Ⅰ 半導體製冷片如何用萬用表來測試判斷好壞
半導體製冷片的好壞可以採用萬用表測量其電阻,電流或者電壓來進行判斷,半導體製冷片電阻正常范圍為0-0.05歐,半導體製冷片電流正常范圍為0-0.09安,半導體製冷片電壓正常范圍為0-0.1伏。
1、首先需要將萬用用筆兩只表筆接在半導體製冷片和地線上,分紅線和黑線,紅線是連接半導體製冷片的正極,黑線是連接半導體製冷片的負極。
(1)製冷片阻值是怎麼產生的擴展閱讀:
使用注意
1、在使用萬用表之前,應先進行「機械調零」,即在沒有被測電量時 ,使萬用表指針指在零電壓或零電流的位置上。
2、在使用萬用表過程中,不能用手去接觸表筆的金屬部分 ,這樣一方面可以保證測量的准確,另一方面也可以保證人身安全。
3、在測量某一電量時,不能在測量的同時換檔,尤其是在測量高電壓或大電流時 ,更應注意。否則,會使萬用表毀壞。如需換檔,應先斷開表筆,換檔後再去測量。
參考資料來源:網路-萬用表
Ⅱ 半導體製冷片的工作原理
簡單而言製冷片能夠製冷是半導體p-n結在電場的作用下所產生的。在給半導內體p-n結施加一定的電壓的情況容下,電子從p區要穿過n區就需要耗能從而產生熱量;如果熱量被空氣或者其它物體散發,因平衡的需要會進行補充,這就產生吸熱現象即製冷了。因此半導體製冷片在使用時必須要保證熱端的散熱效果,否則不但不能製冷而且會造成製冷片的損壞。
優點和特點:
1、不需要任何製冷劑,可連續工作,沒有污染源沒有旋轉部件,不會產生回轉效應,沒有滑動部件是一種固體片件,工作時沒有震動、噪音、壽命長,安裝容易。
2、半導體製冷片具有兩種功能,既能製冷,又能加熱,製冷效率一般不高,但制熱效率很高,永遠大於1。因此使用一個片件就可以代替分立的加熱系統和製冷系統。
3、半導體製冷片是電流換能型片件,通過輸入電流的控制,可實現高精度的溫度控制,再加上溫度檢測和控制手段,很容易實現遙控、程式控制、計算機控制,便於組成自動控制系統。
4、半導體製冷片熱慣性非常小,製冷制熱時間很快,在熱端散熱良好冷端空載的情況下,通電不到一分鍾,製冷片就能達到最大溫差。
5、半導體製冷片的反向使用就是溫差發電,半導體製冷片一般適用於中低溫區發電。
6、半導體製冷片的單個製冷元件對的功率很小,但組合成電堆,用同類型的電堆串、並聯的方法組合成製冷系統的話,功率就可以做的很大,因此製冷功率可以做到幾毫瓦到上萬瓦的范圍。
7、半導體製冷片的溫差范圍,從正溫90℃到負溫度130℃都可以實現。
Ⅲ 半導體致冷片(製冷片)原理是什麼
在原理上,半導體的製冷片只能算是一個熱傳遞的工具,雖然製冷片會主動為晶元散熱,但依然要將熱端的高於晶元的發熱量散發掉。在製冷片工作期間,只要冷熱端出現溫差,熱量便不斷地通過晶格的傳遞,將熱量移動到熱端並通過散熱設備散發出去。因此,製冷片對於晶元來說是主動製冷的裝置,而對於整個系統來說,只能算是主動的導熱裝置,因此,採用半導體製冷裝置的ZENO96智冷版,依然要採取主動散熱的方式對製冷片的熱端進行降溫。 風扇以及散熱片的作用主要是為製冷片的熱端散熱,通常熱端的溫度在沒有散熱裝置的時候會達到100度左右,極易超過製冷片的承受極限,而且半導體製冷效率的關鍵就是要盡快降低熱端溫度以增大兩端溫差,提高製冷效果,因此在熱端採用大型的散熱片以及主動的散熱風扇將有助於散熱系統的優良工作。在正常使用情況下,冷熱端的溫差將保持在40~65度之間。 當一塊N型半導體材料和一塊P型半導體材料聯結成電偶對時,在這個電路中接通直流電流後,就能產生能量的轉移,電流由N型元件流向P型元件的接頭吸收熱量,成為冷端由P型元件流向N型元件的接頭釋放熱量,成為熱端。吸熱和放熱的大小是通過電流的大小以及半導體材料N、P的元件對數來決定,以下三點是熱電製冷的溫差電效應。
