克爾效應實驗裝置圖片

❶ 光電效應有哪幾種

光電效應
1)概述

在光的照射下，使物體中的電子脫出的現象叫做光電效應(Photoelectric effect)。

(2)說明

①光電效應的實驗規律。

a．陰極(發射光電子的金屬材料)發射的光電子數和照射發光強度成正比。

b．光電子脫出物體時的初速度和照射光的頻率有關而和發光強度無關。這就是說，光電子的初動能只和照射光的頻率有關而和發光強度無關。

c．僅當照射物體的光頻率不小於某個確定值時，物體才能發出光電子，這個頻率螄叫做極限頻率(或叫做截止頻率)，相應的波長λ。叫做紅限波長。不同物質的極限頻率」。和相應的紅限波長λ。是不同的。

幾種金屬材料的紅限波長

金 屬 銫 鈉 鋅 銀 鉑

紅限波長(埃) 6520 5400 3720 2600 1960

d．從實驗知道，產生光電流的過程非常快，一般不超過lO-9秒；停止用光照射，光電流也就立即停止。這表明，光電效應是瞬時的。

②解釋光電效應的愛因斯坦方程：根據愛因斯坦的理論，當光子照射到物體上時，它的能量可以被物體中的某個電子全部吸收。電子吸收光子的能量hυ後，能量增加，不需要積累能量的過程。如果電子吸收的能量hυ足夠大，能夠克服脫離原子所需要的能量(即電離能量)I和脫離物體表面時的逸出功(或叫做功函數)W，那末電子就可以離開物體表面脫逸出來，成為光電子，這就是光電效應。

愛因斯坦方程是

hυ=(1/2)mv2+I+W

式中(1/2)mv2是脫出物體的光電子的初動能。

金屬內部有大量的自由電子，這是金屬的特徵，因而對於金屬來說，I項可以略去，愛因斯坦方程成為

hυ=(1/2)mv2+W

假如hυ<W,電子就不能脫出金屬的表面。對於一定的金屬，產生光電效應的最小光頻率(極限頻率) υ0。由

hυ0=W確定。相應的紅限波長為 λ0=C/υ0=hc/W。

發光強度增加使照射到物體上的光子的數量增加，因而發射的光電子數和照射光的強度成正比。

③利用光電效應可製造光電倍增管。光電倍增管能將一次次閃光轉換成一個個放大了的電脈沖，然後送到電子線路去，記錄下來。

電光效應
電光效應

electro-optical effect

某些各向同性的透明物質在電場作用下顯示出光學各向異性的效應。電光效應包括克爾效應和泡克耳斯效應。

克爾效應 1875年英國物理學家J.克爾發現，玻璃板在強電場作用下具有雙折射性質，稱克爾效應。後來發現多種液體和氣體都能產生克爾效應。觀察克爾效應的實驗裝置如圖所示。內盛某種液體（如硝基苯）的玻璃盒子稱為克爾盒，盒內裝有平行板電容器，加電壓後產生橫向電場。克爾盒放置在兩正交偏振片之間。無電場時液體為各向同性，光不能通過P2。存在電場時液體具有了單軸晶體的性質，光軸沿電場方向，此時有光通過P2（見偏振光的干涉）。實驗表明 ，在電場作用下，主折射率之差與電場強度的平方成正比。電場改變時，通過P2的光強跟著變化，故克爾效應可用來對光波進行調制。液體在電場作用下產生極化，這是產生雙折射性的原因。電場的極化作用非常迅速，在加電場後不到10-9秒內就可完成極化過程，撤去電場後在同樣短的時間內重新變為各向同性。克爾效應的這種迅速動作的性質可用來製造幾乎無慣性的光的開關——光閘，在高速攝影、光速測量和激光技術中獲得了重要應用。

