cvd是什麼儀器

A. CVD是什麼

Chemical Vapor Deposition 化學氣相沉積，眾多薄膜沉積技術中的一種。有許多化合物在半導體運用上比銅或者鋁的性能更好，因而開發出來的一種薄膜沉積方式。

B. 克拉特的培育鑽石cvd是什麼

克拉特有CVD培育鑽石，也有HPHT培育鑽石。CVD是氣相沉澱法培育的鑽石，一種技術名字。克拉特的這兩種價格應該沒差別，你要CVD可以說明一下給你這種，克拉特價格不貴

C. PVD和CVD分別是什麼

PVD(Physical Vapor Deposition)---物理氣相沉積：指利用物理過程實現物質轉移，將原子或分子由源轉移到基材表面上的過程。

CVD是Chemical Vapor Deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。

PVD技術出現於，制備的薄膜具有高硬度、低摩擦系數、很好的耐磨性和化學穩定性等優點。最初在高速鋼刀具領域的成功應用引起了世界各國製造業的高度重視，人們在開發高性能、高可靠性塗層設備的同時，也在硬質合金、陶瓷類刀具中進行了更加深入的塗層應用研究。

與CVD工藝相比，PVD工藝處理溫度低，在600℃以下時對刀具材料的抗彎強度無影響；薄膜內部應力狀態為壓應力，更適於對硬質合金精密復雜刀具的塗層；PVD工藝對環境無不利影響，符合現代綠色製造的發展方向。

當前PVD塗層技術已普遍應用於硬質合金立銑刀、鑽頭、階梯鑽、油孔鑽、鉸刀、絲錐、可轉位銑刀片、車刀片、異形刀具、焊接刀具等的塗層處理。

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CVD例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。

這種技術最初是作為塗層的手段而開發的，但不只應用於耐熱物質的塗層，而且應用於高純度金屬的精製、粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特徵的技術領域。

其技術特徵在於：

⑴高熔點物質能夠在低溫下合成；

⑵析出物質的形態在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種；

⑶不僅可以在基片上進行塗層，而且可以在粉體表面塗層，等。特別是在低溫下可以合成高熔點物質，在節能方面做出了貢獻，作為一種新技術是大有前途的。

D. pvd和cvd各是什麼意思

PVD(Physical Vapor Deposition)，指利用物理過程實現物質轉移，將原子或分子由源轉移到基材表面上的過程。它的作用是可以是某些有特殊性能（強度高、耐磨性、散熱性、耐腐性等）的微粒噴塗在性能較低的母體上，使得母體具有更好的性能！ PVD基本方法：真空蒸發、濺射 、離子鍍（空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍）
PVD是英文Physical Vapor Deposition（物理氣相沉積）的縮寫，是指在真空條件下，採用低電壓、大電流的電弧放電技術，利用氣體放電使靶材蒸發並使被蒸發物質與氣體都發生電離，利用電場的加速作用，使被蒸發物質及其反應產物沉積在工件上。
CVD(Chemical Vapor Deposition, 化學氣相沉積)，指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。在超大規模集成電路中很多薄膜都是採用CVD方法制備。經過CVD處理後，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強力鋼的彎曲，拉伸等成形時產生的刮痕。
CVD是Chemical Vapor Deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。這種技術最初是作為塗層的手段而開發的，但目前，不只應用於耐熱物質的塗層，而且應用於高純度金屬的精製、粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特徵的技術領域。

E. 什麼是CVD

CVD(Chemical Vapor Deposition, 化學氣相沉積)，指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。在超大規模集成電路中很多薄膜都是採用CVD方法制備。經過CVD處理後，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強力鋼的彎曲，拉伸等成形時產生的刮痕。

F. cvd和pvd分別代表什麼

CVD技術是化學氣相沉積Chemical Vapor Deposition的縮寫。
化學氣相沉積乃是通過化學反應的方式，利用加熱、等離子激勵或光輻射等各種能源，在反應器內使氣態或蒸汽狀態的化學物質在氣相或氣固界面上經化學反應形成固態沉積物的技術。?簡單來說就是：兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個反應室內,然後他們相互之間發生化學反應，形成一種新的材料，沉積到基片表面上。?從氣相中析出的固體的形態主要有下列幾種：在固體表面上生成薄膜、晶須和晶粒，在氣體中生成粒子。
PVD(Physical Vapor Deposition)---物理氣相沉積：指利用物理過程實現物質轉移，將原子或分子由源轉移到基材表面上的過程。它的作用是可以使某些有特殊性能（強度高、耐磨性、散熱性、耐腐性等）的微粒噴塗在性能較低的母體上，使得母體具有更好的性能。 PVD基本方法：真空蒸發、濺射 、離子鍍（空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍）。
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G. CVD技術是什麼

• CVD技術是原料氣或蒸汽通過氣相反應沉積出固態物質，因此把CVD技術用於無機合成和材料制備時具有以下特點：

• •（1）沉積反應如在氣固界面上發生則沉積物將按照原有固態基底（又稱襯底）的形狀包覆一層薄膜。

• •（2）塗層的化學成分可以隨氣相組成的改變而改變從而獲得梯度沉積物或得到混合鍍層。

• •（3）採用某種基底材料，沉積物達到一定厚度以後又容易與基底分離，這樣就可以得到各種特定形狀的游離沉積物器具。

• •（4）在CVD技術中也可以沉積生成晶體或細粉狀物質，或者使沉積反應發生在氣相中而不是在基底表面上，這樣得到的無機合成物質可以是很細的粉末，甚至是納米尺度的微粒稱為納米超細粉末。

• •（5）CVD工藝是在較低壓力和溫度下進行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震性能是在較低壓力和溫度下進行的。



• •CVD技術根據反應類型或者壓力可分為低壓CVD(LPCVD)、常壓CVD(APCVD)、亞常壓CVD(SACVD)、超高真空CVD(UHCVD)、等離子體增強CVD(PECVD)、高密度等離子體CVD(HDPCVD)、快熱CVD(RTCVD)、金屬有機物CVD(MOCVD)