Ⅰ DDR什麼意思
嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，部分初學者也常看到DDR SDRAM，就認為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。
SDRAM在一個時鍾周期內只傳輸一次數據，它是在時鍾的上升期進行數據傳輸；而DDR內存則是一個時鍾周期內傳輸兩次次數據，它能夠在時鍾的上升期和下降期各傳輸一次數據，因此稱為雙倍速率同步動態隨機存儲器。DDR內存可以在與SDRAM相同的匯流排頻率下達到更高的數據傳輸率。
與SDRAM相比：DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數據的輸送和輸出主要步驟既獨立執行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定迴路提供一個數據濾波信號)技術，當數據有效時，存儲控制器可使用這個數據濾波信號來精確定位數據，每16次輸出一次，並重新同步來自不同存儲器模塊的數據。DDR本質上不需要提高時鍾頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鍾脈沖的上升沿和下降沿讀出數據，因而其速度是標准SDRA的兩倍。
從外形體積上DDR與SDRAM相比差別並不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鍾、電源和接地等信號。DDR內存採用的是支持2.5V電壓的SSTL2標准，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標准。
支持內存類型是指主板所支持的具體內存類型。不同的主板所支持的內存類型是不相同的。內存類型主要有FPM，EDO，SDRAM，RDRAM已經DDR DRAM等。
FPM內存 EDO內存 SDRAM內存 RDRAM內存 DDR SDRAM內存
DDR2內存
ECC並不是內存類型，ECC（Error Correction Coding或Error Checking and Correcting）是一種具有自動糾錯功能的內存，英特爾的82430HX晶元組就開始支持它，使用該晶元組的主板都可以安裝使用ECC內存，但由於ECC內存成本比較高，所以主要應用在要求系統運算可靠性比較高的商業電腦中，例如伺服器/工作站等等。由於實際上存儲器出錯的情況不會經常發生，而且普通的主板也並不支持ECC內存，所以一般的家用與辦公電腦也不必採用ECC內存。
一般情況下，一塊主板只支持一種內存類型，但也有例外。有些主板具有兩種內存插槽，可以使用兩種內存，例如以前有些主板能使用EDO和SDRAM，現在有些主板能使用SDRAM和DDR SDRAM。
Ⅱ DDR是什麼
嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，部分初學者也常看到DDR SDRAM，就認為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。
SDRAM在一個時鍾周期內只傳輸一次數據，它是在時鍾的上升期進行數據傳輸；而DDR內存則是一個時鍾周期內傳輸兩次次數據，它能夠在時鍾的上升期和下降期各傳輸一次數據，因此稱為雙倍速率同步動態隨機存儲器。DDR內存可以在與SDRAM相同的匯流排頻率下達到更高的數據傳輸率。
與SDRAM相比：DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數據的輸送和輸出主要步驟既獨立執行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定迴路提供一個數據濾波信號)技術，當數據有效時，存儲控制器可使用這個數據濾波信號來精確定位數據，每16次輸出一次，並重新同步來自不同存儲器模塊的數據。DDR本質上不需要提高時鍾頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鍾脈沖的上升沿和下降沿讀出數據，因而其速度是標准SDRA的兩倍。
從外形體積上DDR與SDRAM相比差別並不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鍾、電源和接地等信號。DDR內存採用的是支持2.5V電壓的SSTL2標准，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標准。
Ⅲ 什麼是DDR類型 詳解
同步動態隨機存儲器（Synchronous DRAM，SDRAM）：是目前主推的PC 100和PC 133規范所廣泛使用的內存類型，它的帶寬為64位，3.3V電壓，目前產品的最高速度可達5ns。它與CPU使用相同的時鍾頻率進行數據交換，它的工作頻率是與CPU的外頻同步的，不存在延遲或等待時間。
雙倍速率SDRAM（Dual Date Rate SDRSM，DDR SDRAM）：又簡稱DDR，由於它在時鍾觸發沿的上、下沿都能進行數據傳輸，所以即使在133MHz的匯流排頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s。DDR不支持3.3V電壓的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2標准。它仍然可以沿用現有SDRAM的生產體系，製造成本比SDRAM略高一些，但仍要遠小於Rambus的價格，因為製造普通SDRAM的設備只需稍作改進就能進行DDR內存的生產，而且它也不存在專利等方面的問題，所以它代表著未來能與Rambus相抗衡的內存發展的一個方向。
Ⅳ 內存條 的 DDR是什麼意思
雙倍速率SDRAM(Dual Date Rate SDRSM,DDR SDRAM):又簡稱DDR
