❶ 誰看成龍的電影
檢舉 成龍電影作品一覽表《大小黃天霸》1962年《梁山伯與祝英台》1963年《秦香蓮》1964年《和我痛飲》1966年《領悟禪宗》1968年《精武門》1970年《廣東小老虎》1971年《巾幗英雄》1971年《女警察》1972年《合氣道》1972年《金瓶雙艷》1972年《頂天立地》1973年《小偷斗大賊》1973年《龍爭虎鬥》1973年《碼頭龍虎鬥》1973年《香港過客》1974年《花飛滿城春》1974年《喜瑪拉雅》1975年《同是一家人》1975年《降龍大師》1975年《少林門》1975年《新精武門》1976年《少林木人巷》1976年《風雨雙流星》1976年《死亡舞蹈》1976年《劍花·煙雨·江南》1977年《鐵拳僧》1977年《天殺星》1977年《飛渡雲山》1977年《點只功夫▲簡單》1977年《蛇鶴八步》1978年《一招半式闖江湖》1978年《神拳》1978年《拳精》1978年《龍拳》1978年《龍騰虎躍》1978年《蛇形刁手》1978年《醉拳》1978年《笑拳怪招》1979年《36隻瘋拳》1979年《奇異雙人組》1979年《笑拳怪招2》1980年《師弟出馬》1980年《殺手壕》1980年《炮彈飛車》1981年《龍少爺》1982年《迷你特攻隊》1982年《忍者戰爭》1982年《A計劃》1983年《炮彈飛車續集》1983《奇謀妙計五福星》1983年《快餐車》1984年《黑帶雙雄》1984年《福星高照》1985年《夏日福星》1985年《砰、砰作響》1985年《威龍猛探》1985年《龍的心》1985年《警察故事》1985年《龍兄虎弟》1986年《壞小子》1986年《A計劃續集》1987年《對不起》1987年《飛龍猛將》1987年《警察故事續集》1988年《胭脂扣》1988年《霸王花》1988年《霸王花2》1989年《通緝犯》1989年《奇跡》1989年《群龍譜》1989年《藝人的反抗》1990年龍兄虎弟續集》(又名《飛鷹計劃》)1990年《雙龍會》1991年《火燒島》1991年《西藏小子》1991年《滅火群英》1992年《超級警察》1992年《西域雄獅》1992年《阮玲玉》1993年《城市獵人》1993年《S計劃》1993年《重案組》1994年《大醉拳》1994年《紅番區》1994年《霹靂火》1995年《警察故事四之簡單任務》(又名《白金龍》)1996年《一個好人》1997年《好萊塢烈焰》1997年《我是誰》1998年《玻璃樽》1999年《尖峰時刻》1999年《贖金之王》2000年《特務迷城》2001年《尖峰時刻2》2001年《神奇燕尾服》2002年《贖金之王2》2002年《環游地球八十天》2003年《飛龍再生》2003年《新警察故事》2004年《神話》2005《功夫之王》2008 /
❷ 氫氟酸明明是可以腐蝕玻璃的葯品 但在高中為什麼把它分為弱酸
氫氟酸比同主族氫鹵酸弱本在意料之中，但是如此之弱似乎有些反常，這主要有兩個方面：1．這是由於氫－氟健一旦形成就相當的牢固很難打開（氟的極高電負性造成的），故較難電離出氫離子，所以是弱酸 2．HF分子中存在氫鍵，這是由於氟原子電負性高，半徑很小，使得它吸引氫原子能力很強，氫原子出現「裸漏」現象（幾乎無孤對電子），而在此同時另一個氟原子也可吸引這個氫原子，從而形成氫鍵，使HF分子出現蹄合現象（HF）n，這樣對於氫氟酸電離不利，故HF是個弱酸，電離不完全！
酸性強度的劃分是依據電離常數Ka（高三可能會初步接觸）
1. Ka>10^3(10的立方) 時：為很強的酸（硫酸，高氯酸，鹽酸等等）
2. 10^-1(10的負一次方) <ka<10^3: 強酸（硝酸，氯酸）
3. 10^-4(10的負四) <Ka<10^-1(10的負一) ：中強酸（草酸，亞硫酸，磷酸，亞硝酸，丙酮酸,氫氟酸等）
4.10^-7(10的負七) <Ka<10^-4(10的負四) ：弱酸（乙酸，丙酸，丙烯酸，硬脂酸，碳酸，氫硫酸等等）
5. Ka<10^-7: 極弱酸（次氯酸，硅酸，硼酸等）
注意：摟主可能會感到奇怪：氫氟酸不是弱酸嗎？怎麼你劃分為中強酸啦！
其實廣義上的弱酸是ka<10^-1的任何酸當然也包括中強酸了，事實上很多參考書和權威的網址信息中都認為氫氟酸是個中強酸！！！
❸ sew減速機 KA87DV112M6/BM/MIC是什麼意思，主要是MIC是什麼意思
MIC是微動開關的意思，你這個應該是用在行走機構上的吧？ 估計是岸橋或者廠橋，驅動比較多的設備上，這個東西主要是用來檢測設備在開機的時候，制動器是否都打開了，接上線之後，在控制室能監控制動器的閉合
❹ 電器符號按國標7159-1987中中間繼電器應該是KA那為什麼有的書中標的卻是KM呢如下圖,可是分辨起來很麻煩
這一張圖里怎麼會有兩個KM1，兩個KM2？即使不是中間繼電器也不符合規范，一張圖里不能有兩個元件同時使用同一個編號，這本粗製濫造的書你可以扔了。
❺ 聚合物薄膜厚度不同，是不是光學性能也不同請指明資料來源！
自無機發光二極體發明以來，它們在視頻、數字顯示、儀器監控、廣告等諸多領域已經得到了廣泛的應用，並取得了令人矚目的成就。但是它們也存在著很多缺點：如顯像管體積大、發光材料品種較少、器件製作工藝復雜、成本高、能損大、很難提供全色顯示等。相反，有機材料薄膜電致發光器件（TFELD）出現後大大地克服了上述缺點，顯示出很多無機TFELD無法比擬的優點：⑴ 選擇范圍很廣並可進行分子設計，易獲得全色顯示，尤其是無機材料很難得到的藍色發光；⑵ 亮度高、效率高；⑶ 直流低壓驅動，能耗少，可與集成電路驅動相匹配；⑷ 製作工藝簡單，成本低、價格低廉；⑸ 可實現超薄型的大面積平板顯示；⑹ 有良好的機械特性，容易處理和加工成不同形狀等。 有機物的電致發光現象早在20世紀60年代就開始了〔1～3〕，當時發現有機材料在可見光區具有很高的熒光量子效率，例如蒽單晶的電致發光效率可高達0.99。1963年，M Ka llmann 等人就製造出了簡單的蒽單晶的ELD〔4〕，但是高偏壓（100V以上）的要求使他們在實用上存在較大困難〔5，6〕。直到1987年，美國C W Tang〔7〕使用有機熒光體及空穴傳導性材料製成了由直流低電壓（約10V）驅動的高亮度（1000cd／m2）、高效率（1.5lm/W）的有機TFELD，使世界各國的科學家將注意力又集中到了它的身上。 我國從20世紀90年代就開始進行有機TFELD的研製工作， 其中上海大學嘉定校區的許少鴻教授的研究團體成績最為突出，吉林大學的劉式墉教授與天津理工學院的華玉林等研究團體以及中科院長春物理所等很多單位也都先後開展了這方面的工作，並已取得了很大的成績。 有機電致發光薄膜最早研製成功的是多種顏色各異的單色有機TFELD。 隨著技術的發展，各種白色與彩色TFELD也不斷研製成功。近年來為了提高器件的發光亮度與光譜性能，多種光學微型諧振腔式的有機TFELD也先後問世， 使有機薄膜電致發光材料與器件的研製提高到一個更高的水平。 用於電致發光的有機材料很多，大致可分成小分子材料、聚合物材料以及聚合物摻雜材料等幾類。二、 小分子電致發光器件 最受人們青睞的小分子有機電致發光薄膜材料是8-hydroxyquinoline aluminum（8-羥基喹啉鋁，簡稱Alq3），其它性能比較優越的發光薄膜材料有Perylene， aromatic diamine，TAD，TAP，TAZ，TPA，TPB，TPD，TPP等等。其部分分子結構如圖1所示。圖1 部分小分子有機電致發光薄膜材料分子結構圖2 一種有機TFELD的結構圖 1987年，C W Tang和S A Vanslyks制備出如圖2所示的有機TFELD〔7〕。基底是鍍有氧化銦錫（ITO）透明導電膜的玻璃。具有大約10～20Ω的薄膜電阻，它與電源正極相連，第一層是單分子結構的aromatic diamine（約75nm厚）；第二層是8-hydroxyquinoline aluminum（8-羥基喹啉鋁簡稱Alq3）膜（約60nm厚），它屬於金屬絡合物，負電極是鎂和銀的混合物（10 1）。第一層作用是輸運空穴和阻擋電子， 使得沒有與空穴復合的電子不能進入正電極；第二層是電致發光層。所有的膜層都是用真空淀積方法（約1.33×10-3Pa）淀積的。該器件能在連續直流或脈沖模式下工作，它的行為類似一整流管。只有在正偏下才能發光，起始工作電壓為2.5V，在10V偏壓下發光強度＞1000cd／m2。量子效率為10％，在5.5V偏壓下發光效率為1.5lm／W，可與發光二極體或ZnS發光管相比，當以脈沖形式工作時，器件發光的上升和衰變時間均為幾微秒。在連續工作時壽命約100h。 電致發光機理屬於注入式的復合發光。在正向偏壓的作用下，ITO電極向diamine 中注入空穴，在電場作用下向diamine／Alq3界面移動，而由鋁電極注入的電子也在Alq3中向diamine／Alq3界面遷移，由於勢壘的作用，電子不易進入diamine中，而在Alq3／diamine界面處，發光層（Alq3）在一側積累。由於激子產生幾率與電子和空穴濃度的乘積成正比，在空穴進入Alq3層後與電子在界面處結合而產生的激子的幾率很大，因而幾乎所有的激子都是在界面處Alq3層一側很窄的區域（約36nm）內產生的，當激子進行復合時，其中很大一部分產生輻射而發光。因此發光不僅是在Alq3層中，而且主要是在diamine界面處。 