晶壓管變流設備是什麼

1. 什麼是晶體管效應

晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用於檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基於輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在於晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。

半導體三極體，是內部含有兩個PN結，外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關等作用，應用十分廣泛。輸入級和輸出級都採用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書刊和實用中都簡稱為TTL電路，它屬於半導體集成電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個晶體管和電阻元件組成的電路系統集中製造在一塊很小的矽片上，封裝成一個獨立的元件。半導體三極體[font color=#000000]是電路中[/font]應用最廣泛的器件之一，在電路中用「V」或「VT」（舊文字元號為「Q」、「GB」等）表示。

半導體三極體主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發射極（Emitter）、基極 (Base) 和集電極（Collector）；場效應晶體管的三個極，分別是源極 （Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發射極接地（又稱共射放大、CE組態）、基極接地（又稱路最常用的用途應該是屬於訊號放大這一方面，其次是阻抗匹配、訊號轉換……等，晶體管在電路中是個很重要的組件，許多精密的組件主要都是由晶體管製成的。

晶體管被認為是現代歷史中最偉大的發明之一，在重要性方面可以與印刷術，汽車和電話等發明相提並論。晶體管實際上是所有現代電器的關鍵活動（active）元件。晶體管在當今社會的重要性，主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程，進行大規模生產的能力，因而可以不可思議地達到極低的單位成本。

雖然數以百萬計的單體晶體管還在使用，但是絕大多數的晶體管是和電阻、電容一起被裝配在微晶元（晶元）上以製造完整的電路。模擬的或數字的或者這兩者被集成在同一塊晶元上。設計和開發一個復雜晶元的成本是相當高的，但是當分攤到通常百萬個生產單位上，每個晶元的價格就是最小的。一個邏輯門包含20個晶體管，而2005年一個高級的微處理器使用的晶體管數量達2.89億個。

晶體管的低成本、靈活性和可靠性使得其成為非機械任務的通用器件，例如數字計算。在控制電器和機械方面，晶體管電路也正在取代電機設備，因為它通常是更便宜、更有效地，僅僅使用標准集成電路並編寫計算機程序來完成同樣的機械任務，使用電子控制，而不是設計一個等效的機械控制。

因為晶體管的低成本和後來的電子計算機、數字化信息的浪潮來到了。由於計算機提供快速的查找、分類和處理數字信息的能力，在信息數字化方面投入了越來越多的精力。今天的許多媒體是通過電子形式發布的，最終通過計算機轉化和呈現為模擬形式。受到數字化革命影響的領域包括電視、廣播和報紙。
參考資料：http://ke..com/view/30363.htm

2. 晶體管有哪三種工作狀態

晶體三極體的三種工作狀態：

1、截止狀態：當加在三極體發射結的電壓小於PN結的導通電壓，基極電流為零，集電極電流和發射極電流都為零，三極體這時失去了電流放大作用，集電極和發射極之間相當於開關的斷開狀態，我們稱三極體處於截止狀態。

2、放大狀態：當加在三極體發射結的電壓大於PN結的導通電壓，並處於某一恰當的值時，三極體的發射結正向偏置，集電結反向偏置，這時基極電流對集電極電流起著控製作用，使三極體具有電流放大作用，其電流放大倍數β＝ΔIc/ΔIb，這時三極體處放大狀態。

3、飽和導通狀態：當加在三極體發射結的電壓大於PN結的導通電壓，並當基極電流增大到一定程度時，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處於某一定值附近不怎麼變化，這時三極體失去電流放大作用，集電極與發射極之間的電壓很小，集電極和發射極之間相當於開關的導通狀態。三極體的這種狀態我們稱之為飽和導通狀態。

(2)晶壓管變流設備是什麼擴展閱讀：

晶體管是一種固體半導體器件（包括二極體、三極體、場效應管、晶閘管等，有時特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基於輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關（如Relay、switch）不同，晶體管利用電信號來控制自身的開合，所以開關速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。