DDR2與DDR的區別
與DDR相比，DDR2最主要的改進是在內存模塊速度相同的情況下，可以提供相當於DDR內存兩倍的帶寬。這主要是通過在每個設備上高效率使用兩個DRAM核心來實現的。作為對比，在每個設備上DDR內存只能夠使用一個DRAM核心。技術上講，DDR2內存上仍然只有一個DRAM核心，但是它可以並行存取，在每次存取中處理4個數據而不是兩個數據。
DDR2與DDR的區別示意圖
與雙倍速運行的數據緩沖相結合，DDR2內存實現了在每個時鍾周期處理多達4bit的數據，比傳統DDR內存可以處理的2bit數據高了一倍。DDR2內存另一個改進之處在於，它採用FBGA封裝方式替代了傳統的TSOP方式。
然而，盡管DDR2內存採用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們仍然要使用新主板才能搭配DDR2內存，因為DDR2的物理規格和DDR是不兼容的。首先是介面不一樣，DDR2的針腳數量為240針，而DDR內存為184針；其次，DDR2內存的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR內存的2.5V不同。
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標准，它與上一代DDR內存技術標准最大的不同就是，雖然同是採用了在時鍾的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍於上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每個時鍾能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫數據，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度運行。
此外，由於DDR2標准規定所有DDR2內存均採用FBGA封裝形式，而不同於目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端匯流排對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。
DDR2與DDR的區別：
在了解DDR2內存諸多新技術前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術對比的數據。
1、延遲問題：
從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益於DDR2內存擁有兩倍於標准DDR內存的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都採用了在時鍾的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍於DDR的預讀取系統命令數據的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。
這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中，後者的內存延時要慢於前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而後者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高於DDR400。
2、封裝和發熱量：
DDR2內存技術最大的突破點其實不在於用戶們所認為的兩倍於DDR的傳輸能力，而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標准DDR的400MHZ限制。
DDR內存通常採用TSOP晶元封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均採用FBGA封裝形式。不同於目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。
DDR2內存採用1.8V電壓，相對於DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的。
DDR2採用的新技術：
除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。
ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的製造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻並不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質，這是DDR不能比擬的。
Post CAS：它是為了提高DDR II內存的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號後面的一個時鍾周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）後面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設置。由於CAS信號放在了RAS信號後面一個時鍾周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞沖突。
總的來說，DDR2採用了諸多的新技術，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決
Ⅳ DDR是什麼
嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，部分初學者也常看到DDR SDRAM，就認為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。
