简单设计一套CVD装置

1. PVD和CVD分别是什么

PVD(Physical Vapor Deposition)---物理气相沉积：指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。

CVD是Chemical Vapor Deposition的简称，是指高温下的气相反应，例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。

PVD技术出现于，制备的薄膜具有高硬度、低摩擦系数、很好的耐磨性和化学稳定性等优点。最初在高速钢刀具领域的成功应用引起了世界各国制造业的高度重视，人们在开发高性能、高可靠性涂层设备的同时，也在硬质合金、陶瓷类刀具中进行了更加深入的涂层应用研究。

与CVD工艺相比，PVD工艺处理温度低，在600℃以下时对刀具材料的抗弯强度无影响；薄膜内部应力状态为压应力，更适于对硬质合金精密复杂刀具的涂层；PVD工艺对环境无不利影响，符合现代绿色制造的发展方向。

当前PVD涂层技术已普遍应用于硬质合金立铣刀、钻头、阶梯钻、油孔钻、铰刀、丝锥、可转位铣刀片、车刀片、异形刀具、焊接刀具等的涂层处理。

(1)简单设计一套CVD装置扩展阅读

CVD例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。

这种技术最初是作为涂层的手段而开发的，但不只应用于耐热物质的涂层，而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等，是一个颇具特征的技术领域。

其技术特征在于：

⑴高熔点物质能够在低温下合成；

⑵析出物质的形态在单晶、多晶、晶须、粉末、薄膜等多种；

⑶不仅可以在基片上进行涂层，而且可以在粉体表面涂层，等。特别是在低温下可以合成高熔点物质，在节能方面做出了贡献，作为一种新技术是大有前途的。

2. CVD化学气相沉积法反应步骤可区分为哪五个步骤

化学气相法又称化学气相沉积法，其反应步骤为：
1、用流化床进行连续处理。所以流化床－CVD 法可以生产多种碳纳米管。碳纳米管不仅可以生长在微米级的聚团状多孔催化剂颗粒上，也可生长在毫米级的陶瓷球的表面上，还可以生长在层状无机氧化物的层间，以大量得到聚团状的碳纳米管或毫米级长度的碳纳米管阵列。
2、在不同级上的催化剂采用不同温度操作，从而可以调变催化剂的高温活性以便提高碳纳米管的收率。
3、下行床与湍动床耦合的反应器技术可以调变催化剂还原与碳沉积的平衡，还能充分利用催化剂的活性，从而大批量制备高质量的单双壁碳纳米管。
CVD是Chemical Vapor Deposition的简称，是指高温下的气相反应，例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。这种技术最初是作为涂层的手段而开发的，但目前，不只应用于耐热物质的涂层，而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等，是一个颇具特征的技术领域。 其技术特征在于：（1）高熔点物质能够在低温下合成；（2）析出物质的形态在单晶、多晶、晶须、粉末、薄膜等多种；（3）不仅可以在基片上进行涂层，而且可以在粉体表面涂层，等。特别是在低温下可以合成高熔点物质，在节能方面做出了贡献，作为一种新技术是大有前途的。 例如，在1000℃左右可以合成a-Al2O3、SiC，而且正向更低温度发展。 CVD工艺大体分为二种：一种是使金属卤化物与含碳、氮、硼等的化合物进行气相反应；另一种是使加热基体表面的原料气体发生热分解。 CVD的装置由气化部分、载气精练部分、反应部分和排除气体处理部分所构成。目前，正在开发批量生产的新装置。

