⑴ 電容櫃補償是怎樣提高功率因數原理。
1、無功補償的原理
電網輸出的功率包括兩部分;一是有功功率;二是無功功率.直接消耗電能,把電能轉變為機械能,熱能,化學能或聲能,利用這些能作功,這部分功率稱為有功功率;不消耗電能;只是把電能轉換為另一種形式的能,這種能作為電氣設備能夠作功的必備條件,並且,這種能是在電網中與電能進行周期性轉換,這部分功率稱為無功功率,如電磁元件建立磁場佔用的電能,電容器建立電場所佔的電能.電流在電感元件中作功時,電流超前於電壓90℃.而電流在電容元件中作功時,電流滯後電壓90℃.在同一電路中,電感電流與電容電流方向相反,互差180℃.如果在電磁元件電路中有比例地安裝電容元件,使兩者的電流相互抵消,使電流的矢量與電壓矢量之間的夾角縮小,從而提高電能作功的能力,這就是無功補償的道理.
2.無功補償的意義
(1)補償無功功率,可以增加電網中有功功率的比例常數
(2)減少發,供電設備的設計容量,減少投資,例如當功率因數cosΦ=0.8增加到cos4=0.95時,裝1Kvar電容器可節省設備容量0.52KW;反之,增加0.52KW.對原有設備而言,相當於增大了發,供電設備容量.因此,對新建,改建工程.應充分考慮無功補償,便可以減少設計容量,從而減少投資.
(3)降低線損,由公式△P%=(1-cosΦ/cosΦ)X100%得出其中cosΦ為補償後的功率因數,cosΦ為補償前的功率因數則
cosΦ>cosΦ,所以提高功率因數後,線損率也下降了.減少設計容量,減少投資,增加電網中有功功率的輸送比例,以及降低線損都直接決定和影響著供電企業的經濟效益.所以,功率因數是考核經濟效益的重要指標,規劃、實施無功補償勢在必行.
3.無功補償的原則
提高用電單位的自然功率因數,無功補償分為集中補償,分散補償和隨機隨器補償,應該遵循：全面規劃,合理布局,分級補償,就地平衡；集中補償與分散補償相結合,以分散補償主;高壓補償與低壓補償相結合,以低壓補償為主；調壓與降損相結合，以降損為主的原則.
4.無功補償裝置的組合元件
（1）低壓無功補償設備的組合元件
①無功功率自動補償控制器
根據電網無功功率是否達到無功設定值來控制電力電容器的投入和切除,並且有過,欠電壓保護功能
②無觸點可控硅模塊或智能復合開關
③電容器(內帶放電電阻)
④熔斷器
⑤電流互感器
⑥避雷器
⑦開關
⑧電抗器(對無觸點開關起到過電流保護作用;對防止電容器過電流也起到抑製作用)
另外,還裝配監視用的電壓表,電流表,功率因數表和信號指示燈等.
⑵ 利用可控硅調光會降低功率因數嗎
我說簡單點:可控硅只用一部分的波形,不用的是浪費掉了,計量是用的.一般有的工廠用高頻的源補的.
