❶ 什麼是FIB
注: 並非用Ga+才叫FIB(In, Au.AsPd2......),只是大多數商用FIB都是用Ga,因為-?(整理好在寫). Focused(聚焦): 將離子束聚焦 Ion(離子): Ga --- Ga+ Beam(束):很多離子往同一路徑(方向)移動 ________________________________________聚焦 太陽光(光束)通過放大鏡(凸透鏡)會聚成一點就叫握芹聚焦. 同理將離段啟畢子束透過靜電旁滾透鏡(electrostatic)聚焦稱為FIB. ________________________________________離子 帶電粒子叫離子(Ion);鎵原子失去一個電子形成鎵離子(Ga+,正離子), 氯得到一個電子形成氯離子(Cl-,負離子). 商用FIB用Ga+為離子源.如右圖所示利用使用一高壓電將Ga從一針尖直接拉出(Extract). 注:離子不一定僅單一元素或單一電子變化. ________________________________________ 將以下各項結合在一起構成一部FIB: Ion Column聚焦離子槍真空系統 控制系統 (包括 Stage, 各部分協調與操控......)操作介面輔助氣體 (不同應用有不同選擇)
❷ 我們現在做了一個實驗室，需要用到聚焦離子束，（FIB）朋友推薦深圳芯開航的聚焦離子束做的可好，想問問
芯開航 人始終秉承 「生意亦有情，情始於生意，但不止於生意」運激搏 的經營理念，用熱情、誠信、實乾的服務精神，響應深圳市政府大力發展科技創新產業，深入實施創新驅動發展戰略，響應我國以舉國之力發展旁祥晶元產業的目標，努力建成為高新科技產業提供優良技鉛睜術檢測的服務平台。芯開航是你最佳的選擇。
❸ 美國FIB是什麼意思
FBI是美國聯邦調查局（Federal Bureau of Investigation）的英文縮寫。
但樓主說的是FIB！
FIB是聚焦離子束（Focused Ion beam）的英文縮寫。它是將液態金屬（Ga）離子源產生的離子束經過離子槍加速，聚焦後照射於樣品表面產生二次電判型歲子信號取得電子像。
FIB還有個解釋是轉發信息庫（Forward Information Base）。但無論是聚焦離子束還是轉發信息庫，都與某個組掘睜織無關。所以想必樓主想問的應該還是FBI，租態而非FIB~~一個字母的順序之差，意思就完全不一樣了！~~呵呵！~~
❹ 半導體FIB是什麼意思
FIB 是英文 Focused Ion Beam的縮寫，依字面翻灶基差譯為聚焦離子束。簡單的說就是將Ga(鎵)元素隱皮離子化成Ga+， 然後利用電場加速，再利用靜電透鏡(electrostatic)聚焦，將高能量(高速)的Ga+打到指定的點。基本原理與SEM類似，僅是所使用的粒子不同( e- vs. Ga +)，透鏡型式(磁透鏡 vs. 靜電透鏡)位置鋒逗不同。
❺ 聚焦離子束(FIB)技術的工作原理以及他在微納加工技術上的主要應用是什麼
聚焦離子束(FIB)技術
聚焦離子束( FIB) 技術的快速發展和實用化要歸功於液態金屬離子源的開發.
FIB系統的工作原理:
FIB 技術是利用靜電透鏡將離子束聚焦成極小尺寸的顯微切割技術,目前商用FIB 系統的粒子束是從液態金屬離子源中引出.
聚焦離子束技術在微納加工技術上的主要應用:
FIB 技術是當今微納加工和半導體集成電路製造業十分活躍的研究領域.由於它集材料刻蝕、沉積、注入、改性於一身, 有望成為高真空環境下實現器件製造全過程的主要加工手段.
目前, FIB 技術主要應用在: ① 光掩模的修補; ② 集成電路的缺陷檢測分析和修整; ③TEM 和STEM的薄片試樣制備; ④ 硬碟驅動器薄膜頭( TFH) 的製造.
同時, FIB 其他一些重要應用還在開發中,它們是: ① 掃描離子束顯微鏡(SIM); ②FIB 直接注入; ③FIB 曝光, 包括掃描曝光和投影曝光; ④多束技術和全真空聯機技術⑤FIB 微結構製造( 刻蝕、沉積) ; ⑥ FIB/SIMS( 二次離子質譜儀) 技術.
