膜表面電場強度檢測裝置

A. 塑料膜檢測方法是什麼

原料是塑料粒子。聚乙烯膜用的就是聚乙烯粒子；聚丙烯膜用的就是聚丙烯粒子。有些膜是用吹膜機吹出來的；有些是流延膜，用機器壓出來的。

B. 求問一下各位大神，膜的表面Zeta電勢如測試，使用什麼儀器測試

如何測氧化石墨烯的zeta電勢 zeta電位有專門的測量zeta電位的儀器.Jackcd12(站內聯系TA)zeta 電位近似地表示材料在液體（常在水溶液）中其表面所帶有的靜電荷的電位.從zeta電位的定義看,在數字上,它並不嚴格等於固體材料表面的電位,因為

C. 工頻耐壓儀與耐壓測試儀有什麼區別

工頻耐壓儀與耐壓測試儀基本沒有什麼區別。

絕緣耐壓試驗設備

SJTU系列沖擊電壓發生器
YDQ系列充氣超輕型試驗變壓器
YDQD系列帶抽頭充氣式多用高壓試驗變壓器
YDQW系列充氣無暈超輕型試驗變壓器
YDQJC系列充氣式串激高壓試驗變壓器
YD系列油浸式高壓輕型試驗變壓器
YDJC系列串激輕型試驗變壓器
EDCDP系列超低頻高壓發生器
GTU系列高電壓大容量充氣式無局放高壓組合電
JY系列絕緣筒式無局放全絕緣試驗變壓器
EDCZB-09型操作波發生器裝置
GTB系列乾式高壓試驗變壓器
ED2690/ED2691智能耐壓測試儀
ED2671A通用交/直流耐壓測試儀
ED2670/ED2670A通用交流耐壓測試
ZDTC系列高壓試驗變壓器電動操作台
ED2672/ED2672A耐壓/絕緣電阻測
ED2670B通用交/直流耐壓測試儀
TPXB系列調頻串聯諧振裝置
TC系列高壓試驗變壓器操作台
XC系列高壓試驗變壓器操作箱
TPXB-B系列變電站電器設備交流耐壓調頻串
TPXB-C系列CVT檢驗用工頻串聯諧振裝置
TPXB-D系列電纜交流耐壓調頻串聯諧振裝置
TPXB-E系列發電機交流耐壓調頻調感串聯諧
TPXB-F系列發電機交流耐壓工頻串聯諧振裝
TPCB系列變頻控制電源
EDYD系列激勵變壓器
EDFC系列電容分壓器
EDDK系列電抗器
DMA2550型絕緣電阻測試儀
DMB5000型絕緣電阻測試儀
DMC2000型絕緣電阻測試儀
DMD系列絕緣電阻測試儀
DME2305型數顯絕緣電阻測試儀
DME2306型數顯絕緣電阻測試儀
Q50-300 放電保護球隙
FRC系列交直流數字分壓器
H9840型保護式直流數字微安表
高壓濾波電容
TAG6000型無線高壓核相器
2DL系列高壓硅堆
FZ系列高壓直流放電棒
FRD型高壓核相器
YDQ-Ⅱ型聲光伸縮驗電器
400ml標準式試油杯
均壓球
水電阻
警示燈，警示牌
EDC系列高壓電容
測試導線、電流型、電壓型多功能連接件，接插件

