Ⅰ 如何使用電化學工作站做電沉積實驗
電化學工作站在掃描過程中掃描意外停止是因為有的電化學工作站使用的是變壓器，輸入的電壓低於儀器的保護電壓，儀器和微機的通信就會自動斷開；比如我國的單相公共用電是220V，儀器的使用電壓是±20%，那麼輸入電壓高於264V，低於176V，儀器就會進入自動保護，工作站和微機的通訊就會自動斷而開掃描停止。如果沒有設置自動保護的，工作站和微機是通的，當電壓很低的時候掃描也不會停止，但邏輯數據已經紊亂了，做出來的圖也沒有意義。當電壓很高或者電流很大時會燒壞電極或者燒毀儀器，所以儀器沒有設置自動保護裝置是非常危險的。
如果進實驗室同一路電源線上有設備使用功率比較大，影響到其他儀器的運行，要考慮使用一個UPS智能高頻在線式交流不間斷電源系統，或者改進供電裝置。
Ⅱ 我是實驗室小白，請問電化學工作站是什麼啊我現在需要做電沉積，是不是必須要一台電化學工作站啊
你可以簡單理解電化學工作站是一個可以給研究體系一個電壓反饋電流信號版，或者給權電流反饋電壓信號，當然還有其它方法比如交流阻抗EIS等。你做電沉積需要電化學工作站，比如用恆電流就可以沉積。我們現在用的美國PINE公司的電化學工作站專門做電沉積和腐蝕測試。
Ⅲ 什麼是電化學沉積法
利用點荷正負吸引，使其帶電，然後再用反點荷去沉澱
Ⅳ 如何用三電極體系做電沉積實驗採用CHI600電化學工作站，計時電流法應該是恆電位法吧參數怎麼設置的啊
選i-t曲線設定恆電位
Ⅳ 電化學的應用非常廣泛，可以利用電化學方法測定AgCl的溶度積，圖甲就是測定AgCl溶度積裝置，其原理是通過
A．SCE電極為原電池的負極，發生氧化反應，電極反應式為2Hg-2e-+2Cl-=Hg2Cl2，故A正確；
B．SCE電極為原電池的負極，Ag極為原電池的正極，原電池工作時，陽離子向正極移動，陰離子向負極移動，故B正確；
C．電位突變時，溶液中陰離子濃度較大，可生成AgCl沉澱，此時有0.5=0.8+0.0592lgc（Ag+），解得c（Ag+）=8.5×10-6mol/L，AgCl的溶度積要小於8.5×10-6，故C錯誤；
D．甲為原電池裝置，化學能轉變為電能，故D正確．
故選C．
Ⅵ 什麼是電化學沉積法
電化學沉積法有氣相沉積，液相沉積等等。氣相沉積是將要包含要沉積元素的物質弄成氣態形式通入反應室，在一定條件下進行分解，沉積在底片上。液相沉積就是將該物質的業態形式直接放在底片上進行沉積。
Ⅶ 什麼是電化學氣相沉積法
電化學氣相沉積(CVD)是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，它是很簡單的：兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個反應室內，然後他們相互之間發生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。淀積氮化硅膜(Si3N4)就是一個很好的例子，它是由硅烷和氮反應形成的。
然而，實際上， 反應室中的反應是很復雜的，有很多必須考慮的因素，沉積參數的變化范圍是很寬的：反應室內的壓力、晶片的溫度、氣體的流動速率、氣體通過晶片的路程(如圖所示)、氣體的化學成份、一種氣體相對於另一種氣體的比率、反應的中間產品起的作用、以及是否需要其它反應室外的外部能量來源加速或誘發想得到的反應等。額外能量來源諸如等離子體能量，當然會產生一整套新變數，如離子與中性氣流的比率，離子能和晶片上的射頻偏壓等。
然後，考慮沉積薄膜中的變數：如在整個晶片內厚度的均勻性和在圖形上的覆蓋特性(後者指跨圖形台階的覆蓋)，薄膜的化學配比(化學成份和分布狀態)，結晶晶向和缺陷密度等。當然，沉積速率也是一個重要的因素，因為它決定著反應室的產出量，高的沉積速率常常要和薄膜的高質量折中考慮。反應生成的膜不僅會沉積在晶片上，也會沉積在反應室的其他部件上，對反應室進行清洗的次數和徹底程度也是很重要的。
化學家和物理學家花了很多時間來考慮怎樣才能得到高質量的沉積薄膜。他們已得到的結論認為：在晶片表面的化學反應首先應是形成「成核點」，然後從這些「成核點」處生長得到薄膜，這樣淀積出來的薄膜質量較好。另一種結論認為，在反應室內的某處形成反應的中間產物，這一中間產物滴落在晶片上後再從這一中間產物上淀積成薄膜，這種薄膜常常是一種劣質薄膜。
CVD技術常常通過反應類型或者壓力來分類，包括低壓CVD(LPCVD)，常壓CVD(APCVD)，亞常壓CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等離子體增強CVD(PECVD)，高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然後，還有金屬有機物CVD(MOCVD)，根據金屬源的自特性來保證它的分類，這些金屬的典型狀態是液態，在導入容器之前必須先將它氣化。不過，容易引起混淆的是，有些人會把MOCVD認為是有機金屬CVD(OMCVD)。
過去，對LPCVD和APCVD最常使用的反應室是一個簡單的管式爐結構，即使在今天，管式爐也還被廣泛地應用於沉積諸如Si3N4 和二氧化硅之類的基礎薄膜(氧氣中有硅元素存在將會最終形成為高質量的SiO2，但這會大量消耗硅元素；通過硅烷和氧氣反應也可能沉積出SiO2 -兩種方法均可以在管式爐中進行)。
而且，最近，單片淀積工藝推動並導致產生了新的CVD反應室結構。這些新的結構中絕大多數都使用了等離子體，其中一部分是為了加快反應過程，也有一些系統外加一個按鈕，以控制淀積膜的質量。在PECVD和HDPCVD系統中有些方面還特別令人感興趣是通過調節能量，偏壓以及其它參數，可以同時有沉積和蝕刻反應的功能。通過調整淀積：蝕刻比率，有可能得到一個很好的縫隙填充工藝。
對許多金屬和金屬合金一個有趣的爭論就是，他們是通過物理氣相沉積(PVD)還是通過化學氣相沉積(CVD)能得到最好的沉積效果。盡管CVD比PVD有更好的台階覆蓋特性，但目前諸如銅的子晶層和鉭氮擴散層薄膜都是通過PVD來沉積的，因為現有的大量裝置都是基於PVD系統的，工程技術人員對PVD方法也有較高的熟練程度。一些人建議，既然台階覆蓋特性越來越重要(尤其是在通孔邊牆覆蓋)，CVD方法將成為必不可少的技術。相似的爭論也存在於產生低k值介質材料方面：是使用CVD方法好還是採用旋塗工藝好？
在化學氣相沉積中，決定晶圓間薄膜均勻性的重要參數之一是晶圓間的氣體是如何流動的。上圖所示是Novellus概念下Three ALTUS系統中，一個晶圓及其基座上的SiH4集中度和鎢沉積率的典型路徑圖。
Ⅷ 電化學裝置都有那些
原電池：
兩個裝溶液的杯子
電線
鹽橋
兩個電極
合適的溶液
電解池：
電池
電線
一個杯子
兩個電極
一種合適的溶液