中國自主研發設備製造多少納米

1. 現在中國最先進晶元工藝是多少納米

截止至2019年中芯國際在2019年第二季度財報會上正式宣布，14nm進入客戶風險量產，有望在今年底為公司帶來一定比例的營收，同時第二代FinFET N+1技術平台也已開始進入客戶導入。

至此，作為代表著大陸技術最先進、配套最完善、規模最大、跨國經營的晶圓代工企業，在努力提升集成電路自給率、加快國產替代的大背景下，中芯國際邁入了新的歷史階段。

中國作為晶元行業的後來者，一直在努力追趕行業最先進的製程工藝。如今14納米工藝終於迎來量產，使得中國大陸的集成電路製造技術水平與行業龍頭台積電的距離又拉近了一步，也進一步奠定了中芯國際在大陸晶圓代工領域的龍頭地位。

(1)中國自主研發設備製造多少納米擴展閱讀

從製造技術來看，製造技術方面，台積電2018年已經量產7nm工藝，2020年則會轉向5nm節點。三星7nm EUV工藝預計2020年1月份量產，5nm 預計2021年量產。英特爾的10nm(對標台積電的7nm)一再延遲，而聯電與格芯相繼宣布暫時擱置7nm製程研發，目前最先進工藝均為14nm。

大陸代工企業方面，中芯目前已可量產14nm，華力微電子的目標是在2020年量產，中芯國際顯然代表了大陸集成電路製造技術的最高水平。雖然目前業界已經技術成熟並量產的7nm工藝相比，仍然有兩代（兩～三年）左右的差距。

但實際上中芯國際14nm工藝量產的速度，已經比預設的進度提前了幾個季度。2015年中芯國際與華為、高通、比利時微電子研究中心（IMEC）合作開發14nm工藝時。

目標是於2020年實現量產，提前實現了」十三五計劃「中「加快16/14納米工藝產業化和存儲器生產線建設，提升封裝測試業技術水平和產業集中度，加緊布局後摩爾定律時代晶元相關領域」的目標。

在中國努力提升集成電路自給率、加快國產替代的大背景下，中芯國際在先進製程上取得的每一步突破，都尤為關鍵。14nm上線取得階段性成果，也標志著中芯國際的發展進入了下一個歷史使命階段。

2. 中國超級計算機自主研發有哪些晶元

首先說下PC端的國產CPU龍芯，龍芯是中國科學院計算所自主研發的通用CPU，採用簡單指令集，類似於MIPS指令集。龍芯1號的頻率為266MHz，最早在2002年開始使用。龍芯2號的頻率最高為1GHz。龍芯3A是首款國產商用4核處理器，其工作頻率為900MHz～1GHz。龍芯3A的峰值計算能力達到16GFLOPS。龍芯3B是首款國產商用8核處理器，主頻達到1GHz，支持向量運算加速，峰值計算能力達到128GFLOPS，具有很高的性能功耗比。但是，龍芯離國際知名CPU廠商因特爾、AMD還是有非常大的差距的。

再說說移動端CPU，首先是華為的海思處理器，作為全球領先ICT企業，華為從2006年開始啟動智能手機晶元的開發，2012年推出的K3V2是最早真機演示、體積最小的四核處理器，成為首顆千萬級規模的國產高端智能手機晶元。而之後推出的麒麟處理器則全面採用了SoC（System on Chip，片上系統）架構，即在單個晶元上集成中央處理器、通信模塊、音視頻解碼以及外圍電路等一個完整的系統。同時，麒麟採用當前業界領先水平的28納米HPM高性能移動工藝製程，滿足高性能和低功耗的雙重特性。而即將發布的海思麒麟950處理器，已經趕上甚至超越國際知名移動CPU品牌高通、三星exynos、NVIDIA、聯發科。

除了華為的海思麒麟，目前已經投入使用，比較知名的還有聯發科，全志A10，新岸線，瑞芯微，聯芯。其中聯發科目前在國產中低端手機中是有相當大的份額的，聯發科手機晶元主打低功耗, 所以聯發科的手機晶元更省電，而且性能也是比較出色的。

