同軸型光收發器件自動耦合焊接封裝機械裝置

⑴ 新型材料的應用及其意義

光電子材料
optoelectronic material

在光電子技術領域應用的，以光子、電子為載體，處理、存儲和傳遞信息的材料。光電子技術是結合光學和電子學技術而發展起來的一門新技術，主要應用於信息領域，也用於能源和國防領域。已使用的光電子材料主要分為光學功能材料、激光材料、發光材料、光電信息傳輸材料（主要是光導纖維）、光電存儲材料、光電轉換材料、光電顯示材料（如電致發光材料和液晶顯示材料）和光電集成材料。

（一）新型光電子材料及相關基礎材料、關鍵設備和特種光電子器件

1、光電子基礎材料、生長源和關鍵設備
研究目標：突破新型生長源關鍵制備技術，掌握相關的檢測技術；突破半導體光電子器件的基礎材料制備技術，實現產業化。
研究內容及主要指標：
1) 高純四氯化硅(4N)的純化技術和規模化生產技術(B類，要求企業負責並有配套投入)
2) 高純(6N)三甲基銦規模化生產技術(B類，要求企業負責並有配套投入)
3) 可協變(Compliant)襯底關鍵技術(A類)
4) 襯底材料制備與加工技術(B類)
重點研究開發外延用藍寶石、GaN、SiC等襯底材料的高標拋光產業化技術（Epi-ready級）；大尺寸（>2"）藍寶石襯底材料制備技術和產業化關鍵技術。藍寶石基GaN器件晶元切割技術。
5) 用於平板顯示的光電子基礎材料與關鍵設備技術(A類)
大面積(對角線>14〃)的定向排列碳納米管或納米棒薄膜生長的關鍵技術; 等離子體平板顯示用的新型高效熒光粉的關鍵技術。

2、人工晶體和全固態激光器技術
研究目標：研究探索新型人工晶體材料與應用技術，突破人工晶體的產業化關鍵技術，研製大功率全固態激光器，解決產業化關鍵技術問題。
研究內容及主要指標：
1) 新型深紫外非線性光學晶體材料和全固態激光器(A類);
2) 面向光子/聲子應用的人工微結構晶體材料與器件 (A類);
3) 研究開發瓦級紅、藍全固態激光器產業化技術(B類)，高損傷閾值光學鍍膜關鍵技術(B類)，基於全固態激光器的全色顯示技術(A類);
4) 研究開發大功率半導體激光器陣列光纖耦合模塊產業化技術(B類);
5) Yb系列激光晶體技術(A類)。

3、新型半導體材料與光電子器件技術
研究目標：重點研究自組裝半導體量子點、ZnO晶體和低維量子結構、窄禁帶氮化物等新型半導體材料及光電子器件技術。
研究內容及主要指標：
1) 研究ZnO晶體、低維量子結構材料技術，研製短波長光電子器件 (A類)
2) 自組裝量子點激光器技術 (A類)
3) Ⅲ-Ⅴ族窄禁帶氮化物材料及器件技術(A類)
4) 光泵浦外腔式面發射半導體激光器(A類)

4、 光電子材料與器件產業化質量控制技術(A類)
研究目標：發展人工晶體與全固態激光器、GaN基材料及器件表徵評價技術，解決產業化質量控制關鍵技術。
研究內容：重點研究人工晶體與全固態激光器、GaN基材料及器件質量監測新方法與新技術，相關產品測試條件與數據標准化研究。

5、光電子材料與器件的微觀結構設計與性能預測研究(A類)
研究目標：提出光電子新材料、新器件的構思，為原始創新提供理論概念與設計
研究內容：針對光電子技術的發展需求，結合本主題的研製任務，採用建立分析模型、進行計算機模擬，在不同尺度（從原子、分子到納米、介觀及宏觀）范圍內，闡明材料性能與微觀結構的關系，以利性能、結構及工藝的優化。解釋材料制備實驗中的新現象和問題，預測新結構、新性能，預報新效應，以利材料研製的創新。低維量子結構材料新型表徵評價技術和設備。

