超聲波三極體是什麼意思

❶ 超聲波發生器的三極體型號

黑色的是 460場效應管 鐵殼 的是 BU208

❷ 三極體是什麼

三極體，全稱應為半導體三極體，也稱雙極型晶體管、晶體三極體，是一種控制電流的半導體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關。晶體三極體，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。

基本釋義

什麼是三極體（也稱晶體管）在中文含義裡面只是對三個引腳的放大器件的統稱，我們常說的三極體，可能是 如圖所示的幾種器件。

可以看到，雖然都叫三極體，其實在英文裡面的說法是千差萬別的，三極體這個詞彙其實也是中文特有的一個象形意義上的的詞彙。

產品分類

a.按材質分: 硅管、鍺管

b.按結構分: NPN 、 PNP。如圖所示。

c.按功能分: 開關管、功率管、達林頓管、光敏管等.

d. 按功率分：小功率管、中功率管、大功率管

e.按工作頻率分：低頻管、高頻管、超頻管

f.按結構工藝分：合金管、平面管

g.按安裝方式:插件三極體、貼片三極體

產品作用

晶體三極體具有電流放大作用，其實質是三極體能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。這是三極體最基本的和最重要的特性。我們將ΔIc/ΔIb的比值稱為晶體三極體的電流放大倍數，用符號「β」表示。電流放大倍數對於某一隻三極體來說是一個定值，但隨著三極體工作時基極電流的變化也會有一定的改變。

❸ 二極體和三極體是什麼意思都什麼東西可以用上他們

二極體和三極體都是電子元件。二極體最基本的作用就是整流和檢波。整流就是將交流電變為直流電。很多家用電器中所用的直流電都是用二極體整流後獲得的。三極體最基本的作用就是放大。它可以將微弱信號放大到足夠大。譬如，以前的晶體管擴音器，就是用三極體將話筒的微弱信號放大後驅動喇叭發出響亮的聲音。

❹ 超聲波測距接收電路，請從基礎詳細解釋它的原理，比如三極體怎麼放大它的信號之類的。。

這個電路的原理不復雜，元件作用如下：
三個三極體分別組成三級放大電路。
R40是超聲波拾音器，或者叫檢測器、感測器，是個壓電元件。作用是把超聲波變為電信號。
R3是BG2的偏置電阻，作用是給BG2提供偏置電流，讓BG2能放大微弱的信號。
R2是BG2的集電極負載電阻，當信號電流流過時，將信號電流轉化為電壓。也是集電極供電電阻，電源（VCC）通過R3加到BG2的集電極。
C7是耦合電容，作用是把BG2放大後的信號耦合出去，同時隔斷BG2集電極的直流，防止BG2與BG3之間相互影響
BG2在R3、R2作用下處於放大狀態。
BG3的電路與BG2完全一樣。
C8、D5、D6組成倍壓檢波電路，實際就是整流。作用是把BG3放大輸出的交流信號變為直流電壓，且得到的是雙倍於交流的直流電壓。C8還起到隔直流作用。
BG4是末級放大電路，因為送到BG4的信號已較強，所以沒有偏置電路，BG4在此應該是作開關應用。
信號流程/工作原理：
當R40收到超聲波時，R40將超聲波信號變為電壓信號，此信號電壓加到BG2的基極，BG2將其放大，放大後從集電極輸出，經C7耦合到BG3基極，被BG3放大，放大後從集電極輸出，被
C8、D5、D6組成的倍壓檢波電路變為直流電壓。雙倍於交流信號電壓的直流信號電壓加到BG3的基極，BG3再放大後由P送往後繼電路。
當R40沒有收到超聲波時，R40沒有交流信號輸出，BG2處於靜態，BG3也處於靜態。C8、D5、D6組成的倍壓檢波電路沒有直流電壓輸出，BG4處於無偏置狀態，當然就是處於截止狀態，無信號輸出。
根據此圖原理推測。BG4是以開關方式工作的，當R40檢測到超聲波時，BG4飽和，C－E之間等於短路，當R40沒有檢測到超聲波時，BG4截止，C－E之間等於開路。

❺ 超聲波的電路板的2SC5589三極體一直會擊穿該怎樣處理

超聲波的電路板的2sc5589三極體一直會擊穿，說明三極體處在超壓過流的電路中，首先檢查電源電壓正常不，有沒有忽高忽低，平穩不，還要檢查三極體基極控制電阻有沒有變質，負載電阻有沒有短路，要檢查三極體的工作點是否正常，還有要買正規商家的三極體，不要買特別便宜的三極體，如果可能，可以買參數大的管子代替，不要用原參數的三極體，選擇功率更大，電壓更高的三極體代替，效果更好