隨後，日本的Adachi C等人〔8～10〕為了將發光波長推進到無機半導體難以達到的藍色波段,檢驗了許多種發射藍光的有機材料,總結出獲得高效率藍光發射器件的兩個關鍵因素，光的第一發射層應具有優良的薄膜形成能力, 第二發射層和載流子輸運層應有適當的組合以避免形成激發絡合物。在器件結構上除上述雙層結構外還採用了 ITO／光發射層／電子輸運層／MgAg和ITO／空穴輸運層／光發射層／電子輸運層／MgAg結構。這里的電子輸運層是Oxadia Zole的衍生物（PBD），發光發射材料最好的是1，1，4，4-tetraphenyl-1 ，-3-butadience（TPB）。當採用三層結構時，在10V和100mA／cm2條件下可得到700cd／m2的發光亮度。發射光的峰值波長是430nm，他們認為高效率主要是由於穩定、均勻和高密度的發光層所致，只是壽命太短（只有2h）。 1989年，Tang〔11〕再次報導利用染料摻雜得到黃、紅、藍綠色的有效電致發光，使有機薄膜在多色顯示方面表現出比無機薄膜器件有更大的優越性。 我國上海大學的許少鴻、劉祖剛等人在1992年就研製出了玻璃／ITO／Alq3／Ag結構的發光器件，並對Alq3薄膜的光譜特性、器件的光電性能、光致發光和電致發光機理進行了研究〔12〕。隨後他們又對發射藍光的Diamine 的光電性質及其在有機電致發光器件中的應用進行了研究〔13〕。三、 聚合物薄膜電致發光器件 近年來，人們發現在發光與其它性能都比較優良的聚合物中，電致發光薄膜材料有PBD、PBP、PRL、PMMA、PPV、PVCZ等等。其部分分子結構如圖3所示。圖3 部分大分子有機電致發光薄膜材料分子結構 在研究工作中，人們發現小分子有機薄膜器件穩定性差，而聚合物結構與性能都很穩定，若要得到高亮度、高效率的話，通常要採用帶有載流子輸運層的多層結構，而以前都採用小分子材料作為輸運層。由於它易於重結晶或發光層物質形成電荷轉移絡合物（CT complex）和激發態聚集（excimer）導致性能下降，而聚合物則能克服上述缺點，因此，人們逐漸把注意力轉到聚合物上。 1990年，英國劍橋大學的Friend教授與Burroughes等人〔14〕用共軛聚合物P-Phenylene Vinylene（PPV）實現了電致發光。共軛聚合物是有機半導體，從原理上講，這種材料比無機半導體更易於處理和製造，電荷輸運與量子效率也不遜色。PPV有很強的電致發光功能，能帶寬約2.2eV，可形成高質量薄膜。他們將70nm厚的PPV薄膜置於ITO正電極與負電極之間，結果發出黃綠色的光。起始工作電壓低於14V，器件發射光譜與PPV光致發光光譜一致，發光峰值在2.2eV，發射光在正常照明的室內都可以看到，其量子效率高於0.05％。 美國加里福尼亞大學的A Heeger與C Zheng等人〔15〕採用了PPV的衍生物MEH-PPV，這是因為MEH-PPV溶液可直接通過旋轉塗敷法（Spin coating）塗在ITO上成膜，從而簡化了器件的製作過程。他們採用鈣作為負電極，因為負電極需要低功函數的導電材料，而鈣正符合要求，從而使量子效率大大提高。該器件能發出橙色的光，其壽命可達1000h。 1991年，Ohmori等人〔16〕應用Poly（9，9-dialkylfluorene），1992年，Hosokawa等人〔17〕應用Poly Carbonate（SA-PL），1993年，Kido〔18〕等人應用PVK／TAZ／Alq3多層結構都得到了聚合物的發光，後來Friend小組又採用PPV的雙衍生物製作了從藍綠到橙紅的多種發光二極體。 1994年，郜軍、華玉林等人對PPV薄膜的電致發光特性也進行了研究。他們發現，PPV不僅可作為有機TFELD器件中的發光層，也可以作為多層結構有機TFELD器件中的載流子輸運層材料，且性能優異。他們用8-羥基喹啉鋁（Alq3）作為發光層制備了ITO／Alq3／Al和ITO／PPV／Alq3／Al兩種結構的器件。結果表明，後者要比前者在亮度、效率、 整流特性及穩定性等方面都要強很多，且器件最大亮度可達3720cd/m2，穩定性也好得多。我們於1996年也進行了上述兩種結構器件的試驗，ITO透明導電膜是用離子鍍膜法製成的，其薄膜電阻為50Ω。PPV是用旋轉塗敷法將前驅聚合物的水溶液旋甩在ITO膜上，在室溫空氣中蒸發掉水份後，放在真空條件下（約10-2Pa）逐漸加熱2h後製成。Alq3薄膜與Mg Ag電極（10 1）則是在真空鍍膜機中用熱蒸發製成，Alq3採用鎢絲纏繞的石英小皿，Mg採用W或Mo舟加熱蒸發。在Mg、Ag兩蒸發源上分別裝有兩個石英晶片振盪膜厚監控器，觀察兩個石英晶片振盪頻率的變化來分別監控Mg-Ag膜的蒸發速率和厚度。通過兩個獨立的Mg、Ag加熱電源，調整他們之間蒸發速率比，就可確定他們的成份比， 器件性能得到與華玉林等人類似的結果。四、 摻雜聚合物電致發光器件 大量研究工作發現，如果在聚合物中摻入適當的雜質（發光效率非常高的小分子有機化合物），則會使器件的性能得到很大的改善。 Junji Kido等人〔20〕將TPD和Alq3摻入聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）中，PMMA實際上是一種惰性的、不活潑的聚合物粘合劑，摻雜後形成具有電荷輸運性能的二元固體溶液，這種二元固體溶液將使材料設計更為靈活，例如選擇適當的發光分子濃度和聚合物材料可使發光和機械特性均可達到最佳。Alq3可輸出電子，TPD具有高的空穴遷移率，而PMMA 是具有光學和電學惰性且具有良好的成膜特性，摻雜濃度為50％（重量）,TPD／Alq3比值以0.67為佳，正負極仍用ITO和MgAg。該器件發綠光，與Alq3光致發光光譜一致，若不摻TPD則無電致發光，這說明TPD起到了從ITO輸運空穴作用的目的，使兩種載流子在PMMA中復合。 張志林等人〔21〕利用發光量子效率非常高的有機化合物(艹)/(北)（Perylene）（效率為0.87左右）作為摻雜劑，以具有空穴導電性、玻璃轉化溫度高（230℃）的聚合物PVCz作為基質，製成單層薄膜結構（玻璃／ITO／PVCz／Perylene／Mg Ag），亮度達59cd／m2。 此時的流明效率為0.044lm／W。不久，他們又作了適當改進〔22〕，以PVCz作為空穴輸運層。BBOT為電子輸運層，制備出Glass／ITO／PVCz/Mg Ag的器件，亮度提高到1700cd／m2。 後來又研製出玻璃／ITO／PVCz TPA／Alq3／Mg Ag結構的高亮度聚合物TFELD〔23〕，其亮度高達10008cd/m2，量子效率也高達0.58％。隨後不久又制備出以摻雜perylene（PRL）和triphenylamine（TPA）的Poly（N-Vinylcarbazole）（PVCz）為空穴輸運層、以PBD為空穴鎖住層、Alq3為電子注入層的玻璃／ITO／PVCz PRL TPA／PBD／Alq3／Mg Ag結構的高亮度高效率的藍色聚合物TFELD。 吉林大學的唐建國等人〔24〕於1995年用有機染料8-羥基喹啉鋁（Alq3）分散到聚乙烯基咔唑（PVK）中，所製得的ITO／Alq3 PVK／Al器件，在正偏壓為6V時，就可以看到藍綠光，峰值波長為510nm，最大亮度為168cd／m2。 隨著科學技術的發展，人們在單色發光薄膜已經取得較大成果的基礎上，必然將有機薄膜電致發光材料的研究工作重點轉移至全色化上。 國內外對彩色與白光有機電致發光薄膜材料與器件開展了非常廣泛而深入的研究，取得了非常豐碩的成果。他們制備彩色（或白色）有機薄膜電致發光器件（OTFELD)的方法很多，根據最近所發表的文獻歸納起來大致可分為三種類型：一種是在簡單的白色TFELD上集成紅、綠、藍三種濾光片就可以得到彩色發射光， 但其中各種顏色的強度是不能獨立地任意調節的；第二種是將兩種（例如紅與藍色）或三種（例如紅、綠、藍三色）TFELD 集成在同一基片上，通過調整各單色光TFELD的參數，就可合成出各種彩色的發射光；第三種是用不同顏色的微型腔集成在簡單的寬波帶TFELD上，調整各個微腔參數即能呈現出各種強度和各種色彩的彩色光。五、 白光TFELD 白光TFELD是一個誘人的目標，光發射層需要包含幾種發光顏色不同的有機染料。 在真空蒸發機中同時淀積幾種熒光染料，會遇到技術上的困難。簡單的辦法是利用聚合物作母體，同時摻入幾種熒光染料，聚合物可以很方便地塗在電極上。J Kido等人〔25〕將三種熒光染料TPB（發藍光）、Coumarin6（發綠光）和DCM-1（發橙光）摻入聚合物Poly（N-Ving Lcarbazole）（PVK）中，然後通過浸漬法（dip coating）在ITO上形成40nm厚的薄膜，接著再真空淀積3-（4-fert-butg Lphenyl）-4-phenyl-5-(4〃-biphe nyl）-1，2，4triazole（TAZ）層和Alq3層，該器件在14V電壓下具有高達3400cd／m2的發光強度，既可作普通照明器件，又可作液晶顯示器件的背景光源。 R H Jordan等人〔26〕將幾種厚度（Δt＝0，50，100，150和600nm）的NAPOXA（2-naphthyl-4，5-bis（4-menthox yphenyl）-1，3-oxazole）夾在TAD和Alq3之間形成石英基底／ITO（600nm）／TAP（60nm）／NAPOXA（Δtnm）／Alq3（60nm）／Al結構（見圖4）來產生白光發射。 