❶ 什么是FIB
注: 并非用Ga+才叫FIB(In, Au.AsPd2......),只是大多数商用FIB都是用Ga,因为-?(整理好在写). Focused(聚焦): 将离子束聚焦 Ion(离子): Ga --- Ga+ Beam(束):很多离子往同一路径(方向)移动 ________________________________________聚焦 太阳光(光束)通过放大镜(凸透镜)会聚成一点就叫握芹聚焦. 同理将离段启毕子束透过静电旁滚透镜(electrostatic)聚焦称为FIB. ________________________________________离子 带电粒子叫离子(Ion);镓原子失去一个电子形成镓离子(Ga+,正离子), 氯得到一个电子形成氯离子(Cl-,负离子). 商用FIB用Ga+为离子源.如右图所示利用使用一高压电将Ga从一针尖直接拉出(Extract). 注:离子不一定仅单一元素或单一电子变化. ________________________________________ 将以下各项结合在一起构成一部FIB: Ion Column聚焦离子枪真空系统 控制系统 (包括 Stage, 各部分协调与操控......)操作接口辅助气体 (不同应用有不同选择)
❷ 我们现在做了一个实验室，需要用到聚焦离子束，（FIB）朋友推荐深圳芯开航的聚焦离子束做的可好，想问问
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❸ 美国FIB是什么意思
FBI是美国联邦调查局（Federal Bureau of Investigation）的英文缩写。
但楼主说的是FIB！
FIB是聚焦离子束（Focused Ion beam）的英文缩写。它是将液态金属（Ga）离子源产生的离子束经过离子枪加速，聚焦后照射于样品表面产生二次电判型岁子信号取得电子像。
FIB还有个解释是转发信息库（Forward Information Base）。但无论是聚焦离子束还是转发信息库，都与某个组掘睁织无关。所以想必楼主想问的应该还是FBI，租态而非FIB~~一个字母的顺序之差，意思就完全不一样了！~~呵呵！~~
❹ 半导体FIB是什么意思
FIB 是英文 Focused Ion Beam的缩写，依字面翻灶基差译为聚焦离子束。简单的说就是将Ga(镓)元素隐皮离子化成Ga+， 然后利用电场加速，再利用静电透镜(electrostatic)聚焦，将高能量(高速)的Ga+打到指定的点。基本原理与SEM类似，仅是所使用的粒子不同( e- vs. Ga +)，透镜型式(磁透镜 vs. 静电透镜)位置锋逗不同。
❺ 聚焦离子束(FIB)技术的工作原理以及他在微纳加工技术上的主要应用是什么
聚焦离子束(FIB)技术
聚焦离子束( FIB) 技术的快速发展和实用化要归功于液态金属离子源的开发.
FIB系统的工作原理:
FIB 技术是利用静电透镜将离子束聚焦成极小尺寸的显微切割技术,目前商用FIB 系统的粒子束是从液态金属离子源中引出.
聚焦离子束技术在微纳加工技术上的主要应用:
FIB 技术是当今微纳加工和半导体集成电路制造业十分活跃的研究领域.由于它集材料刻蚀、沉积、注入、改性于一身, 有望成为高真空环境下实现器件制造全过程的主要加工手段.
目前, FIB 技术主要应用在: ① 光掩模的修补; ② 集成电路的缺陷检测分析和修整; ③TEM 和STEM的薄片试样制备; ④ 硬盘驱动器薄膜头( TFH) 的制造.
同时, FIB 其他一些重要应用还在开发中,它们是: ① 扫描离子束显微镜(SIM); ②FIB 直接注入; ③FIB 曝光, 包括扫描曝光和投影曝光; ④多束技术和全真空联机技术⑤FIB 微结构制造( 刻蚀、沉积) ; ⑥ FIB/SIMS( 二次离子质谱仪) 技术.
