碳化硅晶片用什麼儀器測量

Ⅰ 碳化硅硅含量怎麼化驗的

用HF溶解，根據重量的減少測算

Ⅱ 碳化硅如何應用單晶硅線切割上應用 我們是光伏企業單晶硅切割總遇到問題請問如何檢測碳化硅質量怎樣鑒

由於碳化硅兩種特性：1硬度高2晶體形狀不規則，所以廣泛應用於單晶硅線切割領域。
目前檢測碳化硅的方法大都採用日本標准即電阻法（庫爾特、歐美克）測量碳化硅粒徑。但由於電阻法早先開發時用於圓體細胞檢測計數，所以測量不規則的碳化硅還有些牽強。再有電阻法測量的是碳化硅顆粒的寬度值，而游離的碳化硅顆粒自由旋轉寬邊一側幾乎不接觸切割面。
碳化硅顆粒的形狀直接關繫到單晶硅、多晶硅的產品質量，即碳化硅顆粒的形狀變化可以影響到單晶硅、多晶硅的切割效率、切割的成品率。
圓度高、稜角少的碳化硅顆粒磨削效率極低，現在很多碳化硅企業摻回收砂其實回收砂摻多了切割效率自然也就低了，由於這行業發展時間段所以行業內還沒統一標准。
我們公司是3000型歐美克測量粒徑現在又買了一台瑞思RA200智能顆粒分析儀測量粒型。

Ⅲ 什麼是碳化硅水分檢測儀原理

1.米德水分測定儀原理--簡介
水分測定儀是一種能夠檢測各類有機及無機固體、液體、氣體等樣品中含水率的的儀器，按測定原理可以分類物理測定法和化學測定法兩大類。物理測定法常用的用失重法、蒸餾分層法、氣相色譜分析法等，化學測定方法主要有卡爾費休法、甲苯法等，國際標准化組織把卡爾費休方法定為測微量水分國際標准，我們國家也把這個方法定為國家標准測微量水分。

2.米德水分測定儀原理
鹵素快速水份測定儀一種新型快速的水分檢測儀器，其環狀的鹵素加熱器確保樣品在高溫測試過程中均勻受熱，使樣品表面不易受損，快速乾燥，在乾燥過程中，水分儀持續測量並即時顯示樣品丟失的水分含量，乾燥程序完成後，最終測定的水分含量值被鎖定顯示。一般樣品只需幾分鍾即可完成測定。該儀器操作簡單，測試准確，顯示部分採用紅色數碼管，示值清晰可見，分別可顯示水分值、樣品初值、終值、測定時間、溫度初值、最終值等數據。並具有與計算機，列印機連接功能。

3.米德水分測定儀原理--應用
水分測定儀實行全封閉設計的滴定台，能自動更換溶劑，避免化學試劑與人體的接觸。根據實驗的環境條件，可以設置「自動」或「手動」漂移值背景扣除，確保分析結果更為准確。而且水分測定儀隨機配有滴定監控軟體，可監控全部滴定過程，並通過該軟體進行版本升級。水分測定儀可應用於制葯行業、食品、地質化工、石油化工、日用化工、農業、環保、水處理等諸多行業的質量檢驗或科研教學。

Ⅳ 如何確定碳化硅磨料的硬度

碳化硅磨料磨具硬度要求：

砂輪硬度軟，表示砂輪磨粒容易脫落，砂輪硬度硬，表示磨粒不易脫落。砂輪的硬度和磨料的硬度是兩個不同的概念。磨削和切削的顯著區別在於砂輪是自銳的。選擇砂輪的硬度實際上就是選擇砂輪的自銳性。希望鋒利的磨粒也不要脫落。

砂輪硬度是指砂輪表面的碳化硅磨粒在磨料力作用下下落的難易程度。在選擇磨具的硬度時，主要根據工件材料的性質和磨削方法來選擇。單一類型的磨料可製成不同硬度的砂輪，這主要由結合劑的作用和數量以及砂輪的製造工藝決定。

一般原則如下：

1、研磨硬質材料時，磨粒容易變鈍。為了使鈍磨粒及時脫落，應選用較軟的磨料。

2、研磨軟質材料時，磨粒不易變鈍。為防止未銳化的顆粒過早脫落，應選擇較硬的磨料，如碳化硅磨料。

3、磨削非常軟和硬的有色金屬材料(如鋁和銅)時，為避免磨具堵塞，應使用較軟的磨具。

如果砂輪的線速度較低，則應使用較硬的砂輪;如果砂輪的線速度較高，則應使用較軟的砂輪。如果砂輪與工件的接觸面積較大，應選用較軟的砂輪;如果接觸面積小，應使用較硬的碳化硅砂輪。

