检测技术与自动化装置硕士

⑴ 硅片高温吸杂温度

第5卷第6期2006年12月江南大学学报(自然科学版)Journal of Southern Yangtze U niversity(N atural Science Edition)

Vol.5No.6Dec.2006

文章编号:1671-7147(2006)06-0749-04收稿日期:2005-03-10;修订日期:2005-04-04.作者简介：石湘波(1980-)，女，河南洛阳人，检测技术与自动化装置专业硕士研究生.

3通讯联系人：朱拓(1957-)，男，江苏苏州人，教授，硕士生导师.主要从事现代光学理论与成像技术的研究.

Email :tzhu @sytu.e.cn

施正荣(1963-)，男，江苏镇如坦江人，高级工程师，工学博士，硕士生导师.主要从事太阳电池转化效渣档桐

率等研究.Email :zrshi @suntechpower.com 铸造多晶硅的吸杂

石湘波1,许志强1,施正荣2,33,朱拓23,汪义川3

(1.江南大学通信与控制工程学院，江苏无锡214122;2.江南大学理学院，江苏无锡214122;

3.无锡尚德太阳能电力有限公司，江苏无锡214028)

摘要：吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段.比较了在800℃、900℃和1000℃条件下经2h 的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异.实验结果表明，磷铝共吸杂少子寿命的增加比仅用磷、铝单独吸杂都明显，但3种吸杂方式对太阳电池电性能都没太大影响；同时发现退火到蠢岁700℃的热处理并不能有效地改善磷吸杂效果.

关键词：磷吸杂；铝吸杂；磷铝共吸杂；太阳电池；多晶硅太阳电池；少子寿命

中图分类号:TM 914.41文献标识码:A

Study on C ast Multicrystalline Sijicon W afer by G ettering

SHI Xiang Οbo 1,XU Zhi Οqiang 1,SHI Zheng Οrong 2,3,ZHU Tuo 33,WAN G Y i Οchuan 2

(1.School of Communication and Control Engineering ,Southen Yangtze University ,Wuxi 214122,China ;2.School of Science ,Southen Yangtze University ,Wuxi 214122,China ;3.Wuxi Suntech Power Co ,Ltd ,Wuxi 214028,China )Abstract :Gettering is an effective met hod to rece t he deleterious metal imp urity from multicrystalline silicon (mc ΟSi ).The paper co mpares t he differences of lifetime ,elect rical performance of mc ΟSi after being t reated by p ho sp hor gettering ,aluminium gettering and Al/P Οcogettering under 800℃、900℃and 1000℃,2hours ’condition.The experimental demonst rates t hat Al/P Οcogettering is much better t han aluminium and p hosp horus gettering.But ,t here is some effect of t hree gettering met hods on t he elect rical performance of mc ΟSi.The hot t reat ment of annealing to 700

℃has some benefit on t he effect of p ho sp hor gettering.

K ey w ords :t ransition metal ;p hosp horus gettering ;aluminium gettering ;P/AL Οcogettering ;multicrystalline silicon (mc ΟSi )solar cell ;minority carrier lifetime

20世纪70年代铸造多晶硅的出现逐渐打破了

单晶硅材料长期垄断的地位，它以高性价比不断排

挤单晶硅市场.在20世纪80年代末，其市场占有率

仅为10%左右，而到了2003年，其占有率就高达

56.3%，成为最主要的光伏材料.但是多晶硅中铁、铜、镍等重金属杂质含量很高[1].这些杂质形成深能级，成为少数载流子的复合中心，影响了少子寿命和太阳电池的电性能.通常采用吸杂来提高硅片

的质量，国内外许多科研人员对多晶硅的吸杂进行了研究[2Ο5].

太阳电池制作中常用的吸杂方式为磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂.