❻ 無紡布口罩機超聲波燒三極體是什麼原因

口罩機燒三極體有兩種原因，1.是三極體功率電流參數小了。2.是散熱不良，需加大散熱片或加裝散熱風扇。

❼ 什麼是三極體

晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用於檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基於輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在於晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
半導體三極體，是內部含有兩個PN結，外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關等作用，應用十分廣泛。輸入級和輸出級都採用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書刊和實用中都簡稱為TTL電路，它屬於半導體集成電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個晶體管和電阻元件組成的電路系統集中製造在一塊很小的矽片上，封裝成一個獨立的元件。半導體三極體應用最廣泛的器件之一，在電路中用「V」或「VT」（舊文字元號為「Q」、「GB」等）表示。
半導體三極體主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發射極（Emitter）、基極 (Base) 和集電極（Collector）；場效應晶體管的三個極，分別是源極 （Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發射極接地（又稱共射放大、CE組態）、基極接地（又稱共基放大、CB組態）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態、發射極隨隅器）。
在雙極性晶體管中，發射極到基極的很小的電流，會使得發射極到集電極之間，產生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和漏極之間的電流。在模擬電路中，晶體管用於放大器、音頻放大器、射頻放大器、穩壓電路； 在計算機電源中，主要用於開關電源。晶體管也應用於數字電路，主要功能是當成電子開關。數字電路包括邏輯門、隨機存取內存（RAM）和微處理器。晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，像是最大電壓、最大電流、最大功率……，在超額的狀態下使用，晶體管內部的結構會被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以藉由晶體管規格表或是Data Sheet得知。
晶體管在電路最常用的用途應該是屬於訊號放大這一方面，其次是阻抗匹配、訊號轉換……等，晶體管在電路中是個很重要的組件，許多精密的組件主要都是由晶體管製成的。
按半導體材料和極性分類
按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。
按結構及製造工藝分類
晶體管按其結構及製造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。
按電流容量分類
晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管。
按工作頻率分類
晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等。
按封裝結構分類
晶體管按封裝結構可分為金屬封裝（簡稱金封）晶體管、塑料封裝（簡稱塑封）晶體管、玻璃殼封裝（簡稱玻封）晶體管、表面封裝（片狀）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣。
按功能和用途分類
晶體管按功能和用途可分為低雜訊放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開關晶體管、達林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶阻尼晶體管、微波晶體管、光敏晶體管和磁敏晶體管等多種類型。

※ 電力晶體管

電力晶體管按英文Giant Transistor直譯為巨型晶體管，是一種耐高電壓、大電流的雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時也稱為Power BJT；其特性有：耐壓高，電流大，開關特性好，但驅動電路復雜，驅動功率大；GTR和普通雙極結型晶體管的工作原理是一樣的。

※ 光晶體管

光晶體管（phototransistor）由雙極型晶體管或場效應晶體管等三端器件構成的光電器件。光在這類器件的有源區內被吸收，產生光生載流子，通過內部電放大機構，產生光電流增益。光晶體管三端工作，故容易實現電控或電同步。光晶體管所用材料通常是砷化鎵（CaAs），主要分為雙極型光晶體管、場效應光晶體管及其相關器件。雙極型光晶體管通常增益很高，但速度不太快，對於GaAs-GaAlAs，放大系數可大於1000，響應時間大於納秒，常用於光探測器，也可用於光放大。場效應光晶體管響應速度快（約為50皮秒），但缺點是光敏面積小，增益小（放大系數可大於10），常用作極高速光探測器。與此相關還有許多其他平面型光電器件，其特點均是速度快（響應時間幾十皮秒）、適於集成。這類器件可望在光電集成中得到應用。

※ 雙極晶體管

雙極晶體管（bipolar transistor）指在音頻電路中使用得非常普遍的一種晶體管。雙極則源於電流系在兩種半導體材料中流過的關系。雙極晶體管根據工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。