❻ 2020-02-08-2小劉科研筆記之FIB-SEM雙束系統在材料研究中的應用
聚焦離子束掃描電鏡雙束系統（FIB-SEM）是在SEM的基礎上增加了聚焦離子束鏡筒的雙束系統，同時具備微納加工和成像的功能，廣泛應用於科學研究和半導體晶元研發等多個領域。本文記錄一下FIB-SEM在材料研究中的應用。
以目前實驗室配有的FIB-SEM的型號是蔡司的Crossbeam 540為例進行如下分析，離子束最高成像解析度為3nm，電子束最高解析度為0.9nm。該系統的主要部件及功能如下：
1.離子束： 濺射（切割、拋光、刻蝕）；刻蝕最小線寬10nm，切片最薄3nm。
2.電子束 ： 成像和實時觀察
3.GIS(氣體注入系統)： 沉積和輔助刻蝕；五種氣體：Pt、W、SiO2、Au、XeF2(增強刻蝕SiO2)
4.納米機械手： 轉移樣品
5.EDS： 成分定量和分布
6.EBSD ： 微區晶向及晶粒分布
7.Loadlock（樣品預抽室）： 快速進樣，進樣時間只需~1min
由上述FIB-SEM的一個部件或多個部件聯合使用，可以實現在材料研究中的多種應用，具體應用實例如下：
圖2a和b分別是梳子形狀的CdS微米線的光學顯微鏡和掃描電鏡照片，從光學顯微鏡照片可以看出在CdS微米線節點處內部含有其他物質，但無法確定是什麼材料和內部形貌。利用FIB-SEM在節點處定點切割截面，然後對截面成像和做EDS mapping，如圖2c、d、e和f所示，可以很直觀的得到在CdS微米線的節點處內部含有Sn球。
FIB-SEM制備TEM樣品的常規步驟如圖3所示，主要有以下幾步：
1）在樣品感興趣位置沉積pt保護層
2）在感興趣區域的兩側挖大坑，得到只有約1微米厚的薄片
3）對薄片進行U-cut，將薄片底部和一側完全切斷
4）緩慢移下納米機械手，輕輕接觸薄片懸空的一端後，沉積pt將薄片和納米機械手焊接牢固，然後切斷薄片另一側，緩慢升起納米機械手即可提出薄片
5）移動樣品台和納米機械手，使薄片與銅網（放置TEM樣品用）輕輕接觸，然後沉積pt將薄片和銅網焊接牢固，將薄片和納米機械手連接的一端切斷，移開納米機械手，轉移完成
6）最後一步為減薄和清洗，先用大加速電壓離子束將薄片減薄至150nm左右，再利用低電壓離子束將其減薄至最終厚度（普通TEM樣品<100nm，高分辨TEM樣品50nm左右，球差TEM樣品<50nm）
一種如圖4a所示的MoS2場效應管，需要確定實際器件中MoS2的層數及柵極（Ag納米線）和MoS2之間的距離。利用FIB-SEM可以准確的在MoS2場效應管的溝道位置，垂直於Ag納米線方向，提出一個薄片，並對其進行減薄，制備成截面透射樣。在TEM下即可得到MoS2的層數為14層（圖4c）， Ag納米線和MoS2之間的距離為30nm（圖4b）。
圖5是一種錳酸鋰材料的STEM像，該樣品是由FIB-SEM制備，圖中可以看到清晰的原子像。這表明FIB-SEM制備的該球差透射樣非常薄並且有很少的損傷層。
FIB-SEM還可以進行微納圖形的加工。
圖6a 是FIB-SEM在Au/SiO2上制備的光柵，光柵周期為150nm，光柵開口為75nm。
圖6b 是利用FIB-SEM在Mo/石英上做的切侖科夫輻射源針尖，針尖曲率半徑為17nm。
圖6c 是在Au膜上加工的三維對稱結構蜘蛛網。
圖6d 是FIB-SEM在硅上刻蝕的賀新年圖案，圖中最小細節尺寸僅有25nm。
FIB-SEM可以對材料進行切片式的形貌和成分三維重構，揭示材料的內部三維結構。大概過程如圖7a所示， FIB切掉一定厚度的樣品，SEM拍一張照片，重復此過程，連續拍上百張照片，然後將上百張切片照片重構出三維形貌。圖7b是一種多孔材料內部3×5×2um范圍的三維重構結果，其實驗數據是利用FIB-SEM採集，三維重構是利用Avizo軟體得到，其分辯率可達納米級，展示了內部孔隙的三維空間分布，並可以計算出孔隙的半徑大小、體積及曲率等參數。
利用FIB-SEM配有的納米機械手及配合使用離子束沉積Pt，可以實現微米材料的轉移，即把某種材料從一個位置（襯底）轉移到特定位置（襯底），並固定牢固。圖8是把四針氧化鋅微米線從矽片轉移到兩電極的溝道之間，從而制備成兩個微米線間距只有1um的特殊器件。
