化工工藝儀表中LGS是什麼意思

㈠ 補償法的原理是什麼

一、如果是說法律法規，現在還沒有頒布或施行《補償法》，現在以規范形式出台的只有《國家賠償法》。在社會管理與事務中各地、各行業制定了「補償規定」或「補償條例」與「補償政策規定」在發揮著規范作用。

二、如是提問電力技術術語，補償法的解釋是：在測量電動勢時,如果用電壓表直接測量的話,由於電壓表也有一定電流通過,測出的值是電池的路端電壓,而不是電源的電動勢.所以要想消除電源的內阻影響,測出電源的電動勢,就要用一個電壓與電源互相抵消,這就是補償法。

電容補償就是無功補償或者功率因數補償。電力系統的用電設備在使用時會產生無功功率，而且通常是電感性的，它會使電源的容量使用效率降低，而通過在系統中適當地增加電容的方式就可以得以改善。 電力電容補償也稱功率因數補償！（電壓補償，電流補償，相位補償的綜合）

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《中華人民共和國國家賠償法》相關條例：

第三十二條國家賠償以支付賠償金為主要方式。

能夠返還財產或者恢復原狀的，予以返還財產或者恢復原狀。

第三十三條侵犯公民人身自由的，每日賠償金按照國家上年度職工日平均工資計算。

第三十四條侵犯公民生命健康權的，賠償金按照下列規定計算：

1、造成身體傷害的，應當支付醫療費、護理費，以及賠償因誤工減少的收入。減少的收入每日的賠償金按照國家上年度職工日平均工資計算，最高額為國家上年度職工年平均工資的五倍；

2、造成部分或者全部喪失勞動能力的，應當支付醫療費、護理費、殘疾生活輔助具費、康復費等因殘疾而增加的必要支出和繼續治療所必需的費用，以及殘疾賠償金。殘疾賠償金根據喪失勞動能力的程度，按照國家規定的傷殘等級確定，最高不超過國家上年度職工年平均工資的二十倍。造成全部喪失勞動能力的，對其扶養的無勞動能力的人，還應當支付生活費；

3、造成死亡的，應當支付死亡賠償金、喪葬費，總額為國家上年度職工年平均工資的二十倍。對死者生前扶養的無勞動能力的人，還應當支付生活費。

4、前款第二項、第三項規定的生活費的發放標准，參照當地最低生活保障標准執行。被扶養的人是未成年人的，生活費給付至十八周歲止；其他無勞動能力的人，生活費給付至死亡時止。

第三十五條有本法第三條或者第十七條規定情形之一，致人精神損害的，應當在侵權行為影響的范圍內，為受害人消除影響，恢復名譽，賠禮道歉；造成嚴重後果的，應當支付相應的精神損害撫慰金。

第三十七條賠償費用列入各級財政預算。

賠償請求人憑生效的判決書、復議決定書、賠償決定書或者調解書，向賠償義務機關申請支付賠償金。

賠償義務機關應當自收到支付賠償金申請之日起七日內，依照預算管理許可權向有關的財政部門提出支付申請。財政部門應當自收到支付申請之日起十五日內支付賠償金。

賠償費用預算與支付管理的具體辦法由國務院規定。

㈡ 內存的參數2-2-2-4里的數字各代表什麼意思

不同品牌的不相同:
你可參考如下資料吧:

從PC100標准開始內存條上帶有SPD晶元，SPD晶元是內存條正面右側的一塊8管腳小晶元，裡面保存著內存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。當開機時，支持SPD功能的主板BIOS就會讀取SPD中的信息，按照讀取的值來設置內存的存取時間。我們可以藉助SPDinfo這類工具軟體來查看SPD晶元中的信息，例如軟體中顯示的SDRAM PC133U-333-542就表示被測內存的技術規范。內存技術規范統一的標注格式，一般為PCx-xxx-xxx，但是不同的內存規范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM內存標注格式

（1）1.0---1.2版本

這類版本內存標注格式為：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示，一般為2；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示，一般為2；e表示最大的tAC（相對於時鍾下沿的數據讀取時間），一般為6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本號，所有的PC100內存條上都有EEPROM，用來記錄此內存條的相關信息，符合Intel PC100規范的為1.2版本以上；g代表修訂版本；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。

（2）1.2b+版本

其格式為：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示；ee代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本為1.2；g代表修訂版本，如2代表修訂版本為1.2；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。

2、PC133 SDRAM（版本為2.0）內存標注格式

威盛和英特爾都提出了PC133 SDRAM標准，威盛力推的PC133規范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分規范，例如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD；英特爾的PC133規范要嚴格一些，是PC133 CAS=2，要求內存晶元至少7.5ns，在133MHz時最好能達到CAS=2。

PC133 SDRAM標注格式為：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示標准工作頻率，單位MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；c表示最小的CL（即CAS的延遲時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本為2.0。

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本為1.0）內存標注格式

其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內存帶寬，單位為MB/s；a*1/16=內存的標准工作頻率，例如2100代表內存帶寬為2100MB/s，對應的標准工作頻率為2100*1/16=133MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；cc表示CAS延遲時間，用時鍾周期數表示，表達時不帶小數點，如25代表CL=2.5；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本為1.0。

4、RDRAM 內存標注格式

其格式為：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示內存容量；b代表內存條上的內存顆粒數量；c代表內存支持ECC；d保留；e代表內存的數據傳輸率，e*1/2=內存的標准工作頻率，例如800代表內存的數據傳輸率為800Mt/s，對應的標准工作頻率為800*1/2=400MHZ。

5、各廠商內存晶元編號

內存打假的方法除了識別內存標注格式外，還可以利用刻在內存晶元上的編號。內存條上一般有多顆內存晶元，內存晶元因為生產廠家的不同，其上的編號也有所不同。

由於韓國HY和SEC占據了世界內存產量的多半份額，它們產的內存晶元質量穩定，價格不高，另外市面上還流行LGS、Kingmax、金邦金條等內存，因此我們就先來看看它們的內存晶元編號。

