❶ 光刻機是啥
常用的光刻機是掩膜對准光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對准曝光、後烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。Photolithography（光刻） 意思是用光來製作一個圖形（工藝）；在矽片表面勻膠，然後將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時「復制」到矽片上的過程。
光刻機的作用
光刻機是晶元製造的核心設備之一，按照用途可以分為好幾種：有用於生產晶元的光刻機；有用於封裝的光刻機；還有用於LED製造領域的投影光刻機。
用於生產晶元的光刻機是中國在半導體設備製造上最大的短板，國內晶圓廠所需的高端光刻機完全依賴進口，本次廈門企業從荷蘭進口的光刻機就是用於晶元生產的設備。
工作原理
在加工晶元的過程中，光刻機通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小後映射到矽片上，然後使用化學方法顯影，得到刻在矽片上的電路圖。
一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對准曝光、後烘、顯影、硬烘、激光刻蝕等工序。經過一次光刻的晶元可以繼續塗膠、曝光。越復雜的晶元，線路圖的層數越多，也需要更精密的曝光控制過程。
性能指標
光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，解析度、對准精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。
解析度是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的解析度受受光源衍射的限制，所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。
對准精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。
曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。
曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域，光源有汞燈，準分子激光器等。
光刻機的種類
一、接觸式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形解析度相當，設備簡單。接觸式，根據施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。
1、軟接觸，就是把基片通過托盤吸附住（類似於勻膠機的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面。
2、硬接觸，是將基片通過一個氣壓（氮氣）往上頂，使之與掩膜接觸。
3、真空接觸，是在掩膜和基片中間抽氣，使之更加好的貼合。