最後，FIB-SEM還有很多其他的應用，例如三維原子探針樣品制備，晶元線路修改等。總之FIB-SEM是材料研究中一個非常重要的手段。
不積珪步，無以至千里；不積細流，無以成江海。做好每一份工作，都需要堅持不懈的學習。
❼ 集成電路設計中的fib測試是什麼意思
FIB電路修改則是利用FIB對晶元電路進行物理修改，可使晶元設計者對晶元問題處作咐橋針對性的測試，以便更快更准確的驗證設計方案。 若晶元部份區域有問題，可通過FIB對此區域隔離或改正此區域功能，以便找到問攜簡亮題的症結。FIB還能在最終產品量產之前提供部分樣片和工程片，利用這些樣片能加速終端產品的上市時間。利用FIB修改晶元可以減辯寬少不成功的設計方案修改次數，縮短研發時間和周期。
❽ fbg和fib一樣嗎
不一樣。FBG全稱為FiberBraggGrating，即為光纖布拉格光柵，即在纖芯內形成的空間相位周期性分布扒擾拿的光柵，其作用的實質就是在纖芯內形成一個窄帶的濾波器或反射鏡，而FIB是將離子源產生的離子束李肆經過離子槍加速，聚焦後作用於樣品表面，春搭兩者是完全不一樣的兩個設備。
❾ 什麼是FIB
FIB=血漿纖維蛋白原
===
FIB作為冠心病的危險因素，近年來受到越來越多的關注。目前認為它是凝血途徑的重要環節，並通過與血小板膜上受體相結合，最終導致急性期冠狀動脈血栓的形成。以往的研究雖已經發現，FIB作用的關鍵環節之一是與活化的血小板相互作用，但缺乏對其機制的詳細研究。
在該研究中，根據FIB濃度超出高限與否，研究者將所有入組患者分為正常纖維蛋白原和高纖維蛋白原兩組。應用單因素方差分析，觀察組間FIB與血小板活化指標--血小板膜上的糖蛋白受體CD62PE和冠狀動脈風險評分的關系，發現隨著血漿FIB濃度的增加，兩組CD62PE活化活性呈遞增關系。相關分析顯示，FIB濃度與CD62PE活性及冠狀動脈風險評分顯著相關。偏相關分析在進一步控制有可能會影響CD62PE表達和冠狀動脈風險評分的相關危險因素後，發現FIB濃度與CD62PE活性及冠狀動脈風險評分仍有顯著相關性。多元逐步回歸分析顯示，FIB是影響CD62PE表達的重要變數。
研究發現，在正常循環中的血小板處於靜息狀態，其膜上的FIB受體處於封閉狀態，高濃度的FIB並不能與之結合，血小板與纖維蛋白原的「橋聯」也不能形成。只有血小板活化後，其膜上的GPb和b/a受體才能在活化中由開放管道系統(OCS)實現膜內外的相互轉位，GPb由膜外移向膜內，b/a則由OCS及a顆粒移向膜外，同時血小板空間結構發生變化，b/a上的FIB受體暴露，促進FIB與b/a相互結合。
研究結果表明，高濃度的FIB與冠狀動脈病變程度明顯相關，其作用途徑在於其能夠增強血小歷銀板膜上某些糖蛋白受體如CD62PE的表達，從而促進血小板活化察春，這可能是FIB導致冠狀動脈病變的重要中間環節之一。
該研究的另一重要意義在於，可把流式細胞儀檢測CD62PE作為衡量血小板活化的量化指標。早期確定血小板活化的方法通常是檢測血小板源性蛋白，如血小板因子4等，但此種方法受很多因素影響，誤差較大。而通過流式細胞儀檢測熒光素標記的針對血小板糖蛋白的單克敗爛耐隆抗體，可直接特異敏感地反映人體內的血小板活化程度和功能狀態，較其他方法更為准確。
❿ CISCO中FIB是什麼
forwarding information database
cisco 的CEF多層交換中的一個類似「路由表」的東西
查詢命令是 show ip cef
cisco的CEF則是將路由信息下發到FIB表中，實現硬體轉發。這里需要注意何謂硬體轉發。如果是耐猜查路由表，就是基於進程的處理，即我們常說的基於CPU的處理，比較耗時。是因為要拆/封一次數據。而基於FIB表轉發，則直接用FIB表中的MAC直接封裝後轉發。
可以昌早型簡單理解為FIB表就是通過ARP表+MAC表，而推出來的表
一次路由，多次交換是傳統的三層轉發方式，可以理解為他會記錄你的ARP緩存 ，存在表中的ARP條目，睜禪就不用再查路由表了