A. 半導體封裝有哪些設備
半導體封裝是指將通過測試的晶圓按照產品型號及功能需求加工得到獨立版晶元的過程。封裝過權程為：來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝後被切割為小的晶片（Die），然後將切割好的晶片用膠水貼裝到相應的基板（引線框架）架的小島上，再利用超細的金屬（金錫銅鋁）導線或者導電性樹脂將晶片的接合焊盤（Bond Pad）連接到基板的相應引腳（Lead）,並構成所要求的電路；然後再對獨立的晶片用塑料外殼加以封裝保護，塑封之後還要進行一系列操作，封裝完成後進行成品測試，通常經過入檢Incoming、測試Test和包裝Packing等工序，最後入庫出貨。
半導體封裝一般用到點膠機+膠水環氧樹脂，焊機+焊膏。典型的封裝工藝流程為：劃片、裝片、鍵合、塑封、去飛邊、電鍍、列印 、切筋和成型 、外觀檢查、 成品測試 、包裝出貨。
B. 光伏設備有哪些
我國光伏設備企業已基本具備太陽能電池製造整線裝備能力，部分產品如擴散爐、 等離子刻蝕機等開始少量出口，可提供10種太陽能電池大生產線設備中的8種，其中有6種(擴散爐、等離子刻蝕機、清洗/制絨機、石英管清洗機、低溫烘乾爐)已在國內生產線占據主導地位，2種(管式PECVD、快速燒結爐)和進口設備並存但份額在逐步增大，3種(全自動絲網印刷機、自動分撿機、平板式PECVD)則完全依賴進口。 組件生產用的層壓機、太陽模擬器等在行業獲得廣泛應用。 矽片加工設備中單晶爐以優良的性價比占據了國內市場的絕對統治地位並批量出口亞洲，多線切割機已取得突破，多晶硅鑄錠爐推向市場指日可待。 高純硅材料提純設備中關鍵的24對棒還原爐在國家「863」計劃的支持下也已研製成功。 國產太陽能光伏設備在國內用戶中已建立起良好的信譽，得到業界的廣泛認可，越來越多的客戶從國產設備使用中受益。可以說，中國太陽能光伏產業在短短的數年間具備直面國際競爭能力，獲得高速發展的利器在於技術與國際接軌的同時擁有無法比擬的低成本優勢，而維持較低生產成本的原因除較低的勞動力和運營成本外，低價格(平均只有進口設備的1/3)的國產設備的大量應用使得企業投資成本大大降低是主要原因。否則光伏產業95%市場在歐美日的產業特徵，很難想像國內企業能以比國外同類企業高得多的硅材料采購成本去國際市場競爭。 國產設備相繼在大生產線應用 2002年我國一部分企業超常規發展通過和一流電池企業合作並引進先進的工藝技術，歷經多次技術換代及升級，國產的太陽能電池關鍵設備相繼在國內大生產線上得到應用，使我國基本具備太陽能電池製造設備整線供給能力。 高純硅材料的嚴重短缺為物美價廉的國產單晶爐企業提供了極好的發展契機，近幾年數十家新上的單晶拉制企業的大量訂貨，使得國內設備企業始終處於滿負荷生產狀態，並引來了日本、韓國和我國台灣的批量訂單。如此多年未遇的火爆場面直接催生了2006年四家光伏設備生產企業訂單過億元，2007年的勢頭較之有過之而無不及的局面，這是我國電子專用設備行業多年未有的繁榮景象。 另外，盡管非晶硅太陽能電池尚沒有形成規模生產，但增長速度已明顯加快，相應的非晶硅電池設備也吸引了不少企業試圖以同國外相仿的整線包設備和工藝的方式進入。 同國際先進水平相比，國產太陽能電池生產設備最關鍵的幾種設備中，擴散爐、等離子刻蝕機、清洗/制絨機等達到或接近了國際先進水平，占據了國內絕大部分市場，性價比優勢十分明顯。管式PECVD、快速燒結爐與國際先進水平有差距，但不大，已開始在大生產線使用，市場份額逐步擴大，性價比優勢明顯。國內尚沒有平板式PECVD，另兩種關鍵設備全自動絲網印刷機和自動分撿機由於核心技術無法繞開國外公司的技術專利封鎖，尚未取得實質性突破，整體水平和國外差距較大，國內主要大生產線幾乎全部採用了價格高昂的進口設備。 矽片加工設備中，部分合資企業的高檔全自動單晶爐已接近國際先進水平，但因價格較高，在光伏產業的應用數量有限，獲得大量應用的反而是價格低廉適用的、自動化程度較低的中低端單晶爐。借硅材料短缺的難得契機，得以形成批量生產，占據了國內絕大部分市場並批量出口。 