❷ 什麼是磁光克爾效應

克爾效應 1875年英國物理學家J.克爾發現，玻璃板在強電場作用下具有雙折射性質，稱克爾效應。後來發現多種液體和氣體都能產生克爾效應。觀察克爾效應的實驗裝置如圖所示。內盛某種液體（如硝基苯）的玻璃盒子稱為克爾盒，盒內裝有平行板電容器，加電壓後產生橫向電場。克爾盒放置在兩正交偏振片之間。無電場時液體為各向同性，光不能通過P2。存在電場時液體具有了單軸晶體的性質，光軸沿電場方向，此時有光通過P2（見偏振光的干涉）。實驗表明 ，在電場作用下，主折射率之差與電場強度的平方成正比。電場改變時，通過P2的光強跟著變化，故克爾效應可用來對光波進行調制。液體在電場作用下產生極化，這是產生雙折射性的原因。電場的極化作用非常迅速，在加電場後不到10-9秒內就可完成極化過程，撤去電場後在同樣短的時間內重新變為各向同性。克爾效應的這種迅速動作的性質可用來製造幾乎無慣性的光的開關——光閘，在高速攝影、光速測量和激光技術中獲得了重要應用。

❸ 克爾效應的相關實驗

1845年，Michael Faraday首先發現了磁光效應，他發現當外加磁場加在玻璃樣品上時，透射光的偏振面將發生旋轉，隨後他加磁場於金屬表面上做光反射的實驗，但由於金屬表面並不夠平整，因而實驗結果不能使人信服。1877年John Kerr在觀察偏振光從拋光過的電磁鐵磁極反射出來時，發現了磁光克爾效應(magneto-optic Kerr effect)。1985年Moog和Bader兩位學者進行鐵磁超薄膜的磁光克爾效應測量，成功地得到一原子層厚度磁性物質的磁滯回線，並且提出了以SMOKE來作為表面磁光克爾效應 (surface magneto-optic Kerr effect)的縮寫，用以表示應用磁光克爾效應在表面磁學上的研究。由於此方法的磁性測量靈敏度可以達到一個原子層厚度，並且儀器可以配置於超高真空系統上面工作，所以成為表面磁學的重要研究方法。
表面磁性以及由數個原子層所構成的超薄膜和多層膜磁性，是當今凝聚態物理領域中的一個極其重要的研究熱點。而表面磁光克爾效應（SMOKE）譜作為一種非常重要的超薄膜磁性原位測量的實驗手段，正受到越來越多的重視。並且已經被廣泛用於磁有序、磁各向異性以及層間耦合等問題的研究。和其他的磁性測量手段相比較，SMOKE具有以下四個優點：
1．SMOKE的測量靈敏度極高。國際上通用的SMOKE測量裝置其探測靈敏度可以達到亞單原子層的磁性。這一點使得SMOKE在磁性超薄膜的研究中有著重要的地位。
2．SMOKE測量是一種無損傷測量。由於探測用的「探針」是激光束，因此不會對樣品造成任何破壞，對於需要做多種測量的實驗樣品來說，這一點非常有利。
3．SMOKE測量到的信息來源於介質上的光斑照射的區域。由於激光光束的束斑可用聚焦到1mm以下，這意味著SMOKE可以進行局域磁性的測量。這一點是其他磁性測量手段諸如振動樣品磁強計和鐵磁共振所無法比擬的。在磁性超薄膜的研究中，樣品的制備是一個周期較長而代價昂貴的過程。有人已經實現在同一塊樣品上按生長時間不同而制備出厚度不等的鍥形磁性薄膜。這樣從一塊樣品上就能夠得到磁學性質隨薄膜厚度變化的信息，可以大大提高實驗效率。無疑，SMOKE的這種局域測量的特點使它成為研究這類不均勻樣品的最好工具。
4．相對於其他的磁性測量手段，SMOKE系統的結構比較簡單，易於和別的實驗設備（特別是超高真空系統）相互兼容。這一點有助於提高它的功能並擴展其研究領域。我們試制的表面磁光克爾效應實驗系統可以和超高真空系統相連，所以既可以完成磁性薄膜在大氣中的SMOKE測量，也可以完成在超高真空中的SMOKE測量實驗。
由於SMOKE能夠達到單原子層磁性檢測的靈敏度，即相當於能夠測量到小於千分之一度的克爾旋轉角。因此，對於光源和檢測手段提出了很高的要求。國際上比較常見的是用功率輸出很穩定的偏振激光器。Bader等人採用的高穩定度偏振激光器，其穩定度小於0.1%。也有用Wollaston棱鏡分光的方法，降低對激光功率穩定度的要求。Chappert等人的方案是將從樣品出射的光經過Wollaston棱鏡分為s和p偏振光，再通過測量它們的比值來消除光強不穩定所造成的影響。但是這種方法的背景信號非常大，對探測器以及後級放大器的要求很高。