（1）HYUNDAI（現代）

現代的SDRAM內存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM晶元編號格式為：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表現代的產品；5a表示晶元類型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表晶元輸出的數據位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；h代表內存晶元內部由幾個Bank組成（1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系）；I代表介面（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕介面）；j代表內核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新）；k代表功耗（L=低功耗晶元，空白=普通晶元）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代錶速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現代的晶元，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常見的編號還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10編號的SDRAM上133MHz相當困難；編號ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；編號BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很穩定。一般來講，編號最後兩位是7K的代表該內存外頻是PC100，75的是PC133的，但現代內存目前尾號為75的早已停產，改換為T-H這樣的尾號，可市場上PC133的現代內存尾號為75的還有很多，這可能是以前的屯貨，但可能性很小，假貨的可能性較大，所以最好購買T-H尾號的PC133現代內存。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼並，市面上LGs的內存晶元也很常見。LGS SDRAM內存晶元編號格式為：GM72V ab cd e 1 f g T hi

其中GM代表LGS的產品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示數據位寬(一般為4、8、16等)；e代表Bank（2=2個Bank，4=4個Bank）；f表示內核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封裝（T=常見的TSOPⅡ封裝，I=BLP封裝）；hi代錶速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位輸出，4個Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

LGS編號後綴中，7.5是PC133內存；8是真正的8ns PC 100內存，速度快於7K/7J；7K和7J屬於PC 100的SDRAM，兩者主要區別是第三個反應速度的參數上，7K比7J的要快，上133MHz時7K比7J更穩定；10K屬於非PC100規格的，速度極慢，由於與7J/7K外型相似，不少奸商把它們冒充7J/7K的來賣。

（3）Kingmax(勝創)

Kingmax的內存採用先進的TinyBGA封裝方式，而一般SDRAM內存都採用TSOP封裝。採用TinyBGA封裝的內存，其大小是TSOP封裝內存的三分之一，在同等空間下TinyBGA封裝可以將存儲容量提高三倍，而且體積要小、更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.36mm，線路阻抗也小，因此具有良好的超頻性能和穩定性，不過Kingmax內存與主板晶元組的兼容性不太好，例如Kingmax PC150內存在某些KT133主板上竟然無法開機。

Kingmax SDRAM內存目前有PC150、PC133、PC100三種。其中PC150內存(下圖)實際上是能上150外頻且能穩定在CL=3（有些能上CL=2）的極品PC133內存條，該類型內存的REV1.2版本主要解決了與VIA 694X晶元組主板兼容問題，因此要好於REV1.1版本。購買Kingmax內存時，你要注意別買了打磨條，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100內存打磨成7ns的PC133或PC150內存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等軟體測試一下內存的速度，注意觀察內存上字跡是否清晰，是否有規則的刮痕，晶元表面是否發白等，看看晶元上的編號。

KINGMAX PC150內存採用了6納秒的顆粒，這使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也會比一般的PC133內存來的快；Kingmax的PC133內存晶元是-7的，例如編號KSV884T4A1A-07；而PC100內存晶元有兩種情況：部分是-8的（例如編號KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如編號KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133與PC100的區別在於：PC100的內存有相當一部分可以超頻到133，但不是全部；而PC133的內存卻可以保證100%穩定工作在PC133外頻下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵風金條)

金邦金條分為'金、紅、綠、銀、藍'五種內存條，各種金邦金條的SPD均是確定的，對應不同的主板。其中紅色金條是PC133內存；金色金條P針對PC133伺服器系統，適合雙處理器主板；綠色金條是PC100內存；藍A色金條針對AMD750/760 K7系主板，面向超頻玩家；藍V色金條針對KX133主板；藍T色金條針對KT-133主板；銀色金條是面向筆記本電腦的PC133內存。

金邦內存晶元編號例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32

其中GL2000代表晶元類型（GL2000=千禧條TSOPs即小型薄型封裝，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的產品；6代表產品家族（6=SDRAM）；LC代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是設備號碼（深度*寬度，內存晶元容量 = 內存基粒容量 * 基粒數目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 內存基粒容量；8 = 基粒數目；M = 容量單位，無字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13
FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取時間（7=7ns（143MHz））；AMIR是內部標識號。以上編號表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3V
Vdd CMOS製造工藝，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星EDO DRAM內存晶元編號例如KM416C254D表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（1=x1[以1的倍數為單位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表電壓（C=5V、V=3.3V）；254代表內存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb內存。

三星SDRAM內存晶元編號例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表內存晶元密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示內存排數（2=2排、3=4排）；0代表內存介面（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表電源供應（G=自動刷新、F=低電壓自動刷新）；10代表最高頻率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值為2、L = 100 MHz @ CAS值為3 ）。三星的容量需要自己計算一下，方法是用'S'後的數字乘S前的數字，得到的結果即為容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM內存晶元，刷新為8K，內存Banks為3，內存介面LVTTL，第2代內存，自動刷新，速度是10ns(100 MHz)。

三星PC133標准SDRAM內存晶元格式如下：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
三星DDR同步DRAM內存晶元編號例如KM416H4030T表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16表示內存晶元組成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表內存電壓（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表內存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2
[15.6μS]、2 = 128M/8K[15.6μS]、3 = 64M/8K[7.8μS]、4 = 128M/16K[7.8μS]）；3表示內存排數（3=4排、4=8排）；0代表介面電壓（0=混合介面LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封裝類型（T=66針TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代錶速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 6.7NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 7.5NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (250MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT*16=64MBIT內存晶元，3.3V DDR SDRAM，刷新時間0 = 64M/4K (15.6μS)，內存晶元排數為4排（兩面各兩排），介面電壓LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP
Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM內存晶元編號例如KM418RD8C表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；18代表內存晶元組成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示產品類型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表內存晶元密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉CSP]、W = WL-CSP）；80代錶速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M*18BIT=144M，BGA封裝，速度800MBPS。