（二）通信用光電子材料、器件與集成技術

1、集成光電子晶元和模塊技術
研究目標：突破並掌握用於光電集成(OEIC)、光子集成(PIC)與微光電機械(MOEMS)方面的材料和晶元的關鍵工藝技術，以典型器件的研製帶動研究開發工藝平台的建設和完善，探索集成光電子系統設計和工藝製造協調發展的途徑，促進晶元、模塊和組件的產業化。
研究內容及主要指標：
1) 光電集成晶元技術
(1)速率在2.5Gb/s以上的長波長單片集成光發射機晶元及模塊關鍵技術(A類)
(2) 高速 Si基單片集成光接收機晶元及模塊關鍵技術(A類)
2) 基於平面集成光波導技術的OADM晶元及模塊關鍵技術(A類)
3) 平面光波導器件的自動化耦合封裝關鍵技術(B類)
4) 基於微光電機械(MOEMS)晶元技術的8′8以上陣列光開關關鍵技術(A類)
5) 光電子晶元與集成系統(Integrated System)的無生產線設計技術研究(A類)

2、 通信光電子關鍵器件技術
研究目標：針對干線高速通信系統和密集波分復用系統、全光網路以及光接入網系統的需要，重點進行一批技術含量高、市場前景廣闊的目標產品和單元技術的研究開發，迅速促進相應產品系列的形成和規模化生產，顯著提高我國通信光電子關鍵器件產業的綜合競爭能力。
研究內容及主要指標：
(1) 速率在10Gb/s以上的高速光探測器組件(PIN-TIA) 目標產品和規模化生產技術，直接調制DFB-LD目標產品和規模化生產技術，光轉發器(Transponder)目標產品和規模化生產技術；(均為B類，要求企業負責並有配套投入)
(2) 40通道、0.8nm間隔EDFA動態增益均衡關鍵技術(A類)；
(3) InGaNAs高性能激光器研究(A類)；
(4) 光波長變換器關鍵技術和目標產品(B類)；
(5) 可調諧激光器目標產品(A類)；
(6) 用於無源光網路(EPON)的突發式光收發模塊關鍵技術和目標產品(B類)。

3、光纖製造新技術及新型光纖
研究目標：研究開發並掌握具有自主知識產權的光纖預制棒製造技術；研究開發新一代通信光纖，推動光纖通信系統在高速、大容量骨幹網以及接入網中的應用。
研究內容和主要指標：
1) 光纖預制棒製造新技術(B類，要求企業負責並有配套投入)；
2) 新型特種光纖(A類)。

（三）面向信息獲取、處理、利用的光電子材料與器件

1．GaN材料和器件技術
研究目標：重點突破用於藍光激光器襯底的GaN體單晶生長技術。
研究內容及主要指標：
大面積、高質量GaN體單晶生長技術。

2、超高亮度全色顯示材料與器件應用技術
研究目標：研究開發用於場致電子發射平板顯示器（FED）材料和器件結構，以及超高亮度冷陰極發光管製作和應用的關鍵技術。
說明：等離子體平板顯示器和高亮度、長壽命有機發光器件（OLED）和FED的產業化關鍵技術將於"平板顯示專項"中考慮。
研究內容及主要指標：
1) 超高亮度冷陰極發光管製作和應用的關鍵技術(A類);
2) 研製FED用的、能夠在低電壓下工作的新型冷陰極電子源結構、新型冷陰極電子發射材料(A類)。

3、超高密度光存儲材料與器件技術
研究目標：發展具有自主知識產權的超高密度、大容量、高速度光存儲材料和技術，達到國際先進水平，為發展超高密度光存儲產業打下基礎。
研究內容及主要指標：
1) DVD光頭用光源和非球面透鏡等產業化關鍵技術(B類)；
2) 新型近場光存儲材料和器件(A類)。