磷吸杂是利用浓磷扩散形成重扩散层，它的吸杂原理包括驰豫吸杂和分凝吸杂，分凝吸杂部分是由于费米能级效应和离子成对效应而形成的在重扩散层的增强溶解；驰豫吸杂部分是由重扩散形成的位错网络，同时由于硅扩散时形成过量的自间隙原子而导致金属杂质从替位位置移动到间隙位置，导致了扩散速度的增加，从而加速磷吸杂的完成[1,6].由于POCl3能形成1021cm-3的浓磷吸杂层，所以文中使用POCl3为磷源进行磷吸杂.

铝吸杂是利用金属杂质在铝硅合金中的固溶度大于在硅中的固溶度(最少为103，而铁的分凝系数在750～950℃范围时为105～106[7])，并且金属杂质在硅中的扩散速度远大于磷硼等替位式元素.当存在铝吸杂层后，进行一段时间的高于磷铝共熔点(577℃)的热处理，金属杂质就被吸附到铝层，以此来改变硅片的性能[8].

磷吸杂要比铝吸杂快，而铝吸杂的吸杂稳定性又高于磷吸杂.磷铝共吸杂兼顾了两者的优点.通常磷铝共吸杂是在一侧为磷源另一侧为铝源的条件下进行吸杂的.

文中研究了不同温度下磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂对少子寿命、太阳电池电性能影响.同时分析了缓慢降温对磷吸杂的影响.

1实验

1.1实验材料

实验过程中采用A公司的铸造多晶硅片，氧炭含量中等，面积为125mm×125mm，厚度为330μm左右，电阻率为0.5～2Ω・cm.

1.2试验方案

吸杂通常包括金属杂质的释放、扩散和捕获3个步骤，吸杂的温度、冷却速度、吸杂的时间、金属杂质的类型是吸杂效率的重要影响因素[9]，文中按下列方案进行了磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂的研究:

1)在900℃条件下进行2h热处理和2h磷吸杂，分别采用急剧降温和缓慢降温，观察温度变化对磷吸杂的影响;

2)在800℃、900℃和1000℃条件下进行2h 的磷吸杂并在氮气中退火到700℃;

3)单面蒸镀2μm的铝，然后在800℃、900℃

和1000℃条件下进行2h的铝吸杂.

4)一面蒸镀2μm的铝，一面为预先淀积的磷源，在800℃、900℃和1000℃条件下进行2h的磷铝共吸杂处理，并在氮气中退火到700℃.

1.3实验过程

样品全部为60片多晶姊妹片(由同一多晶硅砖切下的具有相似晶粒分布的硅片，有相同的晶体结构分布)，在m(HF)∶m(HNO3)∶m(C H3COO H)= 8∶1∶2的混合溶液中共去除了15～20μm的损伤层.清洗干燥后，其中15片硅片3片一组分为a,b, c,d,e5组.a组未进行任何热处理，直接测其少子寿命;b组在900℃的氮气中进行2h的热处理;c 组在900℃条件的氮气中进行2h的热处理后，并在氮气中退火到700℃(降温速度为5℃/min);d 组在900℃条件下进行了2h的磷吸杂;e组在900℃条件下进行了2h的磷吸杂后退火到700℃(降温速度为5℃/min).之后测定a,b,c,d,e5组的少子寿命.另外45片每15片一组共分为f,g,h3组,f组每5片一组在扩散炉中分别在800℃、900℃和1000℃的3种温度条件下进行2h的磷吸杂并在氮气中退火到700℃(降温速度为5℃/ min).由文献[10]知，蒸铝在硅片上铝的厚度为1.2μm时经烧结后铝层的覆盖率为100%，故文中在需蒸镀铝层的实验硅片上均蒸镀层.g组样品在550X 型的真空镀膜机中单面蒸镀2μm的铝，之后每5片一组在通氮气的石英管中将温度控制在800℃、900℃和1000℃条件下进行2h的铝吸杂.h组样品在850℃条件下在扩散炉中采用浓磷单面扩散扩散30min，表面的浓磷层作为磷源；然后在真空镀膜机中对未扩磷面蒸镀2μm的铝；接着5片一组在通氮气的石英管中将温度控制在800℃、900℃、1000℃的条件下进行2h的磷铝共吸杂，并在氮气中退火到700℃(降温速度为5℃/min).吸杂结束后,f组样品在80℃、质量浓度为200g/L 的NaO H溶液中腐蚀5min，确保磷吸杂层彻底去除.g,h两组样品先在体积分数为20%的HCl中腐蚀10min，然后用去离子水冲洗干净，接着在m(H F)∶m(HNO3)∶m(C H3COO H)=8∶1∶2的酸性溶液中腐蚀1min，此时硅片共被去除了20μm 的厚度，确保了吸杂层的完全去除.

