多晶硅產品質量檢測需要哪些儀器

⑴ 誰有多晶硅的檢測方法

可以國家有色金屬及電子材料分析測試中心。
一般太陽能級多晶硅的成分分析，用輝光放電質譜儀來檢測，其中硼和磷的含量，用二次離子質譜來檢測。

⑵ 如何鑒定多晶硅品質

1.可以使用專門的探針儀器來測試電阻率，一般純度高的多晶硅電阻率都在1歐姆以上。
2.可以從色澤上來看。純度在99.999%左右的，行業稱5N多晶硅，色澤發量，有些雪花狀的紋路。
純度在99.9999%以上，即6N-9N的多晶硅，色澤柔和，呈淺灰色。如果是類似MEMC之類的大廠出來的正品多晶，那麼是5kg或者10kg真空獨立包裝的。非常漂亮。
希望能幫到你。
我做太陽能硅料這個行業也有個4年了。

⑶ 冶金法多晶硅需要哪些儀器設備

電子束爐、定向凝固爐、等離子束爐，檢測儀器可以是GDMS、ICIMS、少子壽命檢測儀

⑷ 多晶硅的生產工藝流程及有關設備有哪些

多晶硅的生產工藝流程及有關設備有：

1、多晶硅生產主要關鍵設備（在改良西門子法中）：氯化氫合成爐，三氯氫硅沸騰床加壓合成爐，三氯氫硅水解凝膠處理系統，三氯氫硅粗餾、精餾塔提純系統，硅芯爐，節電還原爐，磷檢爐，硅棒切斷機，腐蝕、清洗、乾燥、包裝系統裝置，還原尾氣干法回收裝置；其他包括分析、檢測儀器，控制儀表，熱能轉換站，壓縮空氣站，循環水站，變配電站，凈化廠房等。

2、西門子改良法生產多晶硅工藝如下：

（1）石英砂在電弧爐中冶煉提純到98%並生成工業硅， 其化學反應SiO2+C→Si+CO2↑

（2）為了滿足高純度的需要，必須進一步提純。把工業硅粉碎並用無水氯化氫(HCl)與之反應在一個流化床反應器中，生成擬溶解的三氯氫硅(SiHCl3)。

其化學反應Si+HCl→SiHCl3+H2↑

反應溫度為300度，該反應是放熱的。同時形成氣態混合物(Н2,НС1,SiНС13,SiC14,Si)。

（3）第二步驟中產生的氣態混合物還需要進一步提純，需要分解:過濾硅粉，冷凝SiНС13,SiC14，而氣態Н2,НС1返回到反應中或排放到大氣中。然後分解冷凝物SiНС13,SiC14，凈化三氯氫硅（多級精餾）。

（4）凈化後的三氯氫硅採用高溫還原工藝，以高純的SiHCl3在H2氣氛中還原沉積而生成多晶硅。 其化學反應SiHCl3+H2→Si+HCl。

多晶硅的反應容器為密封的，用電加熱硅池硅棒（直徑5-10毫米，長度1.5-2米，數量80根），在1050-1100度在棒上生長多晶硅，直徑可達到150-200毫米。

這樣大約三分之一的三氯氫硅發生反應，並生成多晶硅。剩餘部分同Н2,НС1,SiНС13,SiC14從反應容器中分離。這些混合物進行低溫分離，或再利用，或返回到整個反應中。

