中国自主研发设备制造多少纳米

1. 现在中国最先进芯片工艺是多少纳米

截止至2019年中芯国际在2019年第二季度财报会上正式宣布，14nm进入客户风险量产，有望在今年底为公司带来一定比例的营收，同时第二代FinFET N+1技术平台也已开始进入客户导入。

至此，作为代表着大陆技术最先进、配套最完善、规模最大、跨国经营的晶圆代工企业，在努力提升集成电路自给率、加快国产替代的大背景下，中芯国际迈入了新的历史阶段。

中国作为芯片行业的后来者，一直在努力追赶行业最先进的制程工艺。如今14纳米工艺终于迎来量产，使得中国大陆的集成电路制造技术水平与行业龙头台积电的距离又拉近了一步，也进一步奠定了中芯国际在大陆晶圆代工领域的龙头地位。

(1)中国自主研发设备制造多少纳米扩展阅读

从制造技术来看，制造技术方面，台积电2018年已经量产7nm工艺，2020年则会转向5nm节点。三星7nm EUV工艺预计2020年1月份量产，5nm 预计2021年量产。英特尔的10nm(对标台积电的7nm)一再延迟，而联电与格芯相继宣布暂时搁置7nm制程研发，目前最先进工艺均为14nm。

大陆代工企业方面，中芯目前已可量产14nm，华力微电子的目标是在2020年量产，中芯国际显然代表了大陆集成电路制造技术的最高水平。虽然目前业界已经技术成熟并量产的7nm工艺相比，仍然有两代（两～三年）左右的差距。

但实际上中芯国际14nm工艺量产的速度，已经比预设的进度提前了几个季度。2015年中芯国际与华为、高通、比利时微电子研究中心（IMEC）合作开发14nm工艺时。

目标是于2020年实现量产，提前实现了”十三五计划“中“加快16/14纳米工艺产业化和存储器生产线建设，提升封装测试业技术水平和产业集中度，加紧布局后摩尔定律时代芯片相关领域”的目标。

在中国努力提升集成电路自给率、加快国产替代的大背景下，中芯国际在先进制程上取得的每一步突破，都尤为关键。14nm上线取得阶段性成果，也标志着中芯国际的发展进入了下一个历史使命阶段。

2. 中国超级计算机自主研发有哪些芯片

首先说下PC端的国产CPU龙芯，龙芯是中国科学院计算所自主研发的通用CPU，采用简单指令集，类似于MIPS指令集。龙芯1号的频率为266MHz，最早在2002年开始使用。龙芯2号的频率最高为1GHz。龙芯3A是首款国产商用4核处理器，其工作频率为900MHz～1GHz。龙芯3A的峰值计算能力达到16GFLOPS。龙芯3B是首款国产商用8核处理器，主频达到1GHz，支持向量运算加速，峰值计算能力达到128GFLOPS，具有很高的性能功耗比。但是，龙芯离国际知名CPU厂商因特尔、AMD还是有非常大的差距的。

再说说移动端CPU，首先是华为的海思处理器，作为全球领先ICT企业，华为从2006年开始启动智能手机芯片的开发，2012年推出的K3V2是最早真机演示、体积最小的四核处理器，成为首颗千万级规模的国产高端智能手机芯片。而之后推出的麒麟处理器则全面采用了SoC（System on Chip，片上系统）架构，即在单个芯片上集成中央处理器、通信模块、音视频解码以及外围电路等一个完整的系统。同时，麒麟采用当前业界领先水平的28纳米HPM高性能移动工艺制程，满足高性能和低功耗的双重特性。而即将发布的海思麒麟950处理器，已经赶上甚至超越国际知名移动CPU品牌高通、三星exynos、NVIDIA、联发科。

除了华为的海思麒麟，目前已经投入使用，比较知名的还有联发科，全志A10，新岸线，瑞芯微，联芯。其中联发科目前在国产中低端手机中是有相当大的份额的，联发科手机芯片主打低功耗, 所以联发科的手机芯片更省电，而且性能也是比较出色的。