❹ 克爾效應的克爾效應實驗

[實驗目的]演示電致雙折射。
[實驗原理]
各向同性的介質如玻璃，石蠟，水，硝基苯等，在強電場作用下會表現出各向異性的光學性質，表現出雙折射現象。折射率差與電場強度的平方成正比，稱為克爾效應。克爾盒的結構如圖所示，在兩平行平板之間加上高電壓，在電場作用下，由於分子的規律排列，這些介質就表現出象單軸晶體那樣的光學性質，光軸的方向就與電場的方向對應。當線偏振光沿著與電場垂直的方向通過介質時，分解為兩束線偏振光。一束的光矢量沿著電場方向，另一束的光矢量與電場垂直。
[實驗裝置]
如圖所示。
[演示方法]
1.如圖在P1和P2之間放入克爾盒，轉動P1或者P2至消光位置；
2.接通克爾盒的偏轉電源，即可觀察到屏幕上有光亮。改變兩極板之間的電壓，可以觀察到屏幕上的光強會隨之變化；
3.保持兩極板之間的電壓不變，旋轉P1或者P2，同樣可以觀察到屏幕上光強變化。
[注意事項]
小心操作，防止電擊！
內盛某種液體（如硝基苯）的玻璃盒子稱為克爾盒，盒內裝有平行板電容器，加電壓後產生橫向電場。克爾盒放置在兩正交偏振片之間。無電場時液體為各向同性，光不能通過P2。存在電場時液體具有了單軸晶體的性質，光軸沿電場方向，此時有光通過P2（見偏振光的干涉）。實驗表明 ，在電場作用下，主折射率之差與電場強度的平方成正比。電場改變時，通過P2的光強跟著變化，故克爾效應可用來對光波進行調制。液體在電場作用下產生極化，這是產生雙折射性的原因。電場的極化作用非常迅速，在加電場後不到10-9秒內就可完成極化過程，撤去電場後在同樣短的時間內重新變為各向同性。克爾效應的這種迅速動作的性質可用來製造幾乎無慣性的光的開關——光閘，在高速攝影、光速測量和激光技術中獲得了重要應用。

❺ 什麼是電光效應（答對給高分）

電光效應

electro-optical effect

某些各向同性的透明物質在電場作用下顯示出光學各向異性的效應。電光效應包括克爾效應和泡克耳斯效應。

克爾效應 1875年英國物理學家J.克爾發現，玻璃板在強電場作用下具有雙折射性質，稱克爾效應。後來發現多種液體和氣體都能產生克爾效應。觀察克爾效應的實驗裝置如圖所示。內盛某種液體（如硝基苯）的玻璃盒子稱為克爾盒，盒內裝有平行板電容器，加電壓後產生橫向電場。克爾盒放置在兩正交偏振片之間。無電場時液體為各向同性，光不能通過P2。存在電場時液體具有了單軸晶體的性質，光軸沿電場方向，此時有光通過P2（見偏振光的干涉）。實驗表明 ，在電場作用下，主折射率之差與電場強度的平方成正比。電場改變時，通過P2的光強跟著變化，故克爾效應可用來對光波進行調制。液體在電場作用下產生極化，這是產生雙折射性的原因。電場的極化作用非常迅速，在加電場後不到10-9秒內就可完成極化過程，撤去電場後在同樣短的時間內重新變為各向同性。克爾效應的這種迅速動作的性質可用來製造幾乎無慣性的光的開關——光閘，在高速攝影、光速測量和激光技術中獲得了重要應用。

❻ 克爾效應的注意事項

內盛某種液體（如硝基苯）的玻璃盒子稱為克爾盒，盒內裝有平行板電容器，加電壓後產生橫向電場。克爾盒放置在兩正交偏振片之間。無電場時液體為各向同性，光不能通過P2。存在電場時液體具有了單軸晶體的性質，光軸沿電場方向，此時有光通過P2（見偏振光的干涉）。實驗表明，在電場作用下，主折射率之差與電場強度的平方成正比。電場改變時，通過P2的光強跟著變化，故克爾效應可用來對光波進行調制。液體在電場作用下產生極化，這是產生雙折射性的原因。電場的極化作用非常迅速，在加電場後不到10-9秒內就可完成極化過程，撤去電場後在同樣短的時間內重新變為各向同性。克爾效應的這一種迅速動作性質可用來製造幾乎無慣性的光的開關:光閘，在高速攝影、光速測量和激光技術中獲得了重要應用。