⑸ 多晶硅錠檢測時使用的檢測儀器一般有那些

查不到，就提問了，協鑫的？

⑹ 北京海瑞克科技發展有限公司的矽片及硅料測試設備

設備名稱： 傅立葉變換紅外
光譜儀 設備編號： HIK-SCT-1 （1）系統簡介
Ø 全新擺式干涉儀，易於實現快速掃描。干涉儀穩定性高、體積小，結構緊湊、便於維護。
Ø 干涉儀採用密封防潮防塵型結構，有效降低了對使用環境的要求。
Ø 高強度紅外光源採用球形反射裝置，可獲得均勻、穩定的紅外輻射。
Ø 程式控制增益放大電路、高精度A/D轉換電路的設計及嵌入式微機的應用，提高了儀器的精度及可靠性。
Ø 光譜儀與計算機之間通過USB方式進行控制和數據通訊，完全實現即插即用。
Ø 通用微機系統，全中文應用軟體，內容豐富。具備完整的譜圖採集、光譜轉換、光譜處理、光譜分析及譜圖輸出功能，使操作更簡單、方便、靈活。
（2）技術參數
Ø 波數范圍: 4400cm-1～600cm-1
Ø 解析度: 2cm-1，4cm-1可選
Ø 波數准確度：優於所設解析度的1/2
Ø 透過率重復性:：0.5%T
Ø 100%T線信噪比:2100 cm-1附近，S/N優於10000:1(RMS值)
Ø 分束器：ZnSe
Ø 探測器: DTGS，MCT可選
Ø 光源：高性能的空冷高效球反射紅外光源 設備名稱： 四探針測試儀 設備編號： HIK-SCT-3 （1）系統簡介
四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標准並參考美國 A.S.T.M 標准而設計的，專用於測試半導體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的專用儀器。
儀器由主機、測試台、四探針探頭、計算機等部分組成，測量數據既可由主機直接顯示，亦可由計算機控制測試採集測試數據到計算機中加以分析，然後以表格，圖形方式統計分析顯示測試結果。
儀器採用了最新電子技術進行設計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數快、精度高、測量范圍寬、穩定性好、結構緊湊、易操作等特點。
（2）應用范圍
本儀器適用於半導體材料廠、半導體器件廠、科研單位、高等院校對半導體材料的電阻性能測試。105
（3）技術參數 測量范圍 電阻率：10-4～105Ω.cm； 方塊電阻：10-3～106Ω/□（可擴展）； 電導率：10-5～104s/cm； 電阻：10-4～105Ω； 可測晶片直徑 140mmX150mm（配 S-2A型測試台）； 200mmX200mm（配 S-2B型測試台）； 400mmX500mm（配 S-2C型測試台）； 恆流源 電流量程分為 1uA、10uA、100uA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續可調 數字電壓表 量程及表示形式 000.00～199.99 mV； 分辨力：10uV； 輸入阻抗>1000MΩ； 精度：±0.1% ； 顯示：四位半紅色發光管數字顯示；極性、超量程自動顯示； 四探針探頭基本指標 間距：1±0.01mm； 針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 機械游移率：≤0.3%； 探針：碳化鎢或高速鋼 Ф0.5mm； 探針壓力：5～16 牛頓（總力）； 模擬電阻測量相對誤差 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字 整機測量最大相對誤差 （用硅標樣片：0.01-180Ω.cm 測試） ≤±5% 整機測量標准不確定度 ≤5% 計算機通訊介面 並口 標准使用環境 溫度：23±2℃； 相對濕度：≤65%； 無高頻干擾； 無強光直射； 設備名稱： 少子壽命測試儀 設備編號： HIK-SCT-5 （1）系統簡介
少子測試量程從1μs到6000μs，硅料電阻率下限達0.1Ω.cm(可擴展至0.01Ω.cm)。測試過程全程動態曲線監控，少子壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應表面復合效應等缺陷情況，是原生多晶硅料及半導體及太陽能拉晶企業不可多得少子壽命測量儀器。
（2）應用范圍
少子壽命測試儀，是一款功能強大的少子壽命測試儀，不僅適用於矽片少子壽命的測量，更適用於硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規則形狀硅少子壽命的測量。
（3）產品特點
Ø 測試范圍廣：包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、矽片等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測量。
Ø 主要應用於硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、矽片的進廠、出廠檢查，生產工藝過程中重金屬沾污和缺陷的監控等。
