⑴ 半導體設備有哪些
半導體設備包括激光打標機、激光噴墨列印機、包裝機、凈水器等。
⑵ 做半導體器件的設備是什麼設備
生產三極復管的設備可能制有MOCVD，光刻機，離子注入，金絲球焊機，封帽機，測試設備等。
這些設備大多是自動化設備，尤其是MOCVD和離子注入。控制部分是PLC+數字電路，非常復雜。其他的設備電路部分常見的是數字電路控制。但也不排除簡單的PLC。
⑶ 什麼是半導體設備
半導體設備即為利用半導體元件製造的電氣設備。
半導體，指常溫下導電性能介於導版體與絕緣體之間的材料權。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。
半導體設備有激光打標機，激光噴碼機，包裝機，純水機等等
半導體材料分類半導體材料按化學成分和內部結構，大致可分為以下幾類：
化合物半導體由兩種或兩種以上的元素化合而成的半導體材料。
無定形半導體材料 用作半導體的玻璃是一種非晶體無定形半導體材料，分為氧化物玻璃和非氧化物玻璃兩種。
元素半導體有鍺、硅、硒、硼、碲、銻等。
有機增導體材料已知的有機半導體材料有幾十種，包括萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，目前尚未得到應用 。
⑷ 半導體封裝設備有哪些比較不錯的
半導體封裝設備比較不錯的推薦看下卓興半導體、新益昌、ASM等，我們公司新進的一批半導體封裝設備全是卓興的，操作員反饋挺不錯，很好上手，操作簡單，而且效率高，基本上固晶產能可以達到40K/H，良率也是可以達到Mini LED的固晶良率標准，性能不錯，應該是國產里比較厲害的設備了，網路也有很多相關資料。
⑸ 半導體封裝行業設備dp,da,fc是什麼意思
DP：digital power，數字電源；
DA：die attach, 焊片；
FC：flip chip，倒裝。
⑹ 半導體設備後起之秀 | 中微半導體「殺入」5nm工藝供應鏈
半導體製造設備和材料是半導體行業最上游的環節。目前來看，集成電路設備製造是中國晶元產業鏈中最薄弱的環節。經過20多年的追趕，中國與世界在晶元製造領域仍有較大差距。雖然中國在該領域整體落後，但刻蝕機方面已在國際取得一席之地。
全球半導體設備市場的後起之秀
隨著近些年 社會 對集成電路的重視和大批海外高端人才的回歸，我國的集成電路在這幾年出現了飛速的發展。在IC設計（華為海思）、IC製造（中芯國際）、IC封測（長電 科技 ）、蝕刻設備（中微半導體）上出現了一批批優秀的企業。
1、半導體設備
我們的主角中微半導體所在的領域就是半導體設備細分行業，這個行業主要有兩種半導體設備，一是光刻機，一個是刻蝕機。中微是以刻蝕機為主要設備的供應商，去年12月公司自主研製的5nm等離子體刻蝕機正式通過台積電驗證，將用於全球首條5nm製程生產線。
晶元，這個從前被戲稱為：除了水和空氣，其他都是進口的行業。最近中美貿易戰的焦點就是在晶元領域，美國政府對華為的封鎖就是下令美國供應商沒有經過國會批准不準買給華為晶元。這也是我們非常氣憤的地方，為什麼中微半導體有了最先進的設備還是會受人制肘呢？
主要是我國的短板在於光刻機，與國外先進技術有非常大的差距。為什麼刻蝕機技術那麼好，不能彌補這個短板嗎？這就是光刻機和蝕刻機的不同，有一部分人把蝕刻機與光刻機搞混。其實兩者的區別非常的大，光刻機是晶元製造的靈魂，而蝕刻機是晶元製造的肉體。
光刻機把電路圖投影到覆蓋有光刻膠的矽片上面，刻蝕機再把剛才畫了電路圖的矽片上的多餘電路圖腐蝕掉。光刻機把圖案印上去，然後刻蝕機根據印上去的圖案刻蝕掉有圖案（或者沒有圖案）的部分，留下剩餘的部分就是集成電路。所以說這是兩個過程要用到的設備，而且這兩個過程是連續的。
我國光刻機的最高水平是上海微電子的90nm製程，世界頂尖的光刻機是ASML的7nm EUV光刻機，ASM已經開始研製5nm製程的光刻機。相對來說，我國在光刻機製造領域與國際先進水平有很大的差距，高端光刻機全部依賴進口。只能說我國的刻蝕機技術領先，中微半導體的介質刻蝕機、硅通孔刻蝕機位於全球前三。但是在整個產業鏈的產能和技術上，與一些大型的企業差距非常的大，所以在中美貿易戰中顯得很吃虧。
那我們說完了中微半導體這個單獨的行業領域，現在放眼整個行業，來看看半導體設備到底在這個行業中扮演者什麼角色？