D. 磁光克爾效應的磁光克爾轉角的測量方法

在實際測量時，通常採用He—Ne激光作為光源，波長λ=632．8 nin．磁光介質樣品安放在電磁鐵建立的磁場之中，磁場的磁感應強度為4 000 Gs左右．在此條件下，通過偏振分析器可順利地分析出磁光克爾轉角θk的大小，見圖2-1．由於測量時光信號十分微弱，採用鎖相放大器可大大提高測量的精確度。
圖 2-1 磁光克爾轉角的測量裝置 如圖3-1所示，當一束線偏振光入射到不透明樣品表面時，如果樣品是各向異性的，反射光將變成橢圓偏振光且偏振方向會發生偏轉，而如果此時樣品還處於鐵磁狀態，鐵磁性還會導致反射光偏振面相對於入射光的偏振面額外再轉過一個小的角度，這個小角度稱為克爾旋轉角θk，即橢圓長軸和參考軸間的夾角。同時，一般而言，由於樣品對P偏振光(電場矢量Ep平行於入射面)和s偏振光(電場矢量Ep垂直於入射面)的吸收率是不一樣的，即使樣品處於非磁狀態，反射光的橢偏率也要發生變化，而T鐵磁性會導致橢偏率有一個附加的變化，這個變化稱為克爾橢偏率εk，即橢圓長短軸之比。
圖 3-1 SMOKE原理圖
SMOKE系統圖如圖3-2所示。所用的光源是普通的國產半導體激光器，工作電壓為3 V，輸出功率為1.5 mw。激光束通過起偏棱鏡後變成線偏振光，然後從樣品表面反射，經過檢偏棱鏡進入探測器。檢偏棱鏡的偏振方向要與起偏棱鏡成偏離消光位置一個很小的角度δ不設成完全消光位置而設成近似消光位置是為了區分正負克爾旋轉角、在消光位置，無論反射光偏振面是順時針還是逆時針旋轉，反映在光強的變化上都是強度增大。而在近似消光位置，通過檢偏棱鏡的光線有一個本底光強I。反射光偏振面旋轉方向和δ同向時光強增大，反向時光強減小。這樣樣品的磁化方向可以通過光強的變化來區分。樣品放置在磁場中，當外加磁場改變樣品磁化強度時，反射光的偏振狀態發生改變，通過檢偏棱鏡的光強也發生變化，根據探測器探測到這個光強的變化就可以推測出樣品的磁化狀態。在入射光路和接收光路中分別加入了可調光闌以過濾激光束通過光學元件時所產生的散射光，減少雜信號。
圖3-2 SMOKE系統
在圖3-1的光路中，假設取入射光為P偏振(電場矢量Ep平行於入射面)，當光線從磁化了的樣品表面反射時，由於克爾效應，反射光中含有一個很小的垂直Ep的電場分量ES，通常ES<<Ep。在一階近似下有：ES/Ep = k +iεk此時通過檢偏棱鏡的光強為：
……………………(3-1)
通常 較小，所以可以取Sin ≈ ，Cos ≈ 1，得到：
…………………………………………………………(3-2)
一般情況下，δ>> k，而 k和εk在一個數量級上，消去二階項後式(3-2)變為：
...............................................................(3-3)
其中 為無外加磁場時的光強。
式(3-3)移項得在樣品達磁飽和狀態下克爾旋轉角θk為：
………………………………………………………. ..………(3-4)
實際測量時最好測量磁滯回線中正向飽和時的克爾旋轉角θk和反向飽和時的克爾旋轉角θk，那麼
……………………… (3-5)
式(3-5)中，I(+MS)和I(-MS)分別是正負磁飽和狀態下的光強。從式(3-5)可以看出，光強的變化ΔI只與克爾旋轉角θk有關，而與εk無關．說明在圖1這種光路中探測到的克爾信號只是克爾旋轉角。由於θk近似正比於磁化強度M，所以可通過對光強的測量，得到磁化強度的相對值。於是，通過改變外加磁場，即得到磁滯回線。