3. 芯片 芯片中国自主开发的芯片最强的是什么型号，配置怎么样，另外中国芯片最高的工艺水平是多少纳米

龙芯三，相当于2.0Ghz的P4

65NM；单核；4核；16核；1000亿次

龙芯3号处理器采用的是65nm（纳米）工艺专，主频1GHz，晶体管数目属4.25亿个， 单颗龙芯3A的最大功耗为15W，理论峰值为16Gflops，每颗CPU单瓦特能效比1.06Gflops/W，是目前X86 CPU的2倍以上，达到了世界先进水平。龙芯3号多核CPU系列产品定位服务器和高性能计算机应用。

4. 中国自主研发的高端产品有哪些

1、超级计算机方面：

中国自主研发同时发出交流电和直流电的发电机，大大减少了电气设备的舰船占用面积，为狭小的舰船节省了宝贵的空间，于2011年开始装备国内各大舰艇。

5. 中芯国际现在最高能造己纳米的芯片

据中芯国际透露，我国自主设计制造的14纳米级芯片已经成功量产，其产能已经接近满载，这意味着，我国研发的14纳米级芯片成功获得大量订单。

众所周知，在芯片的研发领域，中国起步较晚，综合实力落后于美国、韩国等。近年来，国内芯片企业不断探索、引进先进的技术和科技人才、投入大量资金等，最终传来喜讯，中芯国际14纳米级芯片成功量产。

据了解，中芯国际的14纳米工艺距离全球最先进的7纳米只落后两代。国信证券认为，大陆芯片设计公司寻求大陆代工是必然趋势。而作为大陆半导体代工龙头，中芯国际产能充足、产线多样。

适合众多芯片代工需求。以14纳米工艺的流片对于中芯国际是一个良好的开局，从风险量产到规模量产，目前总计已有超过十个客户采用中芯国际的14纳米工艺。

(5)中国自主研发设备制造多少纳米扩展阅读

中芯国际芯片制造工艺从28nm到14nm用了4年时间。在2019年年底才正式量产14nm芯片，中芯国际芯片制造的主要任务是提高14nm产能。5月中芯国际官方表示已经实现6000晶圆/月。为华为麒麟710A处理器代工完全可以胜任。

美国高盛公司发布信息预测中芯国际未来的技术升级路线。高盛认为中芯国际到2022年芯片制造工艺可升级到7nm，到2024年下半年工艺再次升级至5nm，2025年毛利率将提升到30%以上。

高盛作为一家知名的投资公司，得出一份投资预测报告自然不是一件难事。但在当下就中美半导体的合作情况，这样的预测或许更让美国再次深度向我国的科技企业施压，设置更多的非商业性障碍。

不过话说回来，高盛的预测也存在许多不确定因素。即使中芯国际能如期实现5nm芯片的制造能力，假如其它半导体设备、材料、技术还不能摆脱美国限制或没有有效的措施应对美国，也很难为我国的高科技企业服务。自然中芯国际的盈利能力也存在不确定性。

中芯国际是我国实现高端芯片极为重要的一环。中芯国际处在半导体产业链的中游，受上、下游产业链的影响。能不能为我国高科技企业服务，还受美国“实体名单”的影响。

中国“芯”不仅是缺少一台光刻机，也不仅是缺少中芯国际5nm芯片的制造工艺。芯片涉及的设计、材料、工艺、设备、相关技术都是缺一不可。美国也正是利用整个产业链的优势地位，对我国高科技企业进行技术限制。

中芯国际作为芯片制造中最为重要的一环，在美国的影响下，能否摆脱美国的限制在于中国半导体产业生态系统的自主能力。半导体产业生态的完整性、可持续性的形成，才是企业稳健发展的关键。总之一句话，中国芯片是一个团队，不是单枪匹马。

6. 中国能够造多少纳米处理器

算上我国不可分来割的宝岛自台湾，我国半导体实力不要太强哦。现在台湾的TSMC可以做20nm的制程了，是全世界第一大Fab，也是唯一有能力和Intel比拼工艺的Fab
如果只说大陆地区，中芯国际的45nm线已经量产，正在推进的32nm线还没消息。所以，内地的处理器制程技术停留在45nm阶段

7. 中国的光刻机达到了世界先进水平，但为何生产高端芯片依然困难重重

▲半导体器件工艺制程从14纳米微缩到5纳，等离子蚀刻步骤会增加三倍

刻蚀机是芯片制造的关键设备之一，曾一度是发达国家的出口管制产品。中微半导体联合创始人倪图强表示，中微与科林研发(Lam
Research)、应用材料(Applied Materials)、东京威力科创(Tokyo Electron
Limited）、日立全球先端科技 (Hitachi High-Technologies)
4家美日企业，组成了国际第一梯队，为7纳米芯片生产线供应刻蚀机。中微半导体如今通过台积电验证的5纳米刻蚀机，预计能获得比7纳米更大的市场份额。

