Ⅰ DDR什么意思
严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。
支持内存类型是指主板所支持的具体内存类型。不同的主板所支持的内存类型是不相同的。内存类型主要有FPM，EDO，SDRAM，RDRAM已经DDR DRAM等。
FPM内存 EDO内存 SDRAM内存 RDRAM内存 DDR SDRAM内存
DDR2内存
ECC并不是内存类型，ECC（Error Correction Coding或Error Checking and Correcting）是一种具有自动纠错功能的内存，英特尔的82430HX芯片组就开始支持它，使用该芯片组的主板都可以安装使用ECC内存，但由于ECC内存成本比较高，所以主要应用在要求系统运算可靠性比较高的商业电脑中，例如服务器/工作站等等。由于实际上存储器出错的情况不会经常发生，而且普通的主板也并不支持ECC内存，所以一般的家用与办公电脑也不必采用ECC内存。
一般情况下，一块主板只支持一种内存类型，但也有例外。有些主板具有两种内存插槽，可以使用两种内存，例如以前有些主板能使用EDO和SDRAM，现在有些主板能使用SDRAM和DDR SDRAM。
Ⅱ DDR是什么
严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。
Ⅲ 什么是DDR类型 详解
同步动态随机存储器（Synchronous DRAM，SDRAM）：是目前主推的PC 100和PC 133规范所广泛使用的内存类型，它的带宽为64位，3.3V电压，目前产品的最高速度可达5ns。它与CPU使用相同的时钟频率进行数据交换，它的工作频率是与CPU的外频同步的，不存在延迟或等待时间。
双倍速率SDRAM（Dual Date Rate SDRSM，DDR SDRAM）：又简称DDR，由于它在时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输，所以即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/s。DDR不支持3.3V电压的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2标准。它仍然可以沿用现有SDRAM的生产体系，制造成本比SDRAM略高一些，但仍要远小于Rambus的价格，因为制造普通SDRAM的设备只需稍作改进就能进行DDR内存的生产，而且它也不存在专利等方面的问题，所以它代表着未来能与Rambus相抗衡的内存发展的一个方向。
Ⅳ 内存条 的 DDR是什么意思
双倍速率SDRAM(Dual Date Rate SDRSM,DDR SDRAM):又简称DDR
DDR2与DDR的区别
与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。
DDR2与DDR的区别示意图
与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。
然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。
DDR2的定义：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR2与DDR的区别：
在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。
1、延迟问题：
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
2、封装和发热量：
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
DDR2采用的新技术：
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决
Ⅳ DDR是什么
严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。
DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。
Ⅵ DDR是起什么作用的，可以举例说下吗