當要測量克爾橢偏率εk時，只要在檢偏器前放置一個四分之一波片，它可以產生Π/2的相位差，所以檢偏器看到: i(θk+iθk)=-θk+iθk 而不是:εkk+iθk： 因此測量到的信號為克爾橢偏率。
經過推導可得在飽和情況下εk為：
…………………………..(3-6) 本測量系統由以下5部分組成：
(1)光學減震平台。
(2)光路系統，包括輸入光路與接收光路。激光器用普通半導體激光器，起偏和檢偏棱鏡都用格蘭一湯普遜棱鏡，光電檢測裝置由孔狀可調光闌、干涉濾色片和硅光電池組成。格蘭一湯普遜棱鏡的機械調節結構由角度粗調和螺旋測角組成，測微頭的線位移轉變為棱鏡轉動的角位移。測微頭分度值為0.01 mm，轉盤分度值為1，通過測微頭線位移的角位移定標可知其測量精度在2 左右。
(3)勵磁電源主機和可程式控制電磁鐵。勵磁電源主機可選擇磁場自動和手動掃描。
(4)前級放大器和直流電源組合裝置。a)將光電檢測裝置接收到的克爾信號作前級放大，並送人信號檢測主機中。b)將霍耳感測器探測到的磁場強度信號作前級放大並送入檢測裝置。c)為激光器提供精密穩壓電源。
(5)信號檢測主機。將前置放大器傳來的克爾信號及磁場強度信號進行二級放大，分別經A/D轉換後送計算機處理，同時用數字電壓表顯示克爾信號及磁場強度信號的大小。D/A提供周期為20 s、40 s、80 S准三角波，作為勵磁電流自動掃描信號。
3.3 儀器主要部件
(1)磁場均勻的SMOKE測量系統專用電磁鐵如圖3所示．採用了磁軛、磁頭由同一個整體環狀圈鐵鍛打出來的方法，使磁軛形狀完全接近磁力線走向，減少了漏磁損失，可以在較少的線圈匝數條件下，在寬氣隙中產生磁感應強度高達302 mT的磁場。測量表明該磁場穩定性好且與勵磁電流有非常好的線性關系。
(2)高穩定度半導體激光器電源。創新地將半導體激光光源用於SMOKE測量系統．一般文獻皆認為，因為SMOKE實驗中所探測的信號很小，若光源功率穩定性不夠理想，信號就會被淹沒在本底漲落中。因此，SMOKE須使用穩定度很高的偏振型氦氖激光器，半導體激光器因穩定性差，譜線寬度較大，不適合用SMOKE的光源．經作者反復研究，半導體激光器穩定性差的主要原因在於其電源穩定性差，為此研製了高穩定度的半導體激光器電源，其穩定度可達0.05%，達到國外進口高穩定度氦氖激光器0.1 穩定度的標准。
(3)在SMOKE實驗系統中探測器用硅光電池代替光電倍增管。一般的SMOKE裝置對信號的採集與放大多採用光電倍增管，光電倍增管靈敏度比硅光電池高，但光電倍增管必須用高工作電壓，使用壽命不如硅光電池。本測量系統用硅光電池代替光電倍增管，因為設計了高穩定度的放大器，所得到的信號穩定度仍然很好，符合實驗的要求。
(4)實驗系統由用Visual C++編寫的控製程序通過一台計算機實現自動控制和測量。根據設置的參數，計算機經D/A卡控制磁場電源和繼電器進行磁場掃描。從樣品表面反射的光信號以及霍耳感測器探測到的磁場強度信號分別由A/D卡採集，經運算後作圖顯示，在屏幕上直接呈現磁滯回線的整個掃描過程。
圖3-3專用電磁鐵 勵磁電源可使用20 V和40 V兩種三角波交流電壓．當使用20 V電壓時，實際測量磁鐵線圈勵磁電流最大值為8.37 A，當使用40 V時，勵磁電流最大值為10.8 A。
樣品所在處磁感應強度B1與霍耳感測器探測到的磁場強度B2的關系
手動改變勵磁電流從0～10.00A變化，每間隔0.5 A用數字式特斯拉計測量電磁鐵兩極中心處的磁感應強度B，同時記錄信號檢測主機上霍耳感測器探測到的磁感應強度B的大小，B是以電壓大小表示的。實驗結果如表3-1所示。