f,g,h3组样品清洗干燥后，测其少子寿命，然后按下述工艺将f,g,h3组样品制成太阳电池：清洗干燥→扩散制结→刻蚀→去磷硅玻璃→清洗干燥→PECVD镀减反膜→丝网印刷电极→烧结.

057江南大学学报(自然科学版)第5卷

2结果和分析

采用暂稳态光电导少子寿命测试仪对热处理后和吸杂后试验硅片的少子寿命进行测试，分析热处理对硅片的影响以及吸杂效果.采用文献[11]的方法，首先在硅片上滴几滴浓度为0.08mol/L的碘酒，把硅片上的碘酒涂均，然后把待测硅片装入一透明的塑料袋中并密封好，确保硅片上没有气泡，用此方法来钝化表面，以确保测得的值完全反映体内少子寿命.在做成太阳电池后，用IΟV测试仪测其电性能，并比较其差异.

2.1热处理方式对硅片的影响

比较原始硅片，通入氮气在900℃条件下进行2h热处理，通氮气在900℃条件下进行2h热处理后退火到700℃，在900℃条件下进行2h磷吸杂和在900℃的温度条件下进行2h磷吸杂并退火到700℃后硅片的少子寿命如图1所示.可以看出，硅片在经过900℃高温处理加热后，均会导致少子寿命降低.原始硅片在900℃进行2h热处理后，少子寿命降低到5μs以下.这是因为高温导致位错密度增加从而使间隙金属杂质增多，同时又容易造成金属杂质污染.缓慢降温并未使这一情况得到任何改善，反而因其在高温中时间长而导致少子寿命的进一步降低.为了给磷吸杂中的驰豫吸杂提供充足的沉积时间，故在900℃条件下完成2h磷吸杂后，即退火到700℃(降温速度为5℃/min).图2反映了不同温度条件下吸杂后的少子寿命，可见少子寿命并没有太大改善.这是因为高温过程会导致缺陷密度的增加，使金属在缺陷处被捕获几率增大，削减了由于缓慢降温使金属充分沉积到吸杂区域所形成的硅片少子寿命的增加，故在此缓慢降温并没使少子寿命升高(文中涉及到磷吸杂的均采用了5℃/min的缓慢降温).

图1900℃下有无吸杂和退火对硅片少子寿命的影响Fig.1Lifetime of w afers varies with gettering or annealing at900℃2.23种吸杂方式吸杂后少子寿命的比较

由图2可以看出,3种吸杂方式在800℃的温度条件下吸杂后，硅片的少子寿命均高于图1所示的初始值.比较3种不同的吸杂方式，发现磷铝共吸杂的效果比磷、铝单独吸杂的效果好，这是由于磷铝共吸杂结合了磷吸杂快速和铝吸杂稳定且吸杂能力强的优点.但是3种吸杂方式从800℃、900℃到1000℃，其少子寿命都明显降低.造成这种现象的原因是随着温度增高，金属杂质在硅中的固溶度增加，导致金属沉积裂解加剧，其中的金属杂质进入硅的间隙位，若此时被吸杂的金属杂质少于由于高温裂解而产生的金属杂质，就会导致整个间隙金属的增多，致使少子寿命的降低.所以文献[7]建议针对多晶硅吸杂，吸杂温度不要超过900℃，否则会导致硅片的退化

.