組件生產設備中的層壓機等，高端自動化產品與國際先進水平相差無幾，有明顯的技術特色，但占據市場大部分份額的也是中低端產品。 硅材料提純設備的技術水平與國外產品差距較大，只有零星產品生產。 2010年將為設備提供36億元市場 自2003年開始，截至2006年12月，我國在短短的四年時間內新上標准太陽能電池生產線(25MW/條)47條。按現時每條線設備3000萬元的平均投資計算，設備市場高達14億元。如果算上用於解決矽片短缺而用於購買材料製造設備如多晶硅鑄錠爐、單晶爐、切割機、線鋸等的投資，國內相關設備的市場總額則超過了25億元。其中約1/3的市場被國產設備佔領，幾年來累計為國家節約外匯近3億美元，為用戶節約投資超過20億元，已在太陽能光伏產業具備初步的話語權。2005年共銷售相關設備約330台套，銷售額近4億元，2006年則達到了7億元。 根據業內前十名的發展規劃，至2010年，我國將再增加3000MW以上的生產能力。即使採用目前成熟的國產設備和進口設備混合搭配的國內主流配置方案，也至少為設備廠家提供了36億元的市場。若以全進口設備計算，則需設備投資84億元。 摘自 http://ke..com/view/4476509.htm
C. 半導體封裝設備有哪些比較不錯的
半導體封裝設備比較不錯的推薦看下卓興半導體、新益昌、ASM等，我們公司新進的一批半導體封裝設備全是卓興的，操作員反饋挺不錯，很好上手，操作簡單，而且效率高，基本上固晶產能可以達到40K/H，良率也是可以達到Mini LED的固晶良率標准，性能不錯，應該是國產里比較厲害的設備了，網路也有很多相關資料。
D. IC封裝測試生產線都需要什麼設備，我們公司打算建一條小型的生產線
1、要看你封裝什麼產品！
2、購買WAFER（晶圓）還是自己購買DICE（晶粒）。DICE是別人減薄切好的！
3、看你是用共晶工藝還是點膠工藝！設備所有增減！
4、打線機，看要打什麼線，金線和鋁線的話不用吹氮氣設備，銅線就需要了。
5、塑封看什麼級別。夠不同等級料餅，當然還有必須用對應封裝模具！封裝用的框架也是有等級的，至少現在有銅合金和鐵合金的。
6、封裝好了就要電鍍，鍍錫！電鍍廠，可以找外協！
7、切筋正型機。
8、測試機，分選機，要看你封裝形式和IC的類別選擇。
9、激光打字。
10、編帶，包裝。
一般最簡單TO92一整套200萬以內可以搞定！
E. 我們中國有哪些晶元、晶圓製造商
類型 地點 封測廠名 備注
外商 上海市 英特爾（Intel） 英特爾獨資
外商 上海市 安可（AmKor） 安可獨資
外商 上海市 金朋（ChipPAC） [color=blue]星科金朋（STATSChippac）[/color] (原為現代電子)
外商 上海市 新加坡聯合科技（UTAC） 聯合科技獨資
外商 江蘇省蘇州市 飛利浦（Philips） 飛利浦獨資
外商 江蘇省蘇州市 三星電子（Samsung） 三星電子獨資
外商 江蘇省蘇州市 超微（AMD） [color=blue]Spansion 專做FLASH內存[/color] (原為超微獨資)
外商 江蘇省蘇州市 國家半導體（National Semiconctor） 國家半導體獨資
（http://www.seminic.com/index.php）
外商 江蘇省無錫市 無錫開益禧半導體（KEC） 韓國公司獨資
外商 江蘇省無錫市 東芝半導體（Toshiba） 1994年東芝與華晶電子合資，2002年4月收購成為旗下半導體公司，原名為華芝半導體公司
外商 天津市 摩托羅拉（Motorola） [color=blue]Freescale[/color] (原為摩托羅拉獨資)
外商 天津市 通用半導體（General Semiconctor） General獨資
外商 廣東省深圳市 三洋半導體（蛇口） 曰本三洋獨資
外商 廣東省深圳市 ASAT ASAT LIMITED（英國）獨資
外商 廣東省東莞市 清溪三清半導體 三洋半導體（香港）
外商 江蘇省蘇州市 快捷半導體（Fairchild）
合資 上海市 上海新康電子 上海新泰新技術公司與美國siliconix公司合資
