可控硅整流裝置系統設計

『壹』 硅整流設備，可控硅整流裝置。的用途

用來整流高壓交流的。一般220V用普通的
整流橋
就可以搞定，但高壓的整流一般的
整流管
耐不了這么高的電壓，這時就要用到
可控硅
的整流裝置了。

『貳』 可控硅整流器工作原理

台興【taision】可控硅整流器的工作原理 可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成 當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處於放大狀態。此時，如果從控 制極G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，於是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環的結果，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導通。 由於BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通後，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態，由於觸發信號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控硅是不可關斷的。

『叄』 可控硅整流電路的原理

其原理根據負載RL上有電壓UL輸出。Ug到來得早，可控硅導通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。
這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內可控硅導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。
可控硅：可控硅又叫晶閘管，是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱，俗稱可控硅，指的是具有四層交錯P、N層的半導體裝置。最早出現的一種是硅控整流器（Silicon Controlled Rectifier，SCR），中國大陸通常簡稱可控硅，又稱半導體控制整流器，是一種具有三個PN結的功率型半導體器件，為第一代半導體電力電子器件的代表。
晶閘管的特點是具有可控的單向導電，即與一般的二極體相比，可以對導通電流進行控制。晶閘管具有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）作用，並體積小、輕、功耗低、效率高、開關迅速等優點，廣泛用於無觸點開關、可控整流、逆變、調光、調壓、調速等方面。

『肆』 可控硅整流器的簡介

可控硅整流器是一種常用的電力半導體電子器件，具有控制開關數千瓦乃至兆瓦級電功率的能力.從結構上說，它是 一種反向截止三極體型的閘流晶體管，由三個PN結(PN-PN四層)構成.器件的外引線有陰極、陽極、控制極三個電極，典型大電流可控硅整流器的示意剖面見圖.器件的反向特性(陽極接負)和PN結二極體的反向特性相似;其正向特性，在 一定范圍內器件處於阻抗很高的關閉狀態(正向阻斷態，即伏安特性一象限中虛線下的實線部分).當正向瞬間電壓大於轉折電壓時，器件迅速轉變到低電壓大電流的通導狀態.

處於正向阻斷態的器件，如果給予控制極一低功率的觸發信號(使控制極-陰極PN結導通)，則器件可迅速被激發到導通狀態，之後毋須繼續保持觸發電流即可維持在通導狀態，此時若將電流降至維持電流(伏安特性虛線處)以下，器件可恢復到阻斷狀態.
可控硅整流器：主電路採用三相橋或雙反星形帶平衡電抗器電路。可控硅元件採用大功率元件，節能顯著。主控制系統採用大板高檻抗干擾、大規模集成控制板；模塊及集成元件全部採用進口，可靠性高。具有自動穩壓、穩流，穩定精度優於1%。具有0~60S軟起動，電鍍氧化著色時間可任意設定，自動定時。採用多相整流，減小輸出電壓紋波系數ru，特別適應於鍍硬鉻工藝，表面光潔度好，鍍層厚度均勻。冷卻方式：水冷、風冷、自冷。
晶閘管全稱晶體閘流管，又稱可控硅:是一種功率半導體器件。它具有容量大、效率高、可控性好、壽命長以及體積小等諸多優點，是弱電控制和被控強電之間的橋梁。從節能的觀點出發，電力電子技術被譽為新電氣技術。我國的能源利用率較低，按國民生產單產能耗計算，我國則是法國的4.98倍、日本的4.43倍，因此以晶閘管為核心的電氣控制裝置的普及使用是我國有效節約電能的一項重要措施。

『伍』 可控硅整流器的相關技術

在可控整流電路的波形圖中，發現晶閘管承受正向電壓的每半個周期內，發出第一個觸發脈沖的時刻都相同，也就是控制角α和導通角θ都相等，那麼，單結晶體管張弛振盪器怎樣才能與交流電源准確地配合以實現有效的控制呢?
為了實現整流電路輸出電壓「可控」，必須使晶閘管承受正向電壓的每半個周期內，觸發電路發出第一個觸發脈沖的時刻都相同，這種相互配合的工作方式，稱為觸發脈沖與電源同步。