（6）MICRON（美光）

MICRON公司是世界上知名內存生產商之一（如右圖MICRON PC143 SDRAM內存條），其SDRAM晶元編號格式為：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J

其中MT代表MICRON的產品；48代表產品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表處理工藝（C=5V VCC CMOS，LC=3.3V VDD CMOS，V=2.5V VDD CMOS）；CDMEF設備號碼（深度*寬度），無字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CD*EF；EF表示數據位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封裝（TG=TSOPⅡ封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代錶速度，分成以下四類：

（A）DRAM

-4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS
SDRAM，X32 DDR SDRAM（時鍾率 @ CL3）
-15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ
DDR SDRAM（X4，X8，X16）時鍾率 @ CL=2.5
-8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ

（B）RAMBUS（時鍾率）

-4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS
+的含義
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHZ

（7）其它內存晶元編號

NEC的內存晶元編號例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的產品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數據位寬（4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位，當數據位寬為16位和32位時，使用兩位）；4代表BANK數（3或4代表4個BANK，在16位和32位時代表2個BANK；2代表2個BANK）；1代表LVTTL（如為16位和32位的晶元，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個BANK和LVTTL，3代表4個BANK和LVTTL）；G5為TSOPⅡ封裝；-A80代錶速度：在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設為2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS較10慢，TAC為7，不完全符合PC100規范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封裝外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的內存晶元編號例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的產品；52是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個版本的內核（現在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT為TSOⅡ封裝；B60代錶速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ時CL是3）。

SIEMENS（西門子）內存晶元編號格式為：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB為容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，7.5=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66規格〕）。

TOSHIBA的內存晶元編號例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產品；59代表SDRAM（其後的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示數據位寬（04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；B表示內核的版本；FT為TSOPⅡ封裝（FT後如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代錶速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。

IBM的內存晶元編號例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內核的版本；10代錶速度（68=6.8NS〔147MHZ〕，75A=7.5NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10
[15.6μS]、2 = 128M/8K[15.6μS]、3 = 64M/8K[7.8μS]、4 = 128M/16K[7.8μS]）；3表示內存排數（3=4排、4=8排）；0代表介面電壓（0=混合介面LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封裝類型（T=66針TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代錶速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 6.7NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 7.5NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (250MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT*16=64MBIT內存晶元，3.3V DDR SDRAM，刷新時間0 = 64M/4K (15.6μS)，內存晶元排數為4排（兩面各兩排），介面電壓LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP
Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM內存晶元編號例如KM418RD8C表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；18代表內存晶元組成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示產品類型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表內存晶元密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉CSP]、W = WL-CSP）；80代錶速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M*18BIT=144M，BGA封裝，速度800MBPS。

（6）MICRON（美光）

MICRON公司是世界上知名內存生產商之一（如右圖MICRON PC143 SDRAM內存條），其SDRAM晶元編號格式為：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J

其中MT代表MICRON的產品；48代表產品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表處理工藝（C=5V VCC CMOS，LC=3.3V VDD CMOS，V=2.5V VDD CMOS）；CDMEF設備號碼（深度*寬度），無字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CD*EF；EF表示數據位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封裝（TG=TSOPⅡ封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代錶速度，分成以下四類：

（A）DRAM

-4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS
SDRAM，X32 DDR SDRAM（時鍾率 @ CL3）
-15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ
DDR SDRAM（X4，X8，X16）時鍾率 @ CL=2.5
-8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ

（B）RAMBUS（時鍾率）

-4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS
+的含義
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHZ

（7）其它內存晶元編號

NEC的內存晶元編號例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的產品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數據位寬（4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位，當數據位寬為16位和32位時，使用兩位）；4代表BANK數（3或4代表4個BANK，在16位和32位時代表2個BANK；2代表2個BANK）；1代表LVTTL（如為16位和32位的晶元，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個BANK和LVTTL，3代表4個BANK和LVTTL）；G5為TSOPⅡ封裝；-A80代錶速度：在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設為2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS較10慢，TAC為7，不完全符合PC100規范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封裝外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的內存晶元編號例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的產品；52是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個版本的內核（現在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT為TSOⅡ封裝；B60代錶速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ時CL是3）。

SIEMENS（西門子）內存晶元編號格式為：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB為容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，7.5=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66規格〕）。

TOSHIBA的內存晶元編號例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產品；59代表SDRAM（其後的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示數據位寬（04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；B表示內核的版本；FT為TSOPⅡ封裝（FT後如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代錶速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。

IBM的內存晶元編號例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內核的版本；10代錶速度（68=6.8NS〔147MHZ〕，75A=7.5NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10

㈢ 青島科大化工機械專業都學什麼課

課程大致如下：高等數學、英語、政治、化工設備機械基礎、機械制圖、金屬焊接工藝學，金屬工藝學、化工工藝、化工原理、無機化學、有機化學等；

㈣ 請問內存晶元上面的序列號是什麼意思

朋友：
內存序列號
(ZT)

從PC100標准開始內存條上帶有SPD晶元，SPD晶元是內存條正面右側的一塊8管腳小晶元，裡面保存著內存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。當開機時，支持SPD功能的主板BIOS就會讀取SPD中的信息，按照讀取的值來設置內存的存取時間。我們可以藉助SiSoft Sandra2001這類工具軟體來查看SPD晶元中的信息，例如軟體中顯示的SDRAM PC133U-333-542就表示被測內存的技術規范。
內存技術規范統一的標注格式，一般為PCx-xxx-xxx，但是不同的內存規范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM內存標注格式
（1）1.0---1.2版本
這類版本內存標注格式為：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示，一般為2；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示，一般為2；e表示最大的tAC（相對於時鍾下沿的數據讀取時間），一般為6（ns）或6。5，越短越好；f表示SPD版本號，所有的PC100內存條上都有EEPROM，用來記錄此內存條的相關信息，符合Intel PC100規范的為1。2版本以上；g代表修訂版本；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。