1、塞貝克效應
(SEEBECKEFFECT) 一八二二年德國人塞貝克發現當兩種不同的導體相連接時,如兩個連接點保持不同的溫差,則在導體中產生一個溫差電動勢:ES=S.△T 式中:ES為溫差電動勢 S為溫差電動勢率(塞貝克系數) △T為接點之間的溫差
2、珀爾帖效應
(PELTIEREFFECT) 一八三四年法國人珀爾帖發現了與塞貝克效應的效應,即當電流流經兩個不同導體形成的接點時,接點處會產生放熱和吸熱現象,放熱或吸熱大小由電流的大小來決定。 Qл=л.Iл=aTc 式中:Qπ為放熱或吸熱功率 π為比例系數,稱為珀爾帖系數 I為工作電流 a為溫差電動勢率 Tc為冷接點溫度
3、湯姆遜效應
(THOMSONEFFECT) 當電流流經存在溫度梯度的導體時,除了由導體電阻產生的焦耳熱之外,導體還要放出或吸收熱量,在溫差為△T的導體兩點之間,其放熱量或吸熱量為: Qτ=τ.I.△T Qτ為放熱或吸熱功率 τ為湯姆遜系數 I為工作電流 △T為溫度梯度 以上的理論直到本世紀五十年代,蘇聯科學院半導體研究所約飛院士對半導體進行了大量研究,於一九五四年發表了研究成果,表明碲化鉍化合物固溶體有良好的製冷效果,這是最早的也是最重要的熱電半導體材料,至今還是溫差製冷中半導體材料的一種主要成份。 約飛的理論得到實踐應用後,有眾多的學者進行研究到六十年代半導體製冷材料的優值系數,才達到相當水平,得到大規模的應用,也就是我們現在的半導體製冷片件。 中國在半導體製冷技術開始於50年代末60年代初,當時在國際上也是比較早的研究單位之一,60年代中期,半導體材料的性能達到了國際水平,60年代末至80年代初是我國半導體製冷片技術發展的一個台階。在此期間,一方面半導體製冷材料的優值系數提高,另一方面拓寬其應用領域。中國科學院半導體研究所投入了大量的人力和物力,獲得了半導體製冷片,因而才有了現在的半導體製冷片的生產及其兩次產品的開發和應用。
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Ⅳ 製冷片的電流和電壓
你好:
——★1、半導體製冷片,是利用半導體 PN 結的 帕爾貼 效應來製冷的:當半導體製冷片接通電源後,製冷片 PN 結的兩面,就會產生溫差的,最高溫差,可達到 60 ℃。
——★2、半導體製冷片的額定電壓,一般為 12V ,也有少量額定電壓 6V 、和 3V 的;工作電流有 3A 、5A 、8A 等幾個檔次。
Ⅳ 半導體製冷片
這個首先是由半導體製冷片本身功率決定的,一但半導體製冷片確定了,個人實踐發現主要還是要散熱做得足夠好,才能達到很好的製冷效果。至於調節冷端溫度,在相同散熱條件下,這就是你的控制演算法的問題了。你可以簡單點用PWM控制,通過調節製冷片工作的時間調節問題。復雜一點的可以根據控制通過半導體製冷片的電流來控制功率,從而實現冷端溫度的精確控制。引用
Ⅵ 製冷片是怎麼製冷的