3. CVD（化学气相沉积）的原理及应用是什么

其含义c是气3相中3化1学反5应的固体产物沉积到表面。CVD装置由下k列部件组成；反7应物供应系统，气3相反7应器，气4流传送系统。反6应物多为0金属氯化8物，先被加热到一g定温度，达到足够高的蒸汽压，用载气5（一s般为6Ar或H3）送入v反4应器。如果某种金属不a能形成高压氯化4物蒸汽，就代之d以8有机金属化2合物。在反2应器内4，被涂材料或用金属丝悬挂，或放在平面上y，或沉没在粉末8的流化0床中7，或本身就是流化5床中4的颗粒。化3学反3应器中7发生，产物就会沉积到被涂物表面，废气1（多为2HCl或HF）被导向碱性吸收或冷阱。 沉积反3应可认4为5还原反2应、热解反7应和取代反0应几a类。CVD反3应可分6为5冷壁反7应与l热壁反0应。在热壁反1应中7，化1学反4应的发生与t被涂物同处一h室。被涂物表面和反3应室的内1壁都涂上b一z层薄膜。在热壁反8应器中1只加热被涂物，反3应物另行导入q。 2011-10-28 11:18:35

4. pvd与cvd的相似点与不同点

这个问题越来越难了，哈哈，还是
我回答，不知道你到底要做什么产品，问看真有回答你的，你这样问，说了这个行业广，没有办法回答，手打没有办法，可以复制点给你。CVD(Chemical
Vapor
Deposition,
化学气相沉积)，指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。经过CVD处理后，表面处理膜密着性约提高30%，防止高强力钢的弯曲，拉伸等成形时产生的刮痕。
CVD是Chemical
Vapor
Deposition的简称，是指高温下的气相反应，例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。这种技术最初是作为涂层的手段而开发的，但目前，不只应用于耐热物质的涂层，而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等，是一个颇具特征的技术领域。
其技术特征在于：（1）高熔点物质能够在低温下合成；（2）析出物质的形态在单晶、多晶、晶须、粉末、薄膜等多种；（3）不仅可以在基片上进行涂层，而且可以在粉体表面涂层，等。特别是在低温下可以合成高熔点物质，在节能方面做出了贡献，作为一种新技术是大有前途的。
例如，在1000℃左右可以合成a-Al2O3、SiC，而且正向更低温度发展。
CVD工艺大体分为二种：一种是使金属卤化物与含碳、氮、硼等的化合物进行气相反应；另一种是使加热基体表面的原料气体发生热分解。
CVD的装置由气化部分、载气精练部分、反应部分和排除气体处理部分所构成。目前，正在开发批量生产的新装置。
CVD是在含有原料气体、通过反应产生的副生气体、载气等多成分系气相中进行的，因而，当被覆涂层时，在加热基体与流体的边界上形成扩散层，该层的存在，对于涂层的致密度有很大影响。图2所示是这种扩散层的示意图。这样，由许多化学分子形成的扩散层虽然存在，但其析出过程是复杂的。粉体合成时，核的生成与成长的控制是工艺的重点。
作为新的CVD技术，有以下几种：
（1）采用流动层的CVD；
（2）流体床；
（3）热解射流；
（4）等离子体CVD；
（5）真空CVD，等。
应用流动层的CVD如图3所示，可以形成被覆粒子（例如，在UO2表面被覆SiC、C），应用等离子体的CVD同样也有可能在低温下析出，而且这种可能性正在进一步扩大

5. rmvb转cvd

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6. 请问CVD（化学气相沉积）的原理及应用

其含义是气相中化学反应的固体产物沉积到表面。CVD装置由下列部件组成；反应物供应系统，气相反应器，气流传送系统。反应物多为金属氯化物，先被加热到一定温度，达到足够高的蒸汽压，用载气（一般为Ar或H2）送入反应器。如果某种金属不能形成高压氯化物蒸汽，就代之以有机金属化合物。在反应器内，被涂材料或用金属丝悬挂，或放在平面上，或沉没在粉末的流化床中，或本身就是流化床中的颗粒。化学反应器中发生，产物就会沉积到被涂物表面，废气（多为HCl或HF）被导向碱性吸收或冷阱。
沉积反应可认为还原反应、热解反应和取代反应几类。CVD反应可分为冷壁反应与热壁反应。在热壁反应中，化学反应的发生与被涂物同处一室。被涂物表面和反应室的内壁都涂上一层薄膜。在热壁反应器中只加热被涂物，反应物另行导入。

