hast測試設備如何計量

A. PCT與HAST的區別有哪些

主要區別是，性質不同、適用性不同、作用與目的不同，具體如下：

一、性質不同

1、PCT

PCT是pressure cooker test的英文簡稱。指高壓加速老化壽命試驗。

二、適用性不同

1、PCT

適用於國防、航天、汽車部件、電子零配件、塑膠、磁鐵行業、制葯線路板，多層線路板、IC、LCD、磁鐵、燈飾、照明製品等產品之密封性能的檢測，相關之產品作加速壽命試驗。

2、HAST

HAST老化試驗箱廣泛用於IC半導體、連接器、線路板、磁性材料、高分子材料、EVA、光伏組件等行業相關之產品作加速老化壽命試驗。

三、作用與目的不同

1、PCT

用於快速暴露產品的缺陷和薄弱環節。測試其製品的耐厭性，氣密性。

2、HAST

加速壽命試驗的目的是提高環境應力(如：溫度)與工作應力(施加給產品的電壓、負荷.等)，加快試驗過程，縮短產品或系統的壽命試驗時間。用於調查分析何時出現電子元器件，和機械零件的摩耗和使用壽命的問題，使用壽命的故障分布函數呈什麼樣的形狀，以及分析失效率上升的原因所進行的試驗。

B. 晶元測試關注那個s參數

測試其實是晶元各個環節中最「便宜」的一步，在這個每家公司都喊著「Cost Down」的激烈市場中，人力成本逐年攀升，晶圓廠和封裝廠都在乙方市場中「叱吒風雲」，唯獨只有測試顯得不那麼難啃，Cost Down的算盤落到了測試的頭上。

但仔細算算，測試省50%，總成本也只省2.5%，流片或封裝省15%，測試就相當於免費了。但測試是產品質量最後一關，若沒有良好的測試，產品PPM【百萬失效率】過高，退回或者賠償都遠遠不是5%的成本能代表的。

晶元需要做哪些測試呢？

主要分三大類：晶元功能測試、性能測試、可靠性測試，晶元產品要上市三大測試缺一不可。

性能測試看晶元好不好

可靠性測試看晶元牢不牢

功能測試，是測試晶元的參數、指標、功能，用人話說就是看你十月懷胎生下來的寶貝是騾子是馬拉出來遛遛。

性能測試，由於晶元在生產製造過程中，有無數可能的引入缺陷的步驟，即使是同一批晶圓和封裝成品，晶元也各有好壞，所以需要進行篩選，人話說就是雞蛋里挑石頭，把「石頭」晶元丟掉。

可靠性測試，晶元通過了功能與性能測試，得到了好的晶元，但是晶元會不會被冬天裡最討厭的靜電弄壞，在雷雨天、三伏天、風雪天能否正常工作，以及晶元能用一個月、一年還是十年等等，這些都要通過可靠性測試進行評估。

那要實現這些測試，我們有哪些手段呢？

測試方法：板級測試、晶圓CP測試、封裝後成品FT測試、系統級SLT測試、可靠性測試，多策並舉。

板級測試，主要應用於功能測試，使用PCB板+晶元搭建一個「模擬」的晶元工作環境，把晶元的介面都引出，檢測晶元的功能，或者在各種嚴苛環境下看晶元能否正常工作。需要應用的設備主要是儀器儀表，需要製作的主要是EVB評估板。

晶圓CP測試，常應用於功能測試與性能測試中，了解晶元功能是否正常，以及篩掉晶元晶圓中的故障晶元。CP【Chip Probing】顧名思義就是用探針【Probe】來扎Wafer上的晶元，把各類信號輸入進晶元，把晶元輸出響應抓取並進行比較和計算，也有一些特殊的場景會用來配置調整晶元【Trim】。需要應用的設備主要是自動測試設備【ATE】+探針台【Prober】+儀器儀表，需要製作的硬體是探針卡【Probe Card】。

封裝後成品FT測試，常應用與功能測試、性能測試和可靠性測試中，檢查晶元功能是否正常，以及封裝過程中是否有缺陷產生，並且幫助在可靠性測試中用來檢測經過「火雪雷電」之後的晶元是不是還能工作。需要應用的設備主要是自動測試設備【ATE】+機械臂【Handler】+儀器儀表，需要製作的硬體是測試板【Loadboard】+測試插座【Socket】等。