DDR是内存的代数，也可称作第一代DDR内存。现在市面上主要有DDR3、DDR3L（低压）、DDR4内存，其中DDR4内存移动端为六代CPU使用的。可以理解为DDR后数字越大越好，同时内存频率也是评价内存性能的主要指标，市面上比较常见的内存频率为1333MHz、1600MHz、1866MHz、2133MHz、2400MHz等，频率越高内存性能越强。
Ⅶ DDR是干什么用的
这种问题楼主以后自己上网查吧。。。
我把网上的解释复制给你，算是比较全面，废话比较少的。。。
双通道同步动态随机存取内存（英语：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，简称DDR SDRAM）为具有双倍资料传输率之SDRAM，其资料传输速度为系统时脉之两倍，由于速度增加，其传输效能优于传统的SDRAM。
由于传统SDRAM在运作时，一个单位时间内只能读／写一次，当同时需要读取和写入时，便要等其中一个动作完成才能继续进行下一个动作。而DDR SDRAM则解决这项缺点，由于读取和写入可以在一个单位时间内进行，因此效能便会提升一倍，这也便是为何DDR SDRAM的时脉要“自动乘以二”的缘故。
JEDEC为DDR存储器设立了速度规范，并分为了以下两个部分：按内存芯片分类和按内存模块分类。
双通道同步动态随机存取内存（英语：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，简称DDR SDRAM）为具有双倍资料传输率之SDRAM，其资料传输速度为系统时脉之两倍，由于速度增加，其传输效能优于传统的SDRAM。
由于传统SDRAM在运作时，一个单位时间内只能读／写一次，当同时需要读取和写入时，便要等其中一个动作完成才能继续进行下一个动作。而DDR SDRAM则解决这项缺点，由于读取和写入可以在一个单位时间内进行，因此效能便会提升一倍，这也便是为何DDR SDRAM的时脉要“自动乘以二”的缘故。
JEDEC为DDR存储器设立了速度规范，并分为了以下两个部分：按内存芯片分类和按内存模块分类。
规格
记忆芯片
DDR-200：DDR-SDRAM 记忆芯片在 100MHz 下运行
DDR-266：DDR-SDRAM 记忆芯片在 133MHz 下运行
DDR-333：DDR-SDRAM 记忆芯片在 166MHz 下运行
DDR-400：DDR-SDRAM 记忆芯片在 200MHz 下运行（JEDEC制定的DDR最高规格）
DDR-500：DDR-SDRAM 记忆芯片在 250MHz 下运行（非JEDEC制定的DDR规格）
DDR-600：DDR-SDRAM 记忆芯片在 300MHz 下运行（非JEDEC制定的DDR规格）
DDR-700：DDR-SDRAM 记忆芯片在 350MHz 下运行（非JEDEC制定的DDR规格）
芯片模块
PC-1600内存模块指工作在 100MHz 下的DDR-200内存芯片，其拥有 1.600MB/s 的带宽
PC-2100内存模块指工作在 133MHz 下的DDR-266内存芯片，其拥有 2.133MB/s 的带宽
PC-2700内存模块指工作在 166MHz 下的DDR-333内存芯片，其拥有 2.667MB/s 的带宽
PC-3200内存模块指工作在 200MHz 下的DDR-400内存芯片，其拥有 3.200MB/s 的带宽
公式
利用下列公式，就可以计算出DDR SDRAM时脉。
DDR I/II内存运作时脉：实际时脉*2。 （由于两笔资料同时传输，200MHz内存的时脉会以400MHz运作。）
内存带宽=内存速度*8 Byte
标准公式：内存除频系数=时脉／200→*速算法：外频*（除频频率／同步频率） （使用此公式将会导致4%的误差）
Ⅷ fanuc ddr是什么用的
就是数控的内存，FANUC支持3.3V和5.0V的,三菱支持5.0V的. 还有,CF卡一定要是一代卡或二代卡,现在有些高速的卡是不能用的.容量最好小于1G.
Ⅸ 什么是ddr
就象我们越来越熟悉Rambus和PC133一样，一个新的名词DDR出现在我们面前。我们经常被问到："什么是DDR？"简单的回答就是"双数据速率同步DRAM。它以两倍的速度传输数据。"那么，它意味着什么呢？
DDR的历史
在1997年，我们在JEDEC存储器会议上第一次看到了配备DDR内存的PC。那时，DDR内存只由Samsung制造和推广。主板上的芯片组是DDR可选的VIA M3。其数据传输速率是150Mhz。不幸的是，此主板只工作了两个小时。
