實驗裝置怎樣測量霍爾元件的靈敏度

❶ 如何測定霍爾靈敏度它和哪些因素有關為提高霍爾原件的靈敏度你將採用什麼方法

霍爾的靈敏度指單位電壓或者單位電流在單位磁場下（比如1T或者1mT）產生的霍爾電壓,這個霍爾電壓一般很小（最多mV級別）.霍爾靈敏度主要與製成霍爾元件（或者晶元）的材料有關,一般來講,材料的遷移率越高,則靈敏度越高.另外,霍爾靈敏度也與所加的電壓或者電流偏置有關.
霍爾元件（一般由銻化銦製成）的靈敏度比較好測量,相同的電壓和磁場條件下,輸出電壓高的則靈敏度高.
霍爾集成電路（IC)的靈敏度的測量要分兩種：（1) 對於開關型,測量可以使hall IC打開（一般輸出由高變低）的磁場強度,使hall打開的磁場越弱則靈敏度越高.（2）對於線性hall,則需要給晶元一個磁場變數（比如磁場變化100GS）看輸出電壓變化值的大小,電壓變化的則靈敏度高.
對於怎樣提高靈敏度,在hall材料已經確定的情況下只能靠外加放大器等電子電路來變相的實現.

❷ 如何測霍爾效應靈敏度

霍爾元件（由銻化銦製成）的靈敏度比較好測量，相同的電壓和磁場條件下，輸出電壓高的則靈敏度高。

霍爾集成電路（IC）的靈敏度的測量要分兩種：

（1）對於開關型，測量可以使hallIC打開（一般輸出由高變低）的磁場強度，使hall打開的磁場越弱則靈敏度越高。

（2）對於線性hall，則需要給晶元一個磁場變數（比如磁場變化100GS）看輸出電壓變化值的大小，電壓變化的則靈敏度高。

對於怎樣提高靈敏度，在hall材料已經確定的情況下只能靠外加放大器等電子電路來變相的實現。

(2)實驗裝置怎樣測量霍爾元件的靈敏度擴展閱讀：

霍爾元件的靈敏度與霍爾系數成正比，而與霍爾元件的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，單位為mV/(mA.G)，它通常可以表徵霍爾常數。另外，如果是指大學物理里的霍爾實驗那個靈敏度值，具體還得看實驗用具。

實際的霍爾元件，通常分為開關型或線性型兩種，開關型一般不標稱靈敏度，而線性型通常電流I由內部電路決定。因此，靈敏度的定義發生了變化。

線性型霍爾元件中，從原理上看，由VH=KHIB變為VH=KHB，單位變為mV/G，此時靈敏度一般在1~5mV/G左右。

❸ 霍爾法測磁場實驗 如何測量測量霍爾元件的靈敏度

靈敏度和N屬於儀器參數,可直接從儀器上讀取。
霍爾效應是電磁效應的一種，這一現象是美國物理學家霍爾（A.H.Hall，1855—1938）於1879年在研究金屬的導電機制時發現的。當電流垂直於外磁場通過導體時，垂直於電流和磁場的方向會產生一附加電場，從而在導體的兩端產生電勢差，這一現象就是霍爾效應，這個電勢差也被稱為霍爾電勢差。霍爾效應應使用左手定則判斷。

❹ 霍爾元件的靈敏度怎麼測量

由UH=KHBIs,得KH=UH/BIs,可加一定值的B，作UH—Is特性曲線，得斜率UH/Is乘以1/B即可的霍爾元件靈敏度KH。在這上面公式字元不聽使喚，寫的時候注意下標。

❺ 如何測定霍爾靈敏度它和哪些因素有關為提高霍爾原件的靈敏度你將採用什麼方法

霍爾元件（由銻化銦製成）的靈敏度比較好測量，相同的電壓和磁場條件下，輸出電壓高的則靈敏度高.