系統級SLT測試，常應用於功能測試、性能測試和可靠性測試中，常常作為成品FT測試的補充而存在，顧名思義就是在一個系統環境下進行測試，就是把晶元放到它正常工作的環境中運行功能來檢測其好壞，缺點是只能覆蓋一部分的功能，覆蓋率較低所以一般是FT的補充手段。需要應用的設備主要是機械臂【Handler】，需要製作的硬體是系統板【System Board】+測試插座【Socket】。

可靠性測試，主要就是針對晶元施加各種苛刻環境，比如ESD靜電，就是模擬人體或者模擬工業體去給晶元加瞬間大電壓。再比如老化HTOL【High Temperature Operating Life】，就是在高溫下加速晶元老化，然後估算晶元壽命。還有HAST【Highly Accelerated Stress Test】測試晶元封裝的耐濕能力，待測產品被置於嚴苛的溫度、濕度及壓力下測試，濕氣是否會沿者膠體或膠體與導線架之介面滲入封裝體從而損壞晶元。當然還有很多很多手段，不一而足，未來專欄講解。

測試類別與測試手段關系圖

總結與展望

晶元測試絕不是一個簡單的雞蛋里挑石頭，不僅僅是「挑剔」「嚴苛」就可以，還需要全流程的控制與參與。

從晶元設計開始，就應考慮到如何測試，是否應添加DFT【Design for Test】設計，是否可以通過設計功能自測試【FuncBIST】減少對外圍電路和測試設備的依賴。

在晶元開啟驗證的時候，就應考慮最終出具的測試向量，應把驗證的Test Bench按照基於周期【Cycle base】的方式來寫，這樣生成的向量也更容易轉換和避免數據遺漏等等。

在晶元流片Tapout階段，晶元測試的方案就應制定完畢，ATE測試的程序開發與CP/FT硬體製作同步執行，確保晶元從晶圓產線下來就開啟調試，把晶元開發周期極大的縮短。

最終進入量產階段測試就更重要了，如何去監督控制測試良率，如何應對客訴和PPM低的情況，如何持續的優化測試流程，提升測試程序效率，縮減測試時間，降低測試成本等等等等。

所以說晶元測試不僅僅是成本的問題，其實是質量+效率+成本的平衡藝術！
編輯：hfy

C. 手機可靠性測試包括哪些

可靠性測試包括六個部分：加速壽命測試，氣候適應測試，結構耐久測試，表面裝飾測試，特殊條件測試，及其他條件測試。手機可靠性測試項目
1.1. 加速壽命測試ALT (Accelerated Life Test)

1.1.1 室溫下參數測試 (Parametric Test)

1.1.2 溫度沖擊測試(Thermal Shock)

1.1.3 跌落試驗(Drop Test)

1.1.4 振動試驗(Vibration Test)

1.1.5 濕熱試驗(Humidity Test)

1.1.6 靜電測試(ESD)

1.2.氣候適應性測試 (Climatic Stress Test)

A： 一般氣候性測試：

1.2.1.高溫/低溫參數測試(Parametric Test)

1.2.2.高溫/低溫功能測試(Functional Test)

B：惡劣氣候性測試

1.2.3.灰塵測試(Dust Test)

1.2.4.鹽霧測試(Salt fog Test)

1.3.結構耐久測試 (Mechanical Enrance Test)

1.3.1.按鍵測試(Keypad Test)

1.3.2.側鍵測試(Side Key Test)

1.3.3.翻蓋測試(Flip Life Test)

1.3.4.滑蓋測試(Slide Life Test)

1.3.5. 重復跌落測試(Micro-Drop Test)

1.3.6. 充電器插拔測試(Charger Test)

1.3.7.筆插拔測試(Stylus Test)

1.3.8點擊試驗 (Point Activation Life Test)

1.3.9劃線試驗 (Lineation Life Test)

1.3.10.電池/電池蓋拆裝測試(Battery/Battery Cover Test)

1.3.11. SIM Card 拆裝測試(SIM Card Test)

1.3.12. 耳機插拔測試(Headset Test)

1.3.13.導線連接強度試驗(Cable Pulling Enrance Test--Draft)

1.3.14.導線折彎強度試驗(Cable Bending Enrance Test--Draft)

1.3.15.導線擺動疲勞試驗(Cable Swing Enrance Test--Draft)

1.4 表面裝飾測試 (Decorative Surface Test)