3. 晶元 晶元中國自主開發的晶元最強的是什麼型號，配置怎麼樣，另外中國晶元最高的工藝水平是多少納米

龍芯三，相當於2.0Ghz的P4

65NM；單核；4核；16核；1000億次

龍芯3號處理器採用的是65nm（納米）工藝專，主頻1GHz，晶體管數目屬4.25億個， 單顆龍芯3A的最大功耗為15W，理論峰值為16Gflops，每顆CPU單瓦特能效比1.06Gflops/W，是目前X86 CPU的2倍以上，達到了世界先進水平。龍芯3號多核CPU系列產品定位伺服器和高性能計算機應用。

4. 中國自主研發的高端產品有哪些

1、超級計算機方面：

中國自主研發同時發出交流電和直流電的發電機，大大減少了電氣設備的艦船佔用面積，為狹小的艦船節省了寶貴的空間，於2011年開始裝備國內各大艦艇。

5. 中芯國際現在最高能造己納米的晶元

據中芯國際透露，我國自主設計製造的14納米級晶元已經成功量產，其產能已經接近滿載，這意味著，我國研發的14納米級晶元成功獲得大量訂單。

眾所周知，在晶元的研發領域，中國起步較晚，綜合實力落後於美國、韓國等。近年來，國內晶元企業不斷探索、引進先進的技術和科技人才、投入大量資金等，最終傳來喜訊，中芯國際14納米級晶元成功量產。

據了解，中芯國際的14納米工藝距離全球最先進的7納米只落後兩代。國信證券認為，大陸晶元設計公司尋求大陸代工是必然趨勢。而作為大陸半導體代工龍頭，中芯國際產能充足、產線多樣。

適合眾多晶元代工需求。以14納米工藝的流片對於中芯國際是一個良好的開局，從風險量產到規模量產，目前總計已有超過十個客戶採用中芯國際的14納米工藝。

(5)中國自主研發設備製造多少納米擴展閱讀

中芯國際晶元製造工藝從28nm到14nm用了4年時間。在2019年年底才正式量產14nm晶元，中芯國際晶元製造的主要任務是提高14nm產能。5月中芯國際官方表示已經實現6000晶圓/月。為華為麒麟710A處理器代工完全可以勝任。

美國高盛公司發布信息預測中芯國際未來的技術升級路線。高盛認為中芯國際到2022年晶元製造工藝可升級到7nm，到2024年下半年工藝再次升級至5nm，2025年毛利率將提升到30%以上。

高盛作為一家知名的投資公司，得出一份投資預測報告自然不是一件難事。但在當下就中美半導體的合作情況，這樣的預測或許更讓美國再次深度向我國的科技企業施壓，設置更多的非商業性障礙。

不過話說回來，高盛的預測也存在許多不確定因素。即使中芯國際能如期實現5nm晶元的製造能力，假如其它半導體設備、材料、技術還不能擺脫美國限制或沒有有效的措施應對美國，也很難為我國的高科技企業服務。自然中芯國際的盈利能力也存在不確定性。

中芯國際是我國實現高端晶元極為重要的一環。中芯國際處在半導體產業鏈的中游，受上、下游產業鏈的影響。能不能為我國高科技企業服務，還受美國「實體名單」的影響。

中國「芯」不僅是缺少一台光刻機，也不僅是缺少中芯國際5nm晶元的製造工藝。晶元涉及的設計、材料、工藝、設備、相關技術都是缺一不可。美國也正是利用整個產業鏈的優勢地位，對我國高科技企業進行技術限制。

中芯國際作為晶元製造中最為重要的一環，在美國的影響下，能否擺脫美國的限制在於中國半導體產業生態系統的自主能力。半導體產業生態的完整性、可持續性的形成，才是企業穩健發展的關鍵。總之一句話，中國晶元是一個團隊，不是單槍匹馬。

6. 中國能夠造多少納米處理器

算上我國不可分來割的寶島自台灣，我國半導體實力不要太強哦。現在台灣的TSMC可以做20nm的製程了，是全世界第一大Fab，也是唯一有能力和Intel比拼工藝的Fab
如果只說大陸地區，中芯國際的45nm線已經量產，正在推進的32nm線還沒消息。所以，內地的處理器製程技術停留在45nm階段

7. 中國的光刻機達到了世界先進水平，但為何生產高端晶元依然困難重重

▲半導體器件工藝製程從14納米微縮到5納，等離子蝕刻步驟會增加三倍

刻蝕機是晶元製造的關鍵設備之一，曾一度是發達國家的出口管制產品。中微半導體聯合創始人倪圖強表示，中微與科林研發(Lam
Research)、應用材料(Applied Materials)、東京威力科創(Tokyo Electron
Limited）、日立全球先端科技 (Hitachi High-Technologies)
4家美日企業，組成了國際第一梯隊，為7納米晶元生產線供應刻蝕機。中微半導體如今通過台積電驗證的5納米刻蝕機，預計能獲得比7納米更大的市場份額。