在典型的玻璃／ITO／TAD／Alq3／Al結構中，TAD為空穴輸運層，Alq3為電子輸運層和綠光發射層。由於TAD阻擋電子比Alq3阻擋空穴運動更有效，因此在Alq3中復合發生，產生綠光。當將有機空穴阻擋層NAPOXA作為中間層插在TAD和Alq3層之間時，由於NAPOXA減慢空穴遷移到Alq3層的速度，使得相當一部分空穴在NAPOXA層中還未到達Alq3層就與從Alq3層中遷移過來的電子在NAPOXA層中復合。由於NAPOXA有一個從400～650nm很寬范圍的發射光譜，而且其發射大部分發生在藍色波段，因此器件發射的光譜隨著NAPOXA厚度的增加而逐步向藍光方向移動而接近於白光。 這個器件在11V偏壓和10mA／cm2電流密度時具有大於0.5％的量子效率和0.45lm／W的流明效率，在20V偏壓和380mA／cm2時亮度高達4750cd／m2，並具有0.56％的極好量子效率。圖4 具有NAPAXA發射層的白光TFELD的結構圖和所用有機材料分子的結構圖六、 堆狀顏色可調電致發光器件 P E Burrows等人〔27〕應用堆狀結構有機光發射（OLED）多色顯示器， 避免了要想將紅、綠、藍三種（或紅、藍兩種）顏色OLED組合在同一基底上必須使用光刻（使用溶劑或酸鹼等）而造成器件有機膜層的損害的問題。顏色可調堆狀 OLED 結構的橫切面的示意圖如圖5所示，在圖中器件紅色OLED生長在藍色OLED頂上，通常紅色發光有機材料在光譜的藍綠區有很大的吸收。因此器件在生長時，使紅色發光膜層對從藍色器件發出的光吸收極小化。藍色OLED是在小於1.33322×10-4Pa的真空下，生長在預先鍍有20 Ω薄膜電阻的ITO膜的玻璃基底上，隨後蒸發生長三種預先精製的有機材料：一種是60nm厚的空穴輸運層（TPD）；一種是80nm厚的藍色發光層（ALq2OPh）；一種是36nm厚的Alq3電子輸運層。頂部電子注入電極在由13nm厚的Mg-Ag合金（約50 1的原子比）熱蒸發後， 立即濺射50nm厚的第二層ITO膜而製成。它提供一個連續透明的導電表面，同時又保護Mg-Ag電極以防止氧化，而且對第二個OLED起到注入觸點作用。這個Mg-Ag-ITO電極在可見光譜區的透射率近似為50％，第二個OLED器件是由隨後蒸發60nm厚的TPD的膜層與一層60nm厚的Alq3〔將近似3％（質量）的TPP雜質用同樣蒸發方法摻入到Alq3中〕和Mg-Ag電極而製成。通過一個二次遮蔽掩模，蒸發上一層150nm厚的Mg-Ag電極，同時用50nm厚的Ag 膜蓋住以防止頂部電極氧化。圖5 紅色和藍色可調的OLED膜層橫截面示意圖和所用有機材料分子的結構圖6 將顏色可調的OLED中心Mg-Ag-ITO電極接地（見圖5），在頂部Mg-Ag電極和底部ITO電極上分別加上負和正的偏壓（VR和VB），在橫跨紅色和藍色單元的各種電壓驅動下，就可得到由紅色和藍色組合而形成的彩色發光，獨立改變每個成份的驅動電壓的比率VR／VB就可改變紅色（峰值波長為655nm）和藍色（峰值波長為470nm）發射光的任何線性疊加。為得到一個5～10μW的光學功率輸出，直徑1.5mm的器件的典型工作條件是0.1～1mA和15～25V，從可調OLED中的每個單元出來的光發射，可以獨立於其它單元而變化，通過各單元產生的單色光的合成，最終可達到顏色連續可調的目的。七、 電壓-顏色-可調多層有機TFELD J Kallnowski〔28〕等人提出一個用Alq3作為綠光發射材料和用Perylene bis（2-Pentyl） imide作為紅光發射材料的電壓調整顏色的TFELD器件，器件的結構如圖6所示。PBP和Alq3兩種材料都具有電子輸運性質，為電子輸運層。用armatic diamine（TPD）作為空穴輸運層，它改進了EL電池發光的穩定性。 該結構是用通用的真空淀積方法， 用W舟在室溫下淀積在ITO玻璃基底上。為了避免漏電，在電極上蒸發一層有機絕緣層，隨後將Mg-Ag電極觸點接到陰極上（EL電池的典型面積是5mm2）。八、 集成三色有機TFELD 將三種不同的有機膜層的三個不同器件集成在同一基底上。當對有機薄膜進行光刻形成圖像(patterned)或者在其上旋轉塗敷新的有機膜層時，由於在有機膜圖像邊緣會吸附溶液或水，所以它們會對已形成圖像的有機聚合物產生溶解或腐蝕，使器件退化、短路或漏電。為了克服此技術難關，C C Wu等人〔29〕提出了如圖7所示的二次結構，使器件暴露出的邊緣電性鈍化。圖7 三個橫截面的示意圖(a)—僅具有有機膜圖像的集成示意圖；(b)—在ITO上具有一絕緣層的集成示意圖；(c)—在ITO上具有一絕緣層同時在每個器件上又敷蓋了一金屬密封層的集成示意圖。 詳細的工藝過程如下：首先用等離子增強化學氣相淀積（PECVD），在250℃清潔的 ITO上淀積一層約100nm厚的SixNy薄絕緣層，然後用光刻和標準的刻蝕工藝在SixNy上刻蝕出有效器件窗口的圖像。用於器件第一部分(set) 的聚合物（比如現在是紅色）薄膜用旋轉塗敷法敷蓋在全部表面上。第一部分的頂部金屬電極是在真空中通過一遮蔽掩模用熱蒸發製成，它包括50nm厚的Mg-Ag合金和約50nm厚的Ag膜以及約100nm厚的Al膜。，然後將這個結構放在氧等離子體中進行刻蝕。它能去掉被暴露的那些有機膜，但不能刻蝕Al膜或任何底下的膜層。因此等離子刻蝕是自準直的而不需要額外的掩模，亦即干刻的使用克服了在採用蝕刻方法時有機薄膜過度暴露於溶劑的弊病。在採用圖7所示的結構時，在器件下一部分綠色聚合物膜旋轉塗敷以前，通過另一遮蔽掩模進行密封器件第一部分的Al密封膜的蒸發，然後對下一部分綠色聚合物又進行旋轉塗敷、蝕刻與Al密封膜蒸發等工藝過程，如此反復直到器件集成的完成。 器件中使用的橙、綠、藍分子摻雜的聚合物（MDPS）分別是PVK／Alq3／nile red、PVK／Alq3／coumarin6和PVK／PBD／coumarin 47的化合物。橙、綠和藍色的量子效率分別為0.7％、0.5％和0.4％光子／電子。在合適的工作電壓下就能得到實用的亮度，比如在11～13V時，電視亮度約為100cd／m2，在20V左右時達到約4000cd／m2的高亮度。 在同一基底上，橙、綠與藍色器件和分立的器件比較沒有退化。這種集成在朝著高效率彩色有機平板顯示的道路上應該是重要的一步。九、 微腔TFELD 近年來，為了改進與提高OTFELD的發光亮度，科學家們研製出一種新型的發光器件——光學微型諧振腔OTFELD，從而大大促進了OTFELD的發展。 典型的微腔TFELD是底部鏡通常用一電介質為1／4波長膜堆（QWS）組成，QWS的遏止帶必須足夠寬，以便敷蓋所用的電致發光半導體自由空間光譜范圍。遏止帶的寬度近似為λΔn／n，這里Δn是組成膜堆的交替膜層折射率之差，λ是遏止帶的中心波長，n是平均折射率。當用一對高低折射率差的電介質時，結果形成一個寬的遏止帶，膜堆峰值反射率R2是 (1)這里ri是在模堆中一對模層之間折射率之差，腔的全部光學厚度L（λ）由下式給出： （2） 在方程式（2）中第一項是電磁場對電介質模堆的滲透深度；第二項是在兩個鏡子之間膜層光學厚度的總和；最後一項是進入頂部金屬鏡子的有效滲透深度。 在金屬反射鏡中位相移動由下式給出： (3)這里ns是有機材料與金屬接觸時的折射率，同時nm和Km是金屬的折射率的實數和虛數部分。腔模的位置由mλ＝2L（λ）的關系給出，這里m是模的系數，模的位置和空間能用改變 L(λ)來調整。模空間在很大程度上被方程式（3）中的第一項所決定， 它依賴於膜堆中交替模層折射率之差。 對於垂直於器件表面發射的光譜，根據近似理論由Deppe等人〔15〕通過下式計算而得到：(4)這里xj是從金屬鏡中發射偶極子的有效距離；R1和R2分別是金屬與電介質鏡的反射率；L是腔的全部光學厚度；│Enc（λ）│2是在λ處自由空間的電致發光強度。 腔模（共振腔波長）的位置能夠用改變腔的厚度來改變，同時通過控制方式有可能在三個主要的顏色波長處給出發射。它能夠靠刻蝕一個電學活性不好的填充層形成圖像來完成。它是由三個周期的SixNy（n＝2.2）和SiO2（n＝1.5）膜層交替的電介質QWS所組成。此QWS設計成具有大於200nm的FWHM的寬遏止帶，中心在550nm，中心反射率約80％。隨後淀積一層 100nm厚的氮化硅（n＝1.92）填充模層，它用來規整全部腔的厚度，形成一個或兩個台階，每個具有大約40nm的高度，都刻蝕在此填充膜的一部分上，以改變器件的顏色（分別從藍到綠到紅）。薄金（11.5nm）形成一半透明膜層蒸發在填充膜上，同時形成空穴注入接觸點或陰極。TAD（100nm）和Alq3（70nm）蒸發在金上，隨後再鍍上直徑1mm的鋁膜用作陰極和腔的頂部鏡（R≈90％）。 TFLED在5V電壓下運行，輸出光強度隨電流線性變化，在3×10-3A／cm2的電流密度下，產生從紅、綠到藍的TFELD電致發光。因此用SixNy材料能形成良好的圖像，在整個約150nm范圍內控制發射波長，而不需要三個不同材料或形成三個不同有機材料圖像的方法來制備出一個彩色顯示器件。十、 結論 總之，有機TFELD近年來得到了迅猛的發展。它不僅解決了無機TFELD長期難以解決的例如低電壓驅動和獲得藍光等關鍵問題，而且在各種單色光電壓可調和彩色光任意合成等方面也取得了令人鼓舞的成果，甚至在各種顏色有機TFELD集成和陣列化方面也作了不少工作。遺憾的是器件性能的穩定性和使用壽命等方面還存在較大的問題。但倘若再進一步開展研究工作，相信在不久的將來有機TFELD將會在各個方面取得廣泛的應用，用有機TFELD集成的平板式全固體彩色電視進入千家萬戶的時代已經為期不遠了。聚合物薄膜厚度不同，是不是光學性能也不同?請指明資料來源！