4、磨削導熱系數低、易變形、燒傷的工件時，應選用較軟的砂輪。

5、干磨時，為降低發熱，避免燙傷工件，磨具的硬度應比濕磨小12。磨削效率高時，可選擇較軟的砂輪。當粗糙度要求較低時，可選擇較硬的砂輪。

Ⅳ 珠寶用什麼儀器可以檢測

基本儀器要用到：
1、10倍放大鏡。10倍放大鏡是鑒定寶石的必備工具，事實上，典當師在鑒定諸多類型物品時都要用到。10倍放大鏡是由三個透鏡所構成，合格的10倍放大鏡應清晰度高，並且能消除影響觀察寶石的球面像差和色像差。使用時，一隻手執住放大鏡，置於並貼近一隻眼睛的正面，另一隻手用食指和拇指捏住飾品托架（如為裸石應使用寶石鑷子）並靠近放大鏡，直到眼睛可以清晰的觀察到寶石。對於裸鑽，應用鑷子小心地夾緊，防止掉落。
2、筆式電筒。 聚光筆式電筒是照明工具，在鑒定中可作為照明電源，對於觀察寶石表面和內部包裹體及結構很重要。
3、折射儀。折射儀是很重要的寶石鑒定儀器，其設計目的是能無損、快速、准確的讀出待測寶石的折射率。每種寶石有其對應的折射率，比如翡翠是1.66,紅寶石和藍寶石是1.762~1.770,海藍寶石是1.577~1.583,碧璽是1.624~1.644等等。通過准確的測出寶石折射率，就可以大體確定待測寶石到底可能是什麼寶石，然後再結合其它的鑒定手段確定寶石種屬。
4、寶石顯微鏡。寶石顯微鏡一般是寶石實驗室必備的鑒定檢測儀器之一，寶石顯微鏡是通過內置光源採用暗域照明法、亮域照明法和垂直照明法工作原理對寶石實施觀察，放大倍數一般為10倍至70倍，對天然寶石與人工合成寶石及仿製寶石之間的區分有很大作用，對寶石的凈度觀察也很有效，在寶石學專業鑒定室里，寶石顯微鏡還可測定部分寶石的近似折射率和吸收光譜的觀察以及寶石的顯微照相等用途。
5、偏光儀。偏光儀對鑒別均質體，非均質體和多晶體具有重要的作用。
6、鑽石熱導儀。在典當行里，典當師接觸得最多的珠寶玉石飾品就是鑽石飾品，而鑽石熱導儀對鑽石飾品與其仿製品的區分性鑒定非常有效，然而，隨著合成碳化硅（又名碳硅石或莫桑石）的出現，用熱導儀測定鑽石時就要格外小心了，因為合成碳硅石一樣具有鑽石反應，因此，遇到鑽石飾品的典當業務，典當師就得求證其它鑒定指標，綜合分析、測定而得出鑒定結論，總之，在寶石飾品的典當鑒定中，熱導儀只能作為一種輔助性鑒定儀器來使用。
7、查爾斯濾色鏡。查爾斯濾色鏡是由兩個濾色片構成，其特點是濾色片僅能通過深紅色和黃綠色的光，而其它的光則全部吸收。查爾斯濾色鏡最早用來區分天然祖母綠及其仿製品，因為祖母綠在濾色鏡下呈紅色，而其它綠色的仿製寶石則仍然呈綠色。另外，在人工染色處理的寶石和人工合成寶石的檢測方面也相對比較實用，如染色翡翠和藍玻璃在濾色鏡下顯紅色，但是，有些寶石在濾色鏡下顏色也不太明顯，如染色石英岩在濾色鏡下顏色變化就不明顯，因此，查爾斯濾色鏡的鑒定結果一般只具參考性作用。
8、紫外熒光燈。紫外熒光燈的功能是用來檢測寶石是否具有熒光和磷光，天然紅寶石在紫外熒光燈下就顯示很漂亮的紅色，大部分鑽石在紫外燈下也有多種顏色的熒光顯示，這在寶石鑒定時起到一定的啟示性作用。
9、 莫桑石（合成碳化硅）檢測儀。莫桑石（合成碳化硅）檢測儀是專門用來鑒別莫桑石(合成碳化硅Sic)的儀器，依據是鑽石和莫桑石在近紫外具有不同的性質。其工作原理基本與鑽石熱導儀相類似，也是通過接觸式探針接觸寶石表面，如果是莫桑石（碳化硅），該儀器上的紅燈閃爍並發出鳴叫聲，如果是鑽石，則綠燈亮不發聲。
10、電子天平。用來測寶石的比重，不同的寶石有不同的密度，比如紅寶石和藍寶石的比重為4左右，翡翠為3.34,軟玉為2.95，有時只測量寶石的比重就對鑒定寶石非常有效。
還有許多寶石鑒定儀器在寶石學專業鑒定時用到，如鑷子、 UltraFire WF- 501B 強光手電筒(CREE燈)、折射儀、分光鏡、二色鏡、偏光鏡等。

