簡單設計一套CVD裝置

1. PVD和CVD分別是什麼

PVD(Physical Vapor Deposition)---物理氣相沉積：指利用物理過程實現物質轉移，將原子或分子由源轉移到基材表面上的過程。

CVD是Chemical Vapor Deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。

PVD技術出現於，制備的薄膜具有高硬度、低摩擦系數、很好的耐磨性和化學穩定性等優點。最初在高速鋼刀具領域的成功應用引起了世界各國製造業的高度重視，人們在開發高性能、高可靠性塗層設備的同時，也在硬質合金、陶瓷類刀具中進行了更加深入的塗層應用研究。

與CVD工藝相比，PVD工藝處理溫度低，在600℃以下時對刀具材料的抗彎強度無影響；薄膜內部應力狀態為壓應力，更適於對硬質合金精密復雜刀具的塗層；PVD工藝對環境無不利影響，符合現代綠色製造的發展方向。

當前PVD塗層技術已普遍應用於硬質合金立銑刀、鑽頭、階梯鑽、油孔鑽、鉸刀、絲錐、可轉位銑刀片、車刀片、異形刀具、焊接刀具等的塗層處理。

(1)簡單設計一套CVD裝置擴展閱讀

CVD例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。

這種技術最初是作為塗層的手段而開發的，但不只應用於耐熱物質的塗層，而且應用於高純度金屬的精製、粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特徵的技術領域。

其技術特徵在於：

⑴高熔點物質能夠在低溫下合成；

⑵析出物質的形態在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種；

⑶不僅可以在基片上進行塗層，而且可以在粉體表面塗層，等。特別是在低溫下可以合成高熔點物質，在節能方面做出了貢獻，作為一種新技術是大有前途的。

2. CVD化學氣相沉積法反應步驟可區分為哪五個步驟

化學氣相法又稱化學氣相沉積法，其反應步驟為：
1、用流化床進行連續處理。所以流化床－CVD 法可以生產多種碳納米管。碳納米管不僅可以生長在微米級的聚團狀多孔催化劑顆粒上，也可生長在毫米級的陶瓷球的表面上，還可以生長在層狀無機氧化物的層間，以大量得到聚團狀的碳納米管或毫米級長度的碳納米管陣列。
2、在不同級上的催化劑採用不同溫度操作，從而可以調變催化劑的高溫活性以便提高碳納米管的收率。
3、下行床與湍動床耦合的反應器技術可以調變催化劑還原與碳沉積的平衡，還能充分利用催化劑的活性，從而大批量制備高質量的單雙壁碳納米管。
CVD是Chemical Vapor Deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。這種技術最初是作為塗層的手段而開發的，但目前，不只應用於耐熱物質的塗層，而且應用於高純度金屬的精製、粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特徵的技術領域。 其技術特徵在於：（1）高熔點物質能夠在低溫下合成；（2）析出物質的形態在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種；（3）不僅可以在基片上進行塗層，而且可以在粉體表面塗層，等。特別是在低溫下可以合成高熔點物質，在節能方面做出了貢獻，作為一種新技術是大有前途的。 例如，在1000℃左右可以合成a-Al2O3、SiC，而且正向更低溫度發展。 CVD工藝大體分為二種：一種是使金屬鹵化物與含碳、氮、硼等的化合物進行氣相反應；另一種是使加熱基體表面的原料氣體發生熱分解。 CVD的裝置由氣化部分、載氣精練部分、反應部分和排除氣體處理部分所構成。目前，正在開發批量生產的新裝置。

3. CVD（化學氣相沉積）的原理及應用是什麼

其含義c是氣3相中3化1學反5應的固體產物沉積到表面。CVD裝置由下k列部件組成；反7應物供應系統，氣3相反7應器，氣4流傳送系統。反6應物多為0金屬氯化8物，先被加熱到一g定溫度，達到足夠高的蒸汽壓，用載氣5（一s般為6Ar或H3）送入v反4應器。如果某種金屬不a能形成高壓氯化4物蒸汽，就代之d以8有機金屬化2合物。在反2應器內4，被塗材料或用金屬絲懸掛，或放在平面上y，或沉沒在粉末8的流化0床中7，或本身就是流化5床中4的顆粒。化3學反3應器中7發生，產物就會沉積到被塗物表面，廢氣1（多為2HCl或HF）被導向鹼性吸收或冷阱。 沉積反3應可認4為5還原反2應、熱解反7應和取代反0應幾a類。CVD反3應可分6為5冷壁反7應與l熱壁反0應。在熱壁反1應中7，化1學反4應的發生與t被塗物同處一h室。被塗物表面和反3應室的內1壁都塗上b一z層薄膜。在熱壁反8應器中1隻加熱被塗物，反3應物另行導入q。 2011-10-28 11:18:35