❻ 常用的集成電路
1、金屬封裝型集成電路
金屬封裝型集成電路的功能較為單一，引腳數較少。其安裝及代換都十分方便
2、功率塑封式集成電路
功率塑封式集成電路一般只有一列引腳，引腳數目較少一般為3~16隻。
其內部電路簡單，且都是用於大功率的電路；通常都設有散熱片，可以貼裝在其它金屬散熱片上，通常情況下其引腳不進行特殊的彎折處理
3、單列直插型集成電路
單列直插型集成電路其內部電路相對比較簡單。引腳數目較少（3~16）只，只有一排引腳。這種集成電路造價較低，安裝方便。小型的集成電路多採用這種封裝形式
4、雙列直插式集成電路
雙列直插式集成電路多為長方形結構，兩排引腳分別由兩側引出，這種集成電路內部電路較為復雜，一般採用陶瓷塑封，耐高溫好，安裝比較方便，應用廣泛，其引腳通常情況下都是直的，沒有進行特殊的折彎處理。
5、雙列表面安裝式集成電路
雙列表面安裝式集成電路的引腳分布是在兩側的，引腳數目較多，一般為5~28隻。
雙列表面安裝式集成電路引腳很細，有特殊的彎折處理，便於粘貼在電路板上。
6、扁平封裝型集成電路、
扁平封裝型集成電路的引腳數目較多，且引腳之間的間隙很小。主要通過表面安裝技術安裝在電路板上。這種集成電路在數碼產品中十分常見，其功能強大，體積很小，檢修和更換都較為困難（需要使用專業工具）
7、矩形針腳插入型集成電路
矩形針腳插入型集成電路的引腳很多，內部結構十分復雜，功能強大，這種集成電路多用於高智能化的數字產品中。如計算機中的中央處理器（CPU）多採用針腳插入型封裝形式。
8、球柵陣列型集成電路
球柵陣列型集成電路體積小，引腳在集成電路的下方（因此在集成電路四周看不見引腳），形狀為球形，採用表面貼片焊接技術，被廣泛的用在小型數碼產品中。如新型手機的信號處理集成電路
❼ 上更新統(Qp<sub>3</sub>)
上更新統由晚更新世沖－湖積物(Qpal－l3)、風積(Qpeol3)、沖積(Qpal3)、殘坡積(Qpspl3)、沖洪積(Qppal3)和冰水堆積(Qpfgl3)六個單元構成。
(一)晚更新世早期沖－湖積物單元(Qpal－l3)
該單元按岩性分為早期沖－湖積層(Qp1al－l3)和晚期沖－湖積物層(Qp2al－l3)兩個單元。
在黑龍江省，其劃歸為哈爾濱組(Qp3h)，在吉林省，其劃歸為上更新世沖積層。在此次遙感調查研究中，根據該單元遙感影像特徵和岩性特徵的差異，將其分解為上更新統下部(Qp1al－l3)和上部(Qp2al－l3)兩個沖湖積單元，並實現了區域上的統一。
主要分布於松遼平原東部高平原的拉哈鎮、三興鎮、綏化市、雙城市、扶余市、農安縣、玻璃城子鎮和林海鎮一線。
岩性特徵:淡黃色、褐黃色、土黃色黃土狀亞粘土、亞砂土，厚5～15m。
在ETM圖像上，呈綠色調，壟崗狀、波狀地貌，地表平坦，光滑影紋(圖版1.2.25)。
出露於北部林甸縣溫家窯一帶的晚更新世早期沖湖積物單元(Qp1al－l3)，岩性為土黃色亞粘土，柱狀節理發育(圖版1.2.26)，含白色鈣質成分。頂部發育黑土層。
出露於阿城市一帶晚更新世早期沖湖積物單元(Qp1al－l3)，岩性為黃褐色、黃白色亞粘土。水平層理和柱狀節理發育。詳見阿城宮家屯06－23觀測點剖面(圖版1.2.27)。
阿城宮家屯06－23觀測點剖面
松遼平原第四紀地質環境與黑土退化
出露於蘭西縣榆樹鎮一帶晚更新世早期沖湖積物單元(Qp1al－l3)，岩性為土灰色、黃色黃土狀亞砂土，含極少量粒度為2～3cm的礫石，柱狀節理和水平層理發育(圖版1.2.28)。
出露於雙城一帶的晚更新世早期沖湖積物單元(Qp1al－l3)，岩性為土黃色亞粘土(圖版1.2.29)。
出露於梨樹縣北部孤家鎮子地區的晚更新世早期沖湖積物單元(Qp1al－l3)，岩性為土褐色亞砂土與黑色粘土互層(圖版1.2.30)。
分布於下遼河濱海平原及北部丘陵地區的晚更新世早期沖湖積物單元(Qp1al－l3)為埋藏單元。
岩性分上中下三部分。
下部:岩性為灰黑色、灰色亞粘土含泥粒與細砂互層為主，含1～1.5cm的菱鐵礦礫，厚8.14m。上層為灰、灰綠色細砂為主夾亞砂土，亞粘土透鏡體層，上細下粗明顯，厚23.33m。
孢粉組合以蒿屬、松屬為優勢組合。草本植物佔33%～72%，以蒿屬、藜科為主;木本植物佔17%～44%，以松屬為主;蕨類植物佔7.4%～22%，以水龍骨為主。屬疏林荒漠植被景觀，具涼爽略潮氣候特點。相當於廬山冰期或遼寧下排頭營子冰期沉積地層。
中部:為細粉砂類亞粘土含泥粒薄層，含泥粒和菱鐵礦，泥粒徑為0.3～0.5cm，菱鐵礦粒徑為0.5～1.0cm，大者為7.5cm。埋深46～55.53m。
孢粉以蒿屬香蒲屬為優勢組合。草本植物佔74%～75%，以香蒲屬為主;木本植物佔15.8%～19%，以櫟屬、柳屬為主;蕨類植物以水龍骨孢為主。屬於草原植被景觀，氣候溫和，相當於廬山大理間冰期沉積。
上部:岩性為灰、深灰、灰黑色粘性土為主的亞粘土類粉細砂層。埋深36.76～46m。
孢粉組合為蒿屬、樺屬優勢佔6%～23.7%，以樺屬、櫟屬、雲杉屬為主。古氣候為寒冷陰濕，屬森林草原景觀。相當於末次冰期－大理冰期。
(二)晚更世中期風積物單元(Qpeol3)
分布於內蒙古養畜牧河南岸山前庫侖旗地區和長嶺隆起以及乾安縣大布蘇湖等地。按岩性劃分為風積黃土(Qp2eol3)和風積砂土(Qpeol3)兩個單元。
1.晚更世中期風積黃土單元(Qp2eol3)
該單元集中內蒙古養畜牧河南岸山前庫侖旗地區。屬風成的馬蘭黃土。
影像特徵:在ETM圖像上，顯粉紅間綠色色彩，平原地形，深切溝谷發育，呈「V」字形(圖版1.2.31)。
岩性為淺黃色，灰黃色黃土為主，粉土為輔，粘土次之，具垂直節理，大孔隙發育，節理面上有鈣質網紋及薄膜發育，在上部有一層黑灰色古土壤層，含鈣質姜結石(圖版1.2.32)，厚度為2～30m。
據前人資料，產東北野牛、山羊、鴕鳥蛋、黃鼠、華北鼢鼠、鼬、旱獺等哺乳動物化石
據中國地震局地質研究所測定鈣質結核14C年齡，距今年齡為(38740±879)～(38740±988)a。
2.晚更新世中期風積砂土單元(Qpeol3)
主要分布在松嫩平原的中、西部地區。在雙遼、瞻榆、長嶺、通榆、乾安、洮南等地以風積物斷塊形式出露，構成橫貫中西部長嶺巨型沙壠的構造岩片。
在ETM圖像上，顯灰白、粉紅、灰褐間綠色色彩，斑點、條帶、斑塊影紋結構，粗糙感強(圖版1.2.34)。
出露於通榆縣地區的晚更新世中期風積砂土單元(Qpeol3)，岩性為土黃色細粉砂土夾灰黑色砂土層，表層發育灰黑色風砂土。屬於弧形斷隆的組成部分。
在通榆縣榆樹林06－58點發現動物骨骼(圖版1.2.33)。
2000年，吉林大學鄧金憲等在吉林西部開展生態環境地質調查時，對雙遼勃勃吐火山頂部晚更新世風砂堆積剖面作過研究，剖面各層岩性和剖面圖(圖1.2.25)如下。
圖1.2.25 雙遼勃勃吐火山頂部晚更新世風砂堆積剖面
雙遼勃勃吐火山頂部風砂堆積剖面
松遼平原第四紀地質環境與黑土退化
松遼平原第四紀地質環境與黑土退化
下伏地層:勃勃吐橄欖玄武岩
在上述剖面的②、⑨層採集熱釋光定年樣品2件，⑩層採集14C定年樣品1件，獲得3個定年數據，見表1.2.2。
表1.2.2 雙遼勃勃吐火山風砂堆積測年數據
從上表1.2.2可以看出，勃勃吐火山風砂堆積形成於距今(7.69±0.60)×104a～(1.78±0.1)×104a期間。
對勃勃吐火山風砂堆積剖面各層進行孢粉分析，共統計92塊薄片，孢粉數量僅有274粒。其中第⑩層含有193粒，占剖面孢粉總量的70%，①～⑨層僅有81粒，佔30%。可見剖面孢粉含量極為貧乏。剖面所含孢粉成分，木本花粉僅有松屬(Pinus)、榆屬(Ulmus)和榛屬(Corylus)，且僅出現於第⑤、⑥、⑨層和⑧層上部，含量也僅有8粒，草本花粉以蒿屬(Artemisia)、菊科(Compositae)、藜科(Chenopodiaceae)、豆科(Legu-minasae)、麻黃屬(Ephedra)和香蒲屬(Typha)為主，多出現於②、⑦、⑨層和⑧層上部，可見孢粉成分十分單調，①～⑨層堆積物形成於荒漠和半荒漠草原環境。第⑩層孢粉含量超過100粒(193粒)，其中木本花粉佔1.5%，草本花粉佔98.5%，屬於稀疏的森林草原景觀，氣候較溫濕。可見除⑩層土壤層形成於全新世較溫潤的氣候環境外，其他各層形成於干涼的氣候環境(圖1.2.26)。
出露於乾安縣大布蘇湖周邊地帶的晚更新世風積砂土單元(Qpeol3)，岩性為土黃褐色亞砂土，泥林地貌特徵清晰(圖版1.2.35)。
該層產披毛犀—猛獁象動物化石。地層斷代40ka。
(三)晚更新世晚期沖湖積物單元(Qp2al－l3)
在松嫩低平原、東西遼河平原廣泛分布。
分布在松嫩低平原的晚更新世晚期沖湖積物單元(Qp2al－l3)，岩性以土黃色亞砂土為主。
出露於北部林甸一帶的晚更新世晚期沖湖積單元(Qp2al－l3)，岩性為土黃色亞砂土，含鈣質成分高，可見柱狀節理(圖版1.2.36)。上部為黑鈣土，厚度約0.9～1m。該層與大興屯組相對應。