❻ 2020-02-08-2小刘科研笔记之FIB-SEM双束系统在材料研究中的应用
聚焦离子束扫描电镜双束系统（FIB-SEM）是在SEM的基础上增加了聚焦离子束镜筒的双束系统，同时具备微纳加工和成像的功能，广泛应用于科学研究和半导体芯片研发等多个领域。本文记录一下FIB-SEM在材料研究中的应用。
以目前实验室配有的FIB-SEM的型号是蔡司的Crossbeam 540为例进行如下分析，离子束最高成像分辨率为3nm，电子束最高分辨率为0.9nm。该系统的主要部件及功能如下：
1.离子束： 溅射（切割、抛光、刻蚀）；刻蚀最小线宽10nm，切片最薄3nm。
2.电子束 ： 成像和实时观察
3.GIS(气体注入系统)： 沉积和辅助刻蚀；五种气体：Pt、W、SiO2、Au、XeF2(增强刻蚀SiO2)
4.纳米机械手： 转移样品
5.EDS： 成分定量和分布
6.EBSD ： 微区晶向及晶粒分布
7.Loadlock（样品预抽室）： 快速进样，进样时间只需~1min
由上述FIB-SEM的一个部件或多个部件联合使用，可以实现在材料研究中的多种应用，具体应用实例如下：
图2a和b分别是梳子形状的CdS微米线的光学显微镜和扫描电镜照片，从光学显微镜照片可以看出在CdS微米线节点处内部含有其他物质，但无法确定是什么材料和内部形貌。利用FIB-SEM在节点处定点切割截面，然后对截面成像和做EDS mapping，如图2c、d、e和f所示，可以很直观的得到在CdS微米线的节点处内部含有Sn球。
FIB-SEM制备TEM样品的常规步骤如图3所示，主要有以下几步：
1）在样品感兴趣位置沉积pt保护层
2）在感兴趣区域的两侧挖大坑，得到只有约1微米厚的薄片
3）对薄片进行U-cut，将薄片底部和一侧完全切断
4）缓慢移下纳米机械手，轻轻接触薄片悬空的一端后，沉积pt将薄片和纳米机械手焊接牢固，然后切断薄片另一侧，缓慢升起纳米机械手即可提出薄片
5）移动样品台和纳米机械手，使薄片与铜网（放置TEM样品用）轻轻接触，然后沉积pt将薄片和铜网焊接牢固，将薄片和纳米机械手连接的一端切断，移开纳米机械手，转移完成
6）最后一步为减薄和清洗，先用大加速电压离子束将薄片减薄至150nm左右，再利用低电压离子束将其减薄至最终厚度（普通TEM样品<100nm，高分辨TEM样品50nm左右，球差TEM样品<50nm）
一种如图4a所示的MoS2场效应管，需要确定实际器件中MoS2的层数及栅极（Ag纳米线）和MoS2之间的距离。利用FIB-SEM可以准确的在MoS2场效应管的沟道位置，垂直于Ag纳米线方向，提出一个薄片，并对其进行减薄，制备成截面透射样。在TEM下即可得到MoS2的层数为14层（图4c）， Ag纳米线和MoS2之间的距离为30nm（图4b）。
图5是一种锰酸锂材料的STEM像，该样品是由FIB-SEM制备，图中可以看到清晰的原子像。这表明FIB-SEM制备的该球差透射样非常薄并且有很少的损伤层。
FIB-SEM还可以进行微纳图形的加工。
图6a 是FIB-SEM在Au/SiO2上制备的光栅，光栅周期为150nm，光栅开口为75nm。
图6b 是利用FIB-SEM在Mo/石英上做的切仑科夫辐射源针尖，针尖曲率半径为17nm。
图6c 是在Au膜上加工的三维对称结构蜘蛛网。
图6d 是FIB-SEM在硅上刻蚀的贺新年图案，图中最小细节尺寸仅有25nm。
FIB-SEM可以对材料进行切片式的形貌和成分三维重构，揭示材料的内部三维结构。大概过程如图7a所示， FIB切掉一定厚度的样品，SEM拍一张照片，重复此过程，连续拍上百张照片，然后将上百张切片照片重构出三维形貌。图7b是一种多孔材料内部3×5×2um范围的三维重构结果，其实验数据是利用FIB-SEM采集，三维重构是利用Avizo软件得到，其分辩率可达纳米级，展示了内部孔隙的三维空间分布，并可以计算出孔隙的半径大小、体积及曲率等参数。
利用FIB-SEM配有的纳米机械手及配合使用离子束沉积Pt，可以实现微米材料的转移，即把某种材料从一个位置（衬底）转移到特定位置（衬底），并固定牢固。图8是把四针氧化锌微米线从硅片转移到两电极的沟道之间，从而制备成两个微米线间距只有1um的特殊器件。