1.4.1.磨擦測試(Abrasion Test - RCA)

1.4.2.附著力測試(Coating Adhesion Test)

1.4.3.汗液測試(Perspiration Test)

1.4.4.硬度測試(Hardness Test)

1.4.5. 鏡面摩擦測試(Lens Scratch Test)

1.4.6 紫外線照射測試(UV illuminant Test)

1.5.1. 低溫跌落試驗(Low temperature Drop Test)

1.5.2. 扭曲測試(Twist Test)

1.5.3. 坐壓測試(Squeeze Test)

1.5.4. 鋼球跌落測試(Ball Drop Test)

1.6 其他條件測試

1.6.1螺釘的測試(Screw Test)

1.6.2掛繩孔強度的測試(Hand Strap Test)

可靠性是指產品在規定的條件下、在規定的時間內完成規定的功能的能力。產品在設計、應用過程中，不斷經受自身及外界氣候環境及機械環境的影響，而仍需要能夠正常工作，這就需要以試驗設備對其進行驗證，這個驗證基本分為研發試驗、試產試驗、量產抽檢三個部分。

1.其中氣候環境包含：高溫、低溫、高低溫交變、高溫高濕、低溫低濕、快速溫度變化、溫度沖擊、高壓蒸煮(HAST)、溫升測試、鹽霧腐蝕(中性鹽霧、銅加速乙酸、交變鹽霧)、人工汗液、氣體腐蝕(SO2/H2S/HO2/CL2)、耐焊接熱，沾錫性，防塵等級測試(IP1X-6X)，防水等級測試(IPX1-X8)、阻燃測試，UV老化(熒光紫外燈)、太陽輻射(氙燈老化、鹵素燈)、等等;

2.其中機械環境包含：振動(隨機振動，正弦振動)、機械沖擊、機械碰撞、跌落、斜面沖擊，溫濕度 振動三綜合、高加速壽命測試(HALT)、高加速應力篩選(HASS、HASA)、插拔力，保持力，插拔壽命，按鍵壽命測試、搖擺試驗、耐磨測試、附著力測試、百格測試等

D. 為什麼要做可靠性試驗

個人認為有以下幾個部分:1. 溫升測試即評估(帶電流)2. 絕緣阻抗測試3. 絕緣強度測試4. 高低溫存儲，高溫高溫前後電參數性能比較，及絕緣性能比較5. 高溫帶電流溫升評估等等

E. 可靠性HAST測試和PCT測試什麼意思

軟體測試的兩個方面而已。
白盒測試：是通過程序的源代碼進行測試而不使用用戶界面。這種類型的測試需要從代碼句法發現內部代碼在演算法，溢出，路徑，條件等等中的缺點或者錯誤，進而加以修正。
黑盒測試：是通過使用整個軟體或某種軟體功能來嚴格地測試, 而並沒有通過檢查程序的源代碼或者很清楚地了解該軟體的源代碼程序具體是怎樣設計的。測試人員通過輸入他們的數據然後看輸出的結果從而了解軟體怎樣工作。在測試時，把程序看作一個不能打開的黑盆子，在完全不考慮程序內部結構和內部特性的情況下，測試者在程序介面進行測試，它只檢查程序功能是否按照需求
規格說明書的規定正常使用，程序是否能適當地接收和正確的輸出

F. 五金可靠性測試有哪些

1高壓加速老化壽命試驗需要用到的設備：(飽和型100%RH)高壓加速老化試驗機；HAST(非和型濕度可調)高壓加速壽命試驗機；

2溫濕度類性能測試；低溫高溫交變濕熱試驗高低溫沖擊試驗恆定濕熱試驗溫度變化試驗溫度/濕度組合循環試驗；

需要用到的設備有：高低溫試驗箱(可進行高溫低溫溫度變化等測試)，恆溫恆濕試驗箱(可完成恆定濕熱試驗交變濕熱試驗溫度/濕度組合循環試驗)

五金件

3耐腐蝕測試：Kb鹽霧試驗交變鹽霧(氯化鈉溶液)試驗接觸點和連接件的二氧化硫試驗接觸點和連接件的硫化氫試驗流動混合氣體腐蝕試驗清洗濟中浸漬試驗高濃度二氧化硫試驗大氣腐蝕加速試驗