出露於嫩江西部地區晚更新世晚期沖湖積物單元(Qp2al－l3)，岩性分為上下兩個部分:下部岩性為土黃色細砂，含鈣質結核。上部岩性為亞砂土，厚度1.5～2m。頂部為黑鈣土層，厚度20cm。水平層層理發育(圖版1.2.37)。
圖1.2.26 勃勃吐火山風砂堆積剖面主要成分孢粉圖示
出露於五常地區的晚更新世晚期沖湖積物單元
(Qp2al－l3)，岩性為亞粘土、亞砂土、砂層。具體特徵見五常市建材廠取土坑上更新統剖面(圖1.2.27)。
五常市建材廠取土坑上更新統剖面
松遼平原第四紀地質環境與黑土退化
圖1.2.27 五常市建材廠取土坑上更新統剖面圖
分布在東西遼河平原晚更新世晚期沖湖積物單元(Qp2al－l3)，岩性為白色石英砂、砂層、水平層理發育，含貝殼碎片。具體見下述剖面。
科爾沁左翼中旗(科左中旗)CL07－2點晚更新世晚期沖湖積物單元(Qp2al－l3)剖面(圖1.2.28)
松遼平原第四紀地質環境與黑土退化
圖1.2.28 科左中旗CL07－2點Qp2al－l3實測剖面
在②、③層各採集光釋光測年樣品一件。經中國地震局王昌盛測定，年齡見表1.2.3。
表1.2.3 科左中旗CL07－2點沖洪積物光釋光測年結果
根據上表測年結果，同時結合該剖面的岩性特徵，充分說明晚更新世晚期松遼平原處於一個統一的古湖泊沉積環境。
內蒙古通遼市南部科爾沁沙地G0703點晚更新世晚期湖積堆積物單元(Qp2al－l3)實測剖面(圖1.2.29)
松遼平原第四紀地質環境與黑土退化
松遼平原第四紀地質環境與黑土退化
圖1.2.29 科爾沁沙地G0703點實測剖面
該剖面層，為灰白色細砂、砂，呈渾圓狀，分選好，厚層，埋深約6m，剖面未見底。據鑽孔資料而知，該沉積物厚從幾米至數十米，其中含有大量的貝殼，有的貝殼直徑可達十幾厘米。化學分析表明，沉積物主要為石英，含量高達88%，還含少量的粘土、鉀長石和斜長石。據此，認為該層沉積物為湖相沉積。
該剖面①層埋深4.5～6.0m。為砂質沉積，具有水平層理。沉積物分選好，顆粒均勻，以石英為主，達78%，含少量的粘土、鉀長石和斜長石及極少量的白雲石。粒度組成:粒徑>1mm佔0.25%，粒徑為1～0.5mm佔20%，粒徑為0.5～0.25mm佔34.05%，粒徑為0.25～0.125mm佔32%，粒徑為0.125～0.07mm佔4.6%，粒徑為<0.07mm佔9.1%。在極細砂中暗色礦物散見(為角閃石等)，多打磨成黑豆狀或橄欖球狀。
該砂粒經淘洗，篩選，在細砂極(直徑為0.25～0.125mm)，石英成分最高，雜質成分較少，可做一般工業原料。只發現了2粒貝殼碎片(分別為3mm×2mm，2mm×1.7mm)，貝殼薄、脆，色白，可能為淡水貝類碎片。根據沉積物特徵，得出砂樣為風成砂成因，經反復打磨使磨圓度達佳至極佳，砂粒被流水帶至聚水區，水中CaCO3經蒸發濃縮，沉積時膠結鬆散砂粒，使之成不定形團粒，CaCO3本身潔白，純凈少泥質。
該剖面②層，埋深4.5～2.5m。沉積物為灰、深灰色細砂，顏色較下層沉積物深。沉積物以石英為主，含量高達76.4%，含少量的粘土、鉀長石和斜長石及極少量的方解石。該層沉積物有一定硬度，中厚層狀水平層理。孢粉分析表明:該層孢粉以木本植物為主，佔87.8%，其中又以松屬和樺屬為主，分別佔53.9%和20.8%;草本植物僅佔9.6%，以蒿屬、藜科為主;蕨類植物中的水龍骨孢子佔1.7%。孢粉組合特徵說明該時期氣候溫和較濕。根據沉積物特徵，當時為湖相沉積。
該剖面③層，埋深1.5～2.5m。沉積物為土黃色的粉砂，以石英為主，含量高達72.6%，含少量的粘土、鉀長石和斜長石及極少量的方解石。透鏡狀，局部尖滅，具有一定斜層理。在埋深2.5處的OSL年齡為(16.6±1.8)ka，屬於晚更新世。孢粉分析表明:該段孢粉以木本植物為主，佔94.3%，其中以松屬、樺屬為主，分別為63.4%和21.1%;草本植物佔4%;蕨類植物佔2.7%。沉積特徵表明，該時期湖泊開始萎縮，湖水水位變淺，周圍的河流或是季節性面流影響該區沉積，出現斜層理。
該剖面④層，埋深0.3～1.5m。層厚約1.2m，沉積物為粉砂，深灰色，以石英為主，含量達69.7%，少量的粘土、鉀長石、斜長石和白雲石。具有弱的水平層理和斜層理。在該層發現了人骨、石器和瓦片等。孢粉分析表明:該段仍以木本植物為主，佔91.9%，松屬(51.4%)和樺屬(25.7%)為主要種屬;草本植物僅佔5.4%;蕨類植物為2.7%。該段沉積特徵顯示，湖泊水位下降，並逐漸向湖沼環境轉變，河流等對其影響明顯。根據該層出現的人骨、石器和瓦片判斷，該時期有古人類活動。從人類化石14C測年(3080±80)a、(3100±80)a(1∶25萬四平幅區域地質調查報告)來看，大致相當於「紅山文化」時期的人類遺址。
該剖面⑤層埋深0.3～0m。下部具有斜層理，為現代風沙沉積。
綜上所述，科爾沁地區，自晚更新世晚期以來經歷了由湖泊環境→湖澤環境→沙漠環境的演變過程。距今(16.6±1.8)ka時期，本區湖泊面積開始縮小，水位開始下降。到距今(3080±80)a時，湖泊基本消亡;到晚全新世，該區已經被現代風沙所覆蓋。
分布於下遼河平原晚更新世晚期湖沼堆積物單元，岩性為粘土質粉砂、淤泥質粉砂、淤泥層。
沈陽道義屯晚更新世晚期湖沼沉積物剖面(圖1.2.30)
上覆地層:全新統
松遼平原第四紀地質環境與黑土退化
圖1.2.30 沈陽道義屯晚更新世湖沼沉積物剖面
在剖面①～⑤層中各採集1件14C樣品，經中國地震局地質研究所尹金輝等測定，測年數據見表1.2.4。
表1.2.4 沈陽道義屯Q0702點剖面14C測年結果
該剖面①層，埋深6.2～5.7m。14C年齡為14363～14895a(CalBP)，屬晚更新世。沉積物為黑色、灰黑色含泥炭薄層的淤泥，水平層理。可見3～4層水平泥炭層，與淤泥呈互層狀。沉積物特徵表明，此時本區為湖相沉積環境。孢子花粉分析表明:喬木植物花粉佔76.5%，其中松屬為61.4%，鐵杉為7.6%，冷杉為5.3%，樺屬為1.5%;草本植物僅佔9.8%，見到的種類有蒿屬2.3%、榛屬0.7%、藜科0.7%和菊科0.7%;蕨類植物佔13.7%，有水龍骨屬(科)10.6%、卷柏屬2.3%、海金沙屬和0.7%。
該剖面②層，埋深5.7～5.2m。14C年齡為19600～19668a(CalBP)、19794～20095a(CalBP)兩個年齡區間，屬晚更新世。沉積物為黃褐色的粉砂與淤泥互層，具水平層理，含有藍色鐵質析出物。沉積物特徵表明，當時本區湖泊面積變小，湖水深度變淺。孢粉分析表明:喬木植物花粉佔38.5%，其中松屬為13.5%，鐵杉為13.5%，冷杉為9.6%，樺屬為9.6%，榿木屬為1.9%，鐵杉屬為1.9%，胡桃屬為1.9%;草本植物佔25%，見到的種類有蒿屬9.6%，藜科3.9%，麻黃屬1.9%，杜鵑屬1.9%，莎草科3.9%，禾本科1.9%和狐尾藻屬1.9%;蕨類植物高達36.5%，有水龍骨屬(科)23%，卷柏屬7.7%，鳳尾蕨屬1.9%，海金沙屬1.9%和真蕨綱1.9%。孢粉組合特徵說明，該層孢粉與其下部地層相比，草本和蕨類植物含量增加，木本植物減少。
該剖面③層，埋深5.2～4.8m。14C年齡為17138～17850a(CalBP)，屬晚更新世。沉積物為淤泥質粉砂，含有粉砂質淤泥薄層，具有水平層理。沉積物特徵說明，本區當時仍為湖泊環境，但是湖水水位較淺。孢粉分析結果表明:木本植物佔81.6%，其中松屬為48.2%，鐵杉為0.9%，冷杉為2.6%，樺屬為21.9%，榿木屬為1.8%，胡桃屬為2.6%，榆屬為1.8%，椴屬為1.8%;草本植物僅佔10.5%，見到的種類有蒿屬2.6%，藜科1.8%，菊科0.9%，麻黃屬1.8%，蓼地屬0.9%，莎草科0.9%和禾本科1.8%;蕨類植物佔7.9%，有水龍骨屬(科)4.4%，卷柏屬0.9%，真蕨綱2.6%。
該剖面④層，埋深4.8～4.4m。14C年齡為14358～14935a(CalBP)，屬晚更新世。沉積物為黃褐色粘土質粉砂，層理不明顯，含鐵管，長2～10cm。沉積物特徵說明，當時為湖沼環境。木本植物佔86.6%，其中松屬佔49.6%，樺屬佔25.8%，這兩種為優勢組合，還有少量的冷杉、鐵杉、榿木屬、胡桃屬、榆屬、櫟屬、木犀屬和椴屬;草本植物僅佔11%，以蒿屬(3.9%)、藜科(2.4%)為主;蕨類植物含量很低，為2.4%。
該剖面⑤層，埋深4.4～3.8m。14C年齡為13154～13329a(CalBP)，屬晚更新世。沉積物為灰色粉砂質粘土層，含鐵管，長2～8cm。沉積物特徵說明，本區當時仍為湖沼環境。木本植物佔83.9%，其中松屬高達60.7%，樺屬佔16.1%，這兩種為優勢組合，還有少量的胡桃屬和椴屬;草本植物僅佔10.7%，其中蒿屬佔3.6%，榛屬、藜科、杜鵑屬和禾本科所佔比例均為1.8%;蕨類植物為5.4%。
該剖面⑥層埋深3.8～3.4m。沉積物為褐、淺灰、黑色的斑雜狀、含炭質碎塊的粉砂，無層理。含鐵管，含量為1%～5%。沉積物特徵說明，本區當時為沼澤環境。木本植物佔82.1%，其中松屬高達51.2%，樺屬佔19%，這兩種為優勢組合，還有少量的榿木屬、冷杉、柳屬和椴屬;草本植物僅佔14.3%，其中蒿屬佔5.9%，藜科佔2.4%，榛屬、菊科、紫萁屬、莎草科和禾本科所佔比例均為1.2%;蕨類植物為3.6%，水龍骨科(屬)佔2.4%，卷柏屬佔1.2%。
