磁阻效应实验装置图

㈠ 磁阻效应的测量方法

磁阻效应的测量方法：除了霍尔效应之外。电磁感应是最基本的测量磁感应强度的方法。
不过电磁感应原理只能测量变化的磁感应强度，当磁感应强度恒定时，一般采用霍尔效应测量。
此外，对于一些模型较简单的产生磁感应强度的装置，在已知磁导率的情友闷况下，也可以通过测量电流、位置的方法计算磁感应强度。

一、实验原理

物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。对于铁、钻、镍及其合金等磁性金属，当外加磁场平行于磁体内部磁化方向时，电阻几乎不随外加磁场变化；当外加磁场偏离金属的内部磁化方向时，此类金属的电阻发生改变，这就是强磁金属的各向异性磁阻效应。

二、实验装置

测量地磁场装置主要包括底座、转轴，带角刻度的转盘、磁阻传感器的引线、亥姆霍磁线圈、地磁场测定仪控制主机(包括数字式电压表、5V直流电源等)

三、实验步骤如下

1、将磁阻传感器放置在亥姆霍兹线圈公共轴线中点，并使管脚和磁感应强度方向平行。即传感器的感应面与好银亥姆霍磁线圈轴线垂直。用亥姆霍磁线圈产生磁场作为已知量，测量磁阻传感器的灵敏度K。

2、将磁阻传感器平行固定在转盘上，调整转盘至水平(可用水准器指示)。水平旋转转盘，找到传感器输出电压最好袜弯大方向，这个方向就是地磁场磁感应强度的水平分量B1的方向。记

录此时传感器输出电压U1后，再旋转转盘,记录传感器输出最小电压U2 ,由|U1-U2|/2=KB1，求得当地地磁场水平分量B1。

3、将带有磁阻传感器的转盘平面调整为铅直，并使装置沿着地磁场磁感应强度水平分量B1方向放置，只是方向转90度。转动调节转盘，分别记下传感器输出最大和最小时转盘指示值和水平面之间的夹角β1和β2，同时记录此最大读数U3和U4。由磁倾角β=(β1+β2)/2计算β的值。

4、由U3 -U4/2= KB ,计算地磁场磁感应强度B的值。并计算地磁场的垂直分量B=Bsinβ。

本实验须注意：实验仪器周围的一定范围内不应存在铁磁金属物体，以保证测量结果的准确性。

㈡ 磁电效应的磁阻效应

铁磁体在居里温度以下，其磁阻效应与非铁磁体的不同。以图1给出的多衡答晶镍棒的实验数据为例。在弱磁场下的技术磁化区，电阻率的相对变化（图2）有较大的值。电流与磁场平行时（图3）具有正号。而电流与磁场垂直时具有负号。在顺磁举凯磁化过程存在的强磁场区（图4）和（图5）都伴随真实磁化强度增加而减少。
铁磁单晶的磁阻效应也是各向异性的（图6），值的大小与电流和磁化强度相对于晶轴的取向有关咐答慧。

㈢ 磁阻传感器和霍尔传感器在工作原理和使用方法方面各有什么特点

磁阻元件类似霍尔元睁迟件，但它的工作原理是利用半导体材料的磁阻效应(或称高斯效应)。

与霍尔效应的区别如下；即霍尔电势是指垂直于电流方向的横向电压，而磁阻效应则是沿电流方向的电阻变化。

霍耳传感器的工作原理是基于霍耳效应，一般用它可以直接测量霍耳电势差的大小，测出磁场强度，也可用以判别磁感应强度方向。

磁阻传感器是利用置于磁场中的合金带自身的阻值发生变化来测量磁场的大小和方向。

与大多数固态传感器一样，磁阻传感器的工作电路是以非平衡电桥形式输出，它直接将磁阻变化转换成电压输出。

(3)磁阻效应实验装置图扩展阅读：

霍尔器件在输入端通入控制电流IC，当有一磁场B穿过该器件感磁面，则在输出端出现霍尔电势VH。

磁阻传感器已经能制作在硅片上，并形成产品。其灵敏度和线性度已经能满足磁罗悉谨李盘的要求，各方面的性能明显优于霍尔器件。

㈣ 电流的磁效应实验装置图

（1）研究通抄电导体在磁场中受到力的作用的实验，也就是电动机原理实验，即是B图所示的实验装置；
（2）研究电流的磁效应的是奥斯特实验，即是A图所示的实验装；
（3）由于电磁感应现象中能产生电流，故该装置不需要电源，故研究电磁感应现象的是C图所示的实验装置；
（4）电动机是根据通电导线在磁场中受力的作用的原理制成的，故B实验装置；
故答案为：（1）B；（2）A；（3）C；（4）B．

