Ⅰ 如何使用电化学工作站做电沉积实验
电化学工作站在扫描过程中扫描意外停止是因为有的电化学工作站使用的是变压器，输入的电压低于仪器的保护电压，仪器和微机的通信就会自动断开；比如我国的单相公共用电是220V，仪器的使用电压是±20%，那么输入电压高于264V，低于176V，仪器就会进入自动保护，工作站和微机的通讯就会自动断而开扫描停止。如果没有设置自动保护的，工作站和微机是通的，当电压很低的时候扫描也不会停止，但逻辑数据已经紊乱了，做出来的图也没有意义。当电压很高或者电流很大时会烧坏电极或者烧毁仪器，所以仪器没有设置自动保护装置是非常危险的。
如果进实验室同一路电源线上有设备使用功率比较大，影响到其他仪器的运行，要考虑使用一个UPS智能高频在线式交流不间断电源系统，或者改进供电装置。
Ⅱ 我是实验室小白，请问电化学工作站是什么啊我现在需要做电沉积，是不是必须要一台电化学工作站啊
你可以简单理解电化学工作站是一个可以给研究体系一个电压反馈电流信号版，或者给权电流反馈电压信号，当然还有其它方法比如交流阻抗EIS等。你做电沉积需要电化学工作站，比如用恒电流就可以沉积。我们现在用的美国PINE公司的电化学工作站专门做电沉积和腐蚀测试。
Ⅲ 什么是电化学沉积法
利用点荷正负吸引，使其带电，然后再用反点荷去沉淀
Ⅳ 如何用三电极体系做电沉积实验采用CHI600电化学工作站，计时电流法应该是恒电位法吧参数怎么设置的啊
选i-t曲线设定恒电位
Ⅳ 电化学的应用非常广泛，可以利用电化学方法测定AgCl的溶度积，图甲就是测定AgCl溶度积装置，其原理是通过
A．SCE电极为原电池的负极，发生氧化反应，电极反应式为2Hg-2e-+2Cl-=Hg2Cl2，故A正确；
B．SCE电极为原电池的负极，Ag极为原电池的正极，原电池工作时，阳离子向正极移动，阴离子向负极移动，故B正确；
C．电位突变时，溶液中阴离子浓度较大，可生成AgCl沉淀，此时有0.5=0.8+0.0592lgc（Ag+），解得c（Ag+）=8.5×10-6mol/L，AgCl的溶度积要小于8.5×10-6，故C错误；
D．甲为原电池装置，化学能转变为电能，故D正确．
故选C．
Ⅵ 什么是电化学沉积法
电化学沉积法有气相沉积，液相沉积等等。气相沉积是将要包含要沉积元素的物质弄成气态形式通入反应室，在一定条件下进行分解，沉积在底片上。液相沉积就是将该物质的业态形式直接放在底片上进行沉积。
Ⅶ 什么是电化学气相沉积法
电化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。
然而，实际上， 反应室中的反应是很复杂的，有很多必须考虑的因素，沉积参数的变化范围是很宽的：反应室内的压力、晶片的温度、气体的流动速率、气体通过晶片的路程(如图所示)、气体的化学成份、一种气体相对于另一种气体的比率、反应的中间产品起的作用、以及是否需要其它反应室外的外部能量来源加速或诱发想得到的反应等。额外能量来源诸如等离子体能量，当然会产生一整套新变数，如离子与中性气流的比率，离子能和晶片上的射频偏压等。
然后，考虑沉积薄膜中的变数：如在整个晶片内厚度的均匀性和在图形上的覆盖特性(后者指跨图形台阶的覆盖)，薄膜的化学配比(化学成份和分布状态)，结晶晶向和缺陷密度等。当然，沉积速率也是一个重要的因素，因为它决定着反应室的产出量，高的沉积速率常常要和薄膜的高质量折中考虑。反应生成的膜不仅会沉积在晶片上，也会沉积在反应室的其他部件上，对反应室进行清洗的次数和彻底程度也是很重要的。
化学家和物理学家花了很多时间来考虑怎样才能得到高质量的沉积薄膜。他们已得到的结论认为：在晶片表面的化学反应首先应是形成“成核点”，然后从这些“成核点”处生长得到薄膜，这样淀积出来的薄膜质量较好。另一种结论认为，在反应室内的某处形成反应的中间产物，这一中间产物滴落在晶片上后再从这一中间产物上淀积成薄膜，这种薄膜常常是一种劣质薄膜。
CVD技术常常通过反应类型或者压力来分类，包括低压CVD(LPCVD)，常压CVD(APCVD)，亚常压CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等离子体增强CVD(PECVD)，高密度等离子体CVD(HDPCVD)以及快热CVD(RTCVD)。然后，还有金属有机物CVD(MOCVD)，根据金属源的自特性来保证它的分类，这些金属的典型状态是液态，在导入容器之前必须先将它气化。不过，容易引起混淆的是，有些人会把MOCVD认为是有机金属CVD(OMCVD)。
过去，对LPCVD和APCVD最常使用的反应室是一个简单的管式炉结构，即使在今天，管式炉也还被广泛地应用于沉积诸如Si3N4 和二氧化硅之类的基础薄膜(氧气中有硅元素存在将会最终形成为高质量的SiO2，但这会大量消耗硅元素；通过硅烷和氧气反应也可能沉积出SiO2 -两种方法均可以在管式炉中进行)。
而且，最近，单片淀积工艺推动并导致产生了新的CVD反应室结构。这些新的结构中绝大多数都使用了等离子体，其中一部分是为了加快反应过程，也有一些系统外加一个按钮，以控制淀积膜的质量。在PECVD和HDPCVD系统中有些方面还特别令人感兴趣是通过调节能量，偏压以及其它参数，可以同时有沉积和蚀刻反应的功能。通过调整淀积：蚀刻比率，有可能得到一个很好的缝隙填充工艺。
对许多金属和金属合金一个有趣的争论就是，他们是通过物理气相沉积(PVD)还是通过化学气相沉积(CVD)能得到最好的沉积效果。尽管CVD比PVD有更好的台阶覆盖特性，但目前诸如铜的子晶层和钽氮扩散层薄膜都是通过PVD来沉积的，因为现有的大量装置都是基于PVD系统的，工程技术人员对PVD方法也有较高的熟练程度。一些人建议，既然台阶覆盖特性越来越重要(尤其是在通孔边墙覆盖)，CVD方法将成为必不可少的技术。相似的争论也存在于产生低k值介质材料方面：是使用CVD方法好还是采用旋涂工艺好？
在化学气相沉积中，决定晶圆间薄膜均匀性的重要参数之一是晶圆间的气体是如何流动的。上图所示是Novellus概念下Three ALTUS系统中，一个晶圆及其基座上的SiH4集中度和钨沉积率的典型路径图。
Ⅷ 电化学装置都有那些
原电池：
两个装溶液的杯子
电线
盐桥
两个电极
合适的溶液
电解池：
电池
电线
一个杯子
两个电极
一种合适的溶液