4、光感測材料與器件技術
研究目標：以特殊環境應用為目的，實現感測元器件的產業化技術開發；研究開發新型光電感測器。
研究內容及主要指標：
1) 光纖光柵溫度、壓力、振動感測器的產業化技術(B類，要求企業負責並有配套投入);
2) 銻化物半導體材料及室溫無製冷紅外焦平面探測器技術(A類);
3) 大氣監測用高靈敏紅外探測器及其列陣(A類) ;
4) 基於新概念、新原理的光電探測技術(A類);

5、新型有機光電子材料及器件
研究目標：研究開發新型有機半導體材料及其在光顯示等領域的應用。
研究內容及主要指標：：
1) 有機非線性光學材料及其在全光光開關中的應用(A類);
2) 有機半導體薄膜晶體管材料與器件技術(A類)。

⑵ 光釺焊接機和激光焊接機的區別在哪裡

一.光纖傳輸激光焊接機是將高能激光束耦合進入光纖，遠距離傳輸後，通過準直鏡準直為平行光,再聚焦於工件上實施焊接的一種激光焊接設備。對焊接難以接近的部位，施行柔性傳輸非接觸焊接，具有更大的靈活性。光纖傳輸激光焊接機激光束可實現時間和能量上的分光，能進行多光束同時加工，為更精密的焊接提供了條件。

二.光纖激光焊接機主要特點

1.光纖傳輸激光焊接機選配CCD攝像監視系統，方便觀察和精確定位。

2.光纖傳輸激光焊接機焊斑能量分布均勻，具有焊接特性所需要的最佳光斑。

3.光纖傳輸激光焊接機適應各種復雜焊縫，各種器件的點焊，以及1mm以內薄板的縫焊。

4.光纖傳輸激光焊接機採用英國進口陶瓷聚光腔體，耐腐蝕、耐高溫，腔體壽命（8-10)年,氙燈壽命800萬次以上。

5.可定製專用的自動化工裝夾具,實現產品的批量生產。

三.光纖激光焊接機主要應用:

光纖傳輸激光焊接機應用於光通信器件、IT、醫療、電子、電池、光纖耦合器件、顯像管電子槍、金屬零件、手機振動馬達、鍾表精密零件、汽車鋼片等的精密焊接。

四.光纖激光焊接機應用領域

1. 製造業應用：激光焊接機在國內外汽車製造中的應用廣泛。曾經在日本以CO2激光焊機替代了閃光對焊的進行鋼制業軋鋼卷材的連接，在超薄板焊接的研究中，比如板厚100微米以下的箔片，沒有辦法熔焊，但通過有特殊輸出功率波形的YAG激光焊得以成功，顯示了激光焊的廣闊前途。

2. 粉末‍冶金領域：科學技術不斷發展，許多工業技術對材料都有特殊的要求，傳統技術製造的材料已不能滿足要求了。激光焊接機進入粉末冶金材料加工領域，為粉末冶金材料的應用帶來了新的發展前景，比如採用粉末冶金材料連接中常用的釺焊的方法焊接金剛石，因為結合強度低，熱影響區寬尤其是無法適應高溫及強度要求高而引起釺料熔化脫落，採用激光焊接機能夠提高焊接強度以及耐高溫性能。

3.電子工業激光焊接機在電子工業中，得到了廣泛的應用。因為激光焊接熱影響區小，加熱集中迅速、熱應力低，因而正在集成電路和半導體器件殼體的封裝中，顯示出獨特的優越性，在真空器件研製中，激光焊接也得到了應用。感測器或溫控器中的彈性薄壁波紋片厚度在0.05-0.1mm，採用傳統焊接方法很難解決，TIG焊容易焊穿，等離子穩定性不好，影響因素多而採用激光焊接效果很好，受到廣泛的應用。
汽車工業

焊接生產已大規模出現在汽車製造業，成為汽車製造業突出的成就之一。很多汽車製造廠採用了激光焊接和切割工藝。高強鋼激光焊接裝配件因其優良性能在汽車車身製造中使用得越來越多。因為汽車工業批量大、自動化程度高，激光焊接設備將向大功率、多路式方向發展。

