半导体方向用到哪些仪器

Ⅰ 半导体光源的工作原理及涉及的器件有哪些

音频信号光纤传输实验

光纤在通讯领域、传感技术及其他信号传输技术中显示了愈来愈广泛的用途，也显示了其愈来愈重要的地位。随之而来的电光转换和光电转换技术、耦合技术、光传输技术等，都是光纤传输技术及器件构成的重要成分。对于不同频率的信号传输和传输的频带宽度，上述各种技术有很大的差异，构成的器件也具有不同的特性。通过实验了解这些特性及其对信息传输的影响，有助于在科研与工程中恰当地使用这一信号传输技术。
一、实验目的
1.熟悉半导体电光/光电器件的基本性能及主要特性的测试方法。
2.了解音频信号光纤传输的结构及选配各主要部件的原则。
二、实验仪器
FD-OFT-A型音频信号光纤传输实验仪实验主机（包括音频信号发生器、光功率计、LED放射器、SPD接收器等）、多模光纤（装于骨架上），半导体收音机，示波器组成
三、实验原理
1. 音频信号光纤传输系统的原理
传输系统由逗光信号发送器地、逗光信号接受器地和逗传输光纤地三部分组成。其原理主要是：先将待传输的音频信号作为源信号供给逗光信号发送器地，从而产生相应的光信号，然后将此光信号经光纤传输后送入逗光信号接受器地，最终解调出原来的音频信号。为了保证系统的传输损耗低，发光器件LED的发光中心波长必须在传输光纤的低损耗窗口之内，使得材料色散较小。低损耗的波长在850nm，1300nm或1600nm附近。本仪器
LED发光中心波长为850nm，光信号接受器的光电检测器峰值响应波长也与此接近。
为了避免或减少波形失真，要求整个传输系统的频带宽度能覆盖被传输信号的频率范围。由于光纤对光信号具有很宽的频带，故在音频范围内，整个系统频带宽度主要决定于发射端的调制信号放大电路和接收端的功放电路的幅频特性。
2. 半导体发光二极管LED的结构和工作原理
光纤通讯系统中对光源器件在发光波长、电光功率、工作寿命、光谱宽度和调制性能等许多方面均有特殊要求，所以不是随便哪种光源器件都能胜任光纤通讯的任务，目前在以上各方面都能较好满足要求的光源器件主要有半导体发光二极管（light emitting diode，缩写LED）和半导体激光器（Laser Diode，缩写LD）。以下主要介绍发光二极管。半导体发光二极管是低速短距离光通信中常用的非相干光源，它是如图
3所示的N-P-P三层结构的半导体器件，中间层通常是由直接带隙的GaAs砷化镓P型半导体材料组成，称为有源层，其带隙宽度较窄，两侧分别由AlGaAs的N型和P型半导体材料组成，与有源层相比，它们都具有较宽的带隙。具有不同带隙宽度的两种半导体单晶之间的结构称为异质结，中，有源层与左侧的N层之间形成的是P-N异质结，而与右侧P
层之间形成的是P-P异质结，所以这种结构又称为N-P-P双异质结构，简称DH结构。
当在N-P-P双异质结两端加上偏压时，就能使N层向有源层注入导电电子，这些导电电子一旦进入有源层后，因受到P-P异质结的的阻挡作用不能再进入右侧P层，它们只能被限制在有源层内与空穴复合，同时释放能量产生光子，发出的光子满足以下关系：

