晶体生长设备是什么样的

㈠ 冷坩埚法生长合成立方氧化锆晶体

自从1900年化学家Verneuil用焰熔法合成红宝石以后，打破了天然宝石一统天下的局面。在各种合成宝石中，产量最大、销量最多的是合成立方氧化锆（CZ）。1976年投入宝石市场以来，它迅速取代了其他钻石仿制品——YAG、GGG、SrTiO₃等，而一跃成了风行世界的一种人工宝石。

关于用冷坩埚法来生长ZrO₂晶体，可以追溯到1969年，当时法国的科学家Roulin等人，用高频电源加热冷坩埚的方法进行晶体生长。尽管设备简单，却长出了含稳定剂Y₂O₃为12.5%的立方氧化锆小晶体，但未将该项研究进行下去。1972年原苏联的列别捷夫物理研究所V.I.Alekasadrov领导的研究小组，把Roulin的技术完善后，长出了较大的晶体，并向美国及其他国家申请了专利。1976～1979年先后获得英国、德国和美国专利。1976年以后，原苏联逐渐把这种晶体替代天然钻石而销往宝石市场。这期间美国的Ceres公司也进行了研究，改进了冷坩埚系统并申请专利权，大量生产宝石用合成立方氧化锆晶体。我国从1982年开始研究，很快获得成功并投入批量生产，是目前世界上能大量供应CZ晶体的国家之一。

CZ晶体极易生长成各种颜色的晶体，色彩艳丽。CZ晶体除作为宝石应用外，还是一种优良的光学材料和激光基质材料。

一、高频冷坩埚技术的工作原理

1.基本原理

众所周知，一般高温非金属材料，在室温下是介电材料，电阻率大，介电损耗较小，很难用高频电磁场直接加热来熔制。但实验表明，这些材料的熔体导电性能良好，这就为高频加热技术提供了条件。

高频冷坩埚技术不使用专门的坩埚，而是直接用拟生长的晶体材料本身作“坩埚”，使其内部熔化，外壳不熔；其巧妙之处是在其外部加设冷却装置，把表层的热量吸走，使表层不熔，形成一层未熔壳，起到坩埚的作用，这就是“冷坩埚”。内部已熔化的晶体材料，依靠坩埚下降法晶体生长原理使其结晶并长大。

2.熔制过程

熔化高温非金属材料，必须用一种方法先形成一个小的熔区，用做导电的“种子”熔体。最简单的办法是在材料的中心放少量相应的金属片或粉末，接通高频电源，利用金属感应加热和迅速氧化放热使一小部分原料先熔化（见图4-1-2）。

图4-1-2 起熔过程示意图

在局部起熔区，吸收功率与氧化放热之和要大于（至少要等于）由熔区向外散出的热量与熔化材料所需吸热之和，这样熔区才能扩大。实践表明，这段时间是很短的，金属很快氧化完毕，形成一个空心球状熔区（如图4-1-2（a）。熔区大小与输入功率有关，输入功率增加（初期主要依靠提高电压），则熔区扩大，直到平衡为止（如图4-1-2（b），对于不同的材料，导热系数越大，所需输入功率也越大。

二、高频冷坩埚技术设备

高频冷坩埚技术成套设备由三大部分组成，即高频振荡装置、冷坩埚系统、晶体生长用引下装置（见图4-1-3）。

图4-1-3 冷坩埚法晶体生长装置示意图

1.高频电源

根据熔化非金属材料的原理和工艺要求（以ZrO₂为例），高频电源应具备以下特点：

1）工作频率1～6MHz振荡稳定，可以调节。

2）工作匹配良好，适应从轻载（额定值10%）到重负载（110%）的变化要求，在过压下运行不会使元件损坏击穿。

3）功率可以调节，即阳极电压可从30%～130%（额定值）均匀调节，最好有可靠的稳压功能。

4）能长时间连续运行。由于要求的特殊性，没有现成的高频电源可选用。高频冷坩埚技术采用的设备是专门设计的。该电源具有以下特征：振荡槽路采用频率比较稳定的电容三点式振荡器，这种线路的优点是在较高的频率下频率稳定、波形好、不易受寄生电路的影响、结构简单，但是起振较困难。

2.冷坩埚系统

冷坩埚系统是生长晶体的关键设备之一，它必须既能供高频电场通过，又能支持内部温度高达3000℃以上的熔体而不被熔化。其组成是：

1）水冷铜管使用单管而不使用套管，弯成双“U”形，之间间隙为1～1.5mm，保证高频电磁场能量能顺利透入，由于内部水流畅通，所以容易形成“冷壳”，以支撑熔体。

2）水冷底座由三部分组成，中间绝缘，有效地切断高频感应电流，以提高效率。底座分上下两个腔，上腔供水，下腔出水，上下腔分别与上部铜管的两端焊牢。

3）下面是用玻璃钢做成的绝缘支架，以与引下机构金属部分绝缘。

3.引下装置及调速系统

引下机构采用丝杆式蜗轮杆传动机构，用直流力矩发电机、电动机组拖动，电机速度快慢可调，调速精度较高，以保证晶体生长的稳定性。直流力矩机组用专门设计的脉冲调宽式控制仪供电，具有速度反馈和电压反馈两个闭环调节，保证了恒速要求。