在製冷片工作期間,只要冷熱端出現溫差,熱量便不斷地通過晶格的傳遞,將熱量移動到熱端並通過散熱設備散發出去。
半導體的製冷片算是一個熱傳遞的工具,雖然製冷片會主動為晶元散熱,要將熱端的高於晶元的發熱量散發掉。製冷片對於晶元來說是主動製冷的裝置,對於整個系統來說,算是主動的導熱裝置,採用半導體製冷裝置的ZENO96智冷版,依然要採取主動散熱的方式對製冷片的熱端進行降溫。
結構:
半導體熱電偶由N型半導體和P型半導體組成。N型材料有多餘的電子,有負溫差電勢。P型材料電子不足,有正溫差電勢;當電子從P型穿過結點至N型時,結點的溫度降低,其能量必然增加,而且增加的能量相當於結點所消耗的能量。相反,當電子從N型流至P型材料時,結點的溫度就會升高。
以上內容參考;網路-製冷片
Ⅶ 製冷片工作原理
簡單而言製冷片能夠製冷是半導體p-n結在電場的作用下所產生的。在給半導體p-n結施加一定的電壓的情況下,電子從p區要穿過n區就需要耗能從而產生熱量;如果熱量被空氣或者其它物體散發,因平衡的需要會進行補充,這就產生吸熱現象即製冷了。因此半導體製冷片在使用時必須要保證熱端的散熱效果,否則不但不能製冷而且會造成製冷片的損壞。
Ⅷ 半導體製冷片原理
半導體製冷原理
半導體製冷又稱電子製冷,或者溫差電製冷,是從50年代發展起來的一門介於製冷技術和半導體技術邊緣的學科,它利用特種半導體材料構成的P-N結,形成熱電偶對,產生珀爾帖效應,即通過直流電製冷的一種新型製冷方法,與壓縮式製冷和吸收式製冷並稱為世界三大製冷方式。
半導體製冷器特點
半導體製冷器具有無雜訊、無振動、不需製冷劑、體積小、重量輕等特點,且工作可靠,操作簡便,易於進行冷量調節。但它的製冷系數較小,電耗量相對較大,故它主要用於耗冷量小和佔地空間小的場合,如電子設備和無線電通信設備中某些元件的冷卻;有的也用於家用冰箱,但不經濟。 半導體製冷片是一個熱傳遞的工具。當一塊N型半導體材料和一塊P型半導體材料聯結成的熱電偶對中有電流通過時,兩端之間就會產生熱量轉移,熱量就會從一端轉移到另一端,從而產生溫差形成冷熱端。
半導體製冷優點
1、不需要任何製冷劑,可連續工作,沒有污染源沒有旋轉部件,不會產生回轉效應,沒有滑動部件是一種固體片件,工作時沒有震動、噪音、壽命長,安裝容易。
2、半導體製冷片具有兩種功能,既能製冷,又能加熱,製冷效率一般不高,但制熱效率很高,永遠大於1。因此使用一個片件就可以代替分立的加熱系統和製冷系統。
3、半導體製冷片是電流換能型片件,通過輸入電流的控制,可實現高精度的溫度控制,再加上溫度檢測和控制手段,很容易實現遙控、程式控制、計算機控制,便於組成自動控制系統。
Ⅸ 求半導體製冷的工作原理
半導體製冷片製冷原理
原理圖
半導體製冷片(TE)也叫熱電製冷片,是一種熱泵,它的優點是沒有滑動部件,應用在一些空間受到限制,可靠性要求高,無製冷劑污染的場合。
半導體製冷片的工作運轉是用直流電流,它既可製冷又可加熱,通過改變直流電流的極性來決定在同一製冷片上實現製冷或加熱,這個效果的產生就是通過熱電的原理,上圖就是一個單片的製冷片,它由兩片陶瓷片組成,其中間有N型和P型的半導體材料(碲化鉍),這個半導體元件在電路上是用串聯形式連接組成. 半導體製冷片的工作原理是:當一塊N型半導體材料和一塊P型半導體材料連結成電偶對時,在這個電路中接通直流電流後,就能產生能量的轉移,電流由N型元件流向P型元件的接頭吸收熱量,成為冷端由P型元件流向N型元件的接頭釋放熱量,成為熱端。吸熱和放熱的大小是通過電流的大小以及半導體材料N、P的元件對數來決定。製冷片內部是由上百對電偶聯成的熱電堆(如右圖),以達到增強製冷(制熱)的效果。以下三點是熱電製冷的溫差電效應。
