多晶硅生產廠家要買哪些設備

A. 生產多晶硅太陽能光伏板需要哪些設備

1,沉積速率:168小時每150毫米
2,鍾罩反應器里有9到12對棒.
3,原料是金屬硅粉,氯氣,氫氣.
4,設備主要是合成爐,精餾塔,儲槽,還原爐,氫化爐,還有尾氣處理等設備.
最後問你個問題:我是新光硅業的,你是哪個單位的?

B. 在生產多晶硅方面一共有多少種工藝，哪些工藝會用到除塵設備。具體用在什麼環節上哪

多晶硅生產包括，（氯氫化）有的公司沒有，精餾，還原，氣體回收，四個主要單元循環生產，輔助單元硅芯拉制單元，包裝破碎單元。其中，還原單元使用的硅芯是在潔凈廠房內生產。所以多晶硅生產有還原，和硅芯拉制2個單元對潔凈要求很高，對空氣中粉塵含量控制嚴格，必須用除塵設備。

C. 生產單晶硅多晶硅太陽能板 請問需要哪些設備和原材料這些設備和原材料 在那裡能買到重慶千貫寶軸承夏鵬遠

單晶硅，多晶硅， 磷什麼的

D. 生產多晶硅的設備有哪些,現在市面上多少錢啊

多晶硅不是小作坊```需要的設備多了，一條還原線就要兩個多億。。

E. 太陽能矽片加工需要什麼設備啊~我想辦廠有沒有懂技術的人教下我啊

這個需要的東西比較多啊，不知道你是只加工矽片還是從多晶硅到單晶硅棒一條龍生產？
如果只加工矽片，主要用酸洗設備，切片設備，檢測設備等。

F. 多晶硅項目生產需要什麼材料

冶金級硅粉、液氯、氫氣
中間原料：三氯氫硅
多晶硅生產的原料是 三氯氫硅和氫氣按照一定的比例匯合後進入還原爐內進行熱分解和氫還原反應產生多晶硅，沉積在爐內硅芯上 逐漸長大 ，一般都是化學氣相沉積法即CVD

G. 多晶硅生產設備

提煉多晶硅過程中要注意的一個是安全,再一個就是多晶硅的純度了.能提供你的就這些了,其他屬於保密部分,不好意思

H. 單多晶硅生產設備主要有哪些

單晶硅拉制爐

I. 多晶硅的生產工藝流程及有關設備有哪些

多晶硅的生產工藝流程及有關設備有：

1、多晶硅生產主要關鍵設備（在改良西門子法中）：氯化氫合成爐，三氯氫硅沸騰床加壓合成爐，三氯氫硅水解凝膠處理系統，三氯氫硅粗餾、精餾塔提純系統，硅芯爐，節電還原爐，磷檢爐，硅棒切斷機，腐蝕、清洗、乾燥、包裝系統裝置，還原尾氣干法回收裝置；其他包括分析、檢測儀器，控制儀表，熱能轉換站，壓縮空氣站，循環水站，變配電站，凈化廠房等。

2、西門子改良法生產多晶硅工藝如下：

（1）石英砂在電弧爐中冶煉提純到98%並生成工業硅， 其化學反應SiO2+C→Si+CO2↑

（2）為了滿足高純度的需要，必須進一步提純。把工業硅粉碎並用無水氯化氫(HCl)與之反應在一個流化床反應器中，生成擬溶解的三氯氫硅(SiHCl3)。

其化學反應Si+HCl→SiHCl3+H2↑

反應溫度為300度，該反應是放熱的。同時形成氣態混合物(Н2,НС1,SiНС13,SiC14,Si)。

（3）第二步驟中產生的氣態混合物還需要進一步提純，需要分解:過濾硅粉，冷凝SiНС13,SiC14，而氣態Н2,НС1返回到反應中或排放到大氣中。然後分解冷凝物SiНС13,SiC14，凈化三氯氫硅（多級精餾）。

（4）凈化後的三氯氫硅採用高溫還原工藝，以高純的SiHCl3在H2氣氛中還原沉積而生成多晶硅。 其化學反應SiHCl3+H2→Si+HCl。

多晶硅的反應容器為密封的，用電加熱硅池硅棒（直徑5-10毫米，長度1.5-2米，數量80根），在1050-1100度在棒上生長多晶硅，直徑可達到150-200毫米。

這樣大約三分之一的三氯氫硅發生反應，並生成多晶硅。剩餘部分同Н2,НС1,SiНС13,SiC14從反應容器中分離。這些混合物進行低溫分離，或再利用，或返回到整個反應中。

J. 多晶硅生產流程是什麼

多晶硅，是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。

1、石英砂在電弧爐中冶煉提純到98%並生成工業硅，其化學反應SiO₂+C→Si+CO₂↑。

2、為了滿足高純度的需要，必須進一步提純。把工業硅粉碎並用無水氯化氫（HCl）與之反應在一個流化床反應器中，生成擬溶解的三氯氫硅（SiHCl₃）。其化學反應Si+HCl→SiHCl₃+H₂↑，反應溫度為300度，該反應是放熱的。同時形成氣態混合物（Н₂，НСl，SiНСl₃，SiCl₄，Si）。

3、第二步驟中產生的氣態混合物還需要進一步提純，需要分解：過濾硅粉，冷凝SiНСl₃，SiCl₄，而氣態Н₂，НСl返回到反應中或排放到大氣中。然後分解冷凝物SiНСl₃，SiCl₄，凈化三氯氫硅（多級精餾）。

4、凈化後的三氯氫硅採用高溫還原工藝，以高純的SiHCl3在H₂氣氛中還原沉積而生成多晶硅。其化學反應SiHCl₃+H₂→Si+HCl。

多晶硅的反應容器為密封的，用電加熱硅池硅棒（直徑5-10毫米，長度1.5-2米，數量80根），在1050-1100度在棒上生長多晶硅，直徑可達到150-200毫米。這樣大約三分之一的三氯氫硅發生反應，並生成多晶硅。

剩餘部分同Н₂，НСl，SiНСl₃，SiCl₄從反應容器中分離。這些混合物進行低溫分離，或再利用，或返回到整個反應中。氣態混合物的分離是復雜的、耗能量大的，從某種程度上決定了多晶硅的成本和該工藝的競爭力。

用途

多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現在物理性質方面。例如，在力學性質、光學性質和熱學性質的各向異性方面，遠不如單晶硅明顯；在電學性質方面，多晶硅晶體的導電性也遠不如單晶硅顯著，甚至於幾乎沒有導電性。

在化學活性方面，兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區別，但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導電類型和電阻率等。多晶硅是生產單晶硅的直接原料，是當代人工智慧、自動控制、信息處理、光電轉換等半導體器件的電子信息基礎材料。