㈤ 磁阻效应的实验原理

一定条件下，导电材料的电阻值R随磁感应强度B的变化规律称为磁阻效应。如图1所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的弊虚作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍耳电场。如果霍耳电场作用和某一速度载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，电阻增大，表现出横向磁阻效应。若将图1中a端和b端短路，则磁阻效应更明显。通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小，即用Δρ/ρ（0）表示。其中ρ（0）为零磁场时的电阻率，设磁电阻在磁感应强度为B的磁场中电阻率为ρ（B），则Δρ=ρ（B）-ρ（0）。由于磁阻传感器电阻的相对变化率ΔR/R（0）正比于Δρ/ρ（0），这里ΔR=R（悔卜模B）-R（0），因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量ΔR/R（0）来表示磁阻效应的大小。
实验证明，当金属或半导体处于较弱磁场中时，一般磁阻传感器电阻相对变化率ΔR/R（0）正比于磁感应强度B的平方，而在强磁场中ΔR/R（0）与磁感应强度B呈线性关系。磁阻传感器的上述特性在物理学和电子学方面有着重要应用。
处于磁场中的磁阻器件碧缓和一个外接电阻串联，接在恒流源的分压电路中，通过对R的调节可以调节磁阻器件中电流的大小，电压表联接1或2可以分别监测外接电阻的电压和磁阻器件的电压。

㈥ 磁阻效应如果保持传感器两端电压不变实验如何设计

当磁场改变时，会改变磁阻元悄颂含件的等效电阻，由于欧姆定律，在端口上等效的电压会发生变化。所以，当流过磁阻元件的电流不变时，只要观察端口上的启笑电压就可以知道磁阻元件的磁阻变化了。

铁磁性物质放在磁阻传感器周围较近处，将干扰地磁场的大小，甚至干扰局部地磁场的方向，使测量结果发生异常。人们利用这一点可以探测铁矿。影响大小在于传感器与铁钉的距离、铁钉的大小，以及铁钉、传感器与地磁场磁力线之间的相对位置和方向关系。

工作原理语音

在地球磁场的一定范围内，其磁场强度是基本保持不变的，因此可以将没有扰动的地球磁场强度作为参考磁场强度。如果具樱源有一定铁磁性的物体进入参考磁场时，就会对之前稳定的地球磁场产生干扰，从而磁场强度会发生变化。当一辆车具有比较大的铁磁特性时，其在静止或在行驶过程中，都会对稳定的地磁场产生扰动，但这种扰动相对参考磁场来讲是比较大的。

㈦ 磁阻效应是怎样产生的 磁阻效应和霍尔效

磁阻效应（Magnetoresistance Effects）是指某些金属或半导体的此竖岁电阻值随外加磁纤穗场变化而变化的现象。同霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。在达到稳态时，某—速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等，载流子在两端聚集产生霍尔电场，比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转，比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转。这种偏转导致载流子的漂移路径增加。或者说，沿外加电场方向运动的载流子数减少，从而使电阻增加。这种现象称为磁阻效应。若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。一般情况下，载流子的有效质量的驰豫时时间森睁与方向无关，则纵向磁感强度不引起载流子偏移，因而无纵向磁阻效应

㈧ 测定地磁场时应注意什么问题

三、实验原理

地磁场作为一种天然磁源，在军物亏事、航空、工业、医学、探矿等科研中有着重要用途。地磁场的数值比较小，约T量级，但在直流磁场测量，特别是弱磁场测量中，往往要知道其数值，并设法消除其影响，地磁场作为一种罩芦神天然磁源，在军事，工业，医学，探矿等科研中也有着重要用途。本实验采用新型坡莫合金磁阻传感器测量地磁场磁感应强度及地磁场磁感应强度的水平和垂直分量；测量地磁场的磁倾角，从而掌握磁阻传感器的特性及测量地磁场的一种重要方法。由于磁阻传感器体积小，灵敏度高，易安装，因而在弱磁测量方面有广泛应用前景。

物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。对于铁，钴，镍及合金等磁性金属，当外加磁场平行与磁体内部磁化方向时，电阻几乎不随外加磁场变化；当外加磁场偏离金属的内部磁化方向时，此类金属的电阻减小，这就是强磁金属的各相异性磁阻效应。

HMC1021Z型磁阻传感器由长而薄的坡莫合金（铁镍合金）制成一维磁阻微电路集成芯片（二维和三维磁阻传感器可以哗冲测量二维和三维磁场）。它利用通常的

㈨ 如图所示是有关电与磁实验的装置图，其中是奥斯特用来研究通电导线周围有磁场的是（）A．B．C．D

A、通电导线放在小磁针上方时，小磁针会发生偏转，它是研究电流的磁效应的，是奥斯特实验，符合题意；拦仿
B、导体棒在磁场中运动时，电流表中产生了感应电流，即用来研究电磁感应现象的，不符合题意；
C、通电后，亮链导体棒在简键纤磁场中发生运动，是研究通电导线在磁场中受磁场力的，不符合题意．
D、闭合开关，通电线圈有磁性，吸引铁钉，是研究通电螺线管具有磁性的，不符合题意．
故选：A．

㈩ 磁阻效应的应用和测量方法

磁阻效应的应用和测量方法：
1、磁阻效应广泛用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置孝誉饥和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储(磁卡、硬盘)等领域。磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域得到广泛应用，如数字虚稿式罗盘、交通车辆检测、导航系统、伪钞检别、位置测量等。
2、测量磁场比较有效的方法是利用霍尔效应测巧返，霍尔效应磁强计是用利用霍尔效应测量磁感应强度的仪器。