（2）1.2b+版本
其格式為：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示；ee代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本為1.2；g代表修訂版本，如2代表修訂版本為1.2；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。

2、PC133 SDRAM（版本為2.0）內存標注格式
威盛和英特爾都提出了PC133 SDRAM標准，威盛力推的PC133規范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分規范，例如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD；英特爾的PC133規范要嚴格一些，是PC133 CAS=2，要求內存晶元至少7.5ns，在133MHz時最好能達到CAS=2。
PC133 SDRAM標注格式為：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示標准工作頻率，單位MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；c表示最小的CL（即CAS的延遲時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本為2.0。

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本為1.0）內存標注格式
其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內存帶寬，單位為MB/s；a*1/16=內存的標准工作頻率，例如2100代表內存帶寬為2100MB/s，對應的標准工作頻率為2100*1/16=133MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；cc表示CAS延遲時間，用時鍾周期數表示，表達時不帶小數點，如25代表CL=2.5；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本為1.0。

4、RDRAM 內存標注格式
其格式為：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示內存容量；b代表內存條上的內存顆粒數量；c代表內存支持ECC；d保留；e代表內存的數據傳輸率，e*1/2=內存的標准工作頻率，例如800代表內存的數據傳輸率為800Mt/s，對應的標准工作頻率為800*1/2=400MHZ。

5、各廠商內存晶元編號
內存打假的方法除了識別內存標注格式外，還可以利用刻在內存晶元上的編號。內存條上一般有多顆內存晶元，內存晶元因為生產廠家的不同，其上的編號也有所不同。
由於韓國HY和SEC占據了世界內存產量的多半份額，它們產的內存晶元質量穩定，價格不高，另外市面上還流行LGS、Kingmax、金邦金條等內存，先來看看它們的內存晶元編號。

（1）HYUNDAI（現代）
現代的SDRAM內存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM晶元編號格式為：HY 5a b cde fg h i j k lm-no
其中HY代表現代的產品；5a表示晶元類型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代
表晶元輸出的數據位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；h代表內存晶元內部由幾個Bank組成（1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系）；I代表介面（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕介面）；j代表內核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新）；k代表功耗（L=低功耗晶元，空白=普通晶元）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm
TSOP-II）；no代錶速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現代的晶元，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常見的編號還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10編號的SDRAM上133MHz相當困難；編號ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；編號BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很穩定。一般來講，編號最後兩位是7K的代表該內存外頻是PC100，75的是PC133的，但現代內存目前尾號為75的早已停產，改
換為T-H這樣的尾號，可市場上PC133的現代內存尾號為75的還有很多，這可能是以前的屯貨，但可能性很小，假貨的可能性較大，所以最好購買T-H尾號的PC133現代內存。

（2）LGS〔LG Semicon〕
LGs如今已被HY兼並，市面上LGs的內存晶元也很常見。
LGS SDRAM內存晶元編號格式為：GM72V ab cd e 1 f g T hi
其中GM代表LGS的產品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示數據位寬(一般為4、8、16等)；e代表Bank（2=2個Bank，4=4個Bank）；f表示內核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封裝（T=常見的TSOPⅡ封裝，I=BLP封裝）；hi代錶速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕 ，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。
例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位輸出，4個Bank，7K速度即PC-100、CL=3。
LGS編號後綴中，7.5是PC133內存；8是真正的8ns PC 100內存，速度快於7K/7J；7K和7J屬於PC 100的SDRAM，兩者主要區別是第三個反應速度的參數上，7K比7J的要快，上133MHz時7K比7J更穩定；10K屬於非PC100規格的，速度極慢，由於與7J/7K外型相似，不少奸商把它們冒充7J/7K的來賣。

（3）Kingmax(勝創)
Kingmax的內存採用先進的TinyBGA封裝方式，而一般SDRAM內存都採用TSOP封裝。採用TinyBGA封裝的內存，其大小是TSOP封裝內存的三分之一，在同等空間下TinyBGA封裝可以將存儲容量提高三倍，而且體積要小、更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.36mm，線路阻抗也小，因此具有良好的超頻性能和穩定性，不過Kingmax內存與主板晶元組的兼容性不太好，例如Kingmax PC150內存在某些KT133主板上竟然無法開機。

Kingmax SDRAM內存目前有PC150、PC133、PC100三種。其中PC150內存(下圖)實際上是能上150外頻且能穩定在CL=3（有些能上CL=2）的極品PC133內存條，該類型內存的REV1.2版本主要解決了與VIA 694X晶元組主板兼容問題，因此要好於REV1.1版本。購買Kingmax內存時，你要注意別買了打磨條，市面上JS常把原本是8ns的
Kingmax PC100內存打磨成7ns的PC133或PC150內存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等軟體測試一下內存的速度，注意觀察內存上字跡是否清晰，是否有規則的刮痕，晶元表面是否發白等，看看晶元上的編號。