图2不同温度条件下吸杂后的少子寿命Fig.2Lifetime of gettered w afers vary with

temperatures and gettering methods

2.33种吸杂方式吸杂后电性能的比较

表1为不同吸杂方式与未吸杂电池电性能的比较.可以看出,1000℃高温的磷吸杂可能是被测硅片在高温过程中受到污染而在电性能方面表现异常外，其余硅片电性能和未吸杂对比片的电性能相比差异没有少子寿命明显.其原因可能是由于吸杂效果的不均匀性或者说是多晶硅片自身的不均匀性所致.S.A.Mc Hugo等已研究了多晶硅片的不良区域中金属沉积物，并识别了铁在沉积中的化学状态，得出Fe在这些不良区域中以氧化物或硅酸盐复合物的形式存在.这些复合物非常稳定，去除这些复合物是去除Fe或FeSi x的108～1016倍.要依赖吸杂来改善整个硅片的性能已不可能.避免这些难以通过吸杂除去金属复合物的产生需要从多晶硅硅片生长过程中控制[12].同时S.A.Mc Hugo 又比较了故意被Fe污染过的半导体级单晶硅和带状多晶硅的磷吸杂效果，发现半导体级单晶硅少子寿命恢复到被污染前，而多晶硅只能得到小于初始值的少子寿命[13].由此可见吸杂是否能在多晶硅上充分发挥其作用取决于硅片的整个热历史、金属杂

157

第6期石湘波等：铸造多晶硅的吸杂

质含量、易和金属杂质形成复合物的氧炭的含量以及易成为金属沉积中心的位错和缺陷的密度.

表1各种吸杂方式和未吸杂电池电性能比较

T ab.1Comp arison of solar cell perform ance with and without gettering

吸附方式I sc/A U oc/V FF/%EFF/%R s/ΩR sh/Ω800℃磷吸杂 4.93680.598976.8414.56390.008324.2136 900℃磷吸杂 4.91720.599676.5314.46230.008521.6585 1000℃磷吸杂 4.79660.588974.7413.53360.009819.6318 800℃铝吸杂 4.92100.596975.2914.10560.008712.7434 900℃铝吸杂 4.86480.597976.4014.31900.008418.1185 1000℃铝吸杂 4.94350.596776.3514.23000.008522.1357 800℃磷铝共吸杂 4.88100.598676.2414.27900.008726.0451 900℃磷铝共吸杂 4.82530.600776.8614.28090.008627.0731 1000℃磷铝共吸杂 4.85530.600476.8614.27690.008425.8745未吸杂对比片 4.98790.596574.6414.21560.009728.8899

3结论

通过比较在800℃、900℃和1000℃条件下经2h的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异，以及退火到700℃对磷吸杂的影响，可以得出如下结论:

1)高温会造成多晶硅的退化，即使采用磷铝共吸杂，应尽量避免或缩短多晶硅的高温热处理.

2)在磷吸杂、铝吸杂、磷铝共吸杂3种吸杂方式中，磷铝共吸杂结合了磷吸杂和铝吸杂的优点，吸杂效果最好.

3)吸杂能有效地提高硅片的少子寿命，但对多晶硅电性能的改善却不明显.

参考文献:

[1]Périchaud I.Understanding defects in semiconctors as key to advancing device technology[J].Physica B,2003,340:1Ο

14.

[2]Plekhanov P S,G afiteanu R,G;sele U M,et al.Modeling of gettering of precipitated impurities f rom Si for carrier lifetime

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[3]Boudaden J,Monna R,Loghmarti M,et al.Comparison of phosphorus gettering for different multicrystalline silicon[J].

Solar Energy Materials&Solar Cells,2002,72:381Ο387.

[4]Myers S M,Seibt M,Schr ter.Mechanisms of transitionΟmetal gettering in silicon[J].Journal of Applied Physics,2000,88

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[5]王书荣，陈庭金，刘祖明，等.多晶硅太阳电池的吸杂实验研究[J].云南师范大学学报：自然科学版,2001,21(6):43Ο44.

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[9]阙端麟.硅材料科学与技术[M].杭州：浙江大学出版社,2000:466Ο467.