Ø 適用於低阻硅料少子壽命的測量，電阻率測量范圍可達ρ>0.1Ω?cm（可擴展至0.01Ω?cm），完全解決了微波光電導無法檢測低阻單晶硅的問題。
Ø 全程監控動態測試過程，避免了微波光電導（u-PCD）無法觀測晶體硅陷阱效應，表面復合效應缺陷的問題。
Ø 貫穿深度大，達500微米，相比微波光電導的30微米的貫穿深度，真正體現了少子的體壽命的測量，避免了表面復合效應的干擾。
Ø 專業定製樣品架最大程度地滿足了原生多晶硅料生產企業測試多種形狀的硅材料少子壽命的要求，包括硅芯、檢磷棒、檢硼棒等。
Ø 性價比高，價格遠低於國外國外少子壽命測試儀產品，極大程度地降低了企業的測試成本。
（4）技術參數
Ø 測試材料：硅半導體材料 - 硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、矽片等，鍺半導體材料。
Ø 少子壽命測試范圍 :1μs-6000μs
Ø 可測低阻硅料下限： 0.1Ω.cm, 可擴展到 0.01Ω.cm
Ø 激光波長： 1.07μm
Ø 激光在單晶硅中的貫穿深度： 500μm
Ø 工作頻率： 30MHz
Ø 低輸出阻抗，輸出功率> 1W
&Oslash; 電源：～220V 50Hz 功耗<50W 設備名稱： 探針輪廓儀 設備編號： HIK-SCT-6
（1）系統簡介
Dektak 150集四十餘年的技術積累和創新於一身，為滿足用戶不同應用方向的需要提供了多種可選配置。堅固的鋁質材料鑄成的機身框架以及支撐部件顯著提高了儀器的重復精度，並降低了地板噪音對測量的干擾。基於Windows XP的Dektak隨機配備軟體系統界面友好，為用戶提供了完善的分析功能。「一鍵式」操作方式使得測量工作簡單易行。通過選配三維成像附件套裝還可以極大地擴充儀器的功能。
（2）應用范圍
探針式表面輪廓儀(台階儀)，主要應用於薄膜厚度測量、樣品表面形貌測量、薄膜應力測量、樣品表面粗糙度/波紋度測量、以及樣品表面三維形貌測量等眾多領域。
（3）主要特點
&Oslash; 台階高度測量的高重復性
&Oslash; 基於精密加工光學參考平面的樣品台，確保在長距離掃描中基線的穩定性
&Oslash; 出色的易用性、易維護性
&Oslash; 最好的樣品適用性
&Oslash; 高解析度的粗糙度測量
&Oslash; 功能強大的軟體分析系統
&Oslash; 三維表面形貌測量的功能可升級性
&Oslash; 廣泛的應用領域
（4）技術參數
&Oslash; 測量重復性 6
&Oslash; 掃描長度 50μm-55mm
&Oslash; 單次掃描最大數據點 60,000個
&Oslash; 允許樣品最大高度 100mm (根據配置不同會有所變化)
&Oslash; 垂直范圍量程 524μm (1mm選配)
&Oslash; 最高垂直解析度 1 ? (6.55μm量程范圍下)
&Oslash; 樣品台 150mm，X-Y-θ手動調節
&Oslash; 探針壓力范圍 1-15mg (0.03mg選配)
&Oslash; 攝像頭顯微鏡視野范圍2.6mm (0.67-4.29mm選配) 設備名稱： 原生多晶電阻率測試儀 設備編號： HIK-SCT-10 （1）系統簡介
原生多晶電阻率測試儀，是一款高端電阻率測試儀器，具有電阻率大量程及超大量程測量的特點，實現了電阻率從0.0001歐姆.厘米到幾萬歐姆.厘米（可擴展）的測試范圍，具有測量精度高、穩定性好、測量范圍廣、結構緊湊、使用方便等特點。是西門子法、硅烷法等工藝生產原生多晶硅料的企業、物理提純生產多晶硅料生產企業、半導體材料廠、器件廠、科研部門、高等院校以及需要超大量程測試電阻率測試的企業的最佳幫手。
（2）產品特點
&Oslash; 適用於西門子法、硅烷法等工藝生產原生多晶硅料的企業
&Oslash; 適用於物理提純生產多晶硅料生產企業
&Oslash; 適用於光伏拉晶鑄錠及 IC 半導體器件企業
&Oslash; 適用於科研部門、高等院校及需要超大量程測量電阻率的企業
&Oslash; 測量精度高，除了具有厚度修正功能外、還有溫度修正、圓片直徑修正等功能
&Oslash; 獨特的設計能有效消除測量引線和接觸電阻產生的誤差，實現了測量的高精度和極寬的量程范圍
&Oslash; 雙數字表結構使測量更精確，操作更簡便
&Oslash; 具有強大的測試數據查詢及列印功能
&Oslash; 測量系統可實現自動換向測量、求平均值、最大值、最小值、平均百分變化率等
&Oslash; 四探針頭採用進口紅寶石軸套導向結構，使探針的游移率減小，測量重復性大大提高
&Oslash; 採用進口元器件，留有更大的安全系數，大大提高了測試儀的可靠性和使用壽命
&Oslash; 測量電流採用高度穩定的特製恆流源（萬分之五精度），不受氣候條件的影響
&Oslash; 具有正測反測的功能，保證測試結果的准確性
&Oslash; 具有抗強磁場和抗高頻設備的性能
（3）技術參數
&Oslash; 可測電阻率范圍： 10-5 — 1.9 × 1 05 Ω· cm （可擴展）