該剖面⑦層埋深3.4～2.6m。沉積物為土黃色細粉砂薄層，紋層厚1～2mm。含鐵管，直徑0.2～1mm，長3～5cm，含量為0.5%～1%。沉積物特徵說明，當時本區又向湖沼環境演變。孢粉分析表明，該段以木本植物為主，含量為77%，其中以松屬(56.7%)和樺屬(6.7%)為優勢組合;草本植物花粉含量為13%;蕨類植物孢子含量為10%。
該剖面⑧層，埋深2.6～1.4m。沉積物為灰褐色古土壤層，可見垂直節理，表明當時湖泊已經完全消亡。喬木花粉佔68.8%，其中，松屬為53.3%，樺屬為8.6%，冷杉為5.7%，本層中還出現了少量的胡桃屬;草本植物和灌木植物花粉佔26.7%，以蒿屬(13.2%)、藜科(4.7%)為主。
該剖面⑨層埋深1.4～0m。沉積物為現代土壤層。綜上所述，Q0702剖面揭示了自晚更新世以來，本區經歷了由湖泊環境→湖沼環境→沼澤環境→湖沼環境→現代土壤層的演變過程。
分析認為，該剖面沉積時期植被以針葉裸子植物松為主，含一定量樺等闊葉被子植物，屬於針葉林或闊葉混雜林，古氣候溫和輕濕或輕潤。
距今19600～19668a(CalBP)19794～20095a(CalBP)時，本區為沖湖積堆積物發育時期。之後，湖泛面開始縮小，水位開始下降。中全新世之後，湖泊基本消亡，該區大面積隆起。
廣泛分布於東西遼河平原地區的白色石英砂層，屬於埋藏單元，其上與晚更新世湖積砂層直接接觸，根據其他剖面調查結果，首此將其形成時代釐定為晚更新世晚期。
該單元岩性為細粒石英砂，厚度幾十米。顆粒均勻，分選性好，可作為製作玻璃的原料。
在雙遼玻璃廠采坑，岩性為黃褐色、白色細砂。主要礦物成分為石英，含量約佔90%，長石和暗色礦物少量，約佔10%。水平層理發育(圖版1.2.38)。上覆灰黑色粉砂土，見貝殼化石碎片。
從區內晚更新世剖面的岩性特徵、孢粉組合反映的古氣候環境可見，晚更新世晚期，即距今約(19.4±2.0)ka至(16.6±1.8)ka，松遼平原仍然存在古大湖環境，沉積一套石英砂和砂層。這一結論不但突破了前人認定松遼平原晚更新世無古湖的看法，同時湖積石英砂和砂層為後期科爾沁沙地和區內沙化形成與發展提供了物質來源。
(四)晚更新世晚期沖積物單元(Qpal3)
主要分布在松花江、嫩江及其支流兩岸的階地中，以及下遼河地區。
出露於烏裕河、通肯河、呼蘭河等河流兩岸的晚更新世晚期沖積物單元(Qpal3)，岩性為黃褐色、灰黃色、灰綠色、灰黑色黃土狀亞砂土，亞粘土，淤泥質亞粘土、中細砂、含礫中砂、砂礫石層。基本屬於伴隨晚更新世晚期沖湖積環境同時發生於湖泊周邊地區的河流沖積作用的結果。
按岩性和礦物組合可分上、中、下三層。
下層 米黃色中細砂，含礫中砂，砂礫石層，厚度5～10m。重礦物為角閃石、磁鐵礦、綠簾石組合，其中角閃石占總量50%，綠簾石約佔20%，余為磁鐵礦，風化系數為0.4，表明古氣候偏乾冷。
本層孢粉面貌以蕨類水龍骨占優勢45%～93%，次為草本植物，尚有少量樺、松，組成稀樹－草原荒漠－草原景觀，古氣候偏濕冷，與重礦物組合所反映的古氣候特徵相吻合。
本層測年，頂界據熱釋光測年為(52.8±2.7)ka，底界為70ka。
中層 岩性為灰黑色，綠黑色淤泥質亞粘土，亞砂土，淤泥質細砂層，厚2～6m。
重礦物為角閃石，磁鐵礦組合，角閃石含量低於40%，穩定礦物的磁鐵礦、石英、純鐵礦，含量增加，風化系數增大，大約為0.8～1.0。與下層相比古氣候明顯轉暖。
本層測年據熱釋光與14С測年，底界距今53.8ka，頂界年齡距今約23ka。
上層 岩性為土黃色，灰黃色，黃土狀亞砂土、亞粘土層，含鈣質結核。厚1～5m。
重礦物分析資料，非穩定礦物角閃石占總量的43%，綠簾石佔20%，余為磁鐵礦。風化系數為0.4。
本層大多數地區孢粉貧乏，或以蒿藜為主，組成荒漠草原或稀樹－草原。
本層頂界年齡距今11.0ka。
出露於富拉爾基地區的晚更新世晚期沖積物單元(Qpal3)，岩性為砂礫石層夾中粒砂層透鏡體(圖版1.2.39)。頂部覆蓋厚度約10～40cm的晚更新世亞砂土層。礫石成分復雜，呈次圓狀，粒徑一般0.5～2cm。
分布於下遼河流域中部平原地區的晚更新世晚期沖積物單元(Qpal3)，僅見於鑽孔中。
岩性為灰、灰白、淺黃綠、深灰色的中粗砂含礫、細砂含礫、細粉砂及細粉砂夾粘性土薄層。北部粗，層次單一;南部細，層次多。層中含礫。粘性土薄層中含有石英和花崗岩的小礫石。位於邊緣地區有黃土狀亞粘土夾砂或砂礫石透鏡體。該層下部含水層為砂礫石層。厚度為30～40m。
(五)晚更新世晚期坡洪積物單元(Qpspl3)
分布在下遼河地區的東、西部山前傾斜平原和北部丘陵地區斜坡地帶和西遼河地區山間河谷兩側斜坡地帶或丘陵的周邊。
出露於下遼河地區晚更新世晚期坡洪積物單元(Qpspl3)，岩性為含礫亞粘土及砂礫石、亞砂土、細砂，含礫中粗砂、砂礫石層，以黃色為主(圖版1.2.40)。礫徑0.2～1.0cm、0.5～3.0cm，最大5～7cm。總厚度為15～40m。
出露於西遼河地區晚更新世晚期坡洪積物單元(Qpspl3)，岩性以黃色、黃褐色黃土狀土，內含礫石或砂礫石透鏡體，結構較鬆散，具不發育的垂直節理及大孔隙，有鈣質網紋和鈣質斑點，厚5～30m。產大角鹿、王氏水牛、野牛、猛獁象、羚羊、草原鼢鼠、黃鼠等化石。
(六)晚更新世晚期沖洪積物單元(Qppal3)
廣泛分布於西拉木倫河、大凌河、氂牛河、老哈河、教來河、葦塘河等河流兩側，多構成階地。
岩性以淺灰、黑灰、灰色亞粘土、亞砂土為主，結構鬆散。其下部為中粗砂、粉細砂含礫、砂礫石層。水平層理時而見交錯層理，產馬、鹿等哺乳動物化石。厚度為10～30m。
(七)晚更新世晚期海積物單元(Qpml3)
分布在下遼河平原之濱海平原地區的水源鄉先鋒大隊及以南的廣大地區。為埋藏單元，僅見於鑽孔中。
岩性為灰黑、灰白色粘性土類粉細砂、中細砂層。含有大量有孔蟲:縫裂希望蟲、背凸卷轉蟲、丸橋卷轉蟲、卷轉蟲諸種、球寶卷轉蟲;海相介形蟲主要有薩泥介未定種，有殼變形蟲主要有刺盒蟲未定種。此次屬下遼河第二次海侵，稱先鋒海侵。
(八)晚更新世冰水堆積單元(QPfgl3)
區內晚更新世冰水堆積大片出露於大興安嶺東坡洮兒河、綽爾河下游，組成著名的洮兒河冰水沖積扇。
岩性由冰水堆積礫石層、砂礫石層和砂層組成。鬆散透水，含水，具有水平層理和透鏡狀層理，礫石磨圓差別大，圓狀、次圓狀和次稜角狀均可見，礫石表面見有壓坑、壓彎、三角面和擦痕等。礫石成分較為復雜，酸性火山岩、花崗岩、脈石英、蛋白石、花崗片麻岩等居多，厚度由扇頂－扇中－扇緣有由薄－厚－薄的變化。采砂坑所見最大厚度20餘米。
在ETM圖像上，顯褐色色彩，醒目的扇狀堆積地貌特徵。由於扇的形態和輪廓十分完整，很容易將其作為一個地層單元圈劃出來。
❽ 吸血鬼騎士第一、二季 片頭片尾曲的日語歌詞和中文翻譯的歌詞，要一句一句對應哦
日語不會打
第二季片頭，時光如不斷延伸的光線緩緩流逝，人們在滿足動搖後重生，你的笑容溫暖融化我的心，彷彿那似曾相識的夢。夕陽西墜，你身影模糊。兩人的影子卻慢慢重疊，正如那無限遙遠而深沉相交的命運，歷經無數次獲取與失去，直到我們相遇，天空希冀大地花兒企盼雨露，黑夜等待著黎明，而我們如此渴望著兩人靈魂的交織，白玫瑰的花瓣片片凋零，兩個人的愛不朽。
片尾，慘淡白雲，緩緩飄過，灰色的我，只是靜靜看它，漸漸遠去，在集眾星所造的沙之城堡中，我那小小的祈願，凋零墜落，消失於腳下暗藏波濤中。
❾ QQ音樂里【玻璃般的虛榮（水樹奈奈）】有兩個版本的，哪位能把這兩個版的羅馬音譯給我啊 都要~~
[ti:ガラスの華]
[ar:緒方理奈 (CV: 水樹奈々) ]
[al:TVアニメ「WHITE ALBUM」キャラクターソング 2 緒方理奈]
[by:xiao_9]
[00:00.53]ガラスの華
[00:01.71]緒方理奈 (CV: 水樹奈々)
[00:03.01]作詞：有里泉美
[00:04.62]作曲：藤間仁
[00:06.05]編曲：藤間仁
[00:07.55]
[00:09.06]WHITE ALBUM イメージソング
[00:10.56]
[00:17.51]友達にはもう戻れない
[00:23.11]魅かれてく 一秒ごと そっと
[00:29.34]陽差しの中のあなたは そう
[00:34.87]夢を運ぶ 風みたい
[00:40.13]
[00:41.62]ふと合った視線 思わず逸らして
[00:47.62]鼓動早くなる
[00:52.19]
[00:52.75]その胸に 私は居ますか…?
[00:59.09]聞きたい…聞けないの
[01:04.97]ガラスのような強がりより
[01:10.82]抱きたいよ、勇気を
[01:16.29]
[01:16.78]友達にはもう戻れない
[01:22.35]戀人になれなくても
[01:29.36]
[01:40.60]昨日の夕暮れに偶然
[01:46.01]二人きり歩いた並木道
[01:52.35]觸れそうなほど そばに居たのが
[01:57.88]噓みたいよ
[01:59.76]今日は遠いね…
[02:03.46]
[02:04.43]ねえ、誰にでも 優しくしないで
[02:10.49]涙、滲んでく…
[02:15.17]
[02:15.71]あなただけ いつも見つめてる
[02:21.93]言いたい…言えないの
[02:27.82]どんな笑顏 差し出したら
[02:33.72]この想い葉うの…?
[02:40.51]
[03:00.03]その胸に私は居ますか…?