三、合成立方氧化锆晶体的生长

1.原料制备

生产立方氧化锆用的主要原料是ZrO₂粉末，对原材料中TiO₂、Fe₂O₃含量要求较高，一般其质量分数小于0.03%，以确保生长出的晶体不带黄色，透明度好。稳定剂采用纯度较高的Y₂O₃，色白而细。

为了生长有色晶体，需要掺入一定量的杂质元素，常用稀土元素氧化物和过渡族元素氧化物，见表4-1-4。将ZrO₂、Y₂O₃按9∶1mol比例配料，加入相应杂质元素，混合均匀备用。

表4-1-4 CZ晶体中常用掺质和颜色

2.晶体生长过程

将混合好的原料装入冷坩埚中，上部放少量金属锆片，接通电源并升压，将原料熔化。当原料熔化后，使熔体稳定一段时间，使电压、电流、栅流基本稳定后，使坩埚慢慢地下降，这时，由于下部冷却，在底部就会自发成核。随着坩埚的下降，一部分有生长优势的晶核迅速长大而排挤其他小晶体长成晶排。一般情况下直径d=250mm的坩埚典型运行参数为：电压9～10kV，电流7～10A，栅流1～1.5A，坩埚下降速度3～15mm/h。当生长结束后，慢慢地降低功率，使晶体退火一段时间，关闭电源，自然冷却到室温，取出晶块。轻击即可打开分离出完整的晶体块。

四、冷坩埚技术的其他应用和最新发展

冷坩埚技术自从1976年投入工业应用以来，有了很大发展。

在高频冷坩埚设备方面，继俄罗斯之后，美国、中国等国家相继研制成功并扩大容量，投入商业生产，年生产ZrO₂晶体数以百吨计。冷坩埚直径已扩大到400mm以上，装料量由原来的几千克扩大到1200kg，每次能生产ZrO₂晶体近400kg。设备稳定性大大提高，实现了自动控制。

CZ晶体研究也有了重大进展，现在几乎可以生产出各种颜色的晶体，特别是近期投入市场的蓝色和绿色的晶体，可以仿制出蓝宝石的蓝色和祖母绿的绿色。

㈡ 浅谈宝石晶体生长法及坩埚下降法在宝石晶体生长中的应用

廖永建唐元汾

作者简介：廖永建，中宝协人工宝石专业委员会第三届委员，上海新漫传感技术研究发展有限公司部门经理。

唐元汾，中宝协人工宝石专业委员会第二、三届委员，中国科学院上海硅酸盐研究所庆华公司高级工程师。

人工宝石晶体以其特有的晶莹剔透、色彩缤纷、光彩夺目的属性以及其良好的物理化学和光学性质，具有重要的欣赏价值和收藏价值，并具有许多重要的工业用途，在珠宝首饰业、功能晶体材料领域用途广泛。据不完全统计，现今世界上已研究成功并投入批量生产的合成宝石达30多种，其中特别重要的有10余种。我们常见的合成宝石有人工合成的蓝宝石、红宝石、立方氧化锆、祖母绿、各种颜色的水晶、尖晶石、金红石、金绿猫眼、金刚石等。无色蓝宝石被广泛应用在耐高温高压器件、耐磨损器件、特种窗口、红外制导、导弹整流罩等国防、军事、科研高科技领域，是当前蓝、紫、白光二极管（LED）和蓝光激光器（LD）工业的首选基片，是制造半导体蓝色发光二极管的关键性材料，广泛应用于移动电源节能发光体，目前整个国际市场需求量较大。这些宝石晶体绝大部分的熔点都非常高，比如刚玉系列宝石、尖晶石与立方氧化锆的熔点分别是2050℃，2100℃，2700℃。为便于具体说明，本文以刚玉宝石晶体的生长为例进行探讨。

要满足熔点温度高达2000℃的晶体生长，在加热方式和坩埚材料方面存在较大困难。

1）加热方式，能达到2000℃以上的加热方式主要有以下3种：

·氢氧焰：比较简易的加热方式，但是温度梯度控制较难；

·感应加热：需要坩埚材料或晶体原料必须能导电，否则无法加热；

·用石墨/钼作发热材料的电阻加热。

2）坩埚材料：主要有石墨、钼和铱等，这些坩埚材料必须在真空或保护气氛下使用，这样对设备的要求大大提高，而这些坩埚的使用成本也不菲。为了解决上述坩埚材料的问题，人们又研制出无坩埚和利用原料本身作坩埚的技术。