中科院SP超分辨光刻机

提问者所说的中国光刻机达到世界先进水平，应该是指2018年11月29日通过验收的，由中国科学院光电技术研究所主导、经过近七年艰苦攻关研制的“超分辨光刻装备”项目。

该项目下研制的这台光刻机是“世界上首台分辨力最高的紫外(即22纳米@365纳米)超分辨光刻装备”。这是一种表面等离子体（surfaceplasma，SP）超分辨光刻装备。

▲中科院SP光刻机加工的样品

然而，此次验收合格的中科院光电技术研究所的这台表面等离子超衍射光刻机（SP光刻机）的加工精度与ASML的光刻机没法比。没法用于刻几十纳米级的芯片，至少以现在的技术不能。

据光电所专家称，该所研制成功的这种SP光刻机用于芯片制造上还需要攻克一系列的技术难题，目前距离还很遥远。也就是说中科院研制的这种光刻机不能（像一些网媒说的）用来光刻CPU。它的意义是用便宜光源实现较高的分辨率，用于一些特殊制造场景，很经济。

总之，中科院的22纳米分辨率光刻机跟ASML垄断的光刻机不是一回事，说前者弯道超车，就好像说中国出了个竞走名将要超越博尔特。

显然，中科院研制成功的这台“超分辨光刻装备”并不能说明我国在市场主流的的光刻机研制方面已经达到了世界先进水平，那么现阶段我国的光刻机的真实水平又是怎样的呢？且看以下对比。

8. 中国能够造多少纳米处理器

小米2，28纳米
这个是之前的数据，现在不知道了。
~如果回答没能帮到你，请继续“追问”！
~答题不易，你的追问和采纳是我前进的动力！！

9. 有什么技术是中国完全自主研发的

1、集成电路先导技术

在集成电路装备专项实施前，国内集成电路制造最先进的量产工艺为130纳米；专项实施后，我国的主流工艺水平提升了5代，其中55、40、28纳米三代成套工艺已研发成功并实现量产，更先进的22、14纳米先导技术也在研发上取得突破，形成了自主知识产权。

2、自动冲压线技术

我国依托“高档数控机床与基础制造装备”专项，大型汽车覆盖件自动冲压线等10多类设备已达到国际领先水平，完全可实现进口替代。

3、油气开发技术

在油气专项的技术支撑下，我国建成了全球除北美之外的第一个商业性开发页岩气田——重庆涪陵页岩气田。

4、新药研发技术

2017年5月18日，在新药创制重大专项的支持下，国际顶尖学术期刊《自然》在线发表了我国科学家关于胰高血糖素受体和胰高血糖样肽—1受体的两项最新研究成果，为治疗Ⅱ型糖尿病和肥胖症的新药研发指明了方向。

5、转基因技术

在转基因重大专项的支持下，我国的转基因育种整体研发进入国际先进水平。

2008年以来，我国育成转基因抗虫棉新品种168个，累计推广4.2亿亩，减少农药用量60%，增收节支470多亿元，已成为拥有自主知识产权的转基因棉花研发强国；抗虫转基因水稻研究国际领先，自主创新能力显著提升，获得专利1269项，专利总数仅次于美国、居世界第二位。

10. 中国7nm技术成功了吗

半导体行业本身是个高科技行业，半导体行业从上游到下游，依次又有材料和设备、芯片设计、芯片制造、芯片产品封测等行业。在芯片设计行业中，国内最具代表性的芯片设计厂商当是华为旗下的海思半导体莫属。据IC Insights之前对外公布的数据，到2017年，海思半导体的营收就已经增长到47.2亿美金，在该年中的研发投入也直逼10亿美金。在芯片制造（晶圆代工）行业中，在中国大陆地区排名第一的本土厂商则是中芯国际。目前，中芯国际最为先进并已投入量产的工艺是28nm工艺。预计到了2019年，中芯国际有望投产14nm工艺。不可否认的是，在芯片设计和制造两大行业中，本土厂商与国际厂商相比仍然有些差距。在材料与设备行业中，国内本土厂商仍须奋力追赶国际领先同行。不过，中微半导体倒是一个特例。