KINGMAX PC150內存採用了6納秒的顆粒，這使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也會比一般的PC133內存來的快；Kingmax的PC133內存晶元是-7的，例如編號KSV884T4A1A-07；而PC100內存晶元有兩種情況：部分是-8的（例如編號KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如編號KSV884T4A0-07）。其中KINGMAXPC133與PC100的區別在於：PC100的內存有相當一部分可以超頻到133，但不是全部；而PC133的內存卻可以保證100%穩定工作在PC133外頻下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵風金條)
金邦金條分為"金、紅、綠、銀、藍"五種內存條，各種金邦金
條的SPD均是確定的，對應不同的主板。其中紅色金條是PC133內存；金色金條P針對PC133伺服器系統，適合雙處理器主板；綠色金條是PC100內存；藍A色金條針對AMD750/760 K7系主板，面向超頻玩家；藍V色金條針對KX133主板；藍T色金條針對KT-133主板；銀色金條是面向筆記本電腦的PC133內存。
金邦內存晶元編號例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
其中GL2000代表晶元類型（GL2000=千禧條TSOPs即小型薄型封裝，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的產品；6代表產品家族（6=SDRAM）；LC代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是設備號碼（深度*寬度，內存晶元容量 = 內存基粒容量 * 基粒數目 = 16 * 8 =128Mbit，其中16 = 內存基粒容量；8 = 基粒數目；M = 容量單位，無字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針，2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取時間（7=7ns（143MHz））；AMIR是內部標
識號。以上編號表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3V Vdd CMOS製造工藝，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）
三星EDO DRAM內存晶元編號例如KM416C254D表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（1=x1[以1的倍數為單位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表電壓（C=5V、V=3.3V）；254代表內存密度256Kbit（256[254] =256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 =16Mx）；D代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb內存。
三星SDRAM內存晶元編號例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三
星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（4 = x4、8 = x8、16 =x16）；S代表SDRAM；16代表內存晶元密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 =8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示內存排數（2=2排、3=4排）；0代表內存介面（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表電源供應（G=自動刷新、F=低電壓自動刷新）；10代表最高頻率（7 =7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100MHz @ CAS值為2、L=100 MHz @ CAS值為3 ）。三星的容量需要自己計算一下，方法是用"S"後的數字乘S前的數字，得到的結果即為容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM內存晶元，刷新為8K，內存Banks為3，內存介面LVTTL，第2代內存，自動刷新，速度是
10ns(100 MHz)。
三星PC133標准SDRAM內存晶元格式如下：
Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
三星DDR同步DRAM內存晶元編號例如KM416H4030T表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16表示內存晶元組成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表內存電壓（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表內存密度4Mbit（4=4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 =
256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2K
[15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 =128m/16K[7.8μs]）；3表示內存排數（3=4排、4=8排）；0代表介面電壓（0=混合介面LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封裝類型（T=66針
TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代錶速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns,166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns,133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit內存晶元，3.3V DDR SDRAM，刷新時間0 = 64m/4K
(15.6μs)，內存晶元排數為4排（兩面各兩排），介面電壓LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP II，速度133MHZ。
三星RAMBUS DRAM內存晶元編號例如KM418RD8C表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；18代表內存晶元組成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示產品類型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表內存晶元密度8M（4 = 4M、8 =8M、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉CSP]、W = WL-CSP）；80代錶速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封裝，速度800Mbps。

（6）Micron（美光）
Micron公司是世界上知名內存生產商之一（如右圖Micron PC143 SDRAM內存條），其SDRAM晶元編號格式為：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
其中MT代表Micron的產品；48代表產品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef設備號碼（深度*寬度），無字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示數據位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封裝（TG=TSOPII封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型
FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代錶速度，分成以下四類：
（A）、DRAM-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns SDRAM，x32 DDR SDRAM（時鍾率 @ CL3）-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHzDDR SDRAM（x4，x8，x16）時鍾率 @ CL=2.5，-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz

（B）、Rambus（時鍾率）
-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns+的含義-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）、-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）、DDR SDRAM
-8支持PC200（CL2）-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz

（7）其它內存晶元編號
NEC的內存晶元編號例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的產品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數據位寬（4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位，當數據位寬為16位和32位時，使用兩位）；4代表Bank數（3或4代表4個Bank，在16位和32位時代表2個Bank；2代表2個Bank）；1代表LVTTL（如為16
位和32位的晶元，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個Bank和LVTTL，3代表4個Bank和LVTTL）；G5為TSOPII封裝；-A80代錶速度：在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設為2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns〔PC100 CL 3〕，10B=10ns較10慢，Tac為7，不完全符合PC100規范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封裝外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pin TSOPII；JH=86-pin TSOP-II）。
HITACHI的內存晶元編號例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的產品；52是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個版本的內核（現在至少已排到"F"了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT為TSOII封裝；B60代錶速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ時CL是3）。
SIEMENS（西門子）內存晶元編號格式為：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab為容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕，10=100MHz〔PC66規格〕）。
TOSHIBA的內存晶元編號例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產品；59代表SDRAM（其後的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示數據位寬（04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；B表示內核的版本；FT為TSOPII封裝（FT後如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代錶速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。
IBM的內存晶元編號例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內核的版本；10代錶速度（68=6.8ns〔147MHz〕，75A=7.5NS〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的64Mbit晶元中，260和360在CL=3時的標定速度為：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。

㈤ 判斷電力測試儀器儀表故障的方法有哪些

電纜故障的類型及測試方法

電纜發生故障後一般先用1500V以上搖表或高阻計判別故障類型，再用不同儀器和方法初測故障，後用定點法精確確定故障點，故障點的精測方法有感應法和聲測法兩種。

感應法，其原理是當音頻電流經過電纜線芯時，在電纜的周圍有電磁波存在，因些攜帶電磁感應接收器，沿線路行走時，可收聽到電磁波的音響，音頻電流流到故障點時，電流突變，電磁波的音頻發生突變，這種方法對尋找斷線相間低電阻短路故障很方便，但不宜於尋找高電阻短路及單相接地故障。

聲測法，其原理是用高壓脈沖促使故障點放電，產生放電聲，用感測器在地面上接收這種放電聲，以測出故障點的精確位置。

具體故障類型按以下方法進行測試。

一、低電阻接地故障

1.單相低電阻接地故障

(1)故障點的測試。

電纜的單相低電阻接地故障是指電纜的一根芯線對地的絕緣由阻低於100kΩ，而芯線連續性良好。此類故障隱蔽性強，我們可以採用迴路定點法原理進行測試。接線圖如圖1a所示，將故障芯線與另一完好芯線組成測量迴路，用電橋測量，一端用跨接線跨接，另一端接電源、電橋或檢流計，調節電橋電阻使電橋平衡，當電纜芯線材質和截面相同時，可按下列公式計算，若損壞的線芯和良好的芯線在電橋上位置相互調換時，則有式中Z——測量端至故障點的距離m； L——電纜總長度，m； R1、R2——電橋的電阻臂。