需要用到的設備有：鹽霧試驗箱二氧化硫鹽霧試驗箱(或稱二氧化硫腐蝕試驗箱)鹽霧交變試驗箱

4氣候環境測試：長霉低氣壓試驗低溫/低氣壓綜合試驗高溫/低氣壓綜合試驗砂塵試驗防水等級試驗Cx未飽和高壓蒸氣恆定濕熱試驗風壓試驗太陽輻射試驗

五金沖壓件

需要用到的設備有：高低溫/低氣壓試驗機砂塵試驗箱淋雨試驗箱紫外光耐氣候試驗箱

5碰撞測試：沖擊試驗碰撞試驗傾跌與翻倒試驗正弦振動試驗寬頻帶隨機振動試驗穩態加速度試驗錫焊試驗傾斜和搖擺試驗跳彈試驗元件/設備和其它產品在沖擊(a)碰撞(Eb)振動(Fc和Fb)和穩態加速度(Ca)等動力學試驗的安裝要求聲振試驗撞擊/擺錘試驗

需要用到的設備有：跌落試驗機振動試驗台沖擊試驗機

6其它綜合類測試：低溫/低氣壓/濕熱連續綜合試驗低溫/低氣壓/振動(正弦)綜合試驗低溫/振動(正弦)綜合試驗高溫/振動(正弦) 綜合試驗等

需要用到的設備有：溫度/濕度/振動三綜合試驗機

G. 高壓加速老化試驗機執行國家什麼標准

《PCT 高壓加速老化試驗箱試驗方法、試驗標准》 說明：PCT 試驗一般稱為壓力鍋蒸煮試驗或是飽和蒸汽試驗，最主要是將待測品置於嚴苛之溫 度、飽和濕度（100%R.H.）[飽和水蒸氣]及壓力環境下測試，測試代測品耐高濕能力，針對印 刷線路板（PCB&FPC），用來進行材料吸濕率試驗、高壓蒸煮試驗..等試驗目的，如果待測品是 半導體的話，則用來測試半導體封裝之抗濕氣能力，待測品被放置嚴苛的溫濕度以及壓力環境 下測試，如果半導體封裝的不好，濕氣會沿者膠體或膠體與導線架之介面滲入封裝體之中，常 見的故裝原因：爆米花效應、動金屬化區域腐蝕造成之斷路、封裝體引腳間因污染造成之短 路..等相關問題。 PCT 對 PCB 的故障模式：起泡（Blister）、斷裂（Crack）、止焊漆剝離（SR delamination）。 半導體的 PCT 測試：PCT 最主要是測試半導體封裝之抗濕氣能力，待測品被放置嚴苛的溫濕度 以及壓力環境下測試，如果半導體封裝的不好，濕氣會沿者膠體或膠體與導線架之介面滲入封 裝體之中，常見的故裝原因：爆米花效應、動金屬化區域腐蝕造成之斷路、封裝體引腳間因污 染造成之短路..等相關問題。 PCT 對 IC 半導體的可靠度評估項目：DA Epoxy、導線架材料、封膠樹脂 腐蝕失效與 IC：腐蝕失效（水汽、偏壓、雜質離子）會造成 IC 的鋁線發生電化學腐蝕，而導 致鋁線開路以及遷移生長。 塑封半導體因濕氣腐蝕而引起的失效現象： 由於鋁和鋁合金價格便宜，加工工藝簡單，因此通常被使用為集成電路的金屬線。從進行集成 電路塑封製程開始，水氣便會通過環氧樹脂滲入引起鋁金屬導線產生腐蝕進而產生開路現象， 成為質量管理最為頭痛的問題。雖然通過各種改善包括採用不同環氧樹脂材料、改進塑封技術 和提高非活性塑封膜為提高產質量量進行了各種努力，但是隨著日新月異的半導體電子器件小 型化發展，塑封鋁金屬導線腐蝕問題至今仍然是電子行業非常重要的技術課題。 壓力蒸煮鍋試驗（PCT）結構：試驗箱由一個壓力容器組成，壓力容器包括一個能產生 100% （潤濕）環境的水加熱器，待測品經過 PCT 試驗所出現的不同失效可能是大量水氣凝結滲透所 造成的。 澡盆曲線：澡盆曲線（Bathtub curve、失效時期），又用稱為浴缸曲線、微笑曲線，主要是顯 示產品的於不同時期的失效率，主要包含早夭期（早期失效期）、正常期（隨機失效期）、損 耗期（退化失效期），以環境試驗的可靠度試驗箱來說得話，可以分為篩選試驗、加速壽命試 驗（耐久性試驗）及失效率試驗等。進行可靠性試驗時"試驗設計"、"試驗執行"及"試驗分析" 應作為一個整體來綜合考慮。 