SDRAM在一個時鍾周期內只傳輸一次數據，它是在時鍾的上升期進行數據傳輸；而DDR內存則是一個時鍾周期內傳輸兩次次數據，它能夠在時鍾的上升期和下降期各傳輸一次數據，因此稱為雙倍速率同步動態隨機存儲器。DDR內存可以在與SDRAM相同的匯流排頻率下達到更高的數據傳輸率。
與SDRAM相比：DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數據的輸送和輸出主要步驟既獨立執行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定迴路提供一個數據濾波信號)技術，當數據有效時，存儲控制器可使用這個數據濾波信號來精確定位數據，每16次輸出一次，並重新同步來自不同存儲器模塊的數據。DDR本質上不需要提高時鍾頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鍾脈沖的上升沿和下降沿讀出數據，因而其速度是標准SDRA的兩倍。
從外形體積上DDR與SDRAM相比差別並不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鍾、電源和接地等信號。DDR內存採用的是支持2.5V電壓的SSTL2標准，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標准。
DDR內存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內存顆粒實際的工作頻率，但是由於DDR內存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數據，因此傳輸數據的等效頻率是工作頻率的兩倍。
Ⅵ DDR是起什麼作用的，可以舉例說下嗎
DDR是內存的代數，也可稱作第一代DDR內存。現在市面上主要有DDR3、DDR3L（低壓）、DDR4內存，其中DDR4內存移動端為六代CPU使用的。可以理解為DDR後數字越大越好，同時內存頻率也是評價內存性能的主要指標，市面上比較常見的內存頻率為1333MHz、1600MHz、1866MHz、2133MHz、2400MHz等，頻率越高內存性能越強。
Ⅶ DDR是干什麼用的
這種問題樓主以後自己上網查吧。。。
我把網上的解釋復制給你，算是比較全面，廢話比較少的。。。
雙通道同步動態隨機存取內存（英語：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，簡稱DDR SDRAM）為具有雙倍資料傳輸率之SDRAM，其資料傳輸速度為系統時脈之兩倍，由於速度增加，其傳輸效能優於傳統的SDRAM。
由於傳統SDRAM在運作時，一個單位時間內只能讀／寫一次，當同時需要讀取和寫入時，便要等其中一個動作完成才能繼續進行下一個動作。而DDR SDRAM則解決這項缺點，由於讀取和寫入可以在一個單位時間內進行，因此效能便會提升一倍，這也便是為何DDR SDRAM的時脈要「自動乘以二」的緣故。
JEDEC為DDR存儲器設立了速度規范，並分為了以下兩個部分：按內存晶元分類和按內存模塊分類。
雙通道同步動態隨機存取內存（英語：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，簡稱DDR SDRAM）為具有雙倍資料傳輸率之SDRAM，其資料傳輸速度為系統時脈之兩倍，由於速度增加，其傳輸效能優於傳統的SDRAM。
由於傳統SDRAM在運作時，一個單位時間內只能讀／寫一次，當同時需要讀取和寫入時，便要等其中一個動作完成才能繼續進行下一個動作。而DDR SDRAM則解決這項缺點，由於讀取和寫入可以在一個單位時間內進行，因此效能便會提升一倍，這也便是為何DDR SDRAM的時脈要「自動乘以二」的緣故。
JEDEC為DDR存儲器設立了速度規范，並分為了以下兩個部分：按內存晶元分類和按內存模塊分類。
規格
記憶晶元
DDR-200：DDR-SDRAM 記憶晶元在 100MHz 下運行
DDR-266：DDR-SDRAM 記憶晶元在 133MHz 下運行
DDR-333：DDR-SDRAM 記憶晶元在 166MHz 下運行
DDR-400：DDR-SDRAM 記憶晶元在 200MHz 下運行（JEDEC制定的DDR最高規格）
DDR-500：DDR-SDRAM 記憶晶元在 250MHz 下運行（非JEDEC制定的DDR規格）
DDR-600：DDR-SDRAM 記憶晶元在 300MHz 下運行（非JEDEC制定的DDR規格）
DDR-700：DDR-SDRAM 記憶晶元在 350MHz 下運行（非JEDEC制定的DDR規格）
晶元模塊
PC-1600內存模塊指工作在 100MHz 下的DDR-200內存晶元，其擁有 1.600MB/s 的帶寬
PC-2100內存模塊指工作在 133MHz 下的DDR-266內存晶元，其擁有 2.133MB/s 的帶寬
PC-2700內存模塊指工作在 166MHz 下的DDR-333內存晶元，其擁有 2.667MB/s 的帶寬
PC-3200內存模塊指工作在 200MHz 下的DDR-400內存晶元，其擁有 3.200MB/s 的帶寬
公式
利用下列公式，就可以計算出DDR SDRAM時脈。
DDR I/II內存運作時脈：實際時脈*2。 （由於兩筆資料同時傳輸，200MHz內存的時脈會以400MHz運作。）
內存帶寬=內存速度*8 Byte
標准公式：內存除頻系數=時脈／200→*速演算法：外頻*（除頻頻率／同步頻率） （使用此公式將會導致4%的誤差）
Ⅷ fanuc ddr是什麼用的
就是數控的內存，FANUC支持3.3V和5.0V的,三菱支持5.0V的. 還有,CF卡一定要是一代卡或二代卡,現在有些高速的卡是不能用的.容量最好小於1G.