在正常情況下，這兩種接線測量結果應相同，誤差一般為0.1％～0.2％，如果超出此范圍或者X>L/2，可將測量儀表移到線路的另一端測量。

另外，我們還可以採用連續掃描脈沖示波器法(MST—1A型或LGS—1型數字式測試儀)進行測試。短路或接地故障點處反射波將為負反射。此時故障點距離可按下列公式計算式中X——反射時間μs； V——波速，m/μs。

(2)測量時注意的事項。

a.跨接線的截面應與電纜芯線截面接近，跨接線應盡量短，並保持良好。

b.測量迴路應盡可能繞開分支箱或變、配電所，越短越好。

c.直流電源電壓應不低於1500V。

d.直流電源負極應經電橋接到電纜導體，正極接電纜內護層並接地。

e.操作人員應站在絕緣墊上，並將橋臂電阻、檢流計、分流器等放在絕緣墊上。

2.兩相短路故障點的測試

當出現兩相短路故障點，測量接線方法如圖2所示。測量時可將任一故障芯線作接地線，另一故障芯線接電橋，計算公式和測量方法與單相低電阻接地故障點相同。

3.三相短路故障點的測試

當發生三相短路故障時，測量時必須借用其他並行的線路或裝設臨時線路作迴路，裝設臨時線路，必須精確測量該線路的電阻。可按下式計算，即式中R為臨時線的單線電阻值，其餘符號的含義與式(2)相同。

二、高電阻接地故障點

電纜的高電阻接地故障是指導體與鋁護層或導體與導體之間的絕緣電阻值遠低於正常值，但大於100kΩ，而芯線連續性良好。

1.用高壓電橋法尋找高阻接地故障

由於故障點電阻大，必需使用高壓直流電源，以保證通過故障點的電流不致太小。橋臂電阻為100等分的3.5Ω左右的滑線電阻，電橋所加電壓10～200kV，微安表指示為100～20μA，故障點至測量端的距離可按下式測算，即當調換故障芯線與完好芯線的位置時則有式中X——故障點至測量的距離，m; L——電纜線路長度，m；C——滑線電橋讀數。

2.一次掃描示波器(711型)法

所謂的一次掃描示波器法是採用高壓一次掃描示波器，記錄故障點放電振盪波形，確定故障點，示波器熒光屏如圖3b所示，故障點的距離可按以下公式計算式中V——波速，m/μs；T——振盪周期，μs。

3.測量時應意事項

(1)由於測量是在高壓下進行，必須與地可*絕緣，操作人員應戴絕緣手套，用絕緣桿操作，並與高壓引線保持一距離。

(2)同一電纜中不測量芯線也必須可*接地，以防感應產生危險高壓。

(3)測量時應逐漸加壓，若發現電流表指針晃動或閃絡性故障，要立即停止測量，以免燒毀儀表。

(4)當用正接法測量完畢而需要更換接線時，必須降低電壓，切斷電源，只有將迴路中殘余電荷放盡，才能調換接線進行反接法測量。

三、完全斷線故障點

所謂完全斷線故障是指各相絕緣良好，一相或者多相導線不連續。此時，同樣可採用二種方法進行測試。

1.電橋法(電容電橋，QF1—A型電橋)

在線路二端測量故障的電容與標准電容器之比，確定故障點的距離，可按下列公式計算式中CE、CF分別為故障相在E、F端時所測的電容。

2.連續掃描示波器法(MST—1A或LGS—1型)

採用示波器法，發射脈沖，在斷線故障點處，反射波為正反射。故障點的距離按下列公式計算式中V——波速，m/μs；T——反射時間，μs。

㈥ 內存編號是什麼意思

內存編號
(ZT)

從PC100標准開始內存條上帶有SPD晶元，SPD晶元是內存條正面右側的一塊8管腳小晶元，裡面保存著內存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。當開機時，支持SPD功能的主板BIOS就會讀取SPD中的信息，按照讀取的值來設置內存的存取時間。我們可以藉助SiSoft Sandra2001這類工具軟體來查看SPD晶元中的信息，例如軟體中顯示的SDRAM PC133U-333-542就表示被測內存的技術規范。
內存技術規范統一的標注格式，一般為PCx-xxx-xxx，但是不同的內存規范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM內存標注格式
（1）1.0---1.2版本
這類版本內存標注格式為：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示，一般為2；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示，一般為2；e表示最大的tAC（相對於時鍾下沿的數據讀取時間），一般為6（ns）或6。5，越短越好；f表示SPD版本號，所有的PC100內存條上都有EEPROM，用來記錄此內存條的相關信息，符合Intel PC100規范的為1。2版本以上；g代表修訂版本；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。

（2）1.2b+版本
其格式為：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示；ee代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本為1.2；g代表修訂版本，如2代表修訂版本為1.2；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。

2、PC133 SDRAM（版本為2.0）內存標注格式
威盛和英特爾都提出了PC133 SDRAM標准，威盛力推的PC133規范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分規范，例如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD；英特爾的PC133規范要嚴格一些，是PC133 CAS=2，要求內存晶元至少7.5ns，在133MHz時最好能達到CAS=2。
PC133 SDRAM標注格式為：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示標准工作頻率，單位MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；c表示最小的CL（即CAS的延遲時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本為2.0。

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本為1.0）內存標注格式
其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內存帶寬，單位為MB/s；a*1/16=內存的標准工作頻率，例如2100代表內存帶寬為2100MB/s，對應的標准工作頻率為2100*1/16=133MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；cc表示CAS延遲時間，用時鍾周期數表示，表達時不帶小數點，如25代表CL=2.5；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本為1.0。