中科院SP超分辨光刻機

提問者所說的中國光刻機達到世界先進水平，應該是指2018年11月29日通過驗收的，由中國科學院光電技術研究所主導、經過近七年艱苦攻關研製的「超分辨光刻裝備」項目。

該項目下研製的這台光刻機是「世界上首台分辨力最高的紫外(即22納米@365納米)超分辨光刻裝備」。這是一種表面等離子體（surfaceplasma，SP）超分辨光刻裝備。

▲中科院SP光刻機加工的樣品

然而，此次驗收合格的中科院光電技術研究所的這台表面等離子超衍射光刻機（SP光刻機）的加工精度與ASML的光刻機沒法比。沒法用於刻幾十納米級的晶元，至少以現在的技術不能。

據光電所專家稱，該所研製成功的這種SP光刻機用於晶元製造上還需要攻克一系列的技術難題，目前距離還很遙遠。也就是說中科院研製的這種光刻機不能（像一些網媒說的）用來光刻CPU。它的意義是用便宜光源實現較高的解析度，用於一些特殊製造場景，很經濟。

總之，中科院的22納米解析度光刻機跟ASML壟斷的光刻機不是一回事，說前者彎道超車，就好像說中國出了個競走名將要超越博爾特。

顯然，中科院研製成功的這台「超分辨光刻裝備」並不能說明我國在市場主流的的光刻機研製方面已經達到了世界先進水平，那麼現階段我國的光刻機的真實水平又是怎樣的呢？且看以下對比。

8. 中國能夠造多少納米處理器

小米2，28納米
這個是之前的數據，現在不知道了。
~如果回答沒能幫到你，請繼續「追問」！
~答題不易，你的追問和採納是我前進的動力！！

9. 有什麼技術是中國完全自主研發的

1、集成電路先導技術

在集成電路裝備專項實施前，國內集成電路製造最先進的量產工藝為130納米；專項實施後，我國的主流工藝水平提升了5代，其中55、40、28納米三代成套工藝已研發成功並實現量產，更先進的22、14納米先導技術也在研發上取得突破，形成了自主知識產權。

2、自動沖壓線技術

我國依託「高檔數控機床與基礎製造裝備」專項，大型汽車覆蓋件自動沖壓線等10多類設備已達到國際領先水平，完全可實現進口替代。

3、油氣開發技術

在油氣專項的技術支撐下，我國建成了全球除北美之外的第一個商業性開發頁岩氣田——重慶涪陵頁岩氣田。

4、新葯研發技術

2017年5月18日，在新葯創制重大專項的支持下，國際頂尖學術期刊《自然》在線發表了我國科學家關於胰高血糖素受體和胰高血糖樣肽—1受體的兩項最新研究成果，為治療Ⅱ型糖尿病和肥胖症的新葯研發指明了方向。

5、轉基因技術

在轉基因重大專項的支持下，我國的轉基因育種整體研發進入國際先進水平。

2008年以來，我國育成轉基因抗蟲棉新品種168個，累計推廣4.2億畝，減少農葯用量60%，增收節支470多億元，已成為擁有自主知識產權的轉基因棉花研發強國；抗蟲轉基因水稻研究國際領先，自主創新能力顯著提升，獲得專利1269項，專利總數僅次於美國、居世界第二位。

10. 中國7nm技術成功了嗎

半導體行業本身是個高科技行業，半導體行業從上游到下游，依次又有材料和設備、晶元設計、晶元製造、晶元產品封測等行業。在晶元設計行業中，國內最具代表性的晶元設計廠商當是華為旗下的海思半導體莫屬。據IC Insights之前對外公布的數據，到2017年，海思半導體的營收就已經增長到47.2億美金，在該年中的研發投入也直逼10億美金。在晶元製造（晶圓代工）行業中，在中國大陸地區排名第一的本土廠商則是中芯國際。目前，中芯國際最為先進並已投入量產的工藝是28nm工藝。預計到了2019年，中芯國際有望投產14nm工藝。不可否認的是，在晶元設計和製造兩大行業中，本土廠商與國際廠商相比仍然有些差距。在材料與設備行業中，國內本土廠商仍須奮力追趕國際領先同行。不過，中微半導體倒是一個特例。