※ 雙極結型晶體管 雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導體三極體，它是通過一定的工藝將兩個PN結結合在一起的器件，有PNP和NPN兩種組合結構；外部引出三個極：集電極，發射極和基極，集電極從集電區引出，發射極從發射區引出，基極從基區引出（基區在中間）；BJT有放大作用，重要依靠它的發射極電流能夠通過基區傳輸到達集電區而實現的，為了保證這一傳輸過程，一方面要滿足內部條件，即要求發射區雜質濃度要遠大於基區雜質濃度，同時基區厚度要很小，另一方面要滿足外部條件，即發射結要正向偏置（加正向電壓）、集電結要反偏置；BJT種類很多，按照頻率分，有高頻管，低頻管，按照功率分，有小、中、大功率管，按照半導體材料分，有硅管和鍺管等；其構成的放大電路形式有：共發射極、共基極和共集電極放大電路。

※ 場效應晶體管

場效應晶體管（field effect transistor）利用場效應原理工作的晶體管。英文簡稱FET。場效應就是改變外加垂直於半導體表面上電場的方向或大小，以控制半導體導電層（溝道）中多數載流子的密度或類型。它是由電壓調制溝道中的電流，其工作電流是由半導體中的多數載流子輸運。這類只有一種極性載流子參加導電的晶體管又稱單極型晶體管。與雙極型晶體管相比，場效應晶體管具有輸入阻抗高、雜訊小、極限頻率高、功耗小，製造工藝簡單、溫度特性好等特點，廣泛應用於各種放大電路、數字電路和微波電路等。以硅材料為基礎的金屬�氧化物�半導體場效應管（MOSFET)和以砷化鎵材料為基礎的肖特基勢壘柵場效應管（MESFET）是兩種最重要的場效應晶體管，分別為MOS大規模集成電路和MES超高速集成電路的基礎器件。

※ 靜電感應晶體管
靜電感應晶體管SIT(Static Inction Transistor)誕生於1970年，實際上是一種結型場效應晶體管。將用於信息處理的小功率SIT器件的橫向導電結構改為垂直導電結構，即可製成大功率的SIT器件。SIT是一種多子導電的器件，其工作頻率與電力MOSFET相當，甚至超過電力MOSFET，而功率容量也比電力MOSFET大，因而適用於高頻大功率場合，目前已在雷達通信設備、超聲波功率放大、脈沖功率放大和高頻感應加熱等某些專業領域獲得了較多的應用。

但是SIT在柵極不加任何信號時是導通的，柵極加負偏壓時關斷，這被稱為正常導通型器件，使用不太方便。此外，SIT通態電阻較大，使得通態損耗也大，因而SIT還未在大多數電力電子設備中得到廣泛應用。

※ 單電子晶體管
用一個或者少量電子就能記錄信號的晶體管。隨著半導體刻蝕技術和工藝的發展，大規模集成電路的集成度越來越高。以動態隨機存儲器(DRAM)為例，它的集成度差不多以每兩年增加四倍的速度發展，預計單電子晶體管將是最終的目標。目前一般的存儲器每個存儲元包含了20萬個電子，而單電子晶體管每個存儲元只包含了一個或少量電子，因此它將大大降低功耗，提高集成電路的集成度。1989年斯各特(J.H. F.Scott-Thomas)等人在實驗上發現了庫侖阻塞現象。在調制摻雜異質結界面形成的二維電子氣上面，製作一個面積很小的金屬電極，使得在二維電子氣中形成一個量子點，它只能容納少量的電子，也就是它的電容很小，小於一個？F (10~15法拉)。當外加電壓時，如果電壓變化引起量子點中電荷變化量不到一個電子的電荷，則將沒有電流通過。直到電壓增大到能引起一個電子電荷的變化時，才有電流通過。因此電流-電壓關系不是通常的直線關系，而是台階形的。這個實驗在歷史上第一次實現了用人工控制一個電子的運動，為製造單電子晶體管提供了實驗依據。為了提高單電子晶體管的工作溫度，必須使量子點的尺寸小於10納米，目前世界各實驗室都在想各種辦法解決這個問題。有些實驗室宣稱已制出室溫下工作的單電子晶體管，觀察到由電子輸運形成的台階型電流——電壓曲線，但離實用還有相當的距離。