表3-1 Bl與B2的關系 電流/A 0.00 0.50 1.00 1.50 2.00 2.50 3.00 3.50 4.00 4.50 5.00 B1/mT 0 17 35 52 68 85 102 119 135 152 169 B2/V 1.25 1.32 1.38 1.45 1.51 1.57 1.63 1.70 1.76 1.82 1.88 電流/A 5.50 6.00 6.50 7.00 7.50 8.00 8.50 9.00 9.50 10.00 — B1/mT 186 202 218 233 248 262 275 285 292 302 — B2/V 1.94 2.00 2.05 2.10 2.16 2.22 2.27 2.29 2.32 2.36 — 從表3-1測量數據可看出兩磁極間的磁感應強度最大可達302 mT，在整個測量范圍內，用計算機求得B1與B2的相關系數為0.997，而在0-8.50 A 的范圍內，B1與B2的相關系數為0.999(86)。這說明樣品所在位置處的磁感應強度與實驗中霍耳感測器在線探測到的磁場強度有很好的線性關系。
3.4.3 發射一接收系統的穩定度
用半導體激光器直接照射接收器(內置硅光電池)，用DT-930 MULTlMETER四位半數字電壓表測量其輸出電壓，每次持續1 min，連續測3次。在測試的60 S內，只是偶見數字表的最後一位跳動。因為DT-930的量程為1.99999 V，僅見最後一位跳動，可見發射-接收系統的最大穩定度不超過0.05%，完全滿足實驗的要求。
測量的靈敏度
圖3-4為NiMn薄膜樣品的測量曲線，表3-2是實驗數據記錄及求出的克爾旋轉角大小。可通過它們來檢測儀器的穩定度和雜訊。
(a)半導體激光器用普通電源供電 (b)半導體激光器用高穩定電源供電
圖3-4NiMn薄膜樣品在不同電源作用下的測量曲線
表3-2 NiMn薄膜樣品在不同電源作用下克爾旋轉角的值 電源類型 普通電源 1.45 1.05 1.25 0.40 0.3 0.024 高穩定電源 1.06 1.04 1.05 0.02 0.3 0.0014 由圖3-4(a)，(b)及表3-2中的實驗數據計算結果對比可看出，半導體激光器用普通電源供電時，其雜訊是用高穩定電源供電時的20倍左右，且雜訊對應的克爾旋轉角與信號的克爾旋轉角已經接近在一個數量級上，所以半導體激光器使用普通的電源供電無法進行SMOKE實驗。用高穩定度激光器電源供電時，雜訊所引起的光強波動為±0.01 V，對應的克爾旋轉角為0.001 4，這也是本SMOKE系統的所能達到的靈敏度。
實驗結果
利用該系統已測量NiMn薄膜材料的多層膜的磁滯回線，如圖3-5所示。表3-3是這種材料的實驗數據記錄，其中克爾旋轉角為: 0.028 2。
表3-3 NiMn薄膜樣品實驗記錄 實驗材料 NiMn薄膜 2.02 1.00 1.51 1.02 1.67 0.0282 磁場強度H/（Am）
圖3-5 NiMn薄膜的磁滯回線圖樣
結語
磁光克爾法是測量材料特性特別是薄膜材料物性的一種有效方法，表面磁光克爾效應作為表面磁學的重要實驗手段，已被廣泛應用於磁有序、磁各向異性、多層膜中的層間耦合以及磁性超薄膜間的相變行為等問題的研究。在本文的實驗中用到了SMOKE新型測量系統，它採用普通的半導體激光器作光源，用常見硅光電池進行克爾信號的採集，成功地得到了NiMn薄膜的磁滯回線，且整個系統有較高的檢測靈敏度。從本文的測量結果可以看出NiMn多層薄膜有明顯的磁滯行為，反應了NiMn多層薄膜比較明顯的鐵磁特性。