&Oslash; 測量精度<3%
&Oslash; AC 220V ± 10% 50/60 Hz 功率： 12W 設備名稱： 無接觸電阻率型號測試儀 設備編號： HIK-SCT-15 （1）系統簡介
無接觸式電阻率型號測試儀是基於渦流（Eddy Current）測試技術，能夠對硅料、硅棒、硅錠及矽片進行無接觸、無損傷的體電阻率測試。
（2）產品特點
&Oslash; 測試范圍廣&Oslash; 產品體積小，便於移動和攜帶
&Oslash; 採用渦流法測試硅錠、棒、回爐料體電阻率
&Oslash; 無接觸、無損傷快速測試
&Oslash; 測試前無需表面處理
&Oslash; 特別對於多晶，能夠有效避免晶界對測試的影響
&Oslash; 可選加無接觸PN型號測試功能
&Oslash; 可進行溫度和厚度的修正
（3）技術參數
&Oslash; 最小測試厚度：200μm
&Oslash; 測量時間：2秒/次
&Oslash; 最小測試面積：30x30 mm2
&Oslash; 推薦使用溫度：20℃
&Oslash; 濕度：≤80%
&Oslash; 氣壓：86-106kPa
&Oslash; 使用電壓：230±10V
&Oslash; 頻率，50±3Hz
&Oslash; 功率消耗：≤5W
&Oslash; 尺寸（LxWxH）：280x200x60mm 設備名稱： 矽片缺陷測試儀 設備編號： HIK-SCT-18 （1）系統簡介
矽片缺陷觀測儀，於對矽片的缺陷進行觀察，效果非常明顯，包括肉眼無法觀測的位錯、層錯、劃痕、崩邊等。實時對圖像進行分析、測量和統計，提高傳統光學儀器的使用內涵。配合投影儀和計算機等顯示、存儲設備，能更好的觀測和保存研究結果。
（2）產品特點
&Oslash; 適用於對矽片的缺陷觀察效果，非常明顯，包括肉眼無法觀測的位錯、層錯、劃痕、崩邊等；
&Oslash; 使矽片缺陷觀察工作簡單化，准確化，同時極大程度降低此項工作強度；
&Oslash; 實時對圖像進行分析、測量和統計，提高傳統光學儀器的使用內涵。配合投影儀和計算機等顯示、存儲設備，能更好的觀測和保存研究結果；
&Oslash; 使用 1/2CMOS 感光晶元，具有體積小，技術先進，像素較高， 成像清晰 、線條細膩、色彩豐富；
&Oslash; 傳輸介面為 USB2.0 高速介面， 軟體模塊化設計 ；
&Oslash; 有效解析度為 200 萬像素；
&Oslash; 所配軟體能兼容 windows 2000 和 windows XP 操作系統。 設備名稱： 多晶硅紅外探傷測試儀 設備編號： HIK-SCT-19 （1）系統簡介
紅外探傷測試儀-是專門用於多晶矽片生產中的硅塊硅棒矽片的裂縫、雜質、黑點、陰影、微晶等缺陷探傷的儀器。
（3）產品特點
&Oslash; 為太陽能多晶矽片過程中的質量控制提供了強大的監測工具
&Oslash; 檢測速度快，平均每個硅塊檢測時間為不超過1分鍾
&Oslash; NIRVision軟體能夠分析4面探傷結果，並且直接將結果轉換成三維模型圖像
&Oslash; 成像過程將自動標出夾雜的位置所在
&Oslash; 獨特的加強型內插法為高解析度的雜質探傷功能提供了強大的技術保障
&Oslash; 採用歐洲數控工程鋁合金材料
&Oslash; 表面都採用了高強度漆面和電氧化工藝保護
&Oslash; 系統外框採用高質量工業設計
&Oslash; 所有的部件的設計都達到了長期高強度使用及最小維護量的要求
&Oslash; 能夠通過自動或手動旋轉對硅塊的前後左右四面和上下兩面進行全面探傷。
&Oslash; 紅外光源通過交直流光源進行控制，光強可以通過軟體直接控制，同時它具有過熱保護功能
&Oslash; 同時軟體包含了雜質圖像的管理分析功能
&Oslash; 穩定性和耐用性俱佳。
&Oslash; 探傷測試面最好進行拋光處理，因此我們推薦在線切割之前進行紅外探傷
&Oslash; 紅外成像光源受電阻率影響，硅塊電阻率越低，則對紅外光的吸收越多
&Oslash; 一般電阻率不能低於0.5Ohm*Cm,我們推薦的電阻率在0.8Ohm*Cm以上
（4）技術參數
■ 主要探測指標：夾雜（通常為SiC），隱裂，微粒等
■ 硅塊電阻率：≥0.8Ohm*Cm（推薦）
■ 檢測時間：平均每個硅塊1分鍾
■ 最大探測深度：200mm
■ 外框和箱體
> 尺寸：143x53x55
> 外框採用數控工程鋁合金
> 外框是覆蓋靜電強力漆鋁面板
> 主機重量：98 kg
> 附件重量：25 kg
■ 旋轉台
> 採用單軸伺服電機
> 最大承載量:40kg
> 具有過流保護以防止損傷和電機燒毀
> 無步進損失，高解析度解碼機器
■ 紅外光源
> 高強度NIR鹵燈，273mm加熱波長
> 功率：230V, 1000W
> 溫度：25-60攝氏度
> 光強可通過軟體控制
> 軟體具有過熱保護
■ 觀測儀
> 採用紅外CCD控溫
> 12位ADC
> 頻率：60Hz和100Hz兩個選擇
> 像素間距: 30μm
> 解析度：: 320x256 像素
> 可手動調節紅外鏡頭