[03:06.33]聞きたい…聞けないの
[03:12.23]ガラスのような華で染まった
[03:18.16]心を受け止めて
[03:23.41]
[03:24.25]友達にはもう戻れない
[03:29.69]戀人になれなくても
[03:37.05]
[04:02.16]LRC BY xiao_9
[04:04.45]「千千の日の音歌のフレーズ」
[04:06.01]専門の製作，品質先に
[04:07.64]
❿ 國家明令嚴禁使用的淘汰材料
附件3：限制、淘汰禁止的產品目錄
一、電子信息
（一）限制類
1．衛星電視接收機及關鍵件（高頻頭、天線等）
2．國家特殊規定的移動通信系統及終端（國家定點）
3．單、雙面印刷電路板
4．鎘鎳電池
（二）淘汰禁止類
1．含汞電池
二、機械
（一）限制類
1．3立方米及以下小礦車
2．礦岩破碎機
3．礦磨機
4．單缸柴油機
5．普通工業鍋爐
6．普通機床（數控機床除外）
7．電加工機床（含電火花和線切割機床等）製造項目（數控機床除外）
8．6300千牛及以下普通機械壓力機製造項目（數控壓力機除外）
9．鍛錘
10．普通板材加工設備製造項目
11．普通刃具製造項目
12．棕鋼玉、綠碳化硅、黑碳化硅等燒潔塊及磨料
13．直徑400毫米及以下各種結合劑砂輪
14．直徑400毫米及以下人造金剛石切割鋸片
15．普通通用軸承
16．普通電梯
17．普通叉車
18．普通電焊條
19．8.8級以下普通低檔標准緊固件
20．100立方米及以下活塞式動力壓縮機
21．起重機械
22．氣瓶
23．20立方米以下螺桿壓縮機
24．普通類水系統中低壓碳鋼閥門
25．普通運輸集裝干箱
26．民用普通電度表
27．12.5萬千瓦及以下常規燃煤火力發電設備（綜合利用機組除外）
28．10~35KV樹脂絕緣乾式變壓器
29．S9-30~1600/10配電變壓器
30．高、中、低壓開關櫃
31．B級聚酯漆包線
32．天然丁苯橡皮絕緣電力電纜
33．鑿岩機
34．2臂以下鑿岩台車
35．裝岩機（立爪裝岩機除外）
36．直徑2.5米及以下絞車
37．直徑3.5米及以下礦井提升機
38．40平方米及以下篩分機
39．直徑700毫米及以下旋流器
40．選礦、選煤設備製造
41．800千瓦及以下採煤機
42．斗容3.5立方米以下礦用挖掘機
43．礦用攪拌、濃縮、過濾設備（真空、加壓式）
44．農用運輸車
45．50馬力及以下拖拉機
46．電線、電纜（特種電纜及500千伏及以上超高壓電纜除外）
47．電梯製造
48．輪式裝載機製造
49．40噸及以下液壓挖掘機製造
50．56英寸及以下單級開泵
（二）淘汰禁止類
1．B型、BA型單級單吸懸臂式離心泵系列
2．F型單級單吸耐腐蝕泵系列
3．GC型低壓鍋爐給水泵
4．3W-0.9/7（環狀閥）空氣壓縮機
5．CA630普通車床
6．Q51汽車起重機
7．TD60、D62、D72型固定帶式輸送機
8．A571單梁起重機
9．鍋爐給水泵:DG270-140、DG500-140、DG375-185
10．高壓離心通風機:8-18系列、9-27系列
11．J31-250機械壓力機
12．T100.、T100A推土機
13．ZP-Ⅱ、ZP-Ⅲ乾式噴槳機
14．WP-3挖掘機
15．0.35立方米以下的氣動抓岩機
16．礦用鋼絲繩沖擊式鑽機
17．OY-40石油鑽機
18．18平方米燒結機
19．直徑1.98米水煤氣發生爐
20．1200疊板軋機（二輥周期式四機架）
21．橫列式線材軋機
22．CER膜盒系列
23．熱電偶（分度號LL-2、LB-3、EU-2、EA-2、CK）
24．熱電阻（分度號BA、BA2、G）
25．DDZ-1型電動單元組合儀表
26．GGP-01A型皮帶秤
27．BLR-31型稱重感測器
28．WFT-081輻射感溫器
29．WDH-IE、WDH-2E光電溫度計
30．BC系列單波紋管差壓度
31．LCH-511、YCH-211、LCH-311、YCH-311、LCH-211、YCH-511型環稱式差壓計
32．EWC-01A型長圖電子電位差計
33．PY5型數字溫度計
34．XQWA型條形自動平衡指示儀
35．ZL3型X-Y記錄儀
36．DBU-521、DBU-51C型液位變送器
37．JDO2、JDO3系列變極、多速三相非同步電機
38．JD型長軸深井泵
39．KD0N-3200/3200型蓄冷器全低壓流程空分設備
40．KDON-1500/1500型蓄冷器（管式）全低壓流程空分設備
41．KDON-1500/1500型管板式全低壓流程空分設備
42．X920鍵槽銑床
43．B665．B665A、B665-1牛頭刨床
44．D6165電火花成型機床
45．D6185電火花成型機床
46．D5540電脈沖機床
47．J53-400雙盤摩擦壓力機
48．J53-630雙盤摩擦壓力機
49．J53-1000雙盤摩擦壓力機
50．Q11-1.6×1600剪板機
51．3噸直流架線式井下礦用電機車
52．4146柴油機
53．SX系列箱式電阻爐
54．熱動力式疏水閥：S15H-16、S19-16、S19-16C、S49H-16、S49-16C、S19H-40、S49H-40、S19H-64、S49H-64
55．0.4-0.7噸/時立式水管固定爐排鍋爐（雙層固定爐排鍋爐）
56．動力用往復式空氣壓縮機:1-10/8、1-10/7型
57．X52．X62W320×150升降台銑床
58．化油器類轎車及5座客車（指生產與銷售）
59．以未安裝燃油量限制器的單缸柴油機為動力裝置的農用運輸車（指生產與銷售）
60．E135二沖程中速柴油機（包括2．4．6缸三種機型）
61．TY1100型單缸立式水冷直噴式柴油機
62．165單缸卧式蒸發水冷預燃室柴油機
63．單相電度表：DD1、DD5、DD5-2、DD5-6、DD9、DD10、DD12、DD14、DD15、DD17、DD20、DD28
64．J02、J03系列小型非同步電機
65．單相容量5萬千瓦及以下常規小火電機組
66．S7-30~1600/10、SL7-30~1600/10配電變壓器
67．DZ10系列塑殼斷路器
68．DW10系列框架斷路器
69．CJ8系列交流接觸器
70．DS3-10．DS3-30．DS3-50（1000、3000、5000A）快速斷路器
71．DS10-10、DS10-20、DS10-30（1000、2000、3000A）快速斷路器
72．QC8、QC10、QC12系列起動器
73．JR0、JR9、JR14、JR15、JR16-A、B、C、D系列熱繼電器
74．HD6、HD3-100、HD3-200、HD3-400（600、1000、1500）刀開關
75．PB2、PB3、PB4型礦用防火爆高壓開關
76．黑銅桿
77．油性漆包線
78．硬銅絞線
79．電動機驅動旋轉直流弧焊機全系列
80．BX1-135、BX2-500交流弧焊機
81．AX1-500、AP-1000直流弧焊電動發電機
82．SX系列箱式電阻爐
83．GGW系列中頻無芯感應熔煉爐
84．天然丁苯橡皮絕緣控制電纜
85．天然丁苯橡皮絕緣橡套電纜
86．天然丁苯橡皮絕緣船用電纜
87．橡皮絕緣編織塗瀝青電線
88．粘性油浸紙絕緣電力電纜
三、石油和化工
（一）限制類
1．電石生產裝置
2．新建年產0.5萬噸以下氧化鐵紅
3．新建年產0.5萬噸以下電解二氧化錳
4．年產10萬噸以下硫鐵礦制酸
5．新建硫酸法鈦白粉
6．新建年產10萬噸以下聚酯
7．新建年產22.5萬噸以下PTA
8．新建年產10萬噸以下己內醯胺
9．汽車斜交輪胎
10．手推車胎
11．高毒農葯原葯（甲胺磷、氧化樂果、滅多威、克百威、敵鼠鈉等）
（二）淘汰禁止類
1．100萬噸/年及以下小煉油
2．質量低劣、安全環保未達到國家標準的成品油生產
3．1萬噸/年以下干法造粒炭黑
4．年產4萬噸以下硫鐵礦制酸
5．年產1萬噸以下電石
6．石墨陽極隔膜法燒鹼
7．年產1000噸以下黃磷
8．四氯化碳、氟化烴、三氯乙烷、甲基溴生產及工藝裝置
9．50萬條/年及以下斜交輪胎
10．農葯手工包（灌）裝設備
四、紡織服裝
（一）限制類
1．74型染整生產線
2．有梭布
3．甲醛、致癌致敏偶氮類印染織物
（二）淘汰禁止類
1．單線能力2萬噸/年以下粘膠纖維
2．用含氯有機載體進行分散染料的載體法染色的產品
五、輕工
（一）食品飲料
限制類
1．新建製糖生產線
2．糖精等合成甜味劑生產線
3．新建白酒生產線
4．酒精生產線（燃料酒精除外）
5．二片鋁制易拉罐項目
6．按傳統工藝、技術新建味精生產線
7．新建年產量2萬噸以下的玻璃瓶罐生產線
8．新建鹽場（廠、礦）的項目
9．年產啤酒5萬噸以下的新建項目（特色品種除外）
10．100瓶/分（600MP）以下的塑料瓶飲料罐裝線
11．200桶/時以下的大桶飲用水罐裝線，濃縮果汁生產線
12．日加工100噸以下鮮乳的乳粉生產項目，日加工50噸以下鮮乳的液體乳加工項目
13．限制新建一般油廠
14．新建檸檬酸生產線
淘汰禁止類
1．年生產能力5萬噸及以下的真空制鹽、湖鹽和北方海鹽的生產裝置
2．利用礦鹽鹵水、油氣田水且採用平鍋、灘曬制鹽的生產裝置
3．年生產能力1萬噸及以下的南方海鹽生產裝置
4．禁止100瓶/分以下的玻璃瓶碳酸飲料罐裝線
5．禁止用再生的廢舊塑料生產飲料罐裝用瓶和桶
6．淘汰、禁止小規模、低水平的罐頭生產線
7．淘汰、禁止生產條件差、產品質量安全無保證的烘烤企業
8．淘汰、禁止生產環境惡劣、衛生和質量低的調味品企業
9．淘汰小型分散、質量無保證、資源利用差的油廠
（二）家電
限制類
1．生產不符合國家《家用電冰箱耗電量限定值及能源效率等級》標準的冷藏箱、冷凍箱、冷藏冷凍箱（電冰箱、冷櫃）新建項目
2．生產不符合國家《電動洗衣機耗電量限定值及能源效率等級》標準的洗衣機新建項目
3．生產不符合國家《房間空氣調節器能效限定值及能源效率等級》標準的空調器新建項目
淘汰禁止類
1．以氯氟烴（CFCS）為發泡劑或製冷劑的冰箱、冰櫃、汽車空調器、工業商業用冷藏、製冷設備生產線（根據國家履行國際公約總體計劃要求進行淘汰）
2．採用CFC物質做發泡劑或製冷劑的電冰箱、電熱水器、消毒碗櫃產品
3．不符合國家環保政策和能耗標準的家電產品
（三）塑料
限制類
1．聚氯乙烯普通人造革生產線
2．超薄型（厚度低於0.015毫米）塑料袋生產線
淘汰禁止類
1．以氯氟烴（CFCS）為發泡劑的聚氨酯泡沫塑料產品、聚乙烯、聚苯乙烯擠出泡沫塑料生產工藝（根據國家履行國際公約總體計劃要求進行淘汰）
（四）照明電器
限制類
1．生產速度低於1500隻/小時的單螺旋燈絲的白熾燈生產線