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solar cells for back surface field formation[C]//Pre print of Oral paper103.0to be presented at the29th IEEE pvsc New Orleans20Ο24thMay2002.New Orleans:[s.n.],2002.

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passivation for photoconctance decay measurements[J].Solar Energy Materials and Solar Cells,1997,45:255Ο265. [12]Mc Hugo S A,Thompson A C,Mohammed A,et al.NanometerΟscale metal precipitates in multicrystalline silicon solar cells

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127Ο137.

(责任编辑：邢宝妹) 257江南大学学报(自然科学版)第5卷

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铸造多晶硅的吸杂
第5卷第6期2006年12月江南大学学报(自然科学版)Journal of Southern Yangtze U niversity(N atural Science Edition)

Vol.5No.6Dec.2006

文章编号:1671-7147(2006)06-0749-04收稿日期:2005-03-10;修订日期:2005-04-04.作者简介：石湘波(1980-)，女，河南洛阳人，检测技术与自动化装置专业硕士研究生.

3通讯联系人：朱拓(1957-)，男，江苏苏州人，教授，硕士生导师.主要从事现代光学理论与成像技术的研究.

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施正荣(1963-)，男，江苏镇江人，高级工程师，工学博士，硕士生导师.主要从事太阳电池转化效

率等研究.Email :zrshi @suntechpower.com 铸造多晶硅的吸杂

石湘波1,许志强1,施正荣2,33,朱拓23,汪义川3

(1.江南大学通信与控制工程学院，江苏无锡214122;2.江南大学理学院，江苏无锡214122;

3.无锡尚德太阳能电力有限公司，江苏无锡214028)

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摘要：吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段.比较了在800℃、900℃和1000℃条件下经2h 的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异.实验结果表明，磷铝共吸杂少子寿命的增加比仅用磷、铝单独吸杂都明显，但3种吸杂方式对太阳电池电性能都没太大影响；同时发现退火到700℃的热处理并不能有效地改善磷吸杂效果.

关键词：磷吸杂；铝吸杂；磷铝共吸杂；太阳电池；多晶硅太阳电池；少子寿命

中图分类号:TM 914.41文献标识码:A

Study on C ast Multicrystalline Sijicon W afer by G ettering

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SHI Xiang Οbo 1,XU Zhi Οqiang 1,SHI Zheng Οrong 2,3,ZHU Tuo 33,WAN G Y i Οchuan 2

(1.School of Communication and Control Engineering ,Southen Yangtze University ,Wuxi 214122,China ;2.School of Science ,Southen Yangtze University ,Wuxi 214122,China ;3.Wuxi Suntech Power Co ,Ltd ,Wuxi 214028,China )Abstract :Gettering is an effective met hod to rece t he deleterious metal imp urity from multicrystalline silicon (mc ΟSi ).The paper co mpares t he differences of lifetime ,elect rical performance of mc ΟSi after being t reated by p ho sp hor gettering ,aluminium gettering and Al/P Οcogettering under 800℃、900℃and 1000℃,2hours ’condition.The experimental demonst rates t hat Al/P Οcogettering is much better t han aluminium and p hosp horus gettering.But ,t here is some effect of t hree gettering met hods on t he elect rical performance of mc ΟSi.The hot t reat ment of annealing to 700

⑵ 电气工程及其自动化考研

电气工程及其自动化考研方向集中在电气工程、电力系统及其自动化、电力电子与电力传动，电气工程(ElectricalEngineering简称EE)是现代科技领域中的核心学科之一，更是当今高新技术领域中不可或缺的关键学科。

电气工程特点

电力是发展生产和提高人类生活水平的重要物质基础，电力的应用在不断深化和发展，电气自动化是国民 经济和人民生活现代化的重要标志。就目前国际水平而言，在今后相当长的时期内，电力的需求将不断增长，社会对电气工程及其自动化科技工作者的需求量呈上升态势。