7. 94123想升级cvd,转向想弄的大一点应该选什么那种的CVD

CVD都有归宿，LZ可以看说明书，都有编号，有的车子CVD可以通用，但94123这样的车架HSP的独特设计，想要买别的CVD可能要LZ拿着尺寸去问了，比较麻烦，

8. 金刚石薄膜

从20世纪70年代起，原苏联就开始了金刚石薄膜的研究工作，开发出了化学气相沉积法，即CVD法。日本于80年代初，借鉴原苏联的技术，开发出微波CVD法（MW CVD）；美国从1984年投入力量，开始追赶。从1987年掀起了世界范围的金刚石薄膜热；西方国家把当今世界称为新金刚石时代；1988年10月在日本东京召开“首届国际新金刚石科学技术研讨会”，16个国家、360名代表参加；1990年9月在美国华盛顿召开了第二届“新金刚石研讨会”，有18个国家、470名代表参加，发表了180篇文章，其中有一半以上是有关CVD法。近年来，日本每年拿出1亿美元投入到薄膜开发；1991年美国政府拨款约1千万美元。

不久将来以金刚石薄膜为基础的新一代电子产品，会大量出现。有下面几例可说明当今金刚石薄膜的生产技术水平：①1991年美国应用脉冲激光方法，在铜衬底上成功地合成出金刚石单晶；②日本于1991年取得金刚石薄膜沉积速度达1000μm/h的水平；③1991年，乌克兰超硬材料研究所研制出直径达半米的薄膜，并向一米直径进军；④金刚石薄膜的沉积温度，已降至350℃。

我国“七五”规划863工程金刚石薄膜开发项目执行以来，已有30多个大学及院所，以及公司从事开发研究，取得可喜的进展，大多数国外采用的方法国内均有并已达到了实际应用水平。

一、应用领域

由于金刚石薄膜硬度高、耐磨性好、绝缘性好以及具有优异的热、电、光、声特性，故它在高速计算机、超大规模集成电路、高温微电子、光电子、空间技术、激光技术以及现代通讯等领域内有着巨大的应用潜力。

它主要用于：①集成电路、激光器件的散热片；②红外窗口；③超大型集成电路芯片；④薄膜传感器；⑤高保真扬声器振动膜；⑥机械零件耐磨表面；⑦晶体管二极管、激光二极管的热沉材料；⑧抗辐射电子仪器；⑨防化学腐蚀的表面；⑩热敏电阻片（温度达600℃）等等。

二、金刚石薄膜制备工艺

金刚石薄膜的制备方法很多，可分为两大类：物理气相沉积法（PVD）；化学气相沉积法（CVD）。现介绍几种典型常用的方法：

1.热丝化学相沉积法（HCVD）

此法又称为热能CVD法，其工作原理见图2-11-10（1）。该法是把基片（Si、Mo、石英玻璃片等）放在用石英玻璃管（或其他材料）制成的反应室内，先将系统抽真空至预定值。然后通入原料气体（一般采用CH₄与H₂的混合气体，其体积浓度之比：0.5%～2.0%），使反应室内的气体压力达到10³～10⁵Pa，将外电炉升至预定温度，再使灯丝（钨丝或钽丝）加热至2000℃以上。热丝与基底之间的距离为1mm至几十毫米之间；基片温度为500～900 ℃。在这样的反应条件下，CH₄、H₂被热解，金刚石在基片上沉积，便获得金刚石薄膜产品。

热丝法的优点是：设备简单，操作容易。缺点是：生长速度慢（1～2μm/h）；热丝的化学成分会污染金刚石膜。

图2-11-10 CVD装置示意图

2.直流等离子体喷射CVD法（DCPCVD）

等离子体CVD包括直流等离子体、高频等离子体和微波等离子体CVD三种。

直流等离子体CVD的装置见图2-11-10（2）。等离子体喷管有圆筒状喷嘴（阳极）和圆筒中的柱状阴极组成。阴极用镍制成，阳极材料为紫铜。在阴极和阳极之间通入的CH₄+H₂气体放电，形成电弧，产生C、H、H₂多种等离子体。它们在压力差的作用下，以接近声速的高速度从喷嘴喷出，形成了等离子体射流撞击到水冷的基底上，沉积成金刚石膜。