4、RDRAM 內存標注格式
其格式為：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示內存容量；b代表內存條上的內存顆粒數量；c代表內存支持ECC；d保留；e代表內存的數據傳輸率，e*1/2=內存的標准工作頻率，例如800代表內存的數據傳輸率為800Mt/s，對應的標准工作頻率為800*1/2=400MHZ。

5、各廠商內存晶元編號
內存打假的方法除了識別內存標注格式外，還可以利用刻在內存晶元上的編號。內存條上一般有多顆內存晶元，內存晶元因為生產廠家的不同，其上的編號也有所不同。
由於韓國HY和SEC占據了世界內存產量的多半份額，它們產的內存晶元質量穩定，價格不高，另外市面上還流行LGS、Kingmax、金邦金條等內存，先來看看它們的內存晶元編號。

（1）HYUNDAI（現代）
現代的SDRAM內存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM晶元編號格式為：HY 5a b cde fg h i j k lm-no
其中HY代表現代的產品；5a表示晶元類型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代
表晶元輸出的數據位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；h代表內存晶元內部由幾個Bank組成（1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系）；I代表介面（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕介面）；j代表內核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新）；k代表功耗（L=低功耗晶元，空白=普通晶元）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm
TSOP-II）；no代錶速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現代的晶元，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常見的編號還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10編號的SDRAM上133MHz相當困難；編號ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；編號BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很穩定。一般來講，編號最後兩位是7K的代表該內存外頻是PC100，75的是PC133的，但現代內存目前尾號為75的早已停產，改
換為T-H這樣的尾號，可市場上PC133的現代內存尾號為75的還有很多，這可能是以前的屯貨，但可能性很小，假貨的可能性較大，所以最好購買T-H尾號的PC133現代內存。

（2）LGS〔LG Semicon〕
LGs如今已被HY兼並，市面上LGs的內存晶元也很常見。
LGS SDRAM內存晶元編號格式為：GM72V ab cd e 1 f g T hi
其中GM代表LGS的產品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示數據位寬(一般為4、8、16等)；e代表Bank（2=2個Bank，4=4個Bank）；f表示內核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封裝（T=常見的TSOPⅡ封裝，I=BLP封裝）；hi代錶速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕 ，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。
例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位輸出，4個Bank，7K速度即PC-100、CL=3。
LGS編號後綴中，7.5是PC133內存；8是真正的8ns PC 100內存，速度快於7K/7J；7K和7J屬於PC 100的SDRAM，兩者主要區別是第三個反應速度的參數上，7K比7J的要快，上133MHz時7K比7J更穩定；10K屬於非PC100規格的，速度極慢，由於與7J/7K外型相似，不少奸商把它們冒充7J/7K的來賣。

（3）Kingmax(勝創)
Kingmax的內存採用先進的TinyBGA封裝方式，而一般SDRAM內存都採用TSOP封裝。採用TinyBGA封裝的內存，其大小是TSOP封裝內存的三分之一，在同等空間下TinyBGA封裝可以將存儲容量提高三倍，而且體積要小、更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.36mm，線路阻抗也小，因此具有良好的超頻性能和穩定性，不過Kingmax內存與主板晶元組的兼容性不太好，例如Kingmax PC150內存在某些KT133主板上竟然無法開機。

Kingmax SDRAM內存目前有PC150、PC133、PC100三種。其中PC150內存(下圖)實際上是能上150外頻且能穩定在CL=3（有些能上CL=2）的極品PC133內存條，該類型內存的REV1.2版本主要解決了與VIA 694X晶元組主板兼容問題，因此要好於REV1.1版本。購買Kingmax內存時，你要注意別買了打磨條，市面上JS常把原本是8ns的
Kingmax PC100內存打磨成7ns的PC133或PC150內存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等軟體測試一下內存的速度，注意觀察內存上字跡是否清晰，是否有規則的刮痕，晶元表面是否發白等，看看晶元上的編號。

KINGMAX PC150內存採用了6納秒的顆粒，這使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也會比一般的PC133內存來的快；Kingmax的PC133內存晶元是-7的，例如編號KSV884T4A1A-07；而PC100內存晶元有兩種情況：部分是-8的（例如編號KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如編號KSV884T4A0-07）。其中KINGMAXPC133與PC100的區別在於：PC100的內存有相當一部分可以超頻到133，但不是全部；而PC133的內存卻可以保證100%穩定工作在PC133外頻下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵風金條)
金邦金條分為"金、紅、綠、銀、藍"五種內存條，各種金邦金
條的SPD均是確定的，對應不同的主板。其中紅色金條是PC133內存；金色金條P針對PC133伺服器系統，適合雙處理器主板；綠色金條是PC100內存；藍A色金條針對AMD750/760 K7系主板，面向超頻玩家；藍V色金條針對KX133主板；藍T色金條針對KT-133主板；銀色金條是面向筆記本電腦的PC133內存。
金邦內存晶元編號例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
其中GL2000代表晶元類型（GL2000=千禧條TSOPs即小型薄型封裝，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的產品；6代表產品家族（6=SDRAM）；LC代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是設備號碼（深度*寬度，內存晶元容量 = 內存基粒容量 * 基粒數目 = 16 * 8 =128Mbit，其中16 = 內存基粒容量；8 = 基粒數目；M = 容量單位，無字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針，2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取時間（7=7ns（143MHz））；AMIR是內部標
識號。以上編號表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3V Vdd CMOS製造工藝，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）
三星EDO DRAM內存晶元編號例如KM416C254D表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（1=x1[以1的倍數為單位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表電壓（C=5V、V=3.3V）；254代表內存密度256Kbit（256[254] =256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 =16Mx）；D代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb內存。
三星SDRAM內存晶元編號例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三
星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（4 = x4、8 = x8、16 =x16）；S代表SDRAM；16代表內存晶元密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 =8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示內存排數（2=2排、3=4排）；0代表內存介面（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表電源供應（G=自動刷新、F=低電壓自動刷新）；10代表最高頻率（7 =7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100MHz @ CAS值為2、L=100 MHz @ CAS值為3 ）。三星的容量需要自己計算一下，方法是用"S"後的數字乘S前的數字，得到的結果即為容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM內存晶元，刷新為8K，內存Banks為3，內存介面LVTTL，第2代內存，自動刷新，速度是
10ns(100 MHz)。
三星PC133標准SDRAM內存晶元格式如下：
Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
三星DDR同步DRAM內存晶元編號例如KM416H4030T表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16表示內存晶元組成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表內存電壓（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表內存密度4Mbit（4=4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 =
256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2K
[15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 =128m/16K[7.8μs]）；3表示內存排數（3=4排、4=8排）；0代表介面電壓（0=混合介面LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封裝類型（T=66針
TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代錶速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns,166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns,133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit內存晶元，3.3V DDR SDRAM，刷新時間0 = 64m/4K
(15.6μs)，內存晶元排數為4排（兩面各兩排），介面電壓LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP II，速度133MHZ。
三星RAMBUS DRAM內存晶元編號例如KM418RD8C表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；18代表內存晶元組成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示產品類型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表內存晶元密度8M（4 = 4M、8 =8M、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉CSP]、W = WL-CSP）；80代錶速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封裝，速度800Mbps。

