1. 多晶硅成本核算
原料:SIHCL3純度(95%左右)可能是1萬6左右一噸.
SICL4
送人要倒貼車費,幾千一噸
設備:太多了..
電費:一公斤需耗電300度左右.水費很少.
關於設備的問題,由於產能不一樣,所以設備是有區別的.
根據你的提問,
我不知
怎樣回答你.
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我估計你完不成這個課程設計,換一個吧!現在改還課題還早!
2. 現在多晶硅公司的生產成本可以做到多少好像好多都是40-50$/kg
多晶硅生產中的成本各個廠家都有自己的一套說法,比如江蘇一家多晶硅廠就號稱可以做到20多美金,但是不知道他們對成本的計算方式是怎樣的。
一般多晶硅的成本最大的組成是:電耗、生產原料、項目折舊以及蒸汽等,但有些廠家在電價上可以獲得政府補貼或是某些區域(如內蒙古)的電價相對便宜,自然對成本有很大影響,另外老式12對棒還原爐電耗較高,現在24對甚至36對棒還原爐,肯定對電耗有幫助。生產原料即三氯氫硅的成本主要看你對四氯化硅的轉化量和轉化成本,而且一些電價很高的地方,如果採用熱氫化則很大程度上增加轉化成本,但如果 在電價相對優惠的地區,如果熱氫化能穩定運行的話,個人覺得熱氫化還是比冷氫化省事,冷氫化的檢修太麻煩了。折舊費用很難說,這跟投資金額和折舊時間有關系,不同時期的投資金額差距很大,並且有些公司按10年算有些地方按15年算,不好講。蒸汽消耗也是一項很大的投入,現在大部分廠家都對還原的熱量進行了回收,用冷卻水閃蒸蒸汽。這自然可以減少一部分蒸汽上的開銷。但如果能夠利用外部蒸汽,如電廠的或其他的富餘蒸汽,便宜買來用,自然又省了不少。所以,各家披露的成本不好講,個人認為設計產能能完全釋放,同時電價又能優惠到個兩三毛錢,折舊算個15年(建造成本不要太高,按一般算),三氯氫硅不漲價(目前大概5000多),理想的話25應該可以做到吧。
3. 用於生產多晶硅的硅粉大概多少錢一噸
這種粉是工業硅【金屬硅】用打粉機器打的,實際上不是粉,是顆粒,按鐵鋁鈣含量不同分為553.441.421.3303等不同品味,價格相差不大,按現在行情是1000-12000,再加上加工費每噸1000左右,實際到廠價格為11000-13000.
4. 生產多晶硅的設備有哪些,現在市面上多少錢啊
多晶硅不是小作坊```需要的設備多了,一條還原線就要兩個多億。。
5. 目前國內多晶硅公司有哪些
1、天威保變(600550)參股25.99%的天威英利主要生產硅太陽能電池,目前矽片年產能70兆瓦、電池60兆瓦、組件100兆瓦,參股35.66%的新光硅業的在建項目投產後可年產多晶硅1260噸。此外,天威保變出資組建樂山樂電天威硅業科技有限責任公司新建3000噸/年多晶硅項目;與川投集團、岷江水電在成都市新津新建3000噸/年多晶硅項目。
2、通威股份(600438)公司2008年2月公司以1.91億元收購永祥公司50%股份,永祥公司全資子公司―――永祥多晶硅公司年產1000噸多晶硅項目計劃2008年6月投產,一期1000噸多晶硅項目投產後計劃建設二期3個3000噸多晶硅項目。
3、川投能源(600674)2008年1月收購新光硅業38.9%股權。新光硅業承建的1260噸/年多晶硅項目是目前中國最大的多晶硅生產項目,項目概算總投資約12.9億元,從2007年2月底投料試車成功到07年9月底,該公司共生產出多晶硅約69噸,計劃2007年全年累計生產200噸。
4、樂山電力(600644)出資2.55億元(佔51%)與天威保變組建樂電天威硅業公司建設、經營樂山3000噸/年多晶硅項目。項目預計總投資約22億元,投資期預計為兩年,第三年投產,第四年當年生產負荷達到設計能力的80%,第五年直至以後生產負荷為100%。
5、岷江水電(600131)出資13230萬參股天威四川硅業有限責任公司(佔14%)投資新津3000噸/年多晶硅項目。新津3000噸/年多晶硅項目工程擬總投資26.75億元。項目擬定總投資約27億元,公司出資比例為14%。該項目建設期為2年,第5年達到設計生產能力。