※ 絕緣柵雙極晶體管
絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應晶體管（Power MOSFET）的優點，具有良好的特性，應用領域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發射極。
晶體管的主要參數有電流放大系數、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。
※ 電流放大系數
電流放大系數也稱電流放大倍數，用來表示晶體管放大能力。
根據晶體管工作狀態的不同，電流放大系數又分為直流電流放大系數和交流電流放大系數。
1．直流電流放大系數 直流電流放大系數也稱靜態電流放大系數或直流放大倍數，是指在靜態無變化信號輸入時，晶體管集電極電流IC與基極電流IB的比值，一般用hFE或β表示。
2．交流電流放大系數 交流電流放大系數也稱動態電流放大系數或交流放大倍數，是指在交流狀態下，晶體管集電極電流變化量△IC與基極電流變化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。
hFE或β既有區別又關系密切，兩個參數值在低頻時較接近，在高頻時有一些差異。

※ 耗散功率
耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數變化不超過規定允許值時的最大集電極耗散功率。
耗散功率與晶體管的最高允許結溫和集電極最大電流有密切關系。晶體管在使用時，其實際功耗不允許超過PCM值，否則會造成晶體管因過載而損壞。
通常將耗散功率PCM小於1W的晶體管稱為小功率晶體管，PCM等於或大於1W、小於5W的晶體管被稱為中功率晶體管，將PCM等於或大於5W的晶體管稱為大功率晶體管。

※ 頻率特性
晶體管的電流放大系數與工作頻率有關。若晶體管超過了其工作頻率范圍，則會出現放大能力減弱甚至失去放大作用。
晶體管的頻率特性參數主要包括特徵頻率fT和最高振盪頻率fM等。
1．特徵頻率fT 晶體管的工作頻率超過截止頻率fβ或fα時，其電流放大系數β值將隨著頻率的升高而下降。特徵頻率是指β值降為1時晶體管的工作頻率。
通常將特徵頻率fT小於或等於3MHZ的晶體管稱為低頻管，將fT大於或等於30MHZ的晶體管稱為高頻管，將fT大於3MHZ、小於30MHZ的晶體管稱為中頻管。
2．最高振盪頻率fM 最高振盪頻率是指晶體管的功率增益降為1時所對應的頻率。
通常，高頻晶體管的最高振盪頻率低於共基極截止頻率fα，而特徵頻率fT則高於共基極截止頻率fα、低於共集電極截止頻率fβ。

集電極最大電流ICM
集電極最大電流是指晶體管集電極所允許通過的最大電流。當晶體管的集電極電流IC超過ICM時，晶體管的β值等參數將發生明顯變化，影響其正常工作，甚至還會損壞。

最大反向電壓
最大反向電壓是指晶體管在工作時所允許施加的最高工作電壓。它包括集電極—發射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓和發射極—基極反向擊穿電壓。
1．集電極——發射極反向擊穿電壓 該電壓是指當晶體管基極開路時，其集電極與發射極之間的最大允許反向電壓，一般用VCEO或BVCEO表示。
2．集電極——基極反向擊穿電壓 該電壓是指當晶體管發射極開路時，其集電極與基極之間的最大允許反向電壓，用VCBO或BVCBO表示。
3．發射極——基極反向擊穿電壓 該電壓是指當晶體管的集電極開路時，其發射極與基極與之間的最大允許反向電壓，用VEBO或BVEBO表示。

※ 反向電流
晶體管的反向電流包括其集電極—基極之間的反向電流ICBO和集電極—發射極之間的反向擊穿電流ICEO。
1．集電極——基極之間的反向電流ICBO ICBO也稱集電結反向漏電電流，是指當晶體管的發射極開路時，集電極與基極之間的反向電流。ICBO對溫度較敏感，該值越小，說明晶體管的溫度特性越好。
2．集電極——發射極之間的反向擊穿電流ICEO ICEO是指當晶體管的基極開路時，其集電極與發射極之間的反向漏電電流，也稱穿透電流。此電流值越小，說明晶體管的性能越好。

❽ 超聲波功率放大器三級管老燒壞,什麼原因,跟模具使用有什麼關聯

超聲波功率放大器三級管老燒壞,什麼原因,跟模具使用有什麼關聯 ,跟超聲波模具有很大的關系，超聲波機器有固有頻率的，15KHZ超聲波就配15KHZ超聲波模具，20KHZ超聲波機器配20KHZ超聲波模具，如果頻率不匹配，在使用過程中很容易損壞超聲波機器電路，功放三極體，換能器，增幅器的，謝謝參考！

❾ 超聲波加濕器上的那個大功率三極體用的是什麼三極體有什麼特性要求

沒什麼太特殊的要求，功率夠就好，頻率不高的