（http://www.seminic.com/index.php）
合資 上海市 松下半導體（Matsushita） 曰本松下、松下中國及上海儀電控股各出資59%、25%、16%成立
合資 上海市 上海紀元微科微電子（原阿法泰克電子） 泰國阿法泰克公司佔51%，上海儀電控股佔45%，美國微晶元公司佔4%。
合資 江蘇省蘇州市 曰立半導體（Hitachi） 曰立集團與新加坡經濟發展廳合資
合資 江蘇省蘇州市 英飛凌（Infineon） 英飛凌與中新蘇州產業園區創業投資有限公司合資
合資 江蘇省無錫市 矽格電子 矽格電子與華晶上華合資
合資 江蘇省南通市 南通富士通微電子 南通華達微電子與富士通合資
合資 北京市 三菱四通電子 曰本三菱與四通集團合資
合資 廣東省深圳市 深圳賽意法電子 深圳賽格高技術投資股份有限公司與意法半導體合資
合資 四川省樂山 樂山菲尼克斯半導體 樂山無線電廠與安森美半導體合資
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合資 浙江省寧波市 寧波明昕電子 台灣地區明昕電子與寧波電子信息集團有限公司及中國新紀元有限公司和亨利企業（香港）有限公司還有寧波合泰科技投資公司合資
台商 上海市 威宇半導體 [color=blue]被曰月光收購[/color] (原為威盛董事長王雪紅主導 )
台商 上海市 桐芯科技 台商獨資
台商 上海市 宏盛科技 台商獨資
台商 上海市 凱虹電子 台商獨資
台商 上海市 捷敏電子 台商獨資
台商 上海市 曰月光 台商獨資
台商 上海市 南茂 台商獨資
2 中國區較大的半導體企業
台商 江蘇省寧波市 菱生 台商獨資
台商 江蘇省吳江市 巨豐電子 台商獨資
台商 江蘇省吳江市 超豐 台商獨資
台商 廣東省珠海市 珠海南科集成電子 珠海南科集團
台商 廣東省東莞市 矽德 台商獨資
台商 山東省陽信市 長威電子 台商獨資
本土 上海市 上海華旭微電子 首剛NEC後段封測獨立
本土 江蘇省無錫市 無錫華潤晶微電子 香港華潤微電子子公司
本土 江蘇省常州市 中電華威電子（原連雲港華威電子） 連雲港華威電子集團有限公司與深圳中電投資股份有限公司和江陰市新潮科技有限公司及南通華達微電子有限公司合資
本土 江蘇省江陰市 江蘇長電科技 本土最大的封測企業
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長電先進是國內第一家Wafer bumping Vendor3
本土 江蘇省邗江市 邗江九星電子 本土資金
本土 江蘇省錫山市 玉祁紅光電子 本土資金
本土 廣東省廈門市 廈門華聯 本土資金
本土 廣東省汕頭市 汕頭華汕電子 本土資金
本土 四川省西安市 驪山微電子 前身為西安微電子研究所
本土 浙江省紹興市 華越芯裝電子 本土資金
本土 廣西省桂林市 南方電子有限公司 本土資金
本土 甘肅省天水市 天水華微電子 前身為國營第七四九廠
外商 上海市 金朋（ChipPAC） 原為現代電子 改為 星科金朋（STATSChippac）
台商 上海市 威宇半導體 威盛董事長王雪紅主導 改為 被曰月光收購
外商 天津市 摩托羅拉（Motorola） 摩托羅拉獨資 改為（Freescale）
外商 江蘇省蘇州市 超微（AMD） 超微獨資 改為（Spansion）
添加：外商 江蘇省蘇州市 快捷半導體（Fairchild）
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江蘇省蘇州市 超微（AMD） 超微獨資 改為（Spansion）專做FLASH內存
現在新建一個超微（AMD）(蘇州)是做CPU成品測試的
還有AMD,國半的鼻祖,快捷(蘇州)(fairchilrd)
專做代工的嘉盛半導體(蘇州)有限公司
英飛凌(無錫)有限公司新義半導體(蘇州)有限公司好象是幫英飛凌做代工
還有剛投資的松下半導體(蘇州)有限公司
快捷(無錫)(fairchilrd)
瑞薩半導體(蘇州)有限公司,三凌與曰立合作的。
中心半導體論壇（http://www.seminic.com/index.php）