⑺ 測量三氯氫硅純度及雜質用什麼儀器

為了滿足高純度的需要，必須進一步提純。把工業硅粉碎並用無水氯化氫(HCl)與之反應在一個流化床反應器中，生成擬溶解的三氯氫硅(SiHCl3)。
其化學反應Si+HCl→SiHCl3+H2↑
反應溫度為300度，該反應是放熱的。同時形成氣態混合物(Н2, НС1, SiНС13, SiC14, Si)。
（3）第二步驟中產生的氣態混合物還需要進一步提純，需要分解: 過濾硅粉，冷凝SiНС13,SiC14，而氣態Н2,НС1返回到反應中或排放到大氣中。然後分解冷凝物SiНС13, SiC14，凈化三氯氫硅（多級精餾）。
（4）凈化後的三氯氫硅採用高溫還原工藝，以高純的SiHCl3在H2氣氛中還原沉積而生成多晶硅。
其化學反應SiHCl3+H2→Si+HCl。
多晶硅的反應容器為密封的，用電加熱硅池硅棒（直徑5-10毫米，長度1.5-2米，數量80根），在1050-1100度在棒上生長多晶硅，直徑可達到150-200毫米。這樣大約三分之一的三氯氫硅發生反應，並生成多晶硅。剩餘部分同Н2,НС1,SiНС13,SiC14從反應容器中分離。這些混合物進行低溫分離，或再利用，或返回到整個反應中。氣態混合物的分離是復雜的、耗能量大的，從某種程度上決定了多晶硅的成本和該 3工藝的競爭力。
在西門子改良法生產工藝中，一些關鍵技術我國還沒有掌握，在提煉過程中70%以上的多晶硅都通過氯氣排放了，不僅提煉成本高，而且環境污染非常嚴重。
在「十一五」期間，為實現採用改良西門子工藝的多晶硅的產業化，建議開展下述課題研究：基於SiHCl3氫還原法的低電耗多晶硅生成反應器技術；干法回收中H2、HCl、SiHCl3、SiCl4混合氣體大能力無油潤滑加壓裝置；SiCl4氫化反應器進料系統控制技術裝置；大型多側線SiHCl3高效提純技術裝置；千噸級多晶硅生產系統自動控制組態技術。

⑻ 生產多晶硅太陽能光伏板需要哪些設備

1,
沉積速率
:168小時每150毫米
2,鍾罩
反應器
里有9到12對棒.
3,
原料
是
金屬硅粉
,氯氣,
氫氣
.
4,設備主要是合成爐,
精餾塔
,儲槽,還原爐,氫化爐,還有
尾氣
處理等設備.
最後問你個問題:我是新光硅業的,你是哪個單位的?

⑼ 多晶硅拆爐時所用到的設備有哪些

咨詢記錄 · 回答於2021-09-16