（6）Micron（美光）
Micron公司是世界上知名內存生產商之一（如右圖Micron PC143 SDRAM內存條），其SDRAM晶元編號格式為：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
其中MT代表Micron的產品；48代表產品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef設備號碼（深度*寬度），無字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示數據位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封裝（TG=TSOPII封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型
FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代錶速度，分成以下四類：
（A）、DRAM-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns SDRAM，x32 DDR SDRAM（時鍾率 @ CL3）-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHzDDR SDRAM（x4，x8，x16）時鍾率 @ CL=2.5，-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz

（B）、Rambus（時鍾率）
-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns+的含義-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）、-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）、DDR SDRAM
-8支持PC200（CL2）-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz

（7）其它內存晶元編號
NEC的內存晶元編號例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的產品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數據位寬（4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位，當數據位寬為16位和32位時，使用兩位）；4代表Bank數（3或4代表4個Bank，在16位和32位時代表2個Bank；2代表2個Bank）；1代表LVTTL（如為16
位和32位的晶元，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個Bank和LVTTL，3代表4個Bank和LVTTL）；G5為TSOPII封裝；-A80代錶速度：在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設為2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns〔PC100 CL 3〕，10B=10ns較10慢，Tac為7，不完全符合PC100規范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封裝外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pin TSOPII；JH=86-pin TSOP-II）。
HITACHI的內存晶元編號例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的產品；52是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個版本的內核（現在至少已排到"F"了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT為TSOII封裝；B60代錶速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ時CL是3）。
SIEMENS（西門子）內存晶元編號格式為：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab為容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕，10=100MHz〔PC66規格〕）。
TOSHIBA的內存晶元編號例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產品；59代表SDRAM（其後的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示數據位寬（04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；B表示內核的版本；FT為TSOPII封裝（FT後如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代錶速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。
IBM的內存晶元編號例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內核的版本；10代錶速度（68=6.8ns〔147MHz〕，75A=7.5NS〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的64Mbit晶元中，260和360在CL=3時的標定速度為：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。

㈦ 內存條上的數字都代表什麼意思

內存條上的數字都代表以下意思：

1.這是一條海力士DDR2 667內存2RX16表示 雙面內存有16個內存顆粒，5300S表示內存帶寬5.3G5 5 5-12表示內存的延遲。

2.第二排是序列號之類的，意義不詳。

㈧ 什麼是質量流量計

質量流量計可在測量過程中同時完成多變數（質量流量、體積流量、溫度、密度）的測量。有一體式和分離型的結構設計，滿足不同的現場安裝需要。自祐儀表系列質量流量計採用平衡式雙測量管測量系統，有效的減少了外部安裝應力和振動的干擾。基於微處理器的高性能信號處理電路，具有更高的測量效率。感測器的無可動部件、無阻流檢測設計，保證了流量計的長期使用壽命。
二、工作原理：
質量流量計的結構是雙彎管結構，其測量原理是通過測量作用於雙彎管上來檢測管道中的質量流量。在工業生產過程中，有時需要測量流體的質量流量，如化學反應的物料平衡、熱量平衡、配料等，都需要測量流體的質量流量。質量流量是指在單位時間內，流經封閉管道截面處流體的質量。
三、結構組成：
流量計由感測器，變送器及數字指示累積器等三部分組成。感測器由感測管、電磁驅動器、和電磁檢測器三部分組成。電磁驅動器使感測器以其固有頻率振動，而流量的導入使u形感測器的作用下產生一種扭曲，在它的左右兩側產生一個相位差，該相位差與質量流量成正比。電磁監測器把該相位差轉變為相應的電平信號送入變送器，經濾波、積分、放大等電量處理後。轉變成與質量成正比的4－20mA模擬信號和一定范圍的頻率信號兩種形式輸出。
四、應用范圍：
質量流量計主要是用來測量介質的質量流量及總量、密度，同時，它還可以測量體積流量及總量、介質溫度、含水率、酒精的酒精度、混合較均勻的兩種液體的濃度、工藝流程中的原料配比等。它主要適用於以下幾個行業：
1、石油行業，如原油產量計量、含水率、單井產量計量、原油運輸計量；
2、化工行業；
3、食品行業；
4、造紙行業，如紙漿的計量；
5、紡織印染行業；
6、能源輸送計量，如液化氣計量；
7、環保行業，如污水處理；脫硫過程測漿液密度。