霍爾集成電路（IC)的靈敏度的測量要分兩種：

（1) 對於開關型，測量可以使hall IC打開（一般輸出由高變低）的磁場強度，使hall打開的磁場越弱則靈敏度越高。

（2）對於線性hall，則需要給晶元一個磁場變數（比如磁場變化100GS）看輸出電壓變化值的大小，電壓變化的則靈敏度高。

對於怎樣提高靈敏度，在hall材料已經確定的情況下只能靠外加放大器等電子電路來變相的實現。

(5)實驗裝置怎樣測量霍爾元件的靈敏度擴展閱讀：

霍爾線性器件的精度高、線性度好；霍爾開關器件無觸點、無磨損、輸出波形清晰、無抖動、無回跳、位置重復精度高（可達μm 級），採用了各種補償和保護措施，霍爾器件的工作溫度范圍寬，可達－55℃～150℃。

在磁場不太強時，霍爾電勢差UH與激勵電流I和磁感應強度B的乘積成正比，與霍爾片的厚度δ成反比，即UH =RH*I*B/δ，式中的RH稱為霍爾系數，它表示霍爾效應的強弱。 另RH=μ*ρ即霍爾常數等於霍爾片材料的電阻率ρ與電子遷移率μ的乘積。

線性霍爾效應感測器 IC 的電壓輸出會精確跟蹤磁通密度的變化。在靜態（無磁場）時，從理論上講，輸出應等於在工作電壓及工作溫度范圍內的電源電壓的一半。增加南極磁場將增加來自其靜態電壓的電壓。

相反，增加北極磁場將增加來自其靜態電壓的電壓。這些部件可測量電流的角、接近性、運動及磁通量。它們能夠以磁力驅動的方式反映機械事件。

❻ 用實驗裝置能否測量霍爾元件的靈敏度如何測量

能，由公式B=Vh/KhI可知，用恆定的磁場和恆定的電流，然後測量V1,V2，然後求出Vh，就可以算出靈敏度Kh了。

❼ 霍爾原件有哪些參數如何測量

一、實驗原理

靜止的載流導體位於磁場中(三個條件，靜止、通電導體、磁場)，當電流I的方向與磁場的方向有一定夾角時，在垂直於電流和磁場方向的載流導體的兩側面之間會產生電動勢，電流方向與磁場方向垂直時，產生的電動勢最大，這一現象稱為霍爾效應。

霍爾效應的本質是運動的帶電粒子在磁場中受洛侖茲力作用而引起偏轉，當帶電粒子被約束在固體材料中，這種偏轉就導致在垂直於電流和磁場的方向產生正、負電荷的聚集，從而在材料中形成附加的橫向電場。

霍爾效應一般極為微弱，但在高純度的半導體中比較明顯，因為半導體材料的載流子遷移率很高，電阻率也比較大。

實用中為提高霍爾元件的靈敏度，將元件製成很薄、很小的矩形。過去霍爾元件的尺寸都在毫米數量級，新的製作工藝(真空鍍膜)已使霍爾元件的尺寸更小，僅為微米數量級。所以實驗中要嚴格按要求施加工作電流，注意安全，保護儀器。

霍爾效應已在科學實驗和工程技術中得到廣泛應用。

霍爾感測器主要用在以下幾個方面：測量磁場強度；測量交直流電路電流強度和電功率；轉換信號，如將直流電流轉換成交流電流；對各種非電量的物理量進行測量並輸出電信號供自動檢測、控制和信息處理，實現生產過程的自動化。

無論工科或理科學生，了解這一極富實用性的實驗，對將來的工作和學習都有幫助。

二、實驗儀器

實驗儀器由兩部分組成，實驗儀和測試儀。

實驗儀包括一個用來產生勻強磁場的電磁鐵，一個置於電磁鐵縫隙中的霍爾感測器，其位置可調節，左右兩個開關分別控制霍爾感測器工作電流IS和電磁鐵線圈激勵電流IM的方向，中間開關向上閉合用以測量霍爾感測器輸出的霍爾電壓VH，向下閉合用以測量霍爾感測器上的電壓降V0。

儀器上標有該霍爾感測器的靈敏度KH，注意要將單位mV/(mA*KGS)換算成國際單位制。

測試儀是實驗電源和測量儀表，兩個恆流源分別輸出霍爾感測器工作電流IS和電磁鐵線圈激勵電流IM，調節IS和IM，可實現實驗條件的控制和改變，兩者共用一個電流表讀數，注意測量霍爾感測器工作電流時讀數最大值是1.999毫安，測量電磁鐵線圈激勵電流時讀數最大值是1.999安培，左邊電壓表用來測量霍爾電壓VH和V0，讀數單位是毫伏。

❽ 霍爾效應實驗報告如何用實驗測量霍爾元件的靈敏度設計實驗

求出U：I為斜率K1，K1=靈敏度乘以B。用斜率除以磁通量，B=CIm

❾ 用實驗裝置能否測量霍爾原件的靈敏度如何進行測量

能，由公式B=Vh/KhI可知，用恆定的磁場和恆定的電流，然後測量V1,V3，然後求出Vh，就可以算出靈敏度Kh了。