常見失效時期： 早期失效期（早夭期，Infant Mortality Region）：不夠完善的生產、存在缺陷的材料、不合 適的環境、不夠完善的設計。 隨機失效期（正常期，Useful Life Region）：外部震盪、誤用、環境條件的變化波動、不良 抗壓性能。 退化失效期（損耗期，Wearout Region）：氧化、疲勞老化、性能退化、腐蝕。 環境應力與失效關系圖說明： 依據美國 Hughes 航空公司的統計報告顯示，環境應力造成電子產品故障的比例來說，高度占 2%、鹽霧占 4%、沙塵占 6%、振動占 28%、而溫濕度去佔了高達 60%，所以電子產品對於溫濕度 的影響特別顯著，但由於傳統高溫高濕試驗（如：40℃/90%R.H.、85℃/85%R.H.、60℃ /95%R.H.）所需的時間較長，為了加速材料的吸濕速率以及縮短試驗時間，可使用加速試驗設 備（HAST[高度加速壽命試驗機]、PCT[壓力鍋]）來進行相關試驗，也就所謂的（退化失效期、 損耗期）試驗。 θ 10℃法則：討論產品壽命時，一般採用[θ10℃法則]的表達方式，簡單的說明可以表達為 [10℃規則]，當周圍環境溫度上升 10℃時，產品壽命就會減少一半；當周圍環境溫度上升 20℃ 時，產品壽命就會減少到四分之一。 這種規則可以說明溫度是如何影響產品壽命（失效）的，相反的產品的可靠度試驗時，也可以 利用升高環境溫度來加速失效現象發生，進行各種加速壽命老化試驗。 濕氣所引起的故障原因：水汽滲入、聚合物材料解聚、聚合物結合能力下降、腐蝕、空洞、線 焊點脫開、引線間漏電、晶元與晶元粘片層脫開、焊盤腐蝕、金屬化或引線間短路。 水汽對電子封裝可靠性的影響：腐蝕失效、分層和開裂、改變塑封材料的性質。 鋁線中產生腐蝕過程： ① 水氣滲透入塑封殼內→濕氣滲透到樹脂和導線間隙之中 ② 水氣滲透到晶元表面引起鋁化學反應 加速鋁腐蝕的因素： ①樹脂材料與晶元框架介面之間連接不夠好（由於各種材料之間存在膨脹率的差異） ②封裝時，封裝材料摻有雜質或者雜質離子的污染（由於雜質離子的出現） ③非活性塑封膜中所使用的高濃度磷 ④非活性塑封膜中存在的缺陷 爆米花效應（Popcorn Effect）： 說明：原指以塑料外體所封裝的 IC，因其晶元安裝所用的銀膏會吸水，一旦末加防範而徑行封 牢塑體後，在下游組裝焊接遭遇高溫時，其水分將因汽化壓力而造成封體的爆裂，同時還會發 出有如爆米花般的聲響，故而得名，當吸收水汽含量高於 0.17%時，[爆米花]現象就會發生。 近來十分盛行 P-BGA 的封裝組件，不但其中銀膠會吸水，且連載板之基材也會吸水，管理不良 時也常出現爆米花現象。 水汽進入 IC 封裝的途徑： 1.IC 晶元和引線框架及 SMT 時用的銀漿所吸收的水 2.塑封料中吸收的水分 3.塑封工作間濕度較高時對器件可能造成影響； 4.包封後的器件，水汽透過塑封料以及通過塑封料和引線框架之間隙滲透進去，因為塑料與引 線框架之間只有機械性的結合，所以在引線框架與塑料之間難免出現小的空隙。 備註：只要封膠之間空隙大於 3.4*10^-10m 以上，水分子就可穿越封膠的防護 備註：氣密封裝對於水汽不敏感，一般不採用加速溫濕度試驗來評價其可靠性，而是測定其氣 密性、內部水汽含量等。 針對 JESD22-A102 的 PCT 試驗說明： 用來評價非氣密封裝器件在水汽凝結或飽和水汽環境下抵禦水汽的完整性。 樣品在高壓下處於凝結的、高濕度環境中，以使水汽進入封裝體內，暴露出封裝中的弱點，如 分層和金屬化層的腐蝕。該試驗用來評價新的封裝結構或封裝體中材料、設計的更新。 應該注意，在該試驗中會出現一些與實際應用情況不符的內部或外部失效機制。