日前，國內有不少媒體紛紛在網路上轉發或分享了一段播放時長約5分鍾的視頻內容，該段視頻來自央視。2018年3月3日晚間，據央視紀錄片《大國重器》講述：位於上海的中微半導體，已經研發出了7nm刻蝕機，這標志著中國本土廠商自主研發的晶元製造設備終於與世界最先進水平保持同步了。目前，晶元製造行業最大的代工廠商台積電已經開發出可量產的7nm製程工藝，並在業界居於領先水平。而在7nm工藝設備方面，台積電有五大設備供應商，分別是應用材料、科林研發、東京威力科創、日立先端和中微半導體。換言之，中微半導體是唯一一家來自中國大陸的半導體設備廠商，且為台積電供應7nm刻蝕機台。顯然，中微半導體自主研製的設備是深受台積電認可的。

刻蝕機不同於光刻機。光刻機是激光將掩膜版上的電路臨時復制到硅晶圓片上，刻蝕機是按光刻機在矽片上刻好的電路結構，在矽片上進行微觀雕刻，以刻出溝槽或者接觸空。中微半導體研製的7nm刻蝕機台，所採用的是等離子體刻蝕技術，台積電等晶元製造廠商利用該設備，可以在矽片上雕刻出微觀電路。

中微半導體研發的7nm刻蝕機中，有著名為氣體噴淋盤的核心部件。另有媒體這樣報道：「氣體噴淋盤是刻蝕機最重要的核心部件之一，也是7納米晶元刻蝕機中的一項關鍵技術點。它的材料選擇和設計對於刻蝕機性能指標的影響至關重要。中微和國內廠家合作，研製和優化了一整套採用等離子體增強的物理氣象沉積金屬陶瓷的方法，這種創新的方法極大地改善了材料的性能，其晶粒更為精細、緻密，缺陷幾乎為零。相比國外當前採用的噴淋盤，中國的陶瓷鍍膜噴淋盤壽命可以延長一倍，造價卻不到五分之一。」

中國本土廠商能夠研製出可與世界最先進水平同步的刻蝕機，與中微半導體的創始人尹志堯，以及該公司的技術骨幹們是分不開的。尹志堯曾經在美國應用材料（半導體設備行業中的龍頭老大）擔任過副總裁，並參與領導了幾代刻蝕機的研發工作，在美國工作期間就持有了86項專利。十三年前，當時已經60歲的尹志堯決心放棄優越的物質待遇，離開美國並回國創業。有媒體直接引用過尹志堯說過的一句話：「給外國人做嫁衣已經做了很多事情了，那我們應該給自己的祖國和人民做一些貢獻，所以就決心回來了。」

當時，跟隨尹志堯一起，從美國回到中國的，還有大約三十位資深工程師，這些工程師曾經在應用材料、科林研發等半導體設備廠商中有過二、三十年的研發和製造經驗。尹志堯等人從美國回國之際，美方要求所有的技術專家都不得把美國公司的技術如設計圖紙、工藝過程等一並帶回國內，還對這些技術專家們所持有的600萬份文件和個人電腦做了徹底清查。

尹志堯及其團隊回到國內以後，於2004年在上海創立中微半導體，並從零開始研發和製造刻蝕機等設備。2008年，中微半導體的刻蝕機進入國際市場。然而應用材料和科林研發實在難以接受中微半導體能在短短3年左右的時間里研發出高端刻蝕機的事實，先後向中微半導體提起專利訴訟，最終這兩次曠日持久的專利訴訟都以中微半導體勝訴而告終。2015年，美國商業部下屬的工業安全局特別對外發布一則公告稱，由於中國本土廠商已能夠研製出具備國際競爭力的等離子刻蝕機，決定把等離子刻蝕機從美國對中國限制的技術設備名單上去除。到了今天，中微半導體的設備產品已經遠銷歐洲、韓國、新加坡、台灣等地，且在原材料方面同樣取得了局部性的突破。

最後，引用尹志堯在央視紀錄片中的說的話：「我國正在成為集成電路晶元和微觀器件生產的大國，到2020年，在我國新的晶元生產線上的投資將會超過美國、日本和韓國等地區的投資，中國會變成一個最大的晶元生產基地。我們相信到2030年，我國的晶元和微觀器件的加工能力和規模一定能完全趕上並在不少方面超過國際先進水平。」