Ⅵ 怎樣才能正確分別鑽石與碳化硅

合成碳化硅幾乎和鑽石一樣是半導體材料，其雜質含量極低，導熱能力也與鑽石接近。由於合成碳化硅的高硬度及高折射率特性的原因，已切割的合成碳化硅表面反光及光澤與鑽石極為接近。我們一般可以通過以下幾種方法來辨別鑽石和合成碳化硅。
一、用10倍放大鏡觀察。
1、刻面棱線
合成碳化硅的硬度雖高達9.25，但還是遠不如鑽石，所以刻面棱線仍不及鑽石那麼銳利。
2、復影觀察
鑽石單折射，而合成碳化硅則為雙折射，且兩個值相差很大，因此會產生復影，即刻面棱線會變成兩個影像。
3、內部特徵
鑽石內常含角狀礦物或有裂紋等特徵，合成碳化硅則常含類似針狀物的特徵。
二、用合成碳化硅/鑽石測試儀檢測。
用測試儀測定的是近紫外區的相對透明度。對近紫外光，近無色的鑽石是透明的，而合成碳化硅則吸收。

Ⅶ 碳化硅晶片的介紹

碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料，具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高化學穩定性、抗輻射的性能，具有與氮化鎵(GaN)相近的晶格常數和熱膨脹系數，不僅是製作高亮度發光二極體(HB-LED)的理想襯底材料，也是製作高溫、高頻、高功率以及抗輻射電子器件的理想材料。
碳化硅晶片的主要應用領域有LED固體照明和高頻率器件。該材料具有高出傳統硅數倍的禁帶、漂移速度、擊穿電壓、熱導率、耐高溫等優良特性，在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波性等電子應用領域和航天、軍工、核能等極端環境應用有著不可替代的優勢。

Ⅷ 含碳化硅的工業硅如何測硅含量 求指導 在線等~！

你說的這種方法我試過的。跟你情況基本一樣，你可以參照一下下邊這種方法，希望能幫到你！
一種測定硅含量的方法，該方法利用待測水樣中的硅與事先配製成一定濃度的檢測試劑溶液反應，生成多元雜多酸含硅體系，再用上述雜多酸氧化魯米諾或其衍生物，產生化學發光反應，其特徵是上述化學發光反應中加入了化學發光增強劑溶液。
一種測定硅含量的方法，該方法基於化學發光法原理，其特點是在二元或三元雜多酸氧化魯米諾或其衍生物反應中加入了化學發光增強劑，提高化學發光強度。本發明還可在檢測溶液與待測水樣反應中加入有激活作用的含氧有機溶劑，促使上述反應快速進行，縮短分析時間。本方法克服了傳統化學發光法存在的檢測時間長，靈敏度低的缺點，可使檢測光強峰值提高4～5倍，檢出限量為0．5μg／1SiO

Ⅸ 碳化硅色心自旋操控研究，碳化硅是怎麼發現的

碳化硅材料的發展歷史比較長。1824年，瑞典化學家Berzelius在人工鑽石生長過程中發現了碳化硅SiC。1885年，艾奇遜將焦炭和二氧化硅的混合物與一定量的氯化鈉在爐中高溫加熱，制備了小尺寸的碳化硅晶體，但有很多缺陷。碳化硅材料的應用開始於20世紀初。1907年，Round生產了第一個碳化硅發光二極體。1920年，碳化硅單晶被用作早期無線電接收機的探測器。然而，由於單晶生長的困難，碳化硅在很長一段時間內沒有得到很好的應用。1955年，飛利浦公司發明了一種用升華法制備高質量碳化硅的新方法，即Lely法，碳化硅材料重新顯示出活力。

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