72:381Ο387.

[4]Myers S M,Seibt M,Schr ter.Mechanisms of transitionΟmetal gettering in silicon[J].Journal of Applied Physics,2000,88

(7):3795Ο3819.

[5]王書榮，陳庭金，劉祖明，等.多晶硅太陽電池的吸雜實驗研究[J].雲南師范大學學報：自然科學版,2001,21(6):43Ο44.

[6]Périchaud I.G ettering of impurities in solar silicon[J].Solar Energy Materials&Solar Cells,2002,72:315Ο326.

[7]Hieslmair H,Mc Hugo S A,Weber E R.Aluminum backside segregation[C]//25th IEEE Photovoltaic Specialists

Conference,Washington DC:[s.n.],1996:441Ο444.

[8]Joshi S M,G sele U M,Tan T Y.Improvement of minority carrier diff usion length in Si by Al gettering[J].J Appl Phys,

1995,77(8):3858Ο3863.

[9]闕端麟.硅材料科學與技術[M].杭州：浙江大學出版社,2000:466Ο467.

[10]Hartley O N,Russell R,Heasman K C,et al.Investigation of thin aluminium films on the rear of monocrystalline silicon

solar cells for back surface field formation[C]//Pre print of Oral paper103.0to be presented at the29th IEEE pvsc New Orleans20Ο24thMay2002.New Orleans:[s.n.],2002.

[11]Stephens A W,Green M A.Effectiveness of0.08molar iodine in ethanol solution as a means of chemical surface

passivation for photoconctance decay measurements[J].Solar Energy Materials and Solar Cells,1997,45:255Ο265. [12]Mc Hugo S A,Thompson A C,Mohammed A,et al.NanometerΟscale metal precipitates in multicrystalline silicon solar cells

[J].Journal of Applied Physics,2001,89(8):4282Ο4288.

[13]Mc Hugo S A,Hieslmair H,Weber E R.Gettering of metallic impurities in photovoltaic silicon[J].Appl Phys A,1997,64:

127Ο137.

(責任編輯：邢寶妹) 257江南大學學報(自然科學版)第5卷

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鑄造多晶硅的吸雜
第5卷第6期2006年12月江南大學學報(自然科學版)Journal of Southern Yangtze U niversity(N atural Science Edition)

Vol.5No.6Dec.2006

文章編號:1671-7147(2006)06-0749-04收稿日期:2005-03-10;修訂日期:2005-04-04.作者簡介：石湘波(1980-)，女，河南洛陽人，檢測技術與自動化裝置專業碩士研究生.

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施正榮(1963-)，男，江蘇鎮江人，高級工程師，工學博士，碩士生導師.主要從事太陽電池轉化效

率等研究.Email :zrshi @suntechpower.com 鑄造多晶硅的吸雜

石湘波1,許志強1,施正榮2,33,朱拓23,汪義川3

(1.江南大學通信與控制工程學院，江蘇無錫214122;2.江南大學理學院，江蘇無錫214122;

3.無錫尚德太陽能電力有限公司，江蘇無錫214028)

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摘要：吸雜是減少多晶硅中有害金屬雜質的一種有效手段.比較了在800℃、900℃和1000℃條件下經2h 的磷吸雜、鋁吸雜和磷鋁共吸雜處理後的多晶硅少子壽命、電性能差異.實驗結果表明，磷鋁共吸雜少子壽命的增加比僅用磷、鋁單獨吸雜都明顯，但3種吸雜方式對太陽電池電性能都沒太大影響；同時發現退火到700℃的熱處理並不能有效地改善磷吸雜效果.

關鍵詞：磷吸雜；鋁吸雜；磷鋁共吸雜；太陽電池；多晶硅太陽電池；少子壽命

中圖分類號:TM 914.41文獻標識碼:A

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SHI Xiang Οbo 1,XU Zhi Οqiang 1,SHI Zheng Οrong 2,3,ZHU Tuo 33,WAN G Y i Οchuan 2

(1.School of Communication and Control Engineering ,Southen Yangtze University ,Wuxi 214122,China ;2.School of Science ,Southen Yangtze University ,Wuxi 214122,China ;3.Wuxi Suntech Power Co ,Ltd ,Wuxi 214028,China )Abstract :Gettering is an effective met hod to rece t he deleterious metal imp urity from multicrystalline silicon (mc ΟSi ).The paper co mpares t he differences of lifetime ,elect rical performance of mc ΟSi after being t reated by p ho sp hor gettering ,aluminium gettering and Al/P Οcogettering under 800℃、900℃and 1000℃,2hours 』condition.The experimental demonst rates t hat Al/P Οcogettering is much better t han aluminium and p hosp horus gettering.But ,t here is some effect of t hree gettering met hods on t he elect rical performance of mc ΟSi.The hot t reat ment of annealing to 700