4. pvd與cvd的相似點與不同點

這個問題越來越難了，哈哈，還是
我回答，不知道你到底要做什麼產品，問看真有回答你的，你這樣問，說了這個行業廣，沒有辦法回答，手打沒有辦法，可以復制點給你。CVD(Chemical
Vapor
Deposition,
化學氣相沉積)，指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。在超大規模集成電路中很多薄膜都是採用CVD方法制備。經過CVD處理後，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強力鋼的彎曲，拉伸等成形時產生的刮痕。
CVD是Chemical
Vapor
Deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。這種技術最初是作為塗層的手段而開發的，但目前，不只應用於耐熱物質的塗層，而且應用於高純度金屬的精製、粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特徵的技術領域。
其技術特徵在於：（1）高熔點物質能夠在低溫下合成；（2）析出物質的形態在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種；（3）不僅可以在基片上進行塗層，而且可以在粉體表面塗層，等。特別是在低溫下可以合成高熔點物質，在節能方面做出了貢獻，作為一種新技術是大有前途的。
例如，在1000℃左右可以合成a-Al2O3、SiC，而且正向更低溫度發展。
CVD工藝大體分為二種：一種是使金屬鹵化物與含碳、氮、硼等的化合物進行氣相反應；另一種是使加熱基體表面的原料氣體發生熱分解。
CVD的裝置由氣化部分、載氣精練部分、反應部分和排除氣體處理部分所構成。目前，正在開發批量生產的新裝置。
CVD是在含有原料氣體、通過反應產生的副生氣體、載氣等多成分系氣相中進行的，因而，當被覆塗層時，在加熱基體與流體的邊界上形成擴散層，該層的存在，對於塗層的緻密度有很大影響。圖2所示是這種擴散層的示意圖。這樣，由許多化學分子形成的擴散層雖然存在，但其析出過程是復雜的。粉體合成時，核的生成與成長的控制是工藝的重點。
作為新的CVD技術，有以下幾種：
（1）採用流動層的CVD；
（2）流體床；
（3）熱解射流；
（4）等離子體CVD；
（5）真空CVD，等。
應用流動層的CVD如圖3所示，可以形成被覆粒子（例如，在UO2表面被覆SiC、C），應用等離子體的CVD同樣也有可能在低溫下析出，而且這種可能性正在進一步擴大

5. rmvb轉cvd

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6. 請問CVD（化學氣相沉積）的原理及應用

其含義是氣相中化學反應的固體產物沉積到表面。CVD裝置由下列部件組成；反應物供應系統，氣相反應器，氣流傳送系統。反應物多為金屬氯化物，先被加熱到一定溫度，達到足夠高的蒸汽壓，用載氣（一般為Ar或H2）送入反應器。如果某種金屬不能形成高壓氯化物蒸汽，就代之以有機金屬化合物。在反應器內，被塗材料或用金屬絲懸掛，或放在平面上，或沉沒在粉末的流化床中，或本身就是流化床中的顆粒。化學反應器中發生，產物就會沉積到被塗物表面，廢氣（多為HCl或HF）被導向鹼性吸收或冷阱。
沉積反應可認為還原反應、熱解反應和取代反應幾類。CVD反應可分為冷壁反應與熱壁反應。在熱壁反應中，化學反應的發生與被塗物同處一室。被塗物表面和反應室的內壁都塗上一層薄膜。在熱壁反應器中只加熱被塗物，反應物另行導入。