❼ 克爾效應的實驗原理

各向同性介質比如玻璃，石蠟，水，硝基苯等，在強電場作用中會表現出各向異性的光學性質，表現出了雙折射現象。折射率差和電場強度的平方成正比，稱之為克爾效應。克爾盒結構如圖所示，在兩平行平板間加高電壓，在電場作用下，因為分子的規律排列，這一些介質就表現出像單軸晶體那樣的光學性質，光軸方向就與電場的方向對應。當線偏振光沿著與電場垂直方向通過介質時，分解成兩束線偏振光。一束光矢量沿著電場方向，另一束的光矢量與電場垂直。

❽ 磁光克爾效應的磁光克爾轉角的測量方法

在實際測量時，通常採用He—Ne激光作為光源，波長λ=632．8 nin．磁光介質樣品安放在電磁鐵建立的磁場之中，磁場的磁感應強度為4 000 Gs左右．在此條件下，通過偏振分析器可順利地分析出磁光克爾轉角θk的大小，見圖2-1．由於測量時光信號十分微弱，採用鎖相放大器可大大提高測量的精確度。
圖 2-1 磁光克爾轉角的測量裝置 如圖3-1所示，當一束線偏振光入射到不透明樣品表面時，如果樣品是各向異性的，反射光將變成橢圓偏振光且偏振方向會發生偏轉，而如果此時樣品還處於鐵磁狀態，鐵磁性還會導致反射光偏振面相對於入射光的偏振面額外再轉過一個小的角度，這個小角度稱為克爾旋轉角θk，即橢圓長軸和參考軸間的夾角。同時，一般而言，由於樣品對P偏振光(電場矢量Ep平行於入射面)和s偏振光(電場矢量Ep垂直於入射面)的吸收率是不一樣的，即使樣品處於非磁狀態，反射光的橢偏率也要發生變化，而T鐵磁性會導致橢偏率有一個附加的變化，這個變化稱為克爾橢偏率εk，即橢圓長短軸之比。
圖 3-1 SMOKE原理圖
SMOKE系統圖如圖3-2所示。所用的光源是普通的國產半導體激光器，工作電壓為3 V，輸出功率為1.5 mw。激光束通過起偏棱鏡後變成線偏振光，然後從樣品表面反射，經過檢偏棱鏡進入探測器。檢偏棱鏡的偏振方向要與起偏棱鏡成偏離消光位置一個很小的角度δ不設成完全消光位置而設成近似消光位置是為了區分正負克爾旋轉角、在消光位置，無論反射光偏振面是順時針還是逆時針旋轉，反映在光強的變化上都是強度增大。而在近似消光位置，通過檢偏棱鏡的光線有一個本底光強I。反射光偏振面旋轉方向和δ同向時光強增大，反向時光強減小。這樣樣品的磁化方向可以通過光強的變化來區分。樣品放置在磁場中，當外加磁場改變樣品磁化強度時，反射光的偏振狀態發生改變，通過檢偏棱鏡的光強也發生變化，根據探測器探測到這個光強的變化就可以推測出樣品的磁化狀態。在入射光路和接收光路中分別加入了可調光闌以過濾激光束通過光學元件時所產生的散射光，減少雜信號。
圖3-2 SMOKE系統
在圖3-1的光路中，假設取入射光為P偏振(電場矢量Ep平行於入射面)，當光線從磁化了的樣品表面反射時，由於克爾效應，反射光中含有一個很小的垂直Ep的電場分量ES，通常ES<<Ep。在一階近似下有：ES/Ep = k +iεk此時通過檢偏棱鏡的光強為：
……………………(3-1)
通常 較小，所以可以取Sin ≈ ，Cos ≈ 1，得到：
…………………………………………………………(3-2)
一般情況下，δ>> k，而 k和εk在一個數量級上，消去二階項後式(3-2)變為：
...............................................................(3-3)
其中 為無外加磁場時的光強。
式(3-3)移項得在樣品達磁飽和狀態下克爾旋轉角θk為：
………………………………………………………. ..………(3-4)
實際測量時最好測量磁滯回線中正向飽和時的克爾旋轉角θk和反向飽和時的克爾旋轉角θk，那麼
……………………… (3-5)
