① 你好,能不能發一份反滲透離線清洗裝置設計圖,謝謝!
反滲透離線清洗裝置設計圖
這個是需要CAD還是怎麼說
② 怎樣清洗反滲透設備
反滲透技術的應用很廣泛,不管是在純凈水設備還是在超純水設備中都會看到專反滲透技屬術,而我們所用到的反滲透設備更是以反滲透技術為核心,為了能讓設備更好的實現工作效率,必須注意設備的保養,下面我來為大家介紹一下反滲透設備的清洗方法。主要有低壓沖洗、停運保護、反滲透膜化學清洗這幾種。低壓沖洗對於維持膜性能的效果非常好,停運保護的形式只適用於短期的養護,如果想要長期進行保護必須使用化學清洗劑。一般的清洗時間3到12個月清洗一次,但是每個月必需要清洗的話就要檢查一下是否是預處理系統出現了問題,適當對運行參數進行調整。在深圳恆通源看到的。
③ 求反滲透離線清洗裝置圖紙
這要畫才行,是八寸還是四寸膜?採納了我的,我就給你畫一個吧。
④ 反滲透設備應該怎樣清洗
一、滲透設備的離線清洗方法
離線清洗主要指的是把膜元件從反滲透壓力容器中卸下,放入到專用清洗設備中進行清洗消毒,切記一次清洗數量不超過6支,多過會降低清洗效果。這種清洗方式操作簡單方便,清洗徹底、效果最佳。但缺點也有所突出,當膜元件較多時,清洗時間由膜元件決定。如果設備過度是不推薦,除非反滲透污染較嚴重或在線清洗效果差時可採用此方法。
二、反滲透設備的在線清洗方法
在線清洗主要是對反滲透裝置整體進行清洗,膜元件不會用拿出壓力容器,通常在較大系統中設計使用。此清洗方式操作簡單方便,時間短,但容易造成清洗不徹底,效果不理想,可通過短時間清洗一次的方法來達到清洗的目的,但是這樣會浪費更多的時間。如果反滲透裝置污染較輕時可採用此方法。
⑤ 反滲透怎麼沖洗
反滲透膜物理清洗操作步驟:
(1)停止裝置
緩慢地降低操作壓力,逐步停止裝置。急速停車造成的壓力急速下降會形成水錘,將會對管道、壓力容器以及膜元件造成沖擊性損傷。
(2)調節閥門
首先全開濃縮水閥門;然後關閉進水閥門;接著全開產水閥門(如關閉系統後關閉了產水閥門)。如果錯誤的關閉產水閥門,壓力容器中的後端的膜元件可能因為產水背壓而造成膜元件機械性損傷。
(3)清洗作業
首先啟動低壓清洗泵;然後緩慢地打開進水閥,同時觀察濃縮水流量計的流量;調節進水閥門直至流量和壓力調節到設計值;最後在10-15分鍾後慢慢地關閉進水閥門,停止進水泵。
反滲透膜化學清洗操作步驟:
(1)在4Bar(60Psi)或更低壓力條件下進行低壓沖洗,即從清洗水箱中(或合適的水源)向壓力容器中泵入清潔水並排放幾分鍾。沖洗水必須是潔凈的、去除硬度、不含過渡金屬(Fe、Mn等)和余氯的RO產品水或去離子水。
(2)在清洗水箱中配製指定的清洗溶液。配製用水必須是去除硬度、不含過渡金屬和余氯的RO產品水或去離子水。將清洗液的溫度和pH應調到所要求的值。
(3)啟動清洗泵將清洗液泵入膜組件內,循環清洗約1小時或是要求的時間。在初始階段,在清洗液返回至RO清洗水箱之前,應將最初的迴流液排放掉,以免系統內滯留的水稀釋清洗溶液。在化學葯劑與RO裝置接觸後,裝置內的污染物在化學反應的作用下會被大量沖出,為了避免污染清洗液,這些清洗液也應該被排放掉,直至清洗液顏色轉淡再進入循環清洗。在循環清洗最初的5分鍾內,緩慢地將流速調節到最大清洗流速的1/3。並在第二個5分鍾內,增加流速至最大設計流速的2/3,最後再增加流速至最大清洗流速值。如果需要,當pH的變化大於0.5,就要重新添加葯品調整pH值。
(4)根據需要可交替採用循環清洗和浸泡程序。浸泡時間可根據製造商的建議選擇1至8小時。在整個清洗過程中要謹慎地保持合適的溫度和pH值。
(5)化學清洗結束後,要用清潔水(去除硬度、不含金屬離子如鐵和氯的RO產品水或去離子水)進行低壓沖洗,從清洗裝置及相關管路中沖洗殘留化學葯劑,排放並沖洗清洗水箱,然後再用清潔水完全注滿清洗水箱。從清洗水箱中泵入所有的沖洗水沖洗壓力容器並排放。直至RO裝置內的殘留化學葯品基本被清除。
(6)採用清潔水完全沖洗後,就可用預處理給水進行最終的低壓沖洗。給水壓力應低於4bar,最終沖洗持續進行直至沖洗水干凈,且不含任何泡沫和清洗劑殘余物。通常這需要15-60分鍾。操作人員可用干凈的燒瓶取樣,搖勻,監測排放口處沖洗水中洗滌劑和泡沫的殘留情況。洗液的去除情況可用測試電導的方法進行,如沖洗水至排放出水的電導在給水電導的10-20%以內,可認為沖洗已接近終點;pH表也可用於測定沖洗水與排放水的pH值是否接近。
(7)低壓沖洗結束後,RO裝置可以重新開始運行,但初始的產品水要進行排放並監測,直至RO產水可滿足工藝要求(電導、pH值等)。這一段恢復時間有時需要從幾小時到幾天,才得到穩定的RO產水水質,尤其是在經過高plH清洗後。
詳情可見官網:網頁鏈接
⑥ 反滲透裝置反沖洗和化學清洗一樣嗎
不一樣的反滲透裝置反沖洗是設備自己自動反沖洗,不需要人為操作,化學清洗是要手動添加化學劑。松芝水處理技術。
⑦ 反滲透裝置在什麼情況下需要進行清洗
1)標准化的淡水量下降了10-15%.