⑶ 光纖連接器和射頻同軸連接器的區別

光纖連接器是光纖與光纖之間進行可拆卸（活動）連接的器件，它是把光纖的兩個端面精密對接起來，以使發射光纖輸出的光能量能最大限度地耦合到接收光纖中去，並使由於其介入光鏈路而對系統造成的影響減到最小，這是光纖連接器的基本要求。在一定程度上，光纖連接器也影響了光傳輸系統的可靠性和各項性能。
光纖連接器按傳輸媒介的不同可分為常見的硅基光纖的單模、多模連接器，還有其它如以塑膠等為傳輸媒介的光纖連接器；按連接頭結構形式可分為：FC、SC、ST、LC、D4、DIN、MU、MT等等各種形式。其中，ST連接器通常用於布線設備端，如光纖配線架、光纖模塊等；而SC和MT連接器通常用於網路設備端。按光纖端面形狀分有FC、PC（包括SPC或UPC）和APC；按光纖芯數劃分還有單芯和多芯（如MT-RJ）之分。光纖連接器應用廣泛，品種繁多。

而射頻同軸連接器（以下簡稱RF連接器）通常被認為是裝接在電纜上或安裝在儀器上的一種元件，作為傳輸線電氣連接或分離的元件。它屬於機電一體化產品。簡單的講它主要起橋梁作用。
同其它電子元件相比，RF連接器的發展史較短。1930年出現的UHF連接器是最早的RF連接器。到了二次世界大戰期間，由於戰爭急需，隨著雷達、電台和微波通信的發展，產生了N、C、BNC、TNC、等中型系列，1958年後出現了SMA、SMB、SMC等小型化產品，1964年制定了美國軍用標准MIL-C-39012《射頻同軸連接器總規范》，從此，RF連接器開始向標准化、系列化、通用化方向發展。

綜上所述 一個是用於光通信系統中一個是用於電纜或安裝在儀器上的。想了解更詳細的專業知識可上森工通信官網。

這是射頻同軸連接器

⑷ 買一台光纖激光焊接機需要多少錢

這台設備就振鏡和激光器這2個核心部件值錢點，其他都是機械部分的，不貴
激光版器和振鏡 有進口和國產，權10W的國產激光器大概就5W左右，進口IPG的9W
進口振鏡2W多的樣子 國產的1W左右，

你可以根據自己需要的效果去配。

⑸ 光電耦合器的封裝

按封裝形式分為同軸型，雙列直插型，TO封裝型，扁平封裝型，專貼片封裝型，以及光纖傳屬輸型等。

http://www.dzsc.com/proct/searchfile/5523.html
http://ke..com/view/589855.html?wtp=tt

⑹ 請高手講解一下光收發一體模塊的種類及各個種類的應用；都有哪些廠家做的比較好市場價格分別如何

光收發一體來模塊，英文名稱optical transceiver，簡自稱光模塊，是光纖通信中重要的器件，包括以下種類：
1.10Gbs光模塊(XFP,SFP+)——應用於連續光通信（城域網、乙太網、光纖通路）的緊密10Gb/s光收發模組。
2.1x9雙工SC ST連接器光模塊
3.RJ45電口小型可插拔模塊
4.點對點雙向光模塊(P-to-P FTTH應用)
5.千兆乙太網介面轉換器(GBIC)模塊
6.無源光網PON( G-PON, GE-PON)光模塊
7.小型可插拔收發光模塊(SFP,SFF)

現業界光模塊的主要廠家有：思科、飛博創、新飛通、武漢華工、武漢電信器件、台達、海信光電等等。
價格上，國際著名廠商思科、飛博創比較貴一點，其他的國內廠家都差不多，利潤不高。