6、南玻A(000012)2006年6月總投資60億元多晶硅材料及太陽能電池投資項目在香港簽約,在湖北宜昌投資建設高純多晶硅材料及太陽能電池產業兩個項目,總規模年產5000噸高純多晶硅、450兆瓦太陽能電池組件。
7、航天機電(600151)公司控股子公司上海太陽能科技公司(佔70%)是國內最大太陽能產品技術研發和生產銷售公司,產量首次達到10兆瓦,相當於全國太陽能總產能50%以上。公司全資子公司神州新能源在內蒙古建設1500噸/年多晶硅生產裝置,總投資約18億元。
8、江蘇陽光(600220)公司投巨資共同設立寧夏陽光硅業公司生產多晶硅,公司佔65%。多晶硅是生產單晶硅的直接原料,是當代人工智慧、自動控制、信息處理等半導體器件的電子信息基礎材料,被稱為微電子大廈的基石,而最重要的是多晶硅是太陽能的核心原材料,目前我國多晶硅基本依賴進口,而由於技術壟斷,公司發展前景非常看好。
公司新設立的子公司未來規模年產多晶硅4000噸,項目已經開工,預計今年年底完工。公司首期規模年產多晶硅1000噸,以及配套新建2*15萬千瓦自備電廠、氫氣廠等,一旦建設完成,屆時公司有望在多晶硅領域將成為國內乃至亞洲地區規模最大的企業,並成為太陽能上游資源的壟斷龍頭。
9、特變電工(600089)特變電工在1月18日與峨嵋半導體研究所、新疆特變(集團)有限公司特變集團、上海宏聯創業投資有限公司簽署了《特變電工多晶硅公司出資協議書》,上述四家公司將共同出資4億元設立多晶硅公司。其中,特變電工以3億元的出資額佔有多晶硅公司注冊資本的75%。
多晶硅公司成立後,擬投資建設1500噸/年多晶硅項目,而根據可行性分析報告,該項目固定資產投資140681萬元,除本次股東出資40000萬元,其餘資金通過銀行貸款及其他方式解決。
10、拓日新能(002218)公司是一家集研發、生產、銷售非晶硅、單晶硅、多晶硅太陽能電池晶元、太陽能電池組件以及太陽能電池應用產品為一體高新技術企業,形成從電池晶元、電池組件到終端應用產品完整產業鏈,主要產品包括太陽能電池晶元、太陽能電池組件、太陽能燈具、太陽能充電器、太陽能戶用電源系統等。
11、鄂爾多斯(600295)公司硅鐵產量今年可以達到53.5萬噸,處於全球第一。2008~2009年硅鐵產品將是公司主要利潤增長源泉。通過定向增發計劃進入多晶硅產業,將為公司發展增添後勁。公司利用生產工業硅和電能優勢介入多晶硅。
6. 多晶硅生產設備
提煉多晶硅過程中要注意的一個是安全,再一個就是多晶硅的純度了.能提供你的就這些了,其他屬於保密部分,不好意思
7. 多晶硅多少錢一噸
多晶硅,是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時,硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結合起來,就結晶成多晶硅。利用價值:從目前國際太陽電池的發展過程可以看出其發展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)
在太陽能利用上,單晶硅和多晶硅也發揮著巨大的作用。要使太陽能發電具有較大的市場,被廣大的消費者接受,就必須提高太陽電池的光電轉換效率,降低生產成本。從國際太陽電池的發展過程可以看出其發展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。
2015年3-4月份國內多晶硅價格一路直線下跌,從3月初的13.9萬元/噸下滑到4月底的12.0萬元/噸,下降幅度為13.7%。
8. 多晶硅的生產工藝流程及有關設備有哪些
多晶硅的生產工藝流程及有關設備有:
1、多晶硅生產主要關鍵設備(在改良西門子法中):氯化氫合成爐,三氯氫硅沸騰床加壓合成爐,三氯氫硅水解凝膠處理系統,三氯氫硅粗餾、精餾塔提純系統,硅芯爐,節電還原爐,磷檢爐,硅棒切斷機,腐蝕、清洗、乾燥、包裝系統裝置,還原尾氣干法回收裝置;其他包括分析、檢測儀器,控制儀表,熱能轉換站,壓縮空氣站,循環水站,變配電站,凈化廠房等。
2、西門子改良法生產多晶硅工藝如下:
(1)石英砂在電弧爐中冶煉提純到98%並生成工業硅, 其化學反應SiO2+C→Si+CO2↑
(2)為了滿足高純度的需要,必須進一步提純。把工業硅粉碎並用無水氯化氫(HCl)與之反應在一個流化床反應器中,生成擬溶解的三氯氫硅(SiHCl3)。
其化學反應Si+HCl→SiHCl3+H2↑
反應溫度為300度,該反應是放熱的。同時形成氣態混合物(Н2,НС1,SiНС13,SiC14,Si)。
(3)第二步驟中產生的氣態混合物還需要進一步提純,需要分解:過濾硅粉,冷凝SiНС13,SiC14,而氣態Н2,НС1返回到反應中或排放到大氣中。然後分解冷凝物SiНС13,SiC14,凈化三氯氫硅(多級精餾)。
(4)凈化後的三氯氫硅採用高溫還原工藝,以高純的SiHCl3在H2氣氛中還原沉積而生成多晶硅。 其化學反應SiHCl3+H2→Si+HCl。
多晶硅的反應容器為密封的,用電加熱硅池硅棒(直徑5-10毫米,長度1.5-2米,數量80根),在1050-1100度在棒上生長多晶硅,直徑可達到150-200毫米。
這樣大約三分之一的三氯氫硅發生反應,並生成多晶硅。剩餘部分同Н2,НС1,SiНС13,SiC14從反應容器中分離。這些混合物進行低溫分離,或再利用,或返回到整個反應中。
9. 多晶硅生產流程是什麼
多晶硅,是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時,硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結合起來,就結晶成多晶硅。
1、石英砂在電弧爐中冶煉提純到98%並生成工業硅,其化學反應SiO₂+C→Si+CO₂↑。
2、為了滿足高純度的需要,必須進一步提純。把工業硅粉碎並用無水氯化氫(HCl)與之反應在一個流化床反應器中,生成擬溶解的三氯氫硅(SiHCl₃)。其化學反應Si+HCl→SiHCl₃+H₂↑,反應溫度為300度,該反應是放熱的。同時形成氣態混合物(Н₂,НСl,SiНСl₃,SiCl₄,Si)。
3、第二步驟中產生的氣態混合物還需要進一步提純,需要分解:過濾硅粉,冷凝SiНСl₃,SiCl₄,而氣態Н₂,НСl返回到反應中或排放到大氣中。然後分解冷凝物SiНСl₃,SiCl₄,凈化三氯氫硅(多級精餾)。
4、凈化後的三氯氫硅採用高溫還原工藝,以高純的SiHCl3在H₂氣氛中還原沉積而生成多晶硅。其化學反應SiHCl₃+H₂→Si+HCl。
多晶硅的反應容器為密封的,用電加熱硅池硅棒(直徑5-10毫米,長度1.5-2米,數量80根),在1050-1100度在棒上生長多晶硅,直徑可達到150-200毫米。這樣大約三分之一的三氯氫硅發生反應,並生成多晶硅。
剩餘部分同Н₂,НСl,SiНСl₃,SiCl₄從反應容器中分離。這些混合物進行低溫分離,或再利用,或返回到整個反應中。氣態混合物的分離是復雜的、耗能量大的,從某種程度上決定了多晶硅的成本和該工藝的競爭力。
用途
多晶硅可作拉制單晶硅的原料,多晶硅與單晶硅的差異主要表現在物理性質方面。例如,在力學性質、光學性質和熱學性質的各向異性方面,遠不如單晶硅明顯;在電學性質方面,多晶硅晶體的導電性也遠不如單晶硅顯著,甚至於幾乎沒有導電性。
在化學活性方面,兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區別,但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導電類型和電阻率等。多晶硅是生產單晶硅的直接原料,是當代人工智慧、自動控制、信息處理、光電轉換等半導體器件的電子信息基礎材料。