式(3-5)中，I(+MS)和I(-MS)分別是正負磁飽和狀態下的光強。從式(3-5)可以看出，光強的變化ΔI只與克爾旋轉角θk有關，而與εk無關．說明在圖1這種光路中探測到的克爾信號只是克爾旋轉角。由於θk近似正比於磁化強度M，所以可通過對光強的測量，得到磁化強度的相對值。於是，通過改變外加磁場，即得到磁滯回線。
當要測量克爾橢偏率εk時，只要在檢偏器前放置一個四分之一波片，它可以產生Π/2的相位差，所以檢偏器看到: i(θk+iθk)=-θk+iθk 而不是:εkk+iθk： 因此測量到的信號為克爾橢偏率。
經過推導可得在飽和情況下εk為：
…………………………..(3-6) 本測量系統由以下5部分組成：
(1)光學減震平台。
(2)光路系統，包括輸入光路與接收光路。激光器用普通半導體激光器，起偏和檢偏棱鏡都用格蘭一湯普遜棱鏡，光電檢測裝置由孔狀可調光闌、干涉濾色片和硅光電池組成。格蘭一湯普遜棱鏡的機械調節結構由角度粗調和螺旋測角組成，測微頭的線位移轉變為棱鏡轉動的角位移。測微頭分度值為0.01 mm，轉盤分度值為1，通過測微頭線位移的角位移定標可知其測量精度在2 左右。
(3)勵磁電源主機和可程式控制電磁鐵。勵磁電源主機可選擇磁場自動和手動掃描。
(4)前級放大器和直流電源組合裝置。a)將光電檢測裝置接收到的克爾信號作前級放大，並送人信號檢測主機中。b)將霍耳感測器探測到的磁場強度信號作前級放大並送入檢測裝置。c)為激光器提供精密穩壓電源。
(5)信號檢測主機。將前置放大器傳來的克爾信號及磁場強度信號進行二級放大，分別經A/D轉換後送計算機處理，同時用數字電壓表顯示克爾信號及磁場強度信號的大小。D/A提供周期為20 s、40 s、80 S准三角波，作為勵磁電流自動掃描信號。
3.3 儀器主要部件
(1)磁場均勻的SMOKE測量系統專用電磁鐵如圖3所示．採用了磁軛、磁頭由同一個整體環狀圈鐵鍛打出來的方法，使磁軛形狀完全接近磁力線走向，減少了漏磁損失，可以在較少的線圈匝數條件下，在寬氣隙中產生磁感應強度高達302 mT的磁場。測量表明該磁場穩定性好且與勵磁電流有非常好的線性關系。
(2)高穩定度半導體激光器電源。創新地將半導體激光光源用於SMOKE測量系統．一般文獻皆認為，因為SMOKE實驗中所探測的信號很小，若光源功率穩定性不夠理想，信號就會被淹沒在本底漲落中。因此，SMOKE須使用穩定度很高的偏振型氦氖激光器，半導體激光器因穩定性差，譜線寬度較大，不適合用SMOKE的光源．經作者反復研究，半導體激光器穩定性差的主要原因在於其電源穩定性差，為此研製了高穩定度的半導體激光器電源，其穩定度可達0.05%，達到國外進口高穩定度氦氖激光器0.1 穩定度的標准。
(3)在SMOKE實驗系統中探測器用硅光電池代替光電倍增管。一般的SMOKE裝置對信號的採集與放大多採用光電倍增管，光電倍增管靈敏度比硅光電池高，但光電倍增管必須用高工作電壓，使用壽命不如硅光電池。本測量系統用硅光電池代替光電倍增管，因為設計了高穩定度的放大器，所得到的信號穩定度仍然很好，符合實驗的要求。
(4)實驗系統由用Visual C++編寫的控製程序通過一台計算機實現自動控制和測量。根據設置的參數，計算機經D/A卡控制磁場電源和繼電器進行磁場掃描。從樣品表面反射的光信號以及霍耳感測器探測到的磁場強度信號分別由A/D卡採集，經運算後作圖顯示，在屏幕上直接呈現磁滯回線的整個掃描過程。
圖3-3專用電磁鐵 勵磁電源可使用20 V和40 V兩種三角波交流電壓．當使用20 V電壓時，實際測量磁鐵線圈勵磁電流最大值為8.37 A，當使用40 V時，勵磁電流最大值為10.8 A。
樣品所在處磁感應強度B1與霍耳感測器探測到的磁場強度B2的關系