Ⅸ 什麼是ddr
就象我們越來越熟悉Rambus和PC133一樣，一個新的名詞DDR出現在我們面前。我們經常被問到："什麼是DDR？"簡單的回答就是"雙數據速率同步DRAM。它以兩倍的速度傳輸數據。"那麼，它意味著什麼呢？
DDR的歷史
在1997年，我們在JEDEC存儲器會議上第一次看到了配備DDR內存的PC。那時，DDR內存只由Samsung製造和推廣。主板上的晶元組是DDR可選的VIA M3。其數據傳輸速率是150Mhz。不幸的是，此主板只工作了兩個小時。
雖然第一塊帶有DDR內存的主板工作的並不很好，但是它給了半導體界足夠的信心去繼續發展DDR的商業產品。DDR存儲器協會和任務組的目的就是繼續優化DDR存儲器結構。同時，Rambus內存也在此時出現來參與競爭。
什麼是DDR？
DDR非常類似常規的同步DRAM，不象Rambus是基於數據包概念工作的。普通的同步DRAM（我們稱之為SDR）是從標准DRAM演化而來的。
標准DRAM接收兩個字的地址命令。它以復用方式節省輸入管腳。第一個地址字由行地址選通信號（RAS）存貯在DRAM晶元中。隨後是列地址選通信號（CAS）以存貯第二個地址字。緊接著Ras和Cas選通，所存儲的數據就可以被讀取了。
SDRAM將時鍾加入到標准DRAM的之中。它的Ras 、Cas和數據有效都發生在每個時鍾周期的上升沿。由於時針周期，數據的位置和其它的信號都可以被預測。因此，數據讀取指針就可以被非常精確的定位。因為數據的有效窗口很容易被預知，所以內存也被分為四個存儲體以便內部單元預充電和預讀取。同時，它還可以用突發模式進行連續地址讀取而不必重復Ras選通信號。只需用連續的Cas選通信號就可以把同一行中的數據順序讀出。
除了數據在時鍾的上升沿和下降沿都可以讀取以外，DDR內存的工作模式與SDR很相似。因此，單一時鍾頻率可以使數據傳輸的速率兩倍於時鍾頻率。新一代的DDR內存將工作在200 Mhz和266 Mhz的數據速率。
DDR DRAM的設計
第一代的DDR內存（通常稱為DDR 1）有很多新特性。
它的標準是4個內部存儲體以減少時延（隨機存取訪問的建立時間）。
它的雙數據傳輸結構是2倍的預讀取設計，可以在每個時鍾周期內傳輸2 個數據字。
DQS指針在讀周期由DDR發送，而在寫周期由控制器發送，它應用於對齊數據。輸入輸出數據均參照DQS信號。
DDR DRAM以差動時鍾信號工作，以使噪音干擾最小。
突發（連續數據輸出）模式可以被編程為2、4或8個突發長度。
晶元中包括一個DLL（數據瑣向環）以幫助鎖定和調整內部時鍾。
I/O介面工作在2.5V的SSTL-2 Class Ⅱ及Vref參考電壓。
一些早期的DDR產品工作在3.3V的VDD電壓，當低電壓技術成熟時，它最終將改變成2.5V，以達到節能的目的。
機械封裝
標準的DDR SDRAM使用66pin 400mil TSOP封裝，類似於標准SDRAM封裝。管腳間距為0.65mm。這使得它可以適用於常規的PCB裝配板，而無需特殊的組裝設備。64Mbit晶元、128 Mbit晶元、256 Mbit晶元和512 Mbit堆積式晶元是管腳兼容設計，這樣可方便地應用統一的DIMM PCB。
DDR模塊和選項
標準的DDR內存條是184 pin DIMM。它很象標準的168 pin SDRAM DIMM，只是用了一個凹槽而不是SDR上的2個凹槽。組件的長度也是5.25英寸以節省寶貴的主板空間。
標准化協會定義了兩種不同配置的DDR內存條。第一種是無緩沖DDR DIMM，它成本低，可應用在PC和Internet設備上。第二種是緩沖DDR DIMM，它將板上PLL與緩存結合在一起，應用於較高存儲密度的伺服器應用。
DDR的設計中還包括了可用於內存條上FET開關的可選控制信號。這種設計用於高存儲密度工作站中存儲器輸出的雜訊隔離。
工業標准也規定了貯存在EEPROM晶元中的特定的SPD。
將來會出現支持特殊市場的200針SODIMM模塊和232針模塊，無論怎樣，基本特點和功能是相同的。
DDR的價格
談到價格，DDR在開始階段會比SDR高10%~15%，然而，由於幾乎相同的晶片(DIE)尺寸和結構，很快就會實現價格齊平。我們會發現存儲器廠商會將 DDR和SDR設計 在相同的晶片上 。那時，價格差異將非常小。
至於DDR模塊，由於無需特殊的組裝與測試設備，184針非緩沖模塊的出廠價和銷售價都會相對較低，額外售價會對緩沖模塊和特殊配置模塊收取。
結語
由於DDR是具有突出性能和低價格的演進產品，計算機行業會很快採用它。從今夏至2003年，它都會在業界盛行，直至下一代存儲器出現。
Ⅹ DDR是什麼，干什麼用
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動態隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。
Double Data Rate：與傳統的單數據速率相比，DDR技術實現了一個時鍾周期內進行兩次讀/寫操作，即在時鍾的上升沿和下降沿分別執行一次讀/寫操作。