⑺ 光模塊的應用及使用方法

一、光收發一體模塊定義

光收發一體模塊由光電子器件、功能電路和光介面等組成，光電子器件包括發射和接收兩部分。發射部
分是：輸入一定碼率的電信號經內部的驅動晶元處理後驅動半導體激光器（LD）或發光二極體（LED）發射出相應速率的調制光信號，其內部帶有光功率自動控
制電路，使輸出的光信號功率保持穩定。接收部分是：一定碼率的光信號輸入模塊後由光探測二極體轉換為電信號。經前置放大器後輸出相應碼率的電信號，輸出的
信號一般為PECL電平。同時在輸入光功率小於一定值後會輸出一個告警信號。

二、光收發一體模塊分類

按照速率分：乙太網應用的100Base（百兆）、1000Base（千兆）、10GE
SDH應用的155M、622M、2.5G、10G

按照封裝分：

1×9、SFF、SFP、GBIC、XENPAK、XFP，各種封裝見

1×9封裝——焊接型光模塊，一般速度不高於千兆，多採用SC介面
SFF封裝­——焊接小封裝光模塊，一般速度不高於千兆，多採用LC介面
GBIC封裝——熱插拔千兆介面光模塊，採用SC介面
SFP封裝——熱插拔小封裝模塊，目前最高數率可達4G，多採用LC介面
XENPAK封裝——應用在萬兆乙太網，採用SC介面
XFP封裝——10G光模塊，可用在萬兆乙太網，SONET等多種系統，多採用LC介面按照激光類型分：LED、VCSEL、FP LD、DFB LD
按照發射波長分：850nm、1310nm、1550nm等等
按照使用方式分：非熱插拔（1×9、SFF），可熱插拔（GBIC、SFP、XENPAK、XFP）
三、光纖連接器的分類和主要規格參數

光纖連接器是在一段光纖的兩頭都安裝上連接頭，主要作光配線使用。
按照光纖的類型分：單模光纖連接器（一般為G.652纖：光纖內徑9um，外徑125um），多模光纖連接器
按照光纖連接器的連接頭形式分：FC，SC，ST，LC，MU，MTRJ等等，目前常用的有FC，SC，ST，LC，

FC型——最早由日本NTT研製。外部加強件採用金屬套，緊固方式為螺絲扣。測試設備選用該種接頭較多。

SC型——由日本NTT公司開發的模塑插拔耦合式連接器。其外殼採用模塑工藝，用鑄模玻璃纖維塑料製成，呈矩形；插針由精密陶瓷製成，耦合套筒為金屬開縫套管結構。緊固方式採用插拔銷式，不需要旋轉。

LC型——朗訊公司設計的。套管外徑為1.25mm，是通常採用的FC-SC、ST套管外徑2.5mm的一半。提高連接器的應用密度。
按照光纖連接器連接頭內插針端面分：PC，SPC，UPC，APC

按照光纖連接器的直徑分：Φ3，Φ2, Φ0.9

光纖連接器的性能主要有光學性能、互換性能、機械性能、環境性能和壽命。其中最重要的是插入損耗和回波損耗這兩個指標。
1、 光模塊傳輸數率：百兆、千兆、10GE等等

2、 光模塊發射光功率和接收靈敏度：
發射光功率指發射端的光強，接收靈敏度指可以探測到的光強度。兩者都以dBm為單位，是影響傳輸距離的重要參數。光模塊可傳輸的距離主要受到損耗和色散兩
方面受限。損耗限制可以根據公式：損耗受限距離＝（發射光功率-接收靈敏度）/光纖衰減量
來估算。光纖衰減量和實際選用的光纖相關。一般目前的G.652光纖可以做到1310nm波段0.5dB/km，1550nm波段0.3dB/km甚至更
佳。50um多模光纖在850nm波段4dB/km 1310nm波段2dB/km。對於百兆、千兆的光模塊色散受限遠大於損耗受限，可以不作考慮。
3、 10GE光模塊遵循802.3ae的標准，傳輸的距離和選用光纖類型、光模塊光性能相關。