最后，FIB-SEM还有很多其他的应用，例如三维原子探针样品制备，芯片线路修改等。总之FIB-SEM是材料研究中一个非常重要的手段。
不积珪步，无以至千里；不积细流，无以成江海。做好每一份工作，都需要坚持不懈的学习。
❼ 集成电路设计中的fib测试是什么意思
FIB电路修改则是利用FIB对芯片电路进行物理修改，可使芯片设计者对芯片问题处作咐桥针对性的测试，以便更快更准确的验证设计方案。 若芯片部份区域有问题，可通过FIB对此区域隔离或改正此区域功能，以便找到问携简亮题的症结。FIB还能在最终产品量产之前提供部分样片和工程片，利用这些样片能加速终端产品的上市时间。利用FIB修改芯片可以减辩宽少不成功的设计方案修改次数，缩短研发时间和周期。
❽ fbg和fib一样吗
不一样。FBG全称为FiberBraggGrating，即为光纤布拉格光栅，即在纤芯内形成的空间相位周期性分布扒扰拿的光栅，其作用的实质就是在纤芯内形成一个窄带的滤波器或反射镜，而FIB是将离子源产生的离子束李肆经过离子枪加速，聚焦后作用于样品表面，春搭两者是完全不一样的两个设备。
❾ 什么是FIB
FIB=血浆纤维蛋白原
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FIB作为冠心病的危险因素，近年来受到越来越多的关注。目前认为它是凝血途径的重要环节，并通过与血小板膜上受体相结合，最终导致急性期冠状动脉血栓的形成。以往的研究虽已经发现，FIB作用的关键环节之一是与活化的血小板相互作用，但缺乏对其机制的详细研究。
在该研究中，根据FIB浓度超出高限与否，研究者将所有入组患者分为正常纤维蛋白原和高纤维蛋白原两组。应用单因素方差分析，观察组间FIB与血小板活化指标--血小板膜上的糖蛋白受体CD62PE和冠状动脉风险评分的关系，发现随着血浆FIB浓度的增加，两组CD62PE活化活性呈递增关系。相关分析显示，FIB浓度与CD62PE活性及冠状动脉风险评分显著相关。偏相关分析在进一步控制有可能会影响CD62PE表达和冠状动脉风险评分的相关危险因素后，发现FIB浓度与CD62PE活性及冠状动脉风险评分仍有显著相关性。多元逐步回归分析显示，FIB是影响CD62PE表达的重要变量。
研究发现，在正常循环中的血小板处于静息状态，其膜上的FIB受体处于封闭状态，高浓度的FIB并不能与之结合，血小板与纤维蛋白原的“桥联”也不能形成。只有血小板活化后，其膜上的GPb和b/a受体才能在活化中由开放管道系统(OCS)实现膜内外的相互转位，GPb由膜外移向膜内，b/a则由OCS及a颗粒移向膜外，同时血小板空间结构发生变化，b/a上的FIB受体暴露，促进FIB与b/a相互结合。
研究结果表明，高浓度的FIB与冠状动脉病变程度明显相关，其作用途径在于其能够增强血小历银板膜上某些糖蛋白受体如CD62PE的表达，从而促进血小板活化察春，这可能是FIB导致冠状动脉病变的重要中间环节之一。
该研究的另一重要意义在于，可把流式细胞仪检测CD62PE作为衡量血小板活化的量化指标。早期确定血小板活化的方法通常是检测血小板源性蛋白，如血小板因子4等，但此种方法受很多因素影响，误差较大。而通过流式细胞仪检测荧光素标记的针对血小板糖蛋白的单克败烂耐隆抗体，可直接特异敏感地反映人体内的血小板活化程度和功能状态，较其他方法更为准确。
❿ CISCO中FIB是什么
forwarding information database
cisco 的CEF多层交换中的一个类似“路由表”的东西
查询命令是 show ip cef
cisco的CEF则是将路由信息下发到FIB表中，实现硬件转发。这里需要注意何谓硬件转发。如果是耐猜查路由表，就是基于进程的处理，即我们常说的基于CPU的处理，比较耗时。是因为要拆/封一次数据。而基于FIB表转发，则直接用FIB表中的MAC直接封装后转发。
可以昌早型简单理解为FIB表就是通过ARP表+MAC表，而推出来的表
一次路由，多次交换是传统的三层转发方式，可以理解为他会记录你的ARP缓存 ，存在表中的ARP条目，睁禅就不用再查路由表了