⑵ 電氣工程及其自動化考研

電氣工程及其自動化考研方向集中在電氣工程、電力系統及其自動化、電力電子與電力傳動，電氣工程(ElectricalEngineering簡稱EE)是現代科技領域中的核心學科之一，更是當今高新技術領域中不可或缺的關鍵學科。

電氣工程特點

電力是發展生產和提高人類生活水平的重要物質基礎，電力的應用在不斷深化和發展，電氣自動化是國民 經濟和人民生活現代化的重要標志。就目前國際水平而言，在今後相當長的時期內，電力的需求將不斷增長，社會對電氣工程及其自動化科技工作者的需求量呈上升態勢。

⑶ 湖南大學自動化考研科目有哪些

答：雙控，模式識別，導航，系統工程。

1、控制科學與工程

控制科學與工程是一門研究控制的理論、方法、技術及其工程應用的學科。它是20世紀最重要的科學理論和成就之一，它的各階段的理論發展及技術進步都與生產和社會實踐需求密切相關。

2、控制工程

控制工程碩士是從事自動化設備設計、製造、開發、管理和維護的專業人員。控制工程廣泛存在於工業、農業、交通、環境、軍事、生物、醫學、經濟、金融和社會等多個領域，運用控制理論和技術實現繁復的工作自動化，智能化，大大節約了人力成本，解放生產力，使人類從機械的勞動中解脫出來。

3、控制理論與控制工程

控制理論與控制工程隸屬於控制科學與工程一級學科

4、檢測技術與自動化裝置

檢測技術與自動化裝置是工業自動化生產中獲取、傳輸和處理信息的先決手段，是一門以應用為主、理論和實踐緊密結合的綜合性學科，它的應用遍及各個工程領域。本學科與自動化、計算機、控制工程、電子信息、機械等學科相互滲透，主要從事與控制、信息科學、機械等領域相關的檢測技術與自動化裝置的理論與技術方面的研究。

資料擴展

自動化專業是以自動控制理論為主要理論基礎，以電子技術、計算機信息技術、感測器與檢測技術等為主要技術手段，對各種自動化裝置和系統實施控制的一門專業。

專業有兩個發展方向，第一個是工業過程式控制制方向，第二個是嵌入式系統方向。是計算機硬體與軟體結合、機械與電子結合、元件與系統結合、運行與製造結合，集控制科學、計算機技術、電子技術、機械工程為一體的綜合性學科專業。它具有"控（制）管（理）結合，強（電）弱（電）並重，軟（件）硬（件）兼施"鮮明的特點，是理、工、文、管多學科交叉的寬口徑工科專業。

⑷ 我學的是電子信息科學與技術，國內有檢測技術與自動化裝置碩士專業，

絕大多數學校考抄以下專業都不算跨專業，並且下列專業學習起來都能比較容易。另外您有一個誤區，考研報考的專業並非是方向，而是二級學科名稱。學科門類代號的前兩位表示類別，第三四位表示一級學科名稱，最後兩位表示二級學科名稱，例如電路與系統，08是工學，09是一級學科電科，02表示電科下面的第二個二級學科。而一個二級學科可以有多個方向，比如模式識別與智能系統分為模式識別和智能系統兩個反向，一般來說報考的時候不需要考慮方向，只需要考慮二級學科，方向要到選完導師並且大致定出來畢業論文的課題才選定。 0809 一級學科：電子科學與技術 080901 物理電子學 080902 電路與系統 080903 微電子學與固體電子學 080904電磁場與微波技術 0810 一級學科：信息與通信工程 081001通信與信息系統☆ 081002信號與信息處理☆ 0811 一級學科：控制科學與工程 081101 控制理論與控制工程 081102 檢測技術與自動化裝置 081103 系統工程 081104模式識別與智能系統

⑸ 可以考測控技術與儀器的研究生有哪些高校

分類: 教育/學業/考試 >> 入學信息
解析:

一 清華大學精密儀器與機械學系

清華大學精密儀器與機械學系建立於1984年，其前身為成立於1932年的清華大學工學院機械繫。全系建有摩擦學和精密測試技術與儀器2個國家重點實驗室，國家CIMS、光碟2個國家工程研究中心以及微米納米技術研究中心、宇航技術研究中心和綠色製造中心等。