2、半導體產業
半導體的發展是越來越集成化，越來越小。從早期的電子管到現在的7nm器件，一個小小的晶元上需要有幾百個步驟和工藝，顯示出高端技術的優越性。也正是這樣的行業特點，導致整個行業非常依賴技術的創新。而半導體設備是製作晶元的基石，沒有這一塊晶元不可能出現。
可以看到雖然產值低，但是缺這個還真的沒辦法發展下游。這也是貿易戰在晶元領域為什麼大打出手的原因，沒有先進的技術，很難發展非常廣大的信息系統。可以說這一行創造的價值並不高，但是不能缺少，是高端技術的積累。
大國重器：7nm晶元刻蝕機龍頭
在技術含量極高的高端半導體產業中，能與美歐日韓等國際巨頭同台較量的中國企業鳳毛麟角，而中微半導體是其中一家。中微半導體是一家以中國為基地、面向全球的高端半導體微觀加工設備公司，主要從事半導體設備的研發、生產和銷售。而要了解中微這家公司，先不得不介紹一下公司創始人尹志堯。
尹志堯是一個頗具傳奇色彩的矽谷技術大拿。
1980年赴美國加州大學洛杉磯分校攻讀物理化學博士，畢業後進入英特爾中心研究開發部工作，擔任工藝程師；1986年加盟泛林半導體，開發了包括Rainbow介質刻蝕機在內的一系列成功的等離子刻蝕機，使得陷入困境的泛林一舉擊敗應用材料，躍升為全球最大的等離子刻蝕設備製造商，佔領了全球40%以上的刻蝕設備市場。
以此同時，泛林與日本東京電子合作，東京電子從泛林這里學會了製造介質等離子體刻蝕機，復制其Rainbow設備在日本銷售，後來崛起為介質刻蝕的領先公司。
1991年，泛林遭老對手美國應用材料挖角，尹志堯先後歷任應用材料等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官。
為了避免知識產權風險，尹志堯從頭再來，用不同於泛林時期開發的技術，研發出性能更好的金屬刻蝕、硅刻蝕和介質刻蝕設備，應用材料再次擊敗泛林，重返行業龍頭地位，到2000年，應用材料占據了40%以上的國際刻蝕設備市場份額。
目前全球半導體刻蝕設備領域三大巨頭——應用材料、泛林、東京電子，都與尹志堯的貢獻密切相關。
2004年8月，已年屆六旬的尹志堯帶領15名矽谷資深華裔技術工程師和管理人員回國，創立了中微半導體，並在短短數年之間崛起為全球半導體設備領域的重要玩家。
中微從2004年創立時，首先著手開發甚高頻去耦合的CCP刻蝕設備Primo D-RIE，到目前為止己成功開發了雙反應台Primo D-RIE，雙反應台Primo AD-RIE和單反應台的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65nm、45nm、32nm、28nm、22nm、14nm、7nm到5nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。
從2012年開始中微開始開發ICP刻蝕設備，到目前為止己成功開發出單反應台的Primo nanova刻蝕設備，同時著手開發雙反應台ICP刻蝕設備。公司的ICP刻蝕設備主要是涵蓋14nm、7nm到5nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
這裡面看起來是幾個似乎不起眼的數據，但裡面蘊含了滿滿的技術含量。而中微到底是否掌握了5nm刻蝕技術，一時間眾說紛紜。如今，中微半導體與泛林、應用材料、東京電子、日立4家美日企業一起，組成了國際第一梯隊，為全球最先進晶元生產線供應刻蝕機。
⑺ 半導體封裝設備有哪些要高精度、高速度、高良率。
半導體封裝設備目前比較主流的有卓興半導體、新益昌、ASM等，其中卓興半導體更符合問題中要求的高精度、高度度和高良率，他們總結並提出的3C固晶法則從Correction校正、Control控制和Continuity連續這三個層面改善和提高了固晶的精度、速度、良率，精度可以達到固晶位置誤差＜±10um、角度誤差＜0.5°，速度可以達到40K/H，良率可以達到99.99%。
⑻ 半導體固晶機是什麼
固晶機：又稱上晶機，晶片粘貼機，綁定晶元機。是一種固定晶體，半導體封裝的機械。主要用於各種（WIRE BONDER）金絲超聲波焊接設備的引線櫃架壓板，以及各種（DIE BONDER）晶元貼裝設備的各種吸嘴、頂針、點膠頭、瓷咀、通針、馬達、碳刷、編碼器、傳動皮帶，自動化設備的各種零配件，儀器、儀表等等。