虽然第一块带有DDR内存的主板工作的并不很好，但是它给了半导体界足够的信心去继续发展DDR的商业产品。DDR存储器协会和任务组的目的就是继续优化DDR存储器结构。同时，Rambus内存也在此时出现来参与竞争。
什么是DDR？
DDR非常类似常规的同步DRAM，不象Rambus是基于数据包概念工作的。普通的同步DRAM（我们称之为SDR）是从标准DRAM演化而来的。
标准DRAM接收两个字的地址命令。它以复用方式节省输入管脚。第一个地址字由行地址选通信号（RAS）存贮在DRAM芯片中。随后是列地址选通信号（CAS）以存贮第二个地址字。紧接着Ras和Cas选通，所存储的数据就可以被读取了。
SDRAM将时钟加入到标准DRAM的之中。它的Ras 、Cas和数据有效都发生在每个时钟周期的上升沿。由于时针周期，数据的位置和其它的信号都可以被预测。因此，数据读取指针就可以被非常精确的定位。因为数据的有效窗口很容易被预知，所以内存也被分为四个存储体以便内部单元预充电和预读取。同时，它还可以用突发模式进行连续地址读取而不必重复Ras选通信号。只需用连续的Cas选通信号就可以把同一行中的数据顺序读出。
除了数据在时钟的上升沿和下降沿都可以读取以外，DDR内存的工作模式与SDR很相似。因此，单一时钟频率可以使数据传输的速率两倍于时钟频率。新一代的DDR内存将工作在200 Mhz和266 Mhz的数据速率。
DDR DRAM的设计
第一代的DDR内存（通常称为DDR 1）有很多新特性。
它的标准是4个内部存储体以减少时延（随机存取访问的建立时间）。
它的双数据传输结构是2倍的预读取设计，可以在每个时钟周期内传输2 个数据字。
DQS指针在读周期由DDR发送，而在写周期由控制器发送，它应用于对齐数据。输入输出数据均参照DQS信号。
DDR DRAM以差动时钟信号工作，以使噪音干扰最小。
突发（连续数据输出）模式可以被编程为2、4或8个突发长度。
芯片中包括一个DLL（数据琐向环）以帮助锁定和调整内部时钟。
I/O接口工作在2.5V的SSTL-2 Class Ⅱ及Vref参考电压。
一些早期的DDR产品工作在3.3V的VDD电压，当低电压技术成熟时，它最终将改变成2.5V，以达到节能的目的。
机械封装
标准的DDR SDRAM使用66pin 400mil TSOP封装，类似于标准SDRAM封装。管脚间距为0.65mm。这使得它可以适用于常规的PCB装配板，而无需特殊的组装设备。64Mbit芯片、128 Mbit芯片、256 Mbit芯片和512 Mbit堆积式芯片是管脚兼容设计，这样可方便地应用统一的DIMM PCB。
DDR模块和选项
标准的DDR内存条是184 pin DIMM。它很象标准的168 pin SDRAM DIMM，只是用了一个凹槽而不是SDR上的2个凹槽。组件的长度也是5.25英寸以节省宝贵的主板空间。
标准化协会定义了两种不同配置的DDR内存条。第一种是无缓冲DDR DIMM，它成本低，可应用在PC和Internet设备上。第二种是缓冲DDR DIMM，它将板上PLL与缓存结合在一起，应用于较高存储密度的服务器应用。
DDR的设计中还包括了可用于内存条上FET开关的可选控制信号。这种设计用于高存储密度工作站中存储器输出的噪声隔离。
工业标准也规定了贮存在EEPROM芯片中的特定的SPD。
将来会出现支持特殊市场的200针SODIMM模块和232针模块，无论怎样，基本特点和功能是相同的。
DDR的价格
谈到价格，DDR在开始阶段会比SDR高10%~15%，然而，由于几乎相同的晶片(DIE)尺寸和结构，很快就会实现价格齐平。我们会发现存储器厂商会将 DDR和SDR设计 在相同的晶片上 。那时，价格差异将非常小。
至于DDR模块，由于无需特殊的组装与测试设备，184针非缓冲模块的出厂价和销售价都会相对较低，额外售价会对缓冲模块和特殊配置模块收取。
结语
由于DDR是具有突出性能和低价格的演进产品，计算机行业会很快采用它。从今夏至2003年，它都会在业界盛行，直至下一代存储器出现。
Ⅹ DDR是什么，干什么用
DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
Double Data Rate：与传统的单数据速率相比，DDR技术实现了一个时钟周期内进行两次读/写操作，即在时钟的上升沿和下降沿分别执行一次读/写操作。