擁有精密儀器及機械雀敗、光學工程、機械設計及理論和機械製造及其自動化4個全頃譽顫國重點學科，實行本科―研究生統籌培養。本科學制4年，前兩學年為基礎平台課程，第三年按機虛枯械工程及自動化、測控技術與儀器和微機電系統工程3個專業方向選課。最後根據研究生推薦分流和選課情況核發本科畢業證書和學士學位證書。

二 天津大學精密儀器與光電子工程學院

天津大學精密儀器與光電子工程學院(簡稱精儀學院)於1995年10月在原精密儀器工程系基礎上成立。學院下設4個系：精密儀器工程系、光電信息工程系、光電子科學技術系、生物醫學工程與科學儀器系。分別設有5個本科專業：測控技術與儀器、電子科學與技術、信息工程、生物醫學工程、光電子技術科學。

學院擁有測試計量技術及儀器、光學工程、精密儀器及機械、物理電子學、生物醫學工程碩士學位和博士學位授予權，光學儀器、測試計量技術與儀器是國家首批重點學科，光學工程、儀器科學與技術、生物醫學工程為國家一級學科。還設有光學工程、儀器科學與技術、生物醫學工程3個博士後流動站。

三 北京航空航天大學檢測與自動化工程系

檢測與自動化工程系隸屬於北京航空航天大學自動化科學與電氣工程學院，成立於2004年6月。該系依託於控制科學與工程一級學科下屬的二級學科——檢測技術與自動化裝置，該學科擁有碩士學位和博士學位授予權，同時設有博士後流動站。

四 上海交通大學信息檢測技術與儀器系

信息檢測技術與儀器系（原精密儀器系、儀器工程系）成立於1975年，現歸屬於上海交通大學電子信息與電氣工程學院。該系集機、光、電、計算機和控制等學科於一體，主要從事自動檢測系統、精密測試技術、微特機器人及其應用、新型感測器、慣性技術及導航設備、智能機電系統等方面的研究。

本科專業：測控技術及儀器。3個碩士點：測試計量技術與儀器，精密儀器與機械，導航、制導與控制。所屬的一級學科為儀器科學與技術，具有博士授予權，覆蓋全系3個二級學科：測試計量技術與儀器，精密儀器與機械，導航、制導與控制。

五 西安交通大學機械工程學院

⑹ 齊魯工業大學測控技術與儀器有沒有碩士點

有碩士點。
測控技術與儀器專業現為校級特色專業，2016年獲批為山東省高水平應悶爛用型建設專業，獲批有檢測技術與自動化裝置二級學科碩士點。
專業特色：專業依託山東省科學院海洋儀器儀表研究所、激光研究所等教學科研力量，以培養高素質特色應用型人才為目標，設有智能儀器設計與開發、嵌入式技術等螞宴漏專業方向，祥消打造山東省特色儀器儀表專業人才培養模式。

⑺ 自動化考研可以選擇什麼專業

自動化專業考研可以選擇計算機專業、電子專業、數學專業、控制工程專業。考生最多的考研方向就是控制工程，開設控制工程的學校有很多，其中不乏名校。

開設控制工程的學校有很多，比如南開大學、東北大學、四川大學、北京信息科技大學、中國地質大學、北京化工大學、河北大學、大連海事大學、南京郵電大學、浙江理工大學、廈門大學、華東交通大學、長沙理工大學等。

介紹

自動化專業在本科階段叫自動化，研究生階段叫控制科學與工程。學科下設控制理論與控制工程、檢測技術與自動裝置等七個二級學科。

第四輪學科評估中，控制科學與工程專業獲評A類的雙非院校只有兩所，一是廣東工業大學；二是火箭軍工程大學，兩所高校的控制科學與工程專業均獲A-。不過，火箭軍工程大學屬於軍校，除了錄取分數線要達標外，體檢也是非常重要的環節。

以上內容參考網路-自動化 （中國普通高等學校本科專業）

⑻ 自動化考研方向

其他信息：

自動化專業考研方向主要有：控制科學與工程、控制工程、控制理論與控制工程、檢測技術與自動化裝置、系統工程、導航制導與控制、模式識別與智能系統。自動化沒喊主要研究電子技術、系統工程、信息處理等方面的基本知識和技術，進行自動化系統的分析、設計、開發與研究，實現對各種裝置和系統的自動控制。自動化專業旨在培養學生成為基礎扎實、自動控制技術知識系統深入、計算機應用能力強的高級工程技術人才。自動化專業的學生在畢業後基本都能從事自動控制、自動化、信號與數據處理及計算機應用等方面的技術工作。