怎樣才能做到同步呢?大家再看調壓器的電路圖(上圖)。請注意，在這里單結晶體管張弛振盪器的電源是取自橋式整流電路輸出的全波脈沖直流電壓。在晶閘管沒有導通時，張弛振盪器的電容器C被電源充電，UC按指數規律上升到峰點電壓UP時，單結晶體管VT導通，在VS導通期間，負載RL上有交流電壓和電流，與此同時，導通的VS兩端電壓降很小，迫使張弛振盪器停止工作。當交流電壓過零瞬間，晶閘管VS被迫關斷，張弛振盪器得電，又開始給電容器C充電，重復以上過程。這樣，每次交流電壓過零後，張弛振盪器發出第一個觸發脈沖的時刻都相同，這個時刻取決於RP的阻值和C的電容量。調節RP的阻值，就可以改變電容器C的充電時間，也就改變了第一個Ug發出的時刻，相應地改變了晶閘管的控制角，使負載RL上輸出電壓的平均值發生變化，達到調壓的目的。
雙向晶閘管的T1和T2不能互換。否則會損壞管子和相關的控制電路。

『陸』 可控硅整流櫃的工作原理及注意事項

可控硅整流櫃的工作原理如下：
1、可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。
2、當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處於放大狀態。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，於是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環的結果，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導通。
3、由於BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通後，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態，由於觸發信號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控硅是不可關斷的。

可控硅整流櫃注意事項如下：
1、把可控硅整流器安放好，並保持其穩定，為保證整流器通風良好，其前後左右0.5m以內不要有任何物體。另外，避免可控硅整流器在充滿粉塵和腐蝕性氣體的環境中工作，並遠離產熱源，和潮濕地帶，相對濕度5%~70%，環境溫度-25℃~40℃，以延長機器壽命。
2、檢查一下可控硅整流器機器外殼有無松動，埠有無在運輸過程中損壞，確認三相空氣開關處於斷開位置。
3、找出電源輸入線，分別接好引線，將遠控線對好插座的凹凸部位插牢並旋緊。
4、機箱後面外殼左下角有「 」標識，請接入大地，預防靜電。
5、將功率調節旋鈕⑤逆時針旋轉到底（最小狀態）。
6、閉合空氣開關，此時風扇開始轉動，電源指示燈①亮。故障燈④會閃爍數次隨即熄滅。
7、將「工作/待機」開關②撥至「待機」檔，然後撥至「工作」檔。
8、順時針旋轉調節旋鈕⑤，當「穩壓/穩流」開關置於「穩壓」檔時，電壓表讀數隨即增加至所需值，電流表根據負載大小做出相應指示；當「穩壓/穩流」開關置於「穩流」檔時，有負載情況下，電流表讀數隨著增加至所需值，電壓表根據負載大小做出相應指示，無負載時，順時針旋轉調節旋鈕，電壓指示最高值，電流表指示為零。
9、關閉電源時應先將調節旋鈕逆時針旋到底，將「工作/待機」開關撥至「待機」檔，斷開空氣開關。
10、機器正常工作時，外殼由於機內高頻磁場的影響會產生渦流使外殼發熱，並且有靜電，屬正常現象。
11、水冷可控硅整流器，在進水口中接水源管，出水口接好出水管，檢查進水是否順暢，機器出廠時已調好水壓開關，工作時，不能低於所調水壓。

『柒』 電鍍可控硅整流器如何進行冷卻系統設計

電動可控硅整流器如何進行冷卻系統的設計，這個應該是必須要有專門的軟體，這樣話應該是才能進行設計，要不然的話應該是沒半徑設計的。