日前，国内有不少媒体纷纷在网络上转发或分享了一段播放时长约5分钟的视频内容，该段视频来自央视。2018年3月3日晚间，据央视纪录片《大国重器》讲述：位于上海的中微半导体，已经研发出了7nm刻蚀机，这标志着中国本土厂商自主研发的芯片制造设备终于与世界最先进水平保持同步了。目前，芯片制造行业最大的代工厂商台积电已经开发出可量产的7nm制程工艺，并在业界居于领先水平。而在7nm工艺设备方面，台积电有五大设备供应商，分别是应用材料、科林研发、东京威力科创、日立先端和中微半导体。换言之，中微半导体是唯一一家来自中国大陆的半导体设备厂商，且为台积电供应7nm刻蚀机台。显然，中微半导体自主研制的设备是深受台积电认可的。

刻蚀机不同于光刻机。光刻机是激光将掩膜版上的电路临时复制到硅晶圆片上，刻蚀机是按光刻机在硅片上刻好的电路结构，在硅片上进行微观雕刻，以刻出沟槽或者接触空。中微半导体研制的7nm刻蚀机台，所采用的是等离子体刻蚀技术，台积电等芯片制造厂商利用该设备，可以在硅片上雕刻出微观电路。

中微半导体研发的7nm刻蚀机中，有着名为气体喷淋盘的核心部件。另有媒体这样报道：“气体喷淋盘是刻蚀机最重要的核心部件之一，也是7纳米芯片刻蚀机中的一项关键技术点。它的材料选择和设计对于刻蚀机性能指标的影响至关重要。中微和国内厂家合作，研制和优化了一整套采用等离子体增强的物理气象沉积金属陶瓷的方法，这种创新的方法极大地改善了材料的性能，其晶粒更为精细、致密，缺陷几乎为零。相比国外当前采用的喷淋盘，中国的陶瓷镀膜喷淋盘寿命可以延长一倍，造价却不到五分之一。”

中国本土厂商能够研制出可与世界最先进水平同步的刻蚀机，与中微半导体的创始人尹志尧，以及该公司的技术骨干们是分不开的。尹志尧曾经在美国应用材料（半导体设备行业中的龙头老大）担任过副总裁，并参与领导了几代刻蚀机的研发工作，在美国工作期间就持有了86项专利。十三年前，当时已经60岁的尹志尧决心放弃优越的物质待遇，离开美国并回国创业。有媒体直接引用过尹志尧说过的一句话：“给外国人做嫁衣已经做了很多事情了，那我们应该给自己的祖国和人民做一些贡献，所以就决心回来了。”

当时，跟随尹志尧一起，从美国回到中国的，还有大约三十位资深工程师，这些工程师曾经在应用材料、科林研发等半导体设备厂商中有过二、三十年的研发和制造经验。尹志尧等人从美国回国之际，美方要求所有的技术专家都不得把美国公司的技术如设计图纸、工艺过程等一并带回国内，还对这些技术专家们所持有的600万份文件和个人电脑做了彻底清查。

尹志尧及其团队回到国内以后，于2004年在上海创立中微半导体，并从零开始研发和制造刻蚀机等设备。2008年，中微半导体的刻蚀机进入国际市场。然而应用材料和科林研发实在难以接受中微半导体能在短短3年左右的时间里研发出高端刻蚀机的事实，先后向中微半导体提起专利诉讼，最终这两次旷日持久的专利诉讼都以中微半导体胜诉而告终。2015年，美国商业部下属的工业安全局特别对外发布一则公告称，由于中国本土厂商已能够研制出具备国际竞争力的等离子刻蚀机，决定把等离子刻蚀机从美国对中国限制的技术设备名单上去除。到了今天，中微半导体的设备产品已经远销欧洲、韩国、新加坡、台湾等地，且在原材料方面同样取得了局部性的突破。

最后，引用尹志尧在央视纪录片中的说的话：“我国正在成为集成电路芯片和微观器件生产的大国，到2020年，在我国新的芯片生产线上的投资将会超过美国、日本和韩国等地区的投资，中国会变成一个最大的芯片生产基地。我们相信到2030年，我国的芯片和微观器件的加工能力和规模一定能完全赶上并在不少方面超过国际先进水平。”