7. 94123想升級cvd,轉向想弄的大一點應該選什麼那種的CVD

CVD都有歸宿，LZ可以看說明書，都有編號，有的車子CVD可以通用，但94123這樣的車架HSP的獨特設計，想要買別的CVD可能要LZ拿著尺寸去問了，比較麻煩，

8. 金剛石薄膜

從20世紀70年代起，原蘇聯就開始了金剛石薄膜的研究工作，開發出了化學氣相沉積法，即CVD法。日本於80年代初，借鑒原蘇聯的技術，開發出微波CVD法（MW CVD）；美國從1984年投入力量，開始追趕。從1987年掀起了世界范圍的金剛石薄膜熱；西方國家把當今世界稱為新金剛石時代；1988年10月在日本東京召開「首屆國際新金剛石科學技術研討會」，16個國家、360名代表參加；1990年9月在美國華盛頓召開了第二屆「新金剛石研討會」，有18個國家、470名代表參加，發表了180篇文章，其中有一半以上是有關CVD法。近年來，日本每年拿出1億美元投入到薄膜開發；1991年美國政府撥款約1千萬美元。

不久將來以金剛石薄膜為基礎的新一代電子產品，會大量出現。有下面幾例可說明當今金剛石薄膜的生產技術水平：①1991年美國應用脈沖激光方法，在銅襯底上成功地合成出金剛石單晶；②日本於1991年取得金剛石薄膜沉積速度達1000μm/h的水平；③1991年，烏克蘭超硬材料研究所研製出直徑達半米的薄膜，並向一米直徑進軍；④金剛石薄膜的沉積溫度，已降至350℃。

我國「七五」規劃863工程金剛石薄膜開發項目執行以來，已有30多個大學及院所，以及公司從事開發研究，取得可喜的進展，大多數國外採用的方法國內均有並已達到了實際應用水平。

一、應用領域

由於金剛石薄膜硬度高、耐磨性好、絕緣性好以及具有優異的熱、電、光、聲特性，故它在高速計算機、超大規模集成電路、高溫微電子、光電子、空間技術、激光技術以及現代通訊等領域內有著巨大的應用潛力。

它主要用於：①集成電路、激光器件的散熱片；②紅外窗口；③超大型集成電路晶元；④薄膜感測器；⑤高保真揚聲器振動膜；⑥機械零件耐磨表面；⑦晶體管二極體、激光二極體的熱沉材料；⑧抗輻射電子儀器；⑨防化學腐蝕的表面；⑩熱敏電阻片（溫度達600℃）等等。

二、金剛石薄膜制備工藝

金剛石薄膜的制備方法很多，可分為兩大類：物理氣相沉積法（PVD）；化學氣相沉積法（CVD）。現介紹幾種典型常用的方法：

1.熱絲化學相沉積法（HCVD）

此法又稱為熱能CVD法，其工作原理見圖2-11-10（1）。該法是把基片（Si、Mo、石英玻璃片等）放在用石英玻璃管（或其他材料）製成的反應室內，先將系統抽真空至預定值。然後通入原料氣體（一般採用CH₄與H₂的混合氣體，其體積濃度之比：0.5%～2.0%），使反應室內的氣體壓力達到10³～10⁵Pa，將外電爐升至預定溫度，再使燈絲（鎢絲或鉭絲）加熱至2000℃以上。熱絲與基底之間的距離為1mm至幾十毫米之間；基片溫度為500～900 ℃。在這樣的反應條件下，CH₄、H₂被熱解，金剛石在基片上沉積，便獲得金剛石薄膜產品。

熱絲法的優點是：設備簡單，操作容易。缺點是：生長速度慢（1～2μm/h）；熱絲的化學成分會污染金剛石膜。

圖2-11-10 CVD裝置示意圖

2.直流等離子體噴射CVD法（DCPCVD）

等離子體CVD包括直流等離子體、高頻等離子體和微波等離子體CVD三種。

直流等離子體CVD的裝置見圖2-11-10（2）。等離子體噴管有圓筒狀噴嘴（陽極）和圓筒中的柱狀陰極組成。陰極用鎳製成，陽極材料為紫銅。在陰極和陽極之間通入的CH₄+H₂氣體放電，形成電弧，產生C、H、H₂多種等離子體。它們在壓力差的作用下，以接近聲速的高速度從噴嘴噴出，形成了等離子體射流撞擊到水冷的基底上，沉積成金剛石膜。