2)標准化的脫鹽率下降了10-15%.
3)為了維持正常的產品水流量,經溫度校專正後的進屬水壓力增加了10-15%.
4)已證實裝置內部有嚴重的污染或結構物.
5)反滲透裝置長期停用前.
6)反滲透裝置的例行維護.
⑧ 反滲透裝置怎麼做,由哪些組成
膜元件、膜殼、相應配套的管件、連接件、高壓泵、保安過濾器、低壓沖洗裝置,要是配置設計得好的,還會有化學清洗的一套裝置
⑨ 反滲透裝置的反滲透裝置的清洗方法
反滲透技術因具有特殊的優越性而得到日益廣泛的應用。反滲透凈水設備的清洗問題可能使許多技術力量不強的用戶遭受損失,所以要做好反滲透裝置的管理,就可以避免出現嚴重的問題。
1.低壓沖洗反滲透裝置
定期對反滲透裝置進行大流量、低壓力、低pH值的沖洗有利於剝除附著在膜表面上的污垢,維持膜性能,或當反滲透裝置進水SDI突然升高超過5.5以上時,應進行低壓沖洗,待SDI值調至合格後再開機。
2.反滲透裝置停運保護
由於生產的波動,反滲透裝置不可避免地要經常停運,短期或長期停用時必須採取保護措施,不適當地處理會導致膜性能下降且不可恢復。
短期保存適用於停運15d以下的系統,可採用每1~3d低壓沖洗的方法來保護反滲透裝置。實踐發現,水溫20℃以上時,反滲透裝置中的水存放3d就會發臭變質,有大量細菌繁殖。因此,建議水溫高於20℃時,每2d或1d低壓沖洗一次,水溫低於20℃時,可以每3d低壓沖洗一次,每次沖洗完後需關閉凈水設備反滲透裝置上所有進出口閥門。
長期停用保護適用於停運15d以上的系統,這時必須用保護液(殺菌劑)充入凈水設備反滲透裝置進行保護。常用殺菌劑配方(復合膜)為甲醛10(質量分數)、異噻唑啉酮20mg/L、亞硫酸氫鈉1(質量分數)。
3.反滲透膜化學清洗
在正常運行條件下,反滲透膜也可能被無機物垢、膠體、微生物、金屬氧化物等污染,這些物質沉積在膜表面上會引起凈水設備反滲透裝置出力下降或脫鹽率下降、壓差升高,甚至對膜造成不可恢復的損傷,因此,為了恢復良好的透水和除鹽性能,需要對膜進行化學清洗。
一般3~12個月清洗一次,如果每個月不得不清洗一次,這說明應該改善的預處理系統,調整的運行參數。如果1~3個月需要清洗一次,則需要提高設備的運行水平,是否需要改進預處理系統較難判斷。
⑩ 反滲透如何反洗
反滲透膜正常運行一段時間後,反滲透膜元件會受到給水中可能存在懸浮物或難溶鹽的污染,這些污染中最常見的碳酸鈣沉澱、硫酸鈣沉澱、金屬(鐵、錳、銅、鎳、鋁等)氧化物沉澱、硅沉積物、無機或有機沉積混合物、NOM天然有機物質、合成有機物(如:阻垢劑/分散劑,陽離子聚合電解質)微生物藻類、黴菌、真菌)等污染。污染性質和污染速度取決於各種因素,如給水水質和系統回收率。通常污染是漸進發展的,如不盡早控制,污染將會在相對較短的時間內損壞膜元件。當膜元件確證已被污染,或是臨時停機之前,或是作為定期日常維護,建議對膜元件進行清洗。當反滲透系統(或裝置)出現以下症狀時,需要進行化學清洗或物理沖洗:正常給水壓力下,產水量較正常值下降10-15%,為維持正常的產水量,經溫度校正後的給水壓力增加10-15%,產水水質降低10-15%,透鹽率增加10-15%,給水壓力增加1015%,系統各段之間壓差明顯增加。
已受污染的反滲透膜的清洗周期根據現場實際情況而定。正常的清洗周期是每3-12個月一次。當膜元件僅僅是發生了輕度污染時,重要的清洗膜元件。重度污染會因阻礙化學葯劑深入滲透至污染層,影響清洗效果。