材料補充：

自動化專業考研方向介紹如下：

1、控制工程：控制工程碩士是從事自動化設備設計、製造、開發、管理和維護的專業人員。控制工程廣泛存在於工業、農業、交通、環境、軍事、生物、醫學、經濟、金融和社會多個領域，運用控制理論和技術實現繁復的工作自動化、智能化，大大節約了人力成本，解放生產力，使人類從機械的勞動中解脫出來。

2、檢測技術與自動化裝置：檢測技術與自動化裝置是工業自動化生產中獲取、傳輸和處理信息的先決手段，是一門以應用為主、理論和實踐緊密結合的綜合性學科，它的應用遍及各個工程領域。本學科與自動化、計算機、控制工程、電子信息、機械等學科相互滲透，主要從事與控制、信息科學、機械領域相關的檢測技術與自動化裝置的理論與技術方面的研究。

3、系統工程：系統工程是為了最好地實現系統的目的，對系統的組成要素、組織結構、信息流、控制機構等進行分析研究的科學方法。它運用各種組織管理技術，使系統的整體與局部之間的關系協調和相互配合，實現總體的最優運行。系統工程不同於一般的傳統工程學，它所研究的對象不限於特定的工程物質對象，而是任何一種系統。它是在現代科學技術基礎之上發展起來的一門跨學科的邊緣學科。

4、控制科學與工程：控制科學與工程在本科階段稱為「自動化」，研究生階段稱為「控制科學與工程」。本學科是肢行研究控制的理論、方法、技術及其工程應用的學科，以控制論、系統論、資訊理論為基礎，研究各應用領域內的共性問題，即為了實現控制目標，應如何建立系統的模型，分析其內部與環境信息，採取何種控制與決策行為。

5、導航、制導與控制：導航、制導與控制學科一直突出為國防、航天服務的特色，注重理論與工程實際的結合，重視高素質人才的培養，建立起一支梯隊結構合理、學術方向穩定、能打「硬仗」的科研隊伍。導航、制導與控制學科先後開辟出飛行器控制、導航技術、慣導測試設備及測試方法、制導與系統模擬等四大研究方向，在制導控制系統半實物歷察嘩模擬、復雜系統分布式模擬、大功率低干擾電驅動、慣導測試設備一體化設計、姿態控制、慣導平台小型化數字化等技術研究上取得突出成績，為國防和國民經濟建設作出了貢獻。

6、模式識別與智能系統：模式識別與智能系統屬控制科學與工程的二級學科，以信息處理與模式識別的理論技術為核心，以數學方法與計算機為主要工具，研究對各種媒體信息進行處理、分類和理解的方法，並在此基礎上構造具有某些智能特性的系統。在光學字元識別、語音識別、人臉識別、視頻追蹤、醫學圖像處理等方面均有廣泛應用。

⑼ 檢測技術與自動化裝置考研要具備哪些專業知識啊

檢測技術與自動化裝置是一門涉及面寬的重要學科，是科學技術和生產力發展水平的重要標志。在現代科技和生產的各個領域中，許多電量和非電量參量需要檢測和控制。由於電子學和計算機技術的飛速發展，使信號的獲取，變換與控制進入自動化、智能化與網路化的新階段。高度自動化、智能化域網路化成為推動控制科學與工程學科發展的重要方向，是實現現代化的重要基礎之一。
研究方向： 1信號獲取與變換，2自動化檢測系統，3電力系統自動化，4分布式檢測技術，5環境監測，6時頻檢測與控制，7應用超導技術，8信號處理，9流量計技術，10射頻和微波檢測，11樓宇自動化
初試科目： ①101政治理論
②201英語
③301數學一
④828數字電路或839自動控制原理
電子科技大學自動化學院檢測技術與自動化裝置2008年研究生入學參考書目839自動控制原理
《自動控制原理》李友善國防工業出版社
《自動控制原理》胡壽松國防工業出版社
《數字電子技術基礎(第四版)》閻石高等教育出版社
《脈沖與數字電路》何緒?電子科技大學出版社
《數字設計——原理與實踐(第三版)》John F.Wackerly機械工業出版社 2003年
《數字集成電路教程》龍忠琪科學出版社
《數字邏輯》毛法堯華中理工大學出版社