邦定機：廣泛應用於觸摸屏、電子液晶屏、LCM等行業的一種設備。將IC晶元精確定位於LCD玻璃之上並進行綁定的裝置，整機由PLC+HMI組成控制核心，圖像自動對位系統完成目標對象的對位數據計算，產品在完成對位並預壓後由平台傳輸到本壓進行綁定壓接。
固晶設備的應用半導體行業，在應用於半導體行業的固晶設備中， LED類固晶機國產化比例最高，達到90%以上；IC固晶機和分立器件固晶機國產化比例較低，均不足10%。隨著全球半導體項目逐漸向中國集中，將推動IC固晶機和分立器件固晶機的國產化進程。
⑼ 半導體設備有哪些種類
一、分立器件
1、 二極體
A、一般整流用
B、高速整流用：
①（Aast Recovery Diode:高速恢復二極體）
②HED（Figh Efficiency Diode:高速高效整流二極體）
③SBD（Schottky Barrier Diode:肖特基勢壘二極體）
C、定壓二極體（齊納二極體）
D、高頻二極體
①變容二極體
②PIN二極體
③穿透二極體
④崩潰二極體/甘恩二極體/驟斷變容二極體
2、 晶體管
①雙極晶體管
②FET（Fidld Effect Transistor:場效應管）
Ⅰ、接合型FET
Ⅱ、MOSFET
③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絕緣柵雙極晶體管)
3、 晶閘管
①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端雙向可控硅
②GTO（Gate Turn off Thyristor:柵極光閉晶閘管）
③LTT（Light Triggered Thyristor:光觸發晶閘管）
二、光電半導體
1、LED（Light Emitting Diode:發光二極體）
2、激光半導體
3、受光器件
①光電二極體（Photo Diode）/太陽能電池（Sola Cell）
②光電晶體管（Photo Transistor）
③CCD圖像感測器（Charge Coupled Device:電荷耦合器）
④CMOS圖像感測器（complementary Metal Oxide Semiconctor:互補型金屬氧化膜半導體）
4、光耦(photo Relay)
①光繼電器（photo Relay)
②光斷路器（photo Interrupter）
5、光通訊用器件
三、邏輯IC
1、通用邏輯IC
2、微處理器（Micro Processor）
①CISC(Complex Instruction Set Computer:復雜命令集計算機)
②RISC(Reced instruction SET Computer:縮小命令集計算機)
3、DSP(Digital Signal processor:數字信號處理器件)
4、AASIC（Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC）
①柵陳列（Gate-Array Device）
②SC(Standard Cell:標准器件)
③FPLD(Field programmable Logic Device:現場可編程化邏輯裝置)
5、MPR（Microcomputer peripheral:微型計算機外圍LSI）
6、系統LSI（System LSI）
四、模擬IC（以及模擬數字混成IC）
1、電源用IC
2、運算放大器（OP具Amp）
3、AD、DA轉換器（AD DA Converter）
4、顯示器用驅動器IC(Display Driver IC)
五、存儲器
1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:動態隨機存取存儲器)
2、SRAM(Static Random Access Memory:靜態隨機存取儲器)
3、快閃式存儲器(Flash Memory)
4、掩模ROM(mask Memory)
5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:強介電質存儲器)
6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性體存儲器)