⑶ 湖南大学自动化考研科目有哪些

答：双控，模式识别，导航，系统工程。

1、控制科学与工程

控制科学与工程是一门研究控制的理论、方法、技术及其工程应用的学科。它是20世纪最重要的科学理论和成就之一，它的各阶段的理论发展及技术进步都与生产和社会实践需求密切相关。

2、控制工程

控制工程硕士是从事自动化设备设计、制造、开发、管理和维护的专业人员。控制工程广泛存在于工业、农业、交通、环境、军事、生物、医学、经济、金融和社会等多个领域，运用控制理论和技术实现繁复的工作自动化，智能化，大大节约了人力成本，解放生产力，使人类从机械的劳动中解脱出来。

3、控制理论与控制工程

控制理论与控制工程隶属于控制科学与工程一级学科

4、检测技术与自动化装置

检测技术与自动化装置是工业自动化生产中获取、传输和处理信息的先决手段，是一门以应用为主、理论和实践紧密结合的综合性学科，它的应用遍及各个工程领域。本学科与自动化、计算机、控制工程、电子信息、机械等学科相互渗透，主要从事与控制、信息科学、机械等领域相关的检测技术与自动化装置的理论与技术方面的研究。

资料扩展

自动化专业是以自动控制理论为主要理论基础，以电子技术、计算机信息技术、传感器与检测技术等为主要技术手段，对各种自动化装置和系统实施控制的一门专业。

专业有两个发展方向，第一个是工业过程控制方向，第二个是嵌入式系统方向。是计算机硬件与软件结合、机械与电子结合、元件与系统结合、运行与制造结合，集控制科学、计算机技术、电子技术、机械工程为一体的综合性学科专业。它具有"控（制）管（理）结合，强（电）弱（电）并重，软（件）硬（件）兼施"鲜明的特点，是理、工、文、管多学科交叉的宽口径工科专业。

⑷ 我学的是电子信息科学与技术，国内有检测技术与自动化装置硕士专业，

绝大多数学校考抄以下专业都不算跨专业，并且下列专业学习起来都能比较容易。另外您有一个误区，考研报考的专业并非是方向，而是二级学科名称。学科门类代号的前两位表示类别，第三四位表示一级学科名称，最后两位表示二级学科名称，例如电路与系统，08是工学，09是一级学科电科，02表示电科下面的第二个二级学科。而一个二级学科可以有多个方向，比如模式识别与智能系统分为模式识别和智能系统两个反向，一般来说报考的时候不需要考虑方向，只需要考虑二级学科，方向要到选完导师并且大致定出来毕业论文的课题才选定。 0809 一级学科：电子科学与技术 080901 物理电子学 080902 电路与系统 080903 微电子学与固体电子学 080904电磁场与微波技术 0810 一级学科：信息与通信工程 081001通信与信息系统☆ 081002信号与信息处理☆ 0811 一级学科：控制科学与工程 081101 控制理论与控制工程 081102 检测技术与自动化装置 081103 系统工程 081104模式识别与智能系统

⑸ 可以考测控技术与仪器的研究生有哪些高校

分类: 教育/学业/考试 >> 入学信息
解析:

一 清华大学精密仪器与机械学系

清华大学精密仪器与机械学系建立于1984年，其前身为成立于1932年的清华大学工学院机械系。全系建有摩擦学和精密测试技术与仪器2个国家重点实验室，国家CIMS、光盘2个国家工程研究中心以及微米纳米技术研究中心、宇航技术研究中心和绿色制造中心等。

拥有精密仪器及机械雀败、光学工程、机械设计及理论和机械制造及其自动化4个全顷誉颤国重点学科，实行本科―研究生统筹培养。本科学制4年，前两学年为基础平台课程，第三年按机虚枯械工程及自动化、测控技术与仪器和微机电系统工程3个专业方向选课。最后根据研究生推荐分流和选课情况核发本科毕业证书和学士学位证书。