（五）香料香精化妝品洗滌用品
限制類
1．新建牙膏生產線
（六）造紙及紙製品
淘汰禁止類
1．淘汰年產3.4萬噸以下化學制漿生產線
（七）皮革
淘汰禁止類
1．年產30萬張牛皮（豬皮60萬張、羊皮180萬張）以下的製革項目
2．高毒性的膠粘劑和整飾劑
（八）其他
限制類
1．新建自行車生產線
2．糊式鋅錳電池
3．開口式普通鉛酸蓄電池
4．新建工業平縫機系列生產線
5．新建工業包縫機系列生產線
6．電子計價稱項目（准確度低於最大稱量的1/3000，稱量≤15千克）
7．電子汽車衡項目（准確度低於最大稱量的1/3000，稱量≤300噸）
8．電子軌道衡項目（准確度低於最大稱量的1/1000，稱量小於150噸）
9．電子皮帶稱項目（准確度低於最大稱量的5/1000）
10．電子吊稱項目（准確度低於最大稱量的1/1000，稱量小於50噸）
11．彈簧度盤稱項目（准確度低於最大稱量的1/400，稱量小於8千克）
12．合成脂肪醇項目（含羰基合成醇、齊格勒醇、不含油脂加氫醇）
13．三聚磷酸鈉生產線（包括新建、改建、擴建項目）
14．新建保溫瓶玻璃瓶膽生產線淘汰禁止類
1．生產能力300噸/年以下的油墨廠（利用高新技術、無污染的除外）
2．四氯化炭（CTC）為清潔劑的生產工藝（根據國家履行國際公約總體計劃要求進行淘汰）
3．CFC-113為清洗劑的生產工藝（根據國家履行國際公約總體計劃要求進行淘汰）
4．自行車鹽浴焊接爐
5．印鐵制罐行業中的錫焊工藝
6．火柴排梗、卸梗生產工藝
7．火柴理梗機、排梗機、卸梗機
8．沖擊式制釘機
9．打擊式金屬絲網織機
六、建材
（一）限制類
1．實心粘土磚
2．平口混凝土排水管
3．灰口鑄鐵管材管線
4．螺旋上升式鑄鐵水嘴
5．冷鍍鋅鋼管
（二）淘汰禁止類
1．使用非耐鹼玻纖或非低鹼水泥生產的玻纖增強水泥（GRC）空心條板
2．陶土坩堝拉絲玻璃纖維增強塑料（玻璃鋼）製品
3．25A空腹鋼窗
4．S-2型混凝土軌枕
5．一次用水量9升以上的便器
6．角閃石石棉（即藍石棉）
7．普通雙層玻璃塑料門窗及單腔結構型的塑料門窗
8．二次加熱復合成型工藝生產的聚乙烯丙綸復合防水卷材、棉滌玻纖網格（高鹼）復合胎、聚氯乙烯防水卷材（S型）
9．牆體或吊頂工程用菱鎂類復合板
七、醫葯
（一）限制類
1．勞動保護、三廢治理不能達到國家標準的原料葯項目
2．無新葯、新技術應用的各種劑型擴大加工能力的項目（填充液體的硬膠囊除外）
3．原料為瀕危、緊缺動植物葯材，且尚未規模化種植或養殖的產品生產能力擴大項目
4．一次性注射器、輸血器、輸液器項目
八、汽車
（一）限制類
1．三輪、低速載貨農用運輸車
2．100ML以下化油器二沖程摩托車
3．鋁輪轂
（二）淘汰禁止類
1．化油器類轎車及5座客車
2．Q51汽車起重機
3．以未安裝燃油量限制器（簡稱限油器）的單缸柴油機為動力裝置的農用運輸車
4．排放超標摩托車
5．二沖程助力車
6．帶石棉摩擦材料
7．CFC-12汽車空調
九、鋼鐵
淘汰禁止類
1．淘汰不符合國家產業政策的小鐵合金
十、有色金屬
（一）限制類
1．錫精礦生產
2．鎢精礦、鉬精礦生產
（二）淘汰禁止類
1．淘汰銅線坯
附件4：重點攻關或推廣應用的行業關鍵技術
電子信息行業：重點發展第三代移動通信系統及終端技術、下一代網路（NGN）及終端技術、全光網通信技術、網管與軟體（網路與運營支撐系統、業務平台與系統）技術、軟體無線電技術、智能網技術、數字集群通信系統及終端技術、KU、KA、極高頻（EHF）等衛星通信用高頻段微波收發設備技術、寬頻接入技術、軟體開發環境技術、中文信息處理技術、基於LINUX的操作系統技術、嵌入式操作系統技術、網路支撐平台和中間件技術、計算機輔助技術（CAD、CAM、CATD等）、信息安全產品與系統技術、網路計算機技術、高性能數據存儲技術、計算機系統集成及外部設備技術、集成電路設計技術與生產工藝技術、新型元器件（表面貼裝元器件、光電子器件、電力電子器件、混合集成電路、高頻頻率器件、新型機電組件、多層高密度印刷電路板和柔性電路板、新型電源等）生產工藝技術、新型顯示器件（高清晰度CRT技術、彩色液晶顯示器件、等離子體顯示器件、LCOS新型顯示器件和有機發光器件）的開發與生產技術、表面貼裝技術（SMT）、高性能電子材料（高性能電子漿料、高性能電子功能陶瓷材料，高性能磁性材料，硅單晶和化合物單晶及其外延片，液晶顯示器和其它平板顯示器材料，中高檔覆銅板材料，綠色電池的電極材料、無鉛焊料）的生產技術、高清晰度電視機（HDTV）技術、數字音頻技術、高密度數字激光視盤系統及播放機關鍵件（含機芯、伺服系統、光頭）專門技術、數字錄放像技術、家庭信息網路平台技術、汽車電子技術等。
機械行業：重點發展工業自動化控制技術、網路化信息化製造技術、精密高效加工和成形技術、激光加工技術、新型感測技術、高性能伺服電機及高精度數字化智能控制技術、電力電子技術、變頻調整技術、先進模具設計和製造技術、液壓氣動密封技術、清潔生產工藝技術、生活垃圾處理技術、污水處理技術、環境自動監測技術、水稻工廠化育秧及機械栽插技術、水稻收獲和烘乾技術、果蔬產地加工技術等。
石油和化工行業：重點發展高硫原油加氫脫硫組合技術、汽油及煤油加氫精製技術、聚乙烯和聚丙烯專用料生產技術、合成樹脂應用技術、塑料合金生產技術、高檔汽車塗料生產技術、輻射固化塗料生產技術和高固體份塗料生產技術、電子化學品生產技術、有機硅深加工產品技術、氨基酸和酶制劑生產技術、食品添加劑和飼料添加劑重點品種生產技術等。
紡織服裝行業：重點發展差別化、功能化、高性能化學纖維原料開發與生產技術；高模擬、高性能差別化纖維開發與生產技術；重大綠色環保及可降解化纖開發技術；各種方法相互融合及各種材料復合的新型非織造布生產技術；熔噴法、紡熔法及高技術含量的水刺法和針刺法非織造技術；高檔精梳針織紡紗技術、細旦錦綸、丙綸短纖紡紗技術、花式紗的紡紗技術；高檔色織布、牛仔布開發技術、輕薄型多功能針織面料加工技術、針織牛仔面料開發技術；特種天然纖維加工技術；天然纖維面料高檔化後整理技術；功能性纖維面料後整理技術；印染廠節能、節水技術，染料回收、鹼回收技術及末端深度治理技術；具有亞熱帶特色的蠶桑業技術；真絲綢非甲醛抗皺整理技術、高檔模擬產品的加工技術；紡織後加工設備及基礎配套設備的開發技術；三維人體掃描測量技術的開發應用和三維服裝技術的開發應用；羽絨羽毛成型加工及其製品的開發應用；高檔配套室內家用紡織品的設計開發技術；紡織品綠色環保技術；服裝生產快速反應系統和服裝供應鏈管理系統開發及導熱排濕性能測試技術；紡織/服裝企業生產信息監測和管理系統開發等。
輕工行業：（1）食品製造行業重點發展生物工程技術，基因工程技術；新型菌種的開發應用；噴霧乾燥、真空乾燥、冷凍乾燥技術，膜技術、超臨界萃取技術，高溫瞬時殺菌技術，高真空技術，深度冷加工技術，微膠囊技術，高效濃縮發酵技術，微波技術等。（2）家用電器製造行業重點發展變頻控制，直流變速控制，數碼變容控制，網路控制技術；製冷器具領域的冷媒流量控制技術，可回收空調器設計技術，改變系統效率的實用技術（如風路清潔技術），除塵、除菌、防霉等空氣凈化技術、優化兩瓷結構技術、應用真空絕熱材料技術、開發熱泵應用技術；電熱器具領域的節能、環保技術，微波分布與熱力控制技術。（3）造紙行業重點發展低定量、高質量、低消耗、高效率的造紙技術；採用節水、降低污染現代制漿造紙技術；造紙企業管理信息化技術。（4）陶瓷行業重點發展陶瓷原料精製技術；等靜壓成型、高壓注漿設備及配套技術；納米技術；精細化工產品在陶瓷上的應用技術；智能化、清潔無害化生產，高效節能、環境保護技術等。（5）塑料行業重點發展雙向拉伸技術、氣體輔助注塑成型技術、多層共擠出技術、微孔泡沫塑料成型技術、熱流道技術，塑料機械開發應用微電子技術等。（6）皮革行業重點發展少硫脫毛、無鹽浸酸、無鉻復鞣、高鉻吸收鞣製、加脂劑染料高吸收等清潔生產工藝技術，轉鼓群控技術等機械化、自動化生產技術，製革鞣製廢水循環技術；推廣計算機輔助設計和自動製版及自動裁剪技術等。（7）香料香精化妝品洗滌用品行業重點發展洗滌劑中的微生物表面活性劑以及油脂酶法水解技術，濃縮化技術；化妝品開發生物發酵技術、植物的細胞培養技術和脂質體技術等。
建材行業：重點發展日產熟料4000噸及以上規模的新型干法水泥，鼓勵採用優質浮法玻璃生產技術、裝備和節能、安全用平板玻璃深加工技術；高性能混凝土用外加劑的技術；大規格超薄型牆地磚生產技術和裝備技術；建築衛生陶瓷改善燃燒系統技術；低質原、燃材料的開發利用技術；散裝水泥裝備技術；水泥高效除塵環保技術；新型干法水泥和新型牆體材料等建材產品生產中消納工業廢棄物、城市垃圾和污泥等無害化與資源化關鍵技術；玻璃纖維增強塑料製品（玻璃鋼）機械化成型技術等。
醫葯行業：重點發展葯物生物工程技術及基因工程技術；現代制葯工業的分離、提取結晶和合成技術；中葯指紋圖譜等多成分定量指標控制技術在中葯質量控制中的應用；現代先進技術在中葯生產中的應用（包括超臨界二氧化碳提取、動態提取、大孔樹脂吸附、膜技術、噴霧乾燥、超微粉碎等）；微囊技術、包含物技術、滲透泵技術、脂質體技術在制劑中的應用；醫療器械智能化、數字化、光機電一體化技術，生物醫學及醫葯新材料的生產應用技術。
汽車行業：重點發展汽車安全技術（如汽車防碰撞設計技術等），汽車環保技術（如新型環保發動機設計製造技術、電動汽車、混合動力汽車的設計生產技術），汽車節能技術（如輕量化材料的研究開發應用技術、材料可循環利用技術、電子控制燃油噴射技術等），汽車防盜技術（如全球定位系統的開發與應用技術等），智能化交通管理系統開發與應用技術，汽車車身開發設計技術，客車、專用車專用底盤設計製造技術，汽車車身模具設計製造技術，摩托車電噴化技術，摩托車聯合防抱死制動技術，摩托車代用燃料應用技術，柔性加工技術，精密、快速成型技術，液壓、氣動、密封技術。
鋼鐵行業：重點發展高風溫熱風爐長壽技術、高爐富氧噴煤技術、高爐高效長壽綜合技術、直接還原技術、熔融還原技術、高爐、轉爐煤氣回收及綜合利用技術、鐵水預處理、鋼水爐外精煉、高效連鑄技術、連鑄坯熱裝熱送技術、薄板坯、薄帶坯等近終型連鑄連軋技術、冶金綜合自動化技術、控制軋制及控製冷卻系統、表面鍍鋅（鋅、鋁）、鍍錫、彩色塗層及復合技術、高強度機械用鋼生產技術、熱、冷軋不銹鋼板生產技術等。
有色金屬行業：重點發展有色礦山深部及難采礦床開采技術、多金屬共生礦綜合利用技術、難處理金礦、含金尾礦資源綜合回收技術、低品位、難處理銅礦利用技術、稀有、稀散金屬開發及綜合利用技術、高效選礦葯劑開發、超臨界蘋取技術、稀土應用技術、有色金屬復合材料、新型合金材料製造技術、高性能磁性材料製造技術、超細粉體材料、電子漿料及其製品製造技術等。