當向三極體的基極輸入正極性信號時，其基極電流會增大，容易進入飽和狀態；當向三極體的基極輸入負極性信號時，其基極電流會減小，容易進入截止狀態。因此，解決輸入信號送入放大電路能否順利放大，主要是檢查最大值（一般為正極性）的輸入信號、最小值（一般為負極性）的輸入信號是否引起放大電路中三極體進入了飽和狀態、截止狀態，如果兩種輸入信號都沒有使三極體進入飽和、截止狀態，那麼該范圍的輸入信號送入放大電路後能被順利放大。如果兩種輸入信號使三極體進入飽和或截止狀態，則不能順利放大，會引起信號飽和失真或截止失真。

3. 壓力變送器有什麼作用

壓力變送器作用如下：

1、使用被測介質廣泛，可測油、水及與316不銹鋼和304不銹鋼兼容的糊狀物，具有一定的防腐能力；

2、高准確度、高穩定性、選用進口原裝感測器，線性好，溫度穩定性高；

3、體積小、重量輕、安裝、調試、使用方便；

4、不銹鋼全封閉外殼，防水好；

5、壓力感測器直接感測被測液位壓力，不受介質起泡、沉積的影響。

壓力變送器主要優點

1、壓力變送器具有工作可靠、性能穩定等特點；

2、專用V/I集成電路，外圍器件少，可靠性高，維護簡單、輕松，體積小、重量輕，安裝調試極為方便；

3、鋁合金壓鑄外殼，三端隔離，靜電噴塑保護層，堅固耐用；

4、4-20mA DC二線制信號傳送，抗干擾能力強，傳輸距離遠；

5、LED、LCD、指針三種指示表頭，現場讀數十分方便。可用於測量粘稠、結晶和腐蝕性介質；

6、高准確度，高穩定性。除進口原裝感測器已用激光修正外，對整機在使用溫度范圍內的綜合性溫度漂移、非線性進行精細補償。

以上內容參考：網路-壓力變送器

4. 帶感性負載的晶閥管直流整流電路中，與負載並聯的二極體續流的原理是什麼

續流二極體接在電路里的極性是與可控硅輸出直流電壓的極性相反的，如圖所示：負載接通電壓時，電流IL方向是向下的，二極體處於反向電壓不導通。當關斷負載電壓時，IL=0，由於感性負載電流不能突變，在急劇減小其電流時會產生一個自感電勢，其方向是與原來的電源電壓相反的，自感自感電勢此時恰恰是二極體的正向電壓方向，使二極體導通，泄放了出去，電流方向向上，通過負載構成迴路，消耗在負載的電阻上變為熱量。

有了續流二極體可以保護可控硅不能被負載的自感電勢擊穿。

5. 什麼是變流技術

變流技術
變流技術是一種電力變換的技術，相對於電力電子器件製造技術而言，是一種電力電子器件的應用技術，它的理論基礎是電路理論。變流技術主要包括：用電力電子器件構成各種電力變換的電路，對電路進行控制，以及用這些技術構成更為復雜的電力電子裝置和系統．通常所說的「變流」是指：交流電變直流電，直流電變交流電，直流電變直流電和交流電變交流電。
例如，我們常見的充電器，就使用了交流電變直流電的變流技術。
變流技術是伴隨著半導體器件的發展而發展出來的一種交叉新技術。半導體器件製造技術中已經先後經歷了以晶閘管為代表的分立器件，以可關斷晶閘管（GTO）、巨型晶體管（GTR）、功率MOSFET、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）為代表的功率集成器件（PID），以智能化功率集成電路（SPIC）、高壓功率集成電路（HVIC）為代表的功率集成電路（PIC）等三個發展時期。
在器件結構上，從分立器件，發展到由分立器件組合成功率變換電路的初級模塊，繼而將功率變換電路與觸發控制電路、緩沖電路、檢測電路等組合在一起的復雜模塊。功率集成器件從單一器件發展到模塊的速度更為迅速，今天已經開發出具有智能化功能的模塊（IPM）。
在器件的控制模式上，從電流型控制模式發展到電壓型控制模式，不僅大大降低了門極（柵極）的控制功率，而且大大提高了器件導通與關斷的轉換速度，從而使器件的工作頻率由工頻→中頻→高頻不斷提高。
變流技術發展到今天，其應用范圍大致分為5個方面。
（1）整流：實現AC/DC變換；
（2）逆變：實現DC/AC變換；
（3）變頻：實現AC/AC(AC/DC/AC)變換；
（4）斬波：實現DC/DC(AC/DC/DC)變換；
（5）靜止式固態斷路器：實現無觸點的開關、斷路器的功能，控制電能的通斷。