二 天津大学精密仪器与光电子工程学院

天津大学精密仪器与光电子工程学院(简称精仪学院)于1995年10月在原精密仪器工程系基础上成立。学院下设4个系：精密仪器工程系、光电信息工程系、光电子科学技术系、生物医学工程与科学仪器系。分别设有5个本科专业：测控技术与仪器、电子科学与技术、信息工程、生物医学工程、光电子技术科学。

学院拥有测试计量技术及仪器、光学工程、精密仪器及机械、物理电子学、生物医学工程硕士学位和博士学位授予权，光学仪器、测试计量技术与仪器是国家首批重点学科，光学工程、仪器科学与技术、生物医学工程为国家一级学科。还设有光学工程、仪器科学与技术、生物医学工程3个博士后流动站。

三 北京航空航天大学检测与自动化工程系

检测与自动化工程系隶属于北京航空航天大学自动化科学与电气工程学院，成立于2004年6月。该系依托于控制科学与工程一级学科下属的二级学科——检测技术与自动化装置，该学科拥有硕士学位和博士学位授予权，同时设有博士后流动站。

四 上海交通大学信息检测技术与仪器系

信息检测技术与仪器系（原精密仪器系、仪器工程系）成立于1975年，现归属于上海交通大学电子信息与电气工程学院。该系集机、光、电、计算机和控制等学科于一体，主要从事自动检测系统、精密测试技术、微特机器人及其应用、新型传感器、惯性技术及导航设备、智能机电系统等方面的研究。

本科专业：测控技术及仪器。3个硕士点：测试计量技术与仪器，精密仪器与机械，导航、制导与控制。所属的一级学科为仪器科学与技术，具有博士授予权，覆盖全系3个二级学科：测试计量技术与仪器，精密仪器与机械，导航、制导与控制。

五 西安交通大学机械工程学院

⑹ 齐鲁工业大学测控技术与仪器有没有硕士点

有硕士点。
测控技术与仪器专业现为校级特色专业，2016年获批为山东省高水平应闷烂用型建设专业，获批有检测技术与自动化装置二级学科硕士点。
专业特色：专业依托山东省科学院海洋仪器仪表研究所、激光研究所等教学科研力量，以培养高素质特色应用型人才为目标，设有智能仪器设计与开发、嵌入式技术等蚂宴漏专业方向，祥消打造山东省特色仪器仪表专业人才培养模式。

⑺ 自动化考研可以选择什么专业

自动化专业考研可以选择计算机专业、电子专业、数学专业、控制工程专业。考生最多的考研方向就是控制工程，开设控制工程的学校有很多，其中不乏名校。

开设控制工程的学校有很多，比如南开大学、东北大学、四川大学、北京信息科技大学、中国地质大学、北京化工大学、河北大学、大连海事大学、南京邮电大学、浙江理工大学、厦门大学、华东交通大学、长沙理工大学等。

介绍

自动化专业在本科阶段叫自动化，研究生阶段叫控制科学与工程。学科下设控制理论与控制工程、检测技术与自动装置等七个二级学科。

第四轮学科评估中，控制科学与工程专业获评A类的双非院校只有两所，一是广东工业大学；二是火箭军工程大学，两所高校的控制科学与工程专业均获A-。不过，火箭军工程大学属于军校，除了录取分数线要达标外，体检也是非常重要的环节。

以上内容参考网络-自动化 （中国普通高等学校本科专业）

⑻ 自动化考研方向

其他信息：

自动化专业考研方向主要有：控制科学与工程、控制工程、控制理论与控制工程、检测技术与自动化装置、系统工程、导航制导与控制、模式识别与智能系统。自动化没喊主要研究电子技术、系统工程、信息处理等方面的基本知识和技术，进行自动化系统的分析、设计、开发与研究，实现对各种装置和系统的自动控制。自动化专业旨在培养学生成为基础扎实、自动控制技术知识系统深入、计算机应用能力强的高级工程技术人才。自动化专业的学生在毕业后基本都能从事自动控制、自动化、信号与数据处理及计算机应用等方面的技术工作。