直流等离子体CVD法的典型工艺条件如下：

碎岩工程学

该方法的优点：能在很快速度下生长优质大尺寸金刚石厚膜，最快的生长速度可达930μm/h。缺点是所用设备较复杂。

著名的美国Norton公司就是采用该方法以工业化的规模生产优质金刚石膜。

3.微波等离子体CVD法

微波等离子体CVD装置如图2-11-10（3）所示。微波发生器产生的微波，通过波导管耦合到反应器内，而产生辉光放电。反应器内的微波一方面使CH₄和H₂混合气体原料电离成等离子体；另一方面加热基底温度至700～900℃。因此，微波等离子体的输出功率不仅影响基底温度，而且影响反应物的质量。采用本方法时，金刚石在基片上的沉积速度为3μm/h。

4.化学火焰法（燃烧火焰法）CFD

1988年，日本发明了一种非常方便的制备金刚石薄膜的方法——燃烧火焰法，如图2-11-10（4）所示。

燃烧是一种氧化反应，大气下的燃烧火焰，也是一种等离子体。如果将碳氢化合物C₂H₂和氧气通入到火焰枪，只要预混氧气适量，就能形成由焰心、内焰（还原焰）和外焰（氧化焰）构成的火焰。在外焰区，C原子被氧化成CO₂，因此不能用于金刚石的制备；在内焰区，由于氧气不足，燃烧不安全，因此，在该区内含有大量的活性游离基团。这些活性基团在温度较低的基底上，沉积出金刚石膜。

基片放在内焰范围中，基片温度为500～1100℃，气体流量均为1～6L/min；内焰长度25～60mm；试样到喷口距离为15～40mm。

该方法的特点是：可在大气中进行，设备简单，成本低；沉积速度快（60～100μm/h）；能在硬质合金基片上沉积。

9. cvd装置的示意图

CVD法可控制薄膜的各种组成及合成新的结构，可制备半导体外延膜、SiO2、Si3N4等绝缘膜、金属膜及金属的氧化物、碳化物、硅化物等等。 CVD法原先主要用于半导体等。后来扩大到金属等各种基材上，成为制备薄膜的一种重要手段，应用很广泛。
(图粘贴不上,请参考<<薄膜加工工艺>>274～280页)

10. CVD法和HTHP法合成钻石的区别是什么

一、合成方法不同

1、CVD钻石：微波等离子体化学气相沉积法；温度和压力还是制造晶体的两项关键因素，其方法是在陶瓷容器中而不是在地下制造钻石，水压提供高压，电力产生高温，使碳围绕着直径为1毫米，由自然钻石制成的籽晶而形成晶体。

2、HTHP钻石：将天然钻石经高温、高压处理，以提升钻石的颜色等级。通常来说，可升级至4-6个等级。不过不是每颗钻石都能接受该技术处理，必须要是J色以上，且不含杂质、高净度的IIa型钻石。

二、特点不同

1、CVD钻石：内含物具有不同形态合金包裹体；颜色 尽大多数合成钻石呈黄色、渴黄色（大多数）具沙漏状色带；而自然钻石为无色、浅黄及其它颜色。

2、HTHP钻石：经过HPHT处理的钻石也有可能颜色加深或改变，成为彩钻级别；在处理时，无法预测其结果。也就是说，不能确定可以提升到什么等级。

(10)简单设计一套CVD装置扩展阅读：

CVD钻石微波等离子体化学气相沉积法介绍：

1、在基座上放置钻石衬底（种晶），并将空腔内的压强降到0.1个大气压；

2、在空腔内注入甲烷气体和氢气，并用微波束加热形成等离子体；

3、碳原子在钻石衬底上沉积；

4、种晶像微小的钻石砖块一样生长（长成方形，Elpha注），一天能生长0.5个毫米；

5、打开空腔，取出钻石砖块，切成薄片作为半导体或者切割抛光成宝石级钻石。