4、 飽和光功率值指光模塊接收端最大可以探測到的光功率，一般為-3dBm。當接收光功率大於飽和光功率的時候同樣會導致誤碼產生。因此對於發射光功率大的光模塊不加衰減回環測試會出現誤碼現象。
五、光模塊功能失效重要原因

光模塊功能失效分為發射端失效和接收端失效，分析具體原因，最常出現的問題集中在以下幾個方面：

1． 光口污染和損傷

由於光介面的污染和損傷引起光鏈路損耗變大，導致光鏈路不通。產生的原因有：
A． 光模塊光口暴露在環境中，光口有灰塵進入而污染；
B． 使用的光纖連接器端面已經污染，光模塊光口二次污染；
C． 帶尾纖的光接頭端面使用不當，端面劃傷等；
D．使用劣質的光纖連接器；
我司（光潤通科技發展有限公司）提供專業的光纖產品，希望可以幫助你！

⑻ UV光固化設備用於什麼行業

用的地方很多，
有傢具行業，如木門
有地板行業，如家用地板
有電子產品，如手機外殼，
有紙張行業，如煙包裝膜
現在乃至以後，UV的用途將會不斷擴大，UV設備用途也將不斷增加

⑼ 光電耦合器件有哪些特點為什麼光電耦合器件具有很強的抗干擾性能

摘 要 線性光耦合器是目前國際上正推廣應用的一種新型光電隔離器件。文中介紹其性能特點、產品分類，以及它在單片開關電源中的應用。 ? 關鍵詞 光耦合器線性電流傳輸比通信單片開關電源 ? 光耦合器（optical coupler，英文縮寫為OC）亦稱光電隔離器或光電耦合器，簡稱光耦。它是以光為媒介來傳輸電信號的器件，通常把發光器（紅外線發光二極體LED）與受光器（光敏半導體管）封裝在同一管殼內。當輸入端加電信號時發光器發出光線，受光器接受光線之後就產生光電流，從輸出端流出，從而實現了「電—光—電」 轉換。普通光耦合器只能傳輸數字（開關）信號，不適合傳輸模擬信號。近年來問世的線性光耦合器能夠傳輸連續變化的模擬電壓或模擬電流信號，使其應用領域大為拓寬。 ? 1 光耦合器的類型及性能特點 1.1 光耦合器的類型 ? 光耦合器有雙列直插式、管式、光導纖維式等多種封裝形式，其種類達數十種。光耦合器的分類及內部電路如圖1所示。圖中是8種典型產品的型號：(a)通用型 (無基極引線)；(b)通用型(有基極引線)；(c)達林頓型；(d)高速型；(e)光集成電路；(f)光纖型；(g)光敏晶閘管型；(h)光敏場效應管型。 1.2 光耦合器的性能特點 ? 光耦合器的主要優點是單向傳輸信號，輸入端與輸出端完全實現了電氣隔離，抗干擾能力強，使用壽命長，傳輸效率高。它廣泛用於電平轉換、信號隔離、級間隔離、開關電路、遠距離信號傳輸、脈沖放大、固態繼電器(SSR)、儀器儀表、通信設備及微機介面中。在單片開關電源中，利用線性光耦合器可構成光耦反饋電路，通過調節控制端電流來改變占空比，達到精密穩壓目的。 ? 光耦合器的技術參數主要有發光二極體正向壓降VF、正向電流IF、電流傳輸比CTR、輸入級與輸出級之間的絕緣電阻、集電極-發射極反向擊穿電壓 V(BR)CEO、集電極-發射極飽和壓降VCE(sat)。此外，在傳輸數字信號時還需考慮上升時間、下降時間、延遲時間和存儲時間等參數。? 電流傳輸比是光耦合器的重要參數，通常用直流電流傳輸比來表示。當輸出電壓保持恆定時，它等於直流輸出電流IC與直流輸入電流IF的百分比。其公式為： 採用一隻光敏三極體的光耦合器，CTR的范圍大多為20%～300%（如4N35），而PC817則為80%～160%，達林頓型光耦合器（如4N30）可達100%～5000%。這表明欲獲得同樣的輸出電流，後者只需較小的輸入電流。