清洗何種污染物以及如何清洗要根據現場污染情況而進行。對於幾種污染同時存在復雜情況,清洗方法是採用低PH和高PH清洗液交替清洗(應先低PH後高PH值清洗)
污染物情況分析:1碳酸鈣垢:碳酸鈣垢是一種礦物結垢。當阻垢劑/分散劑添加系統出現故障時,或是加酸pH調節系統出故障而引起給水pH增高時,碳酸鈣垢有可能沉積出來。盡早地檢測碳酸鈣垢,對於防止膜層表面沉積的晶體損傷膜元件是極為必要的早期檢測出的碳酸鈣垢可由降低給水的pH值至3-5運行1-2小時的方法去除。對於堆積時間長的碳酸鈣垢,可用低pH值的檸檬酸溶液清洗去除。2硫酸鈣、硫酸鋇、硫酸鍶垢:硫酸鹽垢是比碳酸鈣垢硬很多的礦物質垢,且不易去除。硫酸鹽垢可在阻垢劑/分散劑添加系統出現故障或加硫酸調節pH時沉積出來。盡早地檢測硫酸鹽垢對於防止膜層表面沉積的晶體損傷膜元件是極為必要的硫酸鋇和硫酸鍶垢較難去除,因為它幾乎在所有的清洗溶液中難以溶解,所以,應加以特別的注意以防止此類結垢的生成。3金屬氧化物/氫氧化物污染:典型的金屬氧化物和金屬氫氧化物污染為鐵、鋅、錳、銅、鋁等。這種垢的形成導因可能是裝置管路、容器(罐/槽)腐蝕產物,或是空氣中氧化的金屬離子、氯、臭氧、鉀、高錳酸鹽,或是由在預處置過濾系統中使用鐵或鋁助凝劑所致。4聚合硅垢:硅凝膠層垢由溶解性硅的過飽和態及聚合物所致,且非常難以去除。需要注意的這種硅的污染不同於硅膠體物的污染。硅膠體物污染可能是由與金屬氫氧化物締合或是與有機物締合而造成的硅垢的去除很艱難,可採用傳統的化學清洗方法。現有的化學清洗葯劑,如氟化氫銨,已在一些項目上得到勝利的使用,但使用時須考慮此方法的操作危害和對設備的損壞,加以防護措施。5膠體污染:膠體是懸浮在水中的無機物或是有機與無機混合物的顆粒,不會由於自身重力而沉澱。膠體物通常含有以下一個或多個主要組份,如:鐵、鋁、硅、硫或有機物。6非溶性的天然有機物污染(NOM),非溶性天然有機物污染(NOMNaturOrganicMatter)通常是由地表水或深井水中的營養物的分解而導致的有機污染的化學機理很復雜,主要的有機組份或是腐植酸,或是灰黃霉酸。非溶性NOM被吸附到膜表面可造成RO膜元件的快速污染,一旦吸收作用發生,漸漸地結成凝膠或塊狀的污染過程就會開始。7微生物堆積:有機堆積物是由細菌粘泥、真菌、黴菌等生成的這種污染物較難去除,尤其是給水通路被完全堵塞的情況下。給水通路堵塞會使清潔的進水難以充分均勻的進入膜元件內。為抑制這種沉積物的進一步生長,重要的不只要清潔和維護RO系統,同時還要清潔預處理、管道及端頭等。對膜元件採用氧化性殺菌時,使用認可的殺菌劑。
清楚污染物慣例清洗液介紹1.[溶液1]2.0%W檸檬酸(C6H8O7低pH)pH值為3-4清洗液。以於去除無機鹽垢(如碳酸鈣垢、硫酸鈣、硫酸鋇、硫酸鍶垢等)金屬氧化物/氫氧化物(鐵、錳、銅、鎳、鋁等)及無機膠體十分有效。
2.[溶液2]0.5%W鹽酸低pH清洗液(pH為2.5)主要用於去除無機物垢(如碳酸鈣垢、硫酸鈣、硫酸鋇、硫酸鍶垢等)金屬氧化物/氫氧化物(鐵、錳、銅、鎳、鋁等)及無機膠體。這種清洗液比溶液1要強烈些,因為鹽酸(HCl)為強酸。3[溶液3]0.1%W氫氧化鈉高pH清洗液(pH為11.5)用於去除聚合硅垢。這一洗液是一種較為強烈的鹼性清洗液。4.[溶液4]氫氧化鈉-EDTA四鈉-六偏磷酸鈉清洗液。
清洗步驟:先用殺菌劑如1227清洗,再用溶液1清洗,再用溶液4清洗,最後用水沖洗至中性,所用水應為反滲透產水。