㈠ 中央空調的實訓裝置包括幾個部分
中央空調實訓裝置 」 是職業教育的教學和實訓要求而研製的。適合高職院校、職業學 校的《製冷技術》、《製冷流體機械》、《製冷設備維修工（高級工）》等課程的教學實訓裝置。培養掌握空調與製冷技術專業理論知識和專業實踐技能，從事空調、製冷設備及系統的技術升級、改造設計、安裝、調試、維護、維修、技術管理等方面的技能應用型人才。
實訓裝置也適合普通院校、技工學校、職業培訓學校、職教中心、鑒定站 / 所、製冷類專業《製冷設備 維修工（高級）》、《製冷設備原理與維修》、《製冷空調裝置操作安裝與維修》、《中央空調工（初級、中級、高級）》、《中央空調系統操作員》等課程。
二、基本技術指標：
1. 電源：三相五線 AC 380 V±10% 50Hz ；
2. 追大供冷量： 7.5kW ；
3. 追大輸入總功率： 6.5kW ；
4. 製冷額定功率： 3.8kW ；
5. 制熱額定功率： 2.0kW ；
6. 額定輸入電流： 7A ；
7. 循環風量： 700m 3 /h ；
8. 製冷劑： R22 ；
9. 漏電動作電流： ≤30mA ；尺寸： 6000×2400×2500mm 安全保護措施：具有過壓、過流、過載、漏電、接地四種保護措施，符合國家相關標准。
三、各主要部件特點及工作原理
1 、壓縮機；系統採用全封閉活塞式 3P 壓縮機，正常工作溫度僅為 0 O C ，安全可靠，結構緊湊，噪音低，密封性好，製冷劑為 R22 。
2 、蒸發器：製冷系統採用乾式蒸發器，液體製冷劑經節流後從蒸發器一端的端蓋進入管程 , 端蓋上鑄有隔板 , 製冷劑經過兩個或多個流程蒸發並吸收載冷劑的熱量後從同一個端蓋出來後進入壓縮機，以增強製冷效果。
3 、冷凝器：製冷系統採用殼管式冷凝器，這是一種較新型的熱交換設備，用兩條平行的銅卷制而成，是具有兩個螺旋通道的螺旋體，中間的螺旋體是冷卻水通道，外部的螺旋體是高壓製冷劑的通道。
4 、噴淋式冷卻塔：該設備的冷凝方式採用逆流式冷卻塔，模具一次成形 , 吸風機裝在塔的頂部，結構完全模擬、直觀；冷卻塔採用吸風式強迫通風，塔內填有填充物 , 以提高冷卻效果 ; 從冷凝器出來的溫水由冷卻水泵送入塔頂後 , 又布水器的噴嘴旋轉向下噴淋 .
5 、鍋爐：鍋爐是中央空調制熱系統的核心元件，採用頂格萊電熱管使水與電完全隔離，具有超溫保護，防干燒保護、超壓保護，確保人機安全；採用進口聚氨發泡保溫技術，保溫性能好。
6 、模擬房間：外形美觀、小巧，佔地面積少，結構緊湊；具有全透明結構，一目瞭然；房間裝有盤管，盤管風機、溫度控制調節儀。
7 、溫度控制：本設備實驗台的面板上，裝有溫度控制顯示儀，可控制溫度的范圍， 且有巡迴檢測出各關鍵部位的溫度。
8 、高、低壓保護裝置：為安全起見，製冷系統裝有高、低壓保護繼電器可保護壓縮機及系統的正常運行。
9 、水箱：為節約用水循環使用系統的水資源，通過加水箱來完成媒介水的加入、自動調節、過濾等任務；並裝有自動加水系統，如果系統水資源缺乏，加水系統會自動啟動補給。
10 、觸摸屏部分：採用 7 寸真色彩 MCGS 觸摸屏，包含主控窗口、 12 路溫度顯示窗口、 12 路溫度實時曲線圖、系統設置窗口、故障設置窗口、調試窗口、幫助窗口、密碼修改窗口，登陸鍵面。
11 、 PLC 可編程式控制制器：採用 CPU224 主機模塊、 3 套模擬量模塊 EM231 及相關繼電器，控制開關，指示燈，標准通信介面及配件。
12 、組態軟體：利用組態軟體在上位機遠程監控中央空調實時運行狀態。
四、控制功能如下：
（ 1 ） 各關鍵點溫度動態顯示， 其中包括
A 、制熱當前值 B 、製冷當前值 C 、鍋爐進口 D 、鍋爐出口
E 、冷卻塔進口 F 、冷卻塔出口 G 、冷凝器進口 H 、冷凝器出口
I 、蒸發器進口 J 、蒸發器出口 K 、模擬房間 Ⅰ L 、模擬房間 Ⅱ
（ 2 ） 溫度設定及顯示溫度的設定可在 18 到 30 攝氏度之間進行任意設定。
（ 3 ） 壓縮機的延時設定壓縮機的開機延時可在 5-20 分鍾之間任意設定
（ 4 ） 開關控制及指示中央空調各部分的工作與停止均可通過觸摸屏進行控制，並且有開關顯示， 便於遠程操作，設置開關如下：
A 、冷卻水泵 B 、冷卻風機 C 、製冷水泵 D 、壓縮機 E 、電磁閥 Ⅰ
F 、電磁閥 Ⅱ G 、制熱水泵 H 、製冷 I 、制熱 J 、停機
（ 5 ） 故障設置如下：
㈡ 飲水機里的製冷電子管叫什麼三極體
致冷三極體，致冷晶體管，英文名稱refrisitor, 半導體致冷的最新應用，可以參考鏈接中的介紹。是最新的晶體管核心技術之一，技術也成「電子血液降溫技術」。可參考網頁鏈接
原理是利用半導體製冷技術，在三極體的內部復合形成一個致冷結構，即在電子流出端，利用了三極體自身的一個低能級的半導體材料，比如NPN中的發射極N，經過導體後添加了一點點能級高的P材料，形成N-P結構的半導體致冷單元（中間有導體隔開，不是PN結），電子從N經過導體流到P時，由於材料能級的升高，電子必須在導體處吸入熱量，隨著電子的流過，吸熱將會源源不斷，就像人的大腦，由流過的大腦的血液為大腦降溫，流過的電子也為晶元內部持續降溫。有人會問吸進去的熱量需要放熱呀?是的，吸進去的熱量需要放出來，但他的熱量只會在電子勢能級更低的材料處釋放，這個部位只要設置在晶元外部。在晶元外部放熱就不會有不良影響，反而是有益與晶元的散熱。因此本技術強調只在晶元的電子流出端設置此結構。