由於吸收的水 汽會降低大多數聚合物材料的玻璃化轉變溫度，當溫度高於玻璃化轉變溫度時，可能會出現非 真實的失效模式。 外引腳錫短路：封裝體外引腳因濕氣引起之電離效應，會造成離子遷移不正常生長，而導致引 腳之間發生短路現象。 濕氣造成封裝體內部腐蝕：濕氣經過封裝過程所造成的裂傷，將外部的離子污染帶到晶元表 面，在經過經過表面的缺陷如：護層針孔、裂傷、被覆不良處..等，進入半導體原件裡面，造 成腐蝕以及漏電流..等問題，如果有施加偏壓的話故障更容易發生。 PCT 試驗條件（整理 PCB、PCT、IC 半導體以及相關材料有關於 PCT[蒸汽鍋測試]的相關測試條 件） 試驗名稱 JEDEC-22-A102 溫度 121℃ 濕度 100%R.H. 時間 168h 檢查項目&補充說明 其它試驗時間：24h、48h、96h、 168h、240h、336h IPC-FC-241B-PCB 銅張積層板的拉 剝強度試驗 IC-Auto Clave 試 驗 低介電高耐熱多 層板 PCB 塞孔劑 PCB-PCT 試驗 無鉛焊錫加速壽 命1 無鉛焊錫加速壽 命2 IC 無鉛試驗 121℃ 100%R.H. 1000h 100℃ 100%R.H. 16h 121℃ 121℃ 100℃ 100%R.H. 100%R.H. 100%R.H. 192h 30min 8h 檢查：分層、氣泡、白點 相當於高溫高濕下 6 個月，活化能 =4.44eV 相當於高溫高濕下一年，活化能 =4.44eV 500 小時檢查一次 121℃ 100%R.H. 192h 121℃ 100%R.H. 288h 121℃ 100%R.H. 100 h 銅層強度要在 1000 N/m 液晶面板密合性 試驗 金屬墊片 半導體封裝試驗 121℃ 100%R.H. 12h 121℃ 121℃ 100%R.H. 100%R.H. 24h 500、1000 h PCB 吸濕率試驗 FPC 吸濕率試驗 PCB 塞孔劑 低介電率高耐熱 性的多層板材料 高 TG 玻璃環氧多 層印刷電路板材 料 高 TG 玻璃環氧多 層印刷電路板-吸 濕後再流焊耐熱 性試驗 微蝕型水平棕化 （Co-Bra Bond） 車用 PCB 主機板用 PCB GBA 載板 半導體器件加速 濕阻試驗 121℃ 121℃ 121℃ 121℃ 100%R.H. 100%R.H. 100%R.H. 100%R.H. 5、8h 192h 192h 5h 吸水率小於 0.4～0.6% 121℃ 100%R.H. 5h 吸水率小於 0.55～0.65% 121℃ 100%R.H. 3h PCT 試驗完畢之後進行再流焊耐熱 性試驗（260℃/30 秒） 121℃ 100%R.H. 168h 121℃ 121℃ 121℃ 121℃ 100%R.H. 100%R.H. 100%R.H. 100%R.H. 50、100h 30min 24h 8h JEDEC JESD22-A102-B 飽和濕度試驗 說明：智河儀器 PCT 試驗機執行 JEDEC JESD22-A102-B 飽和濕度（121℃/100%R.H.）的實際試 驗紀錄曲線，智河儀器的 PCT 試驗機是目前業界唯一機台標准內建數字電子紀錄器的設備，可 完整紀錄整個試驗過程的溫度、濕度、壓力，尤其是壓力的部分是真正讀取壓力感測器的讀值 來顯示，而不是透過溫濕度的飽和蒸汽壓表計算出來的，能夠真正掌握實際的試驗過程。 PCB 的PCT 試驗案例： 說明：PCB 板材經 PCT 試驗（121℃/100%R.H./168h）之後，因 PCB 的絕緣綠漆質量不良而發生 濕氣滲透到銅箔線路表面，而讓銅箔線路產生發黑現象