手動改變勵磁電流從0～10.00A變化，每間隔0.5 A用數字式特斯拉計測量電磁鐵兩極中心處的磁感應強度B，同時記錄信號檢測主機上霍耳感測器探測到的磁感應強度B的大小，B是以電壓大小表示的。實驗結果如表3-1所示。
表3-1 Bl與B2的關系 電流/A 0.00 0.50 1.00 1.50 2.00 2.50 3.00 3.50 4.00 4.50 5.00 B1/mT 0 17 35 52 68 85 102 119 135 152 169 B2/V 1.25 1.32 1.38 1.45 1.51 1.57 1.63 1.70 1.76 1.82 1.88 電流/A 5.50 6.00 6.50 7.00 7.50 8.00 8.50 9.00 9.50 10.00 — B1/mT 186 202 218 233 248 262 275 285 292 302 — B2/V 1.94 2.00 2.05 2.10 2.16 2.22 2.27 2.29 2.32 2.36 — 從表3-1測量數據可看出兩磁極間的磁感應強度最大可達302 mT，在整個測量范圍內，用計算機求得B1與B2的相關系數為0.997，而在0-8.50 A 的范圍內，B1與B2的相關系數為0.999(86)。這說明樣品所在位置處的磁感應強度與實驗中霍耳感測器在線探測到的磁場強度有很好的線性關系。
3.4.3 發射一接收系統的穩定度
用半導體激光器直接照射接收器(內置硅光電池)，用DT-930 MULTlMETER四位半數字電壓表測量其輸出電壓，每次持續1 min，連續測3次。在測試的60 S內，只是偶見數字表的最後一位跳動。因為DT-930的量程為1.99999 V，僅見最後一位跳動，可見發射-接收系統的最大穩定度不超過0.05%，完全滿足實驗的要求。
測量的靈敏度
圖3-4為NiMn薄膜樣品的測量曲線，表3-2是實驗數據記錄及求出的克爾旋轉角大小。可通過它們來檢測儀器的穩定度和雜訊。
(a)半導體激光器用普通電源供電 (b)半導體激光器用高穩定電源供電
圖3-4NiMn薄膜樣品在不同電源作用下的測量曲線
表3-2 NiMn薄膜樣品在不同電源作用下克爾旋轉角的值 電源類型 普通電源 1.45 1.05 1.25 0.40 0.3 0.024 高穩定電源 1.06 1.04 1.05 0.02 0.3 0.0014 由圖3-4(a)，(b)及表3-2中的實驗數據計算結果對比可看出，半導體激光器用普通電源供電時，其雜訊是用高穩定電源供電時的20倍左右，且雜訊對應的克爾旋轉角與信號的克爾旋轉角已經接近在一個數量級上，所以半導體激光器使用普通的電源供電無法進行SMOKE實驗。用高穩定度激光器電源供電時，雜訊所引起的光強波動為±0.01 V，對應的克爾旋轉角為0.001 4，這也是本SMOKE系統的所能達到的靈敏度。
實驗結果
利用該系統已測量NiMn薄膜材料的多層膜的磁滯回線，如圖3-5所示。表3-3是這種材料的實驗數據記錄，其中克爾旋轉角為: 0.028 2。
表3-3 NiMn薄膜樣品實驗記錄 實驗材料 NiMn薄膜 2.02 1.00 1.51 1.02 1.67 0.0282 磁場強度H/（Am）
圖3-5 NiMn薄膜的磁滯回線圖樣
結語
磁光克爾法是測量材料特性特別是薄膜材料物性的一種有效方法，表面磁光克爾效應作為表面磁學的重要實驗手段，已被廣泛應用於磁有序、磁各向異性、多層膜中的層間耦合以及磁性超薄膜間的相變行為等問題的研究。在本文的實驗中用到了SMOKE新型測量系統，它採用普通的半導體激光器作光源，用常見硅光電池進行克爾信號的採集，成功地得到了NiMn薄膜的磁滯回線，且整個系統有較高的檢測靈敏度。從本文的測量結果可以看出NiMn多層薄膜有明顯的磁滯行為，反應了NiMn多層薄膜比較明顯的鐵磁特性。