匯集半導體設備,半導體材料,半導體激光,半導體照明,半導體封裝,半導體光電,集成電路,光電,微電子,LED,ESD,RoHS,無鉛製程,防靜電,SMT,固晶,焊線,IC設計,IC測試,IC封裝,晶圓製造,IC晶元,平板顯示,FPD,分立器件,光伏,太陽能等相關資訊。 （http://www.seminic.com/index.php）
集中探討集成電路,光刻,刻蝕,淀積,擴散,注入,清洗,LCDLithography,Etching,Diffusion,Thin Film,Wafer Processing,Package,熒光粉等工藝技術。
F. 快要畢業，我已經簽到一個晶圓廠，設備工程師，只對晶圓製造有個基本概念而已，對設備機器一點也不了解
其實設備工程師的主要工作職責是：控制、維護設備的正常工作，對設備進行保養，並能夠對設備的簡單故障進行維修處理。
其實這個是比較簡單的，在進入公司進行一段時間的培訓就可以上手了。
祝你好運哦！~~~
G. 什麼是半導體設備
半導體設備即為利用半導體元件製造的電氣設備。
半導體，指常溫下導電性能介於導版體與絕緣體之間的材料權。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。
半導體設備有激光打標機，激光噴碼機，包裝機，純水機等等
半導體材料分類半導體材料按化學成分和內部結構，大致可分為以下幾類：
化合物半導體由兩種或兩種以上的元素化合而成的半導體材料。
無定形半導體材料 用作半導體的玻璃是一種非晶體無定形半導體材料，分為氧化物玻璃和非氧化物玻璃兩種。
元素半導體有鍺、硅、硒、硼、碲、銻等。
有機增導體材料已知的有機半導體材料有幾十種，包括萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，目前尚未得到應用 。
H. 晶圓用什麼設備拉出來的設備貴嗎
就非常貴吧，這個設備是500塊錢左右吧，這個設備因為金元用的是一個是被拉出來的話還是蠻好的，因為這個設備的話能夠得到我們的幫助。
I. 晶圓製造
晶圓（WAFER）：多指單晶硅圓片，由普通硅沙拉制提煉而成，是最常用的半導體材料。按其直徑分為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸等規格，近來已經發展出16英寸甚至更大規格。晶圓越大，同一圓片上可生產同規格的IC就多，可有效降低IC成本。
半導體晶圓製造的基本原理，主要是將經過精密設計的電路，藉由光罩逐層（Layer by Layer）的轉移至矽晶圓上，以製造出所需的IC產品。主要的加工步驟包括化學清洗（Chemical clean）、氧化∕薄膜沈積(Oxidation∕Metal deposition)、光罩投影(Photolithography)、蝕刻(Etching)、離子植入（Ion implant）、擴散(Diffuse)、光阻去除、檢驗與量測等[34]，總加工步驟隨著歷年曝光方式的改變及線路線寬的減少而與日遽增。以動態隨機存取記憶體（DRAM）為例，製作過程非常困難且繁復，如將量測與檢驗等步驟納入考量，總製程步驟已超過五百道以上。
晶圓製造的基本流程，是將矽晶圓投入製程中，經過化學清洗、氧化∕薄膜沈積等程序後，會於矽晶圓表面形成一層矽氧化膜，此薄膜經過上光阻液、並配合光罩於黃光區進行曝光、顯影，就可將光罩上的電路圖移轉至矽晶圓上。經過特殊光線照射後的光阻液會產生變化，使得此部份的光阻液可利用化學葯品或腐蝕性氣體去除而露出矽氧化膜，此為蝕刻（Etching）過程。露出的矽氧化膜經離子植入製程，於晶圓表面植入硼、砷和磷等離子，以形成半導體電子元件。接下來以金屬賤鍍的方式，於晶圓表面賤鍍能夠導電的金屬層，以連接電子元件，並以表面絕緣保護，就可完成其中一個層（Layer）的製造。如此一層一層的層疊架構，就可將電路圖完全的移轉至矽晶圓上，完成所製造的IC產品，不同功能的IC產品所需的層數也不相同，視其復雜度而定。以下便針對上述幾個單元製作略述其製造、生產特性以及所使用的設備。