可控硅整流装置系统设计

『壹』 硅整流设备，可控硅整流装置。的用途

用来整流高压交流的。一般220V用普通的
整流桥
就可以搞定，但高压的整流一般的
整流管
耐不了这么高的电压，这时就要用到
可控硅
的整流装置了。

『贰』 可控硅整流器工作原理

台兴【taision】可控硅整流器的工作原理 可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成 当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控 制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。 由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。

『叁』 可控硅整流电路的原理

其原理根据负载RL上有电压UL输出。Ug到来得早，可控硅导通的时间就早；Ug到来得晚，可控硅导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。
这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内可控硅导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示可控硅在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。
可控硅：可控硅又叫晶闸管，是晶体闸流管(Thyristor)的简称，俗称可控硅，指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。最早出现的一种是硅控整流器（Silicon Controlled Rectifier，SCR），中国大陆通常简称可控硅，又称半导体控制整流器，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件，为第一代半导体电力电子器件的代表。
晶闸管的特点是具有可控的单向导电，即与一般的二极管相比，可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流（电压）控制大电流（电压）作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点，广泛用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。

『肆』 可控硅整流器的简介

可控硅整流器是一种常用的电力半导体电子器件，具有控制开关数千瓦乃至兆瓦级电功率的能力.从结构上说，它是 一种反向截止三极管型的闸流晶体管，由三个PN结(PN-PN四层)构成.器件的外引线有阴极、阳极、控制极三个电极，典型大电流可控硅整流器的示意剖面见图.器件的反向特性(阳极接负)和PN结二极管的反向特性相似;其正向特性，在 一定范围内器件处于阻抗很高的关闭状态(正向阻断态，即伏安特性一象限中虚线下的实线部分).当正向瞬间电压大于转折电压时，器件迅速转变到低电压大电流的通导状态.

处于正向阻断态的器件，如果给予控制极一低功率的触发信号(使控制极-阴极PN结导通)，则器件可迅速被激发到导通状态，之后毋须继续保持触发电流即可维持在通导状态，此时若将电流降至维持电流(伏安特性虚线处)以下，器件可恢复到阻断状态.
可控硅整流器：主电路采用三相桥或双反星形带平衡电抗器电路。可控硅元件采用大功率元件，节能显著。主控制系统采用大板高槛抗干扰、大规模集成控制板；模块及集成元件全部采用进口，可靠性高。具有自动稳压、稳流，稳定精度优于1%。具有0~60S软起动，电镀氧化着色时间可任意设定，自动定时。采用多相整流，减小输出电压纹波系数ru，特别适应于镀硬铬工艺，表面光洁度好，镀层厚度均匀。冷却方式：水冷、风冷、自冷。
晶闸管全称晶体闸流管，又称可控硅:是一种功率半导体器件。它具有容量大、效率高、可控性好、寿命长以及体积小等诸多优点，是弱电控制和被控强电之间的桥梁。从节能的观点出发，电力电子技术被誉为新电气技术。我国的能源利用率较低，按国民生产单产能耗计算，我国则是法国的4.98倍、日本的4.43倍，因此以晶闸管为核心的电气控制装置的普及使用是我国有效节约电能的一项重要措施。

『伍』 可控硅整流器的相关技术

在可控整流电路的波形图中，发现晶闸管承受正向电压的每半个周期内，发出第一个触发脉冲的时刻都相同，也就是控制角α和导通角θ都相等，那么，单结晶体管张弛振荡器怎样才能与交流电源准确地配合以实现有效的控制呢?
为了实现整流电路输出电压“可控”，必须使晶闸管承受正向电压的每半个周期内，触发电路发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这种相互配合的工作方式，称为触发脉冲与电源同步。

怎样才能做到同步呢?大家再看调压器的电路图(上图)。请注意，在这里单结晶体管张弛振荡器的电源是取自桥式整流电路输出的全波脉冲直流电压。在晶闸管没有导通时，张弛振荡器的电容器C被电源充电，UC按指数规律上升到峰点电压UP时，单结晶体管VT导通，在VS导通期间，负载RL上有交流电压和电流，与此同时，导通的VS两端电压降很小，迫使张弛振荡器停止工作。当交流电压过零瞬间，晶闸管VS被迫关断，张弛振荡器得电，又开始给电容器C充电，重复以上过程。这样，每次交流电压过零后，张弛振荡器发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这个时刻取决于RP的阻值和C的电容量。调节RP的阻值，就可以改变电容器C的充电时间，也就改变了第一个Ug发出的时刻，相应地改变了晶闸管的控制角，使负载RL上输出电压的平均值发生变化，达到调压的目的。
双向晶闸管的T1和T2不能互换。否则会损坏管子和相关的控制电路。

『陆』 可控硅整流柜的工作原理及注意事项

可控硅整流柜的工作原理如下：
1、可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。
2、当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
3、由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。

可控硅整流柜注意事项如下：
1、把可控硅整流器安放好，并保持其稳定，为保证整流器通风良好，其前后左右0.5m以内不要有任何物体。另外，避免可控硅整流器在充满粉尘和腐蚀性气体的环境中工作，并远离产热源，和潮湿地带，相对湿度5%~70%，环境温度-25℃~40℃，以延长机器寿命。
2、检查一下可控硅整流器机器外壳有无松动，端口有无在运输过程中损坏，确认三相空气开关处于断开位置。
3、找出电源输入线，分别接好引线，将远控线对好插座的凹凸部位插牢并旋紧。
4、机箱后面外壳左下角有“ ”标识，请接入大地，预防静电。
5、将功率调节旋钮⑤逆时针旋转到底（最小状态）。
6、闭合空气开关，此时风扇开始转动，电源指示灯①亮。故障灯④会闪烁数次随即熄灭。
7、将“工作/待机”开关②拨至“待机”档，然后拨至“工作”档。
8、顺时针旋转调节旋钮⑤，当“稳压/稳流”开关置于“稳压”档时，电压表读数随即增加至所需值，电流表根据负载大小做出相应指示；当“稳压/稳流”开关置于“稳流”档时，有负载情况下，电流表读数随着增加至所需值，电压表根据负载大小做出相应指示，无负载时，顺时针旋转调节旋钮，电压指示最高值，电流表指示为零。
9、关闭电源时应先将调节旋钮逆时针旋到底，将“工作/待机”开关拨至“待机”档，断开空气开关。
10、机器正常工作时，外壳由于机内高频磁场的影响会产生涡流使外壳发热，并且有静电，属正常现象。
11、水冷可控硅整流器，在进水口中接水源管，出水口接好出水管，检查进水是否顺畅，机器出厂时已调好水压开关，工作时，不能低于所调水压。

『柒』 电镀可控硅整流器如何进行冷却系统设计

电动可控硅整流器如何进行冷却系统的设计，这个应该是必须要有专门的软件，这样话应该是才能进行设计，要不然的话应该是没半径设计的。