因此，CTR參數與晶體管的hFE有某種相似之處。線性光耦合器與普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲線，分別如圖2中的虛線和實線所示。 由圖2可見，普通光耦合器的CTR-IF特性曲線呈非線性，在IF較小時的非線性失真尤為嚴重，因此它不適合傳輸模擬信號。線性光耦合器的CTR-IF特性曲線具有良好的線性度，特別是在傳輸小信號時，其交流電流傳輸比(ΔCTR＝ΔIC/ΔIF)很接近於直流電流傳輸比CTR值。因此，它適合傳輸模擬電壓或電流信號，能使輸出與輸入之間呈線性關系。這是其重要特性。 2 線性光耦合器的產品分類及選取原則 2.1 線性光耦合器的產品分類 ? 線性光耦合器的典型產品及主要參數見表1，這些光耦均以光敏三極體作為接收管。 2.2 線性光耦合器的選取原則 ? 在設計光耦反饋式開關電源時必須正確選擇線性光耦合器的型號及參數，選取原則如下： ? ①光耦合器的電流傳輸比(CTR)的允許范圍是50%～200%。這是因為當CTR＜50%時，光耦中的LED就需要較大的工作電流 (IF＞5.0mA)，才能正常控制單片開關電源IC的占空比，這會增大光耦的功耗。若CTR＞200%，在啟動電路或者當負載發生突變時，有可能將單片開關電源誤觸發，影響正常輸出。 ? ②推薦採用線性光耦合器，其特點是CTR值能夠在一定范圍內做線性調整。 ? ③由英國埃索柯姆(Isocom)公司、美國摩托羅拉公司生產的4N××系列(如4N25 、4N26、4N35)光耦合器，目前在國內應用地十分普遍。鑒於此類光耦合器呈現開關特性，其線性度差，適宜傳輸數字信號(高、低電平)，因此不推薦用在開關電源中。 3 線性光耦合器應用舉例 多路輸出式電源變換器電路如圖3所示。其輸入電壓為36V到90V的准方波電壓，三路輸出分別為：UO1＝＋5V(2A)，UO2＝＋15V(0.17A)，UO3＝－15V(0.17A)。現將UO1定為主輸出，其電壓調整率 SV＝±0.4%；UO2和UO3為輔輸出，總電源效率可達75%～80%。電路中採用一片TOP104Y型三端單片開關電源集成電路。主輸出繞組電壓經過VD2、C2、L1和C3整流濾波後，得到＋5V電壓。VD2採用MBR735型35V／7.5A肖特基二極體。兩個輔輸出繞組及輸出電路完全呈對稱結構。因為±15V輸出電流較小，故整流管VD4和VD5均採用UF4002型100V／1A的超快恢復二極體。由線性光耦CNY17-2和可調式精密並聯穩壓器TL431C構成光耦反饋式精密開關電源，可以對＋5V電壓進行精密調整。反饋繞組電壓通過VD3、C4整流濾波後，得到12V反饋電壓。由 P6KE120型瞬態電壓抑制器和UF4002型超快恢復二極體構成的漏極鉗位保護電路，能吸收由高頻變壓器漏感形成的尖峰電壓，保護晶元內部的功率場效應管MOSFET不受損壞。 ? 外部誤差放大器由TL431C組成。當+5V輸出電壓升高時，經R3、R4分壓後得到的取樣電壓，就與TL431C中的2.5V帶隙基準電壓進行比較，使其陰極電位降低，LED的工作電流IF增大，再通過線性光耦IC2（CNY17-2）使控制端電流IC增大，TOP104Y的輸出占空比減小，使UO1維持不變，達到穩壓目的。+5V穩壓值UO1則由TL431C、光耦中的LED正向壓降來設定。R1是LED的限流電阻。誤差放大器的頻率響應由C5、R2 和C6來決定。C5的作用有三個：濾除控制端上的尖峰電壓；決定自動重啟動頻率；與R2一起對控制迴路進行補償。