6. 什麼是電力電子變流技術

電力電子變流是個交叉的學科，它是指用現代電力電子技術（電力學、電子學、控制論）來實現交流變直流，和直流變交流。他對於現在科技的發展、節能、機車的運行等有著重要的作用應用於電力領域的電子技術,使用電力電子器件(Power Electronic Device)對電能進行變換和控制的技術.電力電子技術主要用於電力變換(Power Conversion). 1.2電力電子技術的兩個分支: 電力電子變流技術(Power Electronic Conversion Technique) 用電力電子器件(Power Electronic Device)構成電力變換電路(Power Conversion Circuit)和對其進行控制的技術,及構成電力電子裝置(Power Electronic Equipment)和電力電子系統(Power Electronic System)的技術.電力電子技術的核心,理論基礎是電路理論(Theory of Electric circuit). 電力電子器件製造技術(Manufacture Technique of Power Electronic Device)電力電子器件製造技術的基礎,理論基礎是半導體物理(Semiconctor Physics)。 1.3 電力變換變換器分為四大類: 交流→直流——整流 直流→交流——逆變 直流→直流——斬波 來源: http://tede.cn交流→交流——交流調壓,變頻 1.4 電力電子技術和電子技術的關系 電力電子器件製造技術和電子器件(Electronic Device)製造技術的理論基礎是一樣的,大多數工藝也相同。現代電力電子器件製造大都使用集成電路(Integrate Circuit-IC)製造工藝,採用微電子(Micro-electronics)製造技術,許多設備都和微電子器件製造設備通用,說明二者同根同源. 電力電子電路(Power Electronic Circuit)和電子電路(Electronic Circuit)許多分析方法一致,僅應用目的不同.廣義而言,電子電路中的功放和功率輸出也可算做電力電子電路.電力電子電路廣泛用於電視機,計算機等電子裝置中,其電源部分都是電力電子電路. 器件的工作狀態: 信息電子,既可放大,也可開關;電力電子,為避免功率損耗過大,總在開關狀態 ——電力電子技術的一個重要特徵. 1.5電力電子技術與電氣工程的關系 主要關系:電力電子技術廣泛用於電氣工程(Electrical Engineering)中. 電力電子裝置廣泛用於高壓直流輸電(High-Voltage DC Transmission),靜止無功補償(Static VAR Compensate),電力機車牽引(Electrical Power Motorcycle Driving),交直流電力傳動(AC/DC Power Driving),電解(Electrolyze),勵磁(Excitation),電加熱(Electric Power Heating),高性能交直流電源(High-Performance AC/DC Power Supply)等電力系統(Electric Power System)和電氣工程(Electrical Engineering). 請登陸:輸配電設備網 瀏覽更多信息 通常把電力電子技術歸屬於電氣工程學科 電力電子技術是電氣工程學科中一個最為活躍的分支,其不斷進步給電氣工程的現代化以巨大的推動力 1.6 電力電子技術與控制理論的關系 1)控制理論廣泛用於電力電子技術,使電力電子裝置和系統的性能滿足各種需求; 2)電力電子技術可看成"弱電控制強電"的技術,是"弱電和強電的介面",控制理論是實現該介面的強有力紐帶; 3)控制理論和自動化技術密不可分,而電力電子裝置是自動化技術的基礎元件和重要支撐技術. 2、電力電子技術的發展史 電力電子器件的發展對電力電子技術的發展起著決定性的作用,因此,電力電子技術的發展史是以電力電子器件的發展史為綱的. 1904年出現了電子管(Vacuum tube),能在真空中對電子流進行控制,並應用於通信和無線電,從而開了電子技術之先河 20年代末出現了水銀整流器(Mercury Rectifier),其性能和晶閘管(Thyristor)很相似.在30年代到50年代,是水銀整流器發展迅速並大量應用的時期.它廣泛用於電化學工業,電氣鐵道直流變電所,軋鋼用直流電動機的傳動,甚至用於直流輸電 來源: www.tede.cn 1947年美國貝爾實驗室發明晶體管(Transistor),引發了電子技術的一場革命 1957年美國通用電氣公司研製出第一個晶閘管(Thyristor) 1960年我國研究成功硅整流管(Silicon Rectifying Tube/Rectifier Diode) 1962年我國研究成功晶閘管(Thyristor) 70年代出現電力晶體管(Giant Transistor-GTR),電力場效應管(Metallic Oxide Semiconctor Field Effect Transistor-MOSFET) 80年代後期開始:復合型器件. 以絕緣柵極雙極型晶體管(Insulated -Gate Bipolar Transistor-IGBT)為代表,IGBT是電力場效應管(MOSFET)和雙極結型晶體管( Bipolar Junction Transistor-BJT)的復合.它集MOSFET的驅動功率小,開關速度快的優點和BJT通態壓降小,載流能力大的優點於一身,性能十分優越,使之成為現代電力電子技術的主導器件.與IGBT相對應,MOS控制晶閘管(MOS Controlled Transistor-MCT)和集成門極換流晶閘管(Intelligent Gate-Commutated Thyristor-IGCT)等都是MOSFET和GTO的復合,它們也綜合了MOSFET和GTO兩種器件的優點. 90年代主要有: 功率模塊(Power Mole):為了使電力電子裝置的結構緊湊,體積減小,常常把若干個電力電子器件及必要的輔助元件 做成模塊的形式,這給應用帶來了很大的方便. 請登陸:輸配電設備網 瀏覽更多信息 功率集成電路(Power Integrated Circuit-PIC):把驅動,控制,保護電路和功率器件集成在一起,構成功率集成電路(PIC).目前其功率都還較小,但代 表了電力電子技術發展的一個重要方向 . 智能功率模塊(Intelligent Power Mole-IPM)則專指IGBT及其輔助器件與其保護和驅動電路的單片集成,也稱智能IGBT(Intelligent IGBT). 高壓集成電路(High Voltage Integrated Circuit-HVIC):一般指橫向高壓器件與邏輯或模擬控制電路的單片集成. 智能功率集成電路(Smart Power Integrated Circuit-SPIC):一般指縱向功率器件與邏輯或模擬控制電路的單片集成.