1、塞貝克效應(SEEBECK EFFECT)
一八二二年德國人塞貝克發現當兩種不同的導體相連接時,如兩個連接點保持不同的溫差,則在導體中產生一個溫差電動勢: ES=S.△T
式中:ES為溫差電動勢
S(?)為溫差電動勢率(塞貝克系數)
△T為接點之間的溫差
2、珀爾帖效應(PELTIER EFFECT)
一八三四年法國人珀爾帖發現了與塞貝克效應的效應,即當電流流經兩個不同導體形成的接點時,接點處會產生放熱和吸熱現象,放熱或吸熱大小由電流的大小來決定。
Qл=л.I л=aTc
式中:Qπ 為放熱或吸熱功率
π為比例系數,稱為珀爾帖系數
I為工作電流
a為溫差電動勢率
Tc為冷接點溫度
3、湯姆遜效應(THOMSON EFFECT)
當電流流經存在溫度梯度的導體時,除了由導體電阻產生的焦耳熱之外,導體還要放出或吸收熱量,在溫差為△T的導體兩點之間,其放熱量或吸熱量為:
Qτ=τ.I.△T
Qτ為放熱或吸熱功率
τ為湯姆遜系數
I為工作電流
△T為溫度梯度
以上的理論直到本世紀五十年代,蘇聯科學院半導體研究所約飛院士對半導體進行了大量研究,於一九五四年發表了研究成果,表明碲化鉍化合物固溶體有良好的製冷效果,這是最早的也是最重要的熱電半導體材料,至今還是溫差製冷中半導體材料的一種主要成份。
Ⅹ 半導體製冷片原理
半導體製冷片原理:
由直流電源提供電子流所需的能量,通上電源後,電子負極(-)出發,首先經過P型半導體,於此吸熱量,到了N型半導體,又將熱量放出,每經過一個NP模塊,就有熱量由一邊被送到另外一邊造成溫差而形成冷熱端。
冷熱端分別由兩片陶瓷片所構成,冷端要接熱源,也就是欲冷卻之。在以往致冷器是運用在CPU的,是利用冷端面來冷卻CPU,而熱端面散出的熱量則必需靠風扇來排出。製冷器也應用於做成車用冷/熱保溫箱,冷的方面可以冷飲機,熱的方面可以保溫熱的東西。
半導體製冷片作為特種冷源,在技術應用上具有以下的優點和特點:
1、不需要任何製冷劑,可連續工作,沒有污染源沒有旋轉部件,不會產生回轉效應,沒有滑動部件是一種固體片件,工作時沒有震動、噪音、壽命長,安裝容易。
2、半導體製冷片具有兩種功能,既能製冷,又能加熱,製冷效率一般不高,但制熱效率很高,永遠大於1。因此使用一個片件就可以代替分立的加熱系統和製冷系統。
3、半導體製冷片是電流換能型片件,通過輸入電流的控制,可實現高精度的溫度控制,再加上溫度檢測和控制手段,很容易實現遙控、程式控制、計算機控制,便於組成自動控制系統。
4、半導體製冷片熱慣性非常小,製冷制熱時間很快,在熱端散熱良好冷端空載的情況下,通電不到一分鍾,製冷片就能達到最大溫差。
5、半導體製冷片的反向使用就是溫差發電,半導體製冷片一般適用於中低溫區發電。
6、半導體製冷片的單個製冷元件對的功率很小,但組合成電堆,用同類型的電堆串、並聯的方法組合成製冷系統的話,功率就可以做的很大,因此製冷功率可以做到幾毫瓦到上萬瓦的范圍。
7、半導體製冷片的溫差范圍,從正溫90℃到負溫度130℃都可以實現。