Ⅱ 半导体芯片制造有哪些工艺流程，会用到那些设备，这些设备的生产商有哪些

主要是对硅晶片（Si wafer）的一系列处理

1、清洗 -> 2、在晶片上铺一层所需要的半导体 -> 3、加上掩膜 -> 4、把不要的部分腐蚀掉 -> 5、清洗

重复2到5就可以得到所需要的芯片了

Cleaning -> Deposition -> Mask Deposition -> Etching -> Cleaning

1、中的清洗过程中会用到硝酸，氢氟酸等酸，用于清洗有机物和无机物的污染

其中Deposition过程可能会用到多种器材，比如HELIOS等~

Mask Deposition过程中需要很多器材，包括Spinner，Hot plate，EVG等等~

根据材料不同或者需要的工艺精度不同，Etching也分很多器材，可以使用专门的液体做Wet etch，或者用离子做Plasma Etching等

最后一部的Cleaning一般是用Develpoer洗掉之前覆盖的掩模~

多数器材都是Oxford Instruments出的

具体建议你去多看看相关的英文书，这里说不清楚。。

Ⅲ 做半导体器件的设备是什么设备

生产三极管的设备抄可能有MOCVD，光袭刻机，离子注入，金丝球焊机，封帽机，测试设备等。
这些设备大多是自动化设备，尤其是MOCVD和离子注入。控制部分是PLC+数字电路，非常复杂。其他的设备电路部分常见的是数字电路控制。但也不排除简单的PLC。

Ⅳ 半导体探测器的仪器应用

半导体探测器有两个电极，加有一定的偏压。当入射粒子进入半导体探测器的灵敏区时，即产生电子-空穴对。在两极加上电压后，电荷载流子就向两极作漂移运动﹐收集电极上会感应出电荷，从而在外电路形成信号脉冲。但在半导体探测器中，入射粒子产生一个电子－空穴对所需消耗的平均能量为气体电离室产生一个离子对所需消耗的十分之一左右，因此半导体探测器比闪烁计数器和气体电离探测器的能量分辨率好得多。半导体探测器的灵敏区应是接近理想的半导体材料，而实际上一般的半导体材料都有较高的杂质浓度，必须对杂质进行补偿或提高半导体单晶的纯度。通常使用的半导体探测器主要有结型、面垒型、锂漂移型和高纯锗等几种类型。金硅面垒型探测器1958年首次出现，锂漂移型探测器60年代初研制成功，同轴型高纯锗(HPGe)探测器和高阻硅探测器等主要用于能量测量和时间的探测器陆续投入使用，半导体探测器得到迅速的发展和广泛应用。
结型探测器 结构类似结型半导体二极管，但用于探测粒子时要加上足够的反向偏压。这时电子和空穴背着PN结移动而形成灵敏区。结型探测器一般采用硅单晶。这是因硅具有较大的禁带宽度，可用以保证在室温下工作时有足够小的漏电流。此外它的灵敏层厚度一般只有1毫米左右，故只适于探测穿透力较小的带电粒子。

Ⅳ 半导体设备有哪些种类

一、分立器件

1、 二极管

A、一般整流用

B、高速整流用：

①（Aast Recovery Diode:高速恢复二极管）

②HED（Figh Efficiency Diode:高速高效整流二极管）

③SBD（Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管）

C、定压二极管（齐纳二极管）

D、高频二极管

①变容二极管

②PIN二极管

③穿透二极管

④崩溃二极管/甘恩二极管/骤断变容二极管

2、 晶体管

①双极晶体管

②FET（Fidld Effect Transistor:场效应管）

Ⅰ、接合型FET

Ⅱ、MOSFET

③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)

3、 晶闸管

①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端双向可控硅

②GTO（Gate Turn off Thyristor:栅极光闭晶闸管）

③LTT（Light Triggered Thyristor:光触发晶闸管）

二、光电半导体

1、LED（Light Emitting Diode:发光二极管）

2、激光半导体

3、受光器件

①光电二极管（Photo Diode）/太阳能电池（Sola Cell）

②光电晶体管（Photo Transistor）

③CCD图像传感器（Charge Coupled Device:电荷耦合器）

④CMOS图像传感器（complementary Metal Oxide Semiconctor:互补型金属氧化膜半导体）

4、光耦(photo Relay)

①光继电器（photo Relay)

②光断路器（photo Interrupter）

5、光通讯用器件

三、逻辑IC

1、通用逻辑IC

2、微处理器（Micro Processor）

①CISC(Complex Instruction Set Computer:复杂命令集计算机)

②RISC(Reced instruction SET Computer:缩小命令集计算机)

3、DSP(Digital Signal processor:数字信号处理器件)

4、AASIC（Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC）

①栅陈列（Gate-Array Device）

②SC(Standard Cell:标准器件)

③FPLD(Field programmable Logic Device:现场可编程化逻辑装置)

5、MPR（Microcomputer peripheral:微型计算机外围LSI）

6、系统LSI（System LSI）

四、模拟IC（以及模拟数字混成IC）

1、电源用IC

2、运算放大器（OP具Amp）

3、AD、DA转换器（AD DA Converter）

4、显示器用驱动器IC(Display Driver IC)