再簡單一點的說法,可控硅用波形的後面,從後面開始用,往前用的.高頻是反的.這樣總的功率因數就好多了
⑶ 可控硅功率因數基本不受什麼變化的影響
可控虧功率因基數不變受到了不便的影響，這個的話可提高它的使用率。
⑷ 可控硅整流裝置的功率因數一般為多少
可控硅整流裝置的功率因數等於1，因為整流以後是直流，直流電路的負載是純電阻。
⑸ 家用吊扇上的可控硅電子調速器能加大負載功率嗎我想接在300W的水電泵上調速應怎麼改謝謝
能的，換大功率可控硅就可以，但控制電路的元件及參數可能有所偏移。
不建議採用回這種方答式！
水泵對電機的硬特性要求較高，雖然利用可控硅也能調節電機轉速，但由於可控硅調節後的電壓波形不再是正弦波，而且電機的轉速對水泵的流量和揚程有很大影響！所以改動後電機的噪音及抽水的質量可能不盡人意！樓上說的對：建議用變頻器！
⑹ 為什麼說可控硅整流可以讓功率因數降低
呵呵
你被錯誤的概念誤導啦。整流器的功率因數低，主要不是相角的問題，是整流導致諧波產生，部分諧波的功率是無功功率，由於產生了無功功率，進而使功率因數降低。
整流器的電流也會延遲電壓一點點，產生一個較小的相角，這是半導體的導通電壓引起的延遲，不過這一點點相角降低功率因數的作用很小，通常都忽略了。
摘錄我公司的培訓資料功你參考：
25. 諧波對功率因數的影響如何？
這是一個比較復雜的問題。需要運用較深的數學知識。這里我們只給出結論。
從功率因數的基本定義公式：η= P有/PS
在有諧波的情況下，加入諧波的參數，再通過比較復雜的數學運算，我們可以得到這樣一個公式：
η ＝（I1/I）•cosφ
＝λ•cosφ
其中：
λ，叫基波因子。I1 是基波電流， I是總電流。
cosφ，叫相移因子，或者叫基波功率因數。
從公式可以看出，基波因子反映了諧波對功率因數的影響。顯然，在總電流I恆定時，諧波電流越大，基波I1就會越小，也就是基波因子就越小，從而功率因數也就越小。
相移因子（基波功率因數）就是基波電流相對電壓的滯後情況，是我們熟悉的基波的功率因數的計算公式。
以前，電網中直流設備較少，所以諧波不多，大多數情況下：
基波電流I1 ≈總電流I，
所以：基波因子λ≈1
所以有：η≈cosφ
這就是以前我們把cosφ等同為功率因數的原因。
因此，以前我們不了解諧波，或者諧波較小時，考慮無功補償，都主要考慮移相因子的作用，長此下來，我們就把基波功率因數（移相因子）作為了電網的功率因數的來理解。
因此，在有諧波的情況下，基波因子λ小於1，移相因子就算＝1，電網的功率因數也都是小於1的。也就是說，有諧波時，僅僅用電容器補償，功率因數是很難達標的。
⑺ 電力電子器件：為什麼說可控硅控制開通和判斷可以讓輸出的電源功率因數進行改變
以逆變電路為例，雖然電壓電流同時存在，但分析基波分量會發現其間是有相位差的。
從本質上來說，是因為開關器件是非線性器件，所以導致了功率因數低得結果。
⑻ 請問一個問題 可控硅觸發變壓器 我怎麼樣 提高驅動功率呢 1：提升原邊驅動電壓 2 提高驅動頻率
可控硅主在第一復脈沖制時最重要，最好是一又陡又高出正常很多的脈沖狀態為最好，這才有利於可控硅的快速開通。所以，你如要改動應不用你現的這種推挽型式而改為高電壓沖第一波的形式，再增加多個波連擊，即你提到的第一，二方案。但第一方案可為更主要。
⑼ 電加熱器改雙向可控硅控制後，電源的功率因數為何下降
電加熱器改雙向可控硅控制後，電源的功率因數下降原因是採用三相兩控過零回點控制的方法，因為電答流波動大，對變壓器（2500KVA）影響較大，機身溫度上升很快，電源的功率因數下降。
解決方法：
改成了三相三控，直流調壓的方式，在輸出電壓高的情況下，功率因數能達到0.9以上，在輸出電壓低的時候功率因數就才0.7幾了。可控硅 W2C－400VCa/0.400Vca,-1.200A,-V.F。
因之前是三相二控的方式，後為了保證電壓、電流的平穩，改成了三相三控，在二控的基礎上加裝了一組可控硅，但是國產的，可控硅是1250A，用同一觸發板進行觸發。改後輸出電壓三相平衡，輸出電壓穩定。