直流等離子體CVD法的典型工藝條件如下：

碎岩工程學

該方法的優點：能在很快速度下生長優質大尺寸金剛石厚膜，最快的生長速度可達930μm/h。缺點是所用設備較復雜。

著名的美國Norton公司就是採用該方法以工業化的規模生產優質金剛石膜。

3.微波等離子體CVD法

微波等離子體CVD裝置如圖2-11-10（3）所示。微波發生器產生的微波，通過波導管耦合到反應器內，而產生輝光放電。反應器內的微波一方面使CH₄和H₂混合氣體原料電離成等離子體；另一方面加熱基底溫度至700～900℃。因此，微波等離子體的輸出功率不僅影響基底溫度，而且影響反應物的質量。採用本方法時，金剛石在基片上的沉積速度為3μm/h。

4.化學火焰法（燃燒火焰法）CFD

1988年，日本發明了一種非常方便的制備金剛石薄膜的方法——燃燒火焰法，如圖2-11-10（4）所示。

燃燒是一種氧化反應，大氣下的燃燒火焰，也是一種等離子體。如果將碳氫化合物C₂H₂和氧氣通入到火焰槍，只要預混氧氣適量，就能形成由焰心、內焰（還原焰）和外焰（氧化焰）構成的火焰。在外焰區，C原子被氧化成CO₂，因此不能用於金剛石的制備；在內焰區，由於氧氣不足，燃燒不安全，因此，在該區內含有大量的活性游離基團。這些活性基團在溫度較低的基底上，沉積出金剛石膜。

基片放在內焰范圍中，基片溫度為500～1100℃，氣體流量均為1～6L/min；內焰長度25～60mm；試樣到噴口距離為15～40mm。

該方法的特點是：可在大氣中進行，設備簡單，成本低；沉積速度快（60～100μm/h）；能在硬質合金基片上沉積。

9. cvd裝置的示意圖

CVD法可控制薄膜的各種組成及合成新的結構，可制備半導體外延膜、SiO2、Si3N4等絕緣膜、金屬膜及金屬的氧化物、碳化物、硅化物等等。 CVD法原先主要用於半導體等。後來擴大到金屬等各種基材上，成為制備薄膜的一種重要手段，應用很廣泛。
(圖粘貼不上,請參考<<薄膜加工工藝>>274～280頁)

10. CVD法和HTHP法合成鑽石的區別是什麼

一、合成方法不同

1、CVD鑽石：微波等離子體化學氣相沉積法；溫度和壓力還是製造晶體的兩項關鍵因素，其方法是在陶瓷容器中而不是在地下製造鑽石，水壓提供高壓，電力產生高溫，使碳圍繞著直徑為1毫米，由自然鑽石製成的籽晶而形成晶體。

2、HTHP鑽石：將天然鑽石經高溫、高壓處理，以提升鑽石的顏色等級。通常來說，可升級至4-6個等級。不過不是每顆鑽石都能接受該技術處理，必須要是J色以上，且不含雜質、高凈度的IIa型鑽石。

二、特點不同

1、CVD鑽石：內含物具有不同形態合金包裹體；顏色 盡大多數合成鑽石呈黃色、渴黃色（大多數）具沙漏狀色帶；而自然鑽石為無色、淺黃及其它顏色。

2、HTHP鑽石：經過HPHT處理的鑽石也有可能顏色加深或改變，成為彩鑽級別；在處理時，無法預測其結果。也就是說，不能確定可以提升到什麼等級。

(10)簡單設計一套CVD裝置擴展閱讀：

CVD鑽石微波等離子體化學氣相沉積法介紹：

1、在基座上放置鑽石襯底（種晶），並將空腔內的壓強降到0.1個大氣壓；

2、在空腔內注入甲烷氣體和氫氣，並用微波束加熱形成等離子體；

3、碳原子在鑽石襯底上沉積；

4、種晶像微小的鑽石磚塊一樣生長（長成方形，Elpha注），一天能生長0.5個毫米；

5、打開空腔，取出鑽石磚塊，切成薄片作為半導體或者切割拋光成寶石級鑽石。