五、存储器

1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:动态随机存取存储器)

2、SRAM(Static Random Access Memory:静态随机存取储器)

3、快闪式存储器(Flash Memory)

4、掩模ROM(mask Memory)

5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:强介电质存储器)

6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性体存储器)

Ⅵ 半导体封装都要用到哪些设备呀

半导体封装一般用到点胶机+胶水环氧树脂，焊机+焊膏。典型的封装工艺流程为：划片 装片 键合 塑封 去飞边 电镀 打印 切筋和成型 外观检查 成品测试 包装出货。

Ⅶ 半导体封装测试方面，都需要用到哪些设备

很多设备哦，
生产设备：横流点亮测试仪器，分光机，拉推力计，测温线，静电测试仪，光电测试仪等等
实验设备：光谱分析仪；金球推拉力计；冷热循环实验；老化测试，盐雾实验，还有芯片推力测试哦~~~~~~~~~~~

Ⅷ 半导体激光器的仪器简介

半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生激光的器件。.其工作原理是通过一定的激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带）之间，或者半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种，即电注入式，光泵式和高能电子束激励式。电注入式半导体激光器，一般是由砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等材料制成的半导体面结型二极管，沿正向偏压注入电流进行激励，在结平面区域产生受激发射。光泵式半导体激光器，一般用N型或P型半导体单晶（如GaAS,InAs,InSb等）做工作物质，以其他激光器发出的激光作光泵激励.高能电子束激励式半导体激光器，一般也是用N型或者P型半导体单晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物质，通过由外部注入高能电子束进行激励。在半导体激光器件中，性能较好，应用较广的是具有双异质结构的电注入式GaAs二极管激光器。

Ⅸ 半导体封装有哪些设备

半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立版芯片的过程。封装过权程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片（Die），然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板（引线框架）架的小岛上，再利用超细的金属（金锡铜铝）导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘（Bond Pad）连接到基板的相应引脚（Lead）,并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后还要进行一系列操作，封装完成后进行成品测试，通常经过入检Incoming、测试Test和包装Packing等工序，最后入库出货。
半导体封装一般用到点胶机+胶水环氧树脂，焊机+焊膏。典型的封装工艺流程为：划片、装片、键合、塑封、去飞边、电镀、打印 、切筋和成型 、外观检查、 成品测试 、包装出货。

Ⅹ 什么是半导体参数分析仪，或者叫半导体器件分析仪

半导体参数分析仪（器件分析仪）是一种集多种测量和分析功能于一体的测试仪器，可准确执行电流-电压（IV）和电容测量（CV（电容-电压）、C - f（电容-频率）以及 C – t（电容-时间）测量），并快速、轻松地对测量结果进行分析，完成半导体参数测试。半导体参数测试是确定半导体器件特征及其制造过程的一项基础测量。在参数测试中，通常需要进行 IV 测量，包括分辨率低至 fA（毫微微安培）的小电流测量和高达 1 MHz 的CV 测量，并对主要特征/参数进行分析。虽然半导体参数分析仪的设计初衷是进行半导体评测，但因其优越的性能、强大的功能以及出色的易操作性，现已在各种材料、器件和电子器件的 IV 和 CV 表征中得到广泛应用。

半导体参数分析仪可为表征任务提供更高的性能、更强的可用性以及更高的效率。参数分析仪集多种测量资源于一身，可轻松进行 IV 和 CV 测量，无需汇集或集成多种仪器，例如电源、电压表、电流表、LCR 表、开关矩阵等。参数分析仪的主要测量元器件是电源/测量单元（SMU）。SMU 是一种将电压/电流源功能和电压/电流表功能结合于单一模块中的测量模块。由于该参数分析仪将电源和测量电路紧密集成，所以相比使用多种独立仪器进行相同测量来说，可以提供更高的精度、分辨率以及更小的测量误差。

此外，参数分析仪还具有分析功能，使您无需借助外部 PC 便可快速地交互检查和分析显示屏上的测量结果。由于半导体参数分析仪具有多种功能，因此适用于从探索分析到自动测试的各种测量环境。