材料补充：

自动化专业考研方向介绍如下：

1、控制工程：控制工程硕士是从事自动化设备设计、制造、开发、管理和维护的专业人员。控制工程广泛存在于工业、农业、交通、环境、军事、生物、医学、经济、金融和社会多个领域，运用控制理论和技术实现繁复的工作自动化、智能化，大大节约了人力成本，解放生产力，使人类从机械的劳动中解脱出来。

2、检测技术与自动化装置：检测技术与自动化装置是工业自动化生产中获取、传输和处理信息的先决手段，是一门以应用为主、理论和实践紧密结合的综合性学科，它的应用遍及各个工程领域。本学科与自动化、计算机、控制工程、电子信息、机械等学科相互渗透，主要从事与控制、信息科学、机械领域相关的检测技术与自动化装置的理论与技术方面的研究。

3、系统工程：系统工程是为了最好地实现系统的目的，对系统的组成要素、组织结构、信息流、控制机构等进行分析研究的科学方法。它运用各种组织管理技术，使系统的整体与局部之间的关系协调和相互配合，实现总体的最优运行。系统工程不同于一般的传统工程学，它所研究的对象不限于特定的工程物质对象，而是任何一种系统。它是在现代科学技术基础之上发展起来的一门跨学科的边缘学科。

4、控制科学与工程：控制科学与工程在本科阶段称为“自动化”，研究生阶段称为“控制科学与工程”。本学科是肢行研究控制的理论、方法、技术及其工程应用的学科，以控制论、系统论、信息论为基础，研究各应用领域内的共性问题，即为了实现控制目标，应如何建立系统的模型，分析其内部与环境信息，采取何种控制与决策行为。

5、导航、制导与控制：导航、制导与控制学科一直突出为国防、航天服务的特色，注重理论与工程实际的结合，重视高素质人才的培养，建立起一支梯队结构合理、学术方向稳定、能打“硬仗”的科研队伍。导航、制导与控制学科先后开辟出飞行器控制、导航技术、惯导测试设备及测试方法、制导与系统仿真等四大研究方向，在制导控制系统半实物历察哗仿真、复杂系统分布式仿真、大功率低干扰电驱动、惯导测试设备一体化设计、姿态控制、惯导平台小型化数字化等技术研究上取得突出成绩，为国防和国民经济建设作出了贡献。

6、模式识别与智能系统：模式识别与智能系统属控制科学与工程的二级学科，以信息处理与模式识别的理论技术为核心，以数学方法与计算机为主要工具，研究对各种媒体信息进行处理、分类和理解的方法，并在此基础上构造具有某些智能特性的系统。在光学字符识别、语音识别、人脸识别、视频追踪、医学图像处理等方面均有广泛应用。

⑼ 检测技术与自动化装置考研要具备哪些专业知识啊

检测技术与自动化装置是一门涉及面宽的重要学科，是科学技术和生产力发展水平的重要标志。在现代科技和生产的各个领域中，许多电量和非电量参量需要检测和控制。由于电子学和计算机技术的飞速发展，使信号的获取，变换与控制进入自动化、智能化与网络化的新阶段。高度自动化、智能化域网络化成为推动控制科学与工程学科发展的重要方向，是实现现代化的重要基础之一。
研究方向： 1信号获取与变换，2自动化检测系统，3电力系统自动化，4分布式检测技术，5环境监测，6时频检测与控制，7应用超导技术，8信号处理，9流量计技术，10射频和微波检测，11楼宇自动化
初试科目： ①101政治理论
②201英语
③301数学一
④828数字电路或839自动控制原理
电子科技大学自动化学院检测技术与自动化装置2008年研究生入学参考书目839自动控制原理
《自动控制原理》李友善国防工业出版社
《自动控制原理》胡寿松国防工业出版社
《数字电子技术基础(第四版)》阎石高等教育出版社
《脉冲与数字电路》何绪?电子科技大学出版社
《数字设计——原理与实践(第三版)》John F.Wackerly机械工业出版社 2003年
《数字集成电路教程》龙忠琪科学出版社
《数字逻辑》毛法尧华中理工大学出版社