❶ 芯片制造-化学器械研磨（CMP）
芯片制造中至关重要的一步便是化学器械研磨（CMP），这项工艺旨在打磨晶圆，使之达到极高的平坦度和光滑度。打磨晶圆并非单纯追求美观，而是为了确保光刻工艺的精确性。随着芯片制程的精细化，光刻机需要高分辨率的成像，这就要求晶圆表面极度平整，以避免焦深过小导致图像模糊。在芯片制造过程中，打磨环节频繁进行，如刻蚀后去糙、隔离后填平、金属沉积后去除溢出层等，都是为了消除表面不平，确保后续工艺的顺利进行。
CMP的核心是通过化学腐蚀和机械研磨的协同作用。首先，晶圆固定于仪器上，以抛光垫旋转，同时抛光液（包含刻实溶剂和磨料颗粒）被喷洒在两者之间。化学成分使晶圆表面软化，微小颗粒则磨去腐蚀部分，不断重复这个过程，直至晶圆表面达到理想平整度。抛光液的成分、配比、新鲜度，以及抛光垫材质和更换，都是影响CMP效果的关键因素。此外，温度、压力、转速等参数也需精确控制，因为这些都会影响打磨过程中的物理化学反应。
由于CMP工艺的复杂性和难以预测性，芯片制造商需通过大量试验积累经验，并针对具体需求调整参数，以优化打磨效果。总的来说，CMP是芯片制造过程中不可或缺的技术，其精确控制和优化对于保证芯片质量至关重要。