7. 求解，關於噴管和擴壓管是怎樣改變流體的壓力的

流體流過擴壓管時，流體的動能轉變為流體的焓增，表現為擴壓管出口流體壓力的提高。
擴壓管的作用是為給流體增壓，使工質流過後，速度降低而壓力升高。
這是一種簡便的升壓設備，工程上應用也較廣，如噴氣發動機、引射器和蒸汽噴射製冷中的噴射器中，氣體的增壓都要用到擴壓管。氣體在擴壓管中的能量轉換過程，正好和噴管中的過程相反。

8. 電力電子技術中甲管晶電壓電流安全裕量是多少

晶閘管，一般為了安全，額定電流要留有一定安全裕量，它的額定電流定為通態平均電流的1.5~2倍。

9. 電力電子技術中甲管晶電壓電流安全裕量是多少

晶閘管，一般為了安全，額定電流要留有一定安全裕量，它的額定電流定為通態平均電流的1.5~2倍。
晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電氣公司開發出世界上第一款晶閘管產品，並於1958年將其商業化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極； 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用於可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。
晶閘管導通條件為：加正向電壓且門極有觸發電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字元號為「V」、「VT」表示（舊標准中用字母「SCR」表示）。
晶閘管（Thyristor）是一種開關元件，能在高電壓、大電流條件下工作，並且其工作過程可以控制、被廣泛應用於可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中，是典型的小電流控制大電流的設備。1957年，美國通用電器公司開發出世界上第一個晶閘管產品，並於1958年使其商業化。