下面将不同的加热方式和坩埚选择进行组合分类，可以得到宝石晶体大致的不同生长方法如表1。

表1 不同加热方式和坩埚组合形成不同的晶体生长方法

表1基本概括了从熔体中生长宝石晶体的主要方法，基本上都可以用于刚玉系列宝石的生长。其中焰熔法由于使用氢氧焰进行加热比较简易，整个晶体生长设备比较简单，同时生长效率高，成本相对较低，非常适合工业化生产，是宝石晶体最常用的方法。但这种方式有温度梯度大、导致晶体应力大需要高温退火和对粉体要求严格等缺点；晶体质量欠佳限制了装饰性用途之外的应用。

冷坩埚法主要用于生长立方氧化锆，它先将埋在ZrO₂原料的金属锆感应发热，将金属锆周围的ZrO₂加热到 1200℃以上，由于 ZrO₂在1200℃以上导电而被感应熔化，通过控制原料周围的冷却装置使原料表层不熔，形成一层未熔的固体壳起到坩埚的作用，熔化部分的ZrO₂熔体在底座下降过程中结晶得到立方氧化锆晶体。

区熔法工艺过程是先把晶体材料烧结或压制成棒状，然后将固定好的料棒放入保温管内，旋转并下降（或移动加热器）使之熔化，熔融区处于漂浮状态仅靠表面张力支撑，由此可获得纯化或重结晶的晶体。

这几种方法的共性是不用坩埚或用自身做坩埚，生长设备大大简化，但同时限制了晶体质量，对于开拓功能性用途不利，同时也难于获得大尺寸晶体，无法满足大尺寸方面的应用。

为了获得基片或窗口级刚玉晶体，必须采用其他方法，如提拉法、导模法、下降法或泡生法等进行生长，由于这些技术较为先进，工艺较难，目前世界上工业化生产的规模及能力均满足不了市场需求。据了解，目前仅有俄罗斯、日本、美国等国家，实现了满足衬底质量和尺寸大于2英寸

1英寸＝25.4mm。要求的晶体的工业化生产。这些方法是利用电感应或电阻（石墨）加热，钼作坩埚，能够较好控制晶体生长所需温场，其缺点是石墨和钼必须在真空或惰性气体保护下工作，因此对晶体生长设备要求比较高，生产成本也比较大，但对于基片级刚玉来说，这个成本是可以接受的。

目前在国内采用这些方法生长基片/窗口级刚玉晶体的研究主要有：

上海光机所独创“导向温梯法”生长2～4英寸优质蓝宝石晶体，突破了国际公认的蓝宝石晶体生长的技术难关，并为大尺寸蓝宝石晶体的产业化打下良好基础。

上海光机所1993年利用坩埚下降法成功生长出直径为120mm，重3kg的优质无色蓝宝石。

云南省玉溪市蓝晶科技有限责任公司自主创新研发成功了具有自主知识产权、带搅拌的感应加热坩埚下降法生长大直径高品质蓝宝石单晶基片技术。

北京人工晶体所2000年利用坩埚下降法成功生长出直径为80mm，厚90mm的窗口级无色蓝宝石。

由上可知，虽然一般介绍刚玉类宝石晶体的生长方法中大都未介绍坩埚下降法，但是在实际中它应该是一种有益的宝石生长方法。所谓坩埚下降法又称梯度炉法或布里奇曼－斯托克巴格（Bridgeman-Stockbarger）法，是常见的从熔体中生长晶体的方法。它通常是由盛载熔体的坩埚在晶体炉内缓慢下降，通过温度梯度较大区域时，熔体自下而上结晶为整个晶体，其典型的晶体炉结构示意图如图1所示。这个过程也可以用结晶炉沿坩埚上升，或者坩埚和结晶炉都不动，而是通过结晶炉缓慢降温来完成。由此可见，温梯法其实质就是坩埚下降法。

图1 坩埚下降法晶体炉结构示意图

坩埚下降法相比焰熔法、提拉法等具有以下优点：

1）温场易于精细调节。可以根据需要通过设立多级加热、改变保温和调整坩埚导热方式等比较便利地获得所需温场，这对于改善晶体质量非常重要。

2）非常便于生长大尺寸晶体。该方法生长的晶体直径和高度都可达数百毫米。

3）可一炉同时生长多根晶体，工艺条件也容易掌握，易程序化和自动化。

不过它同时也有难于直接观察、需要真空或充惰性气体进行保护设备的缺点。

利用坩埚下降法生长刚玉晶体，可用钼或铱作为坩埚，采用高频感应加热或石墨电阻加热。将氧化铝原料放入装有籽晶的坩埚里，然后装炉以备生长。将炉体抽真空或充入保护性气体，之后加热熔化，恒温数小时后，以0.5～5mm/h的下拉速度使坩埚缓慢通过温度梯度为20～40℃/cm的结晶区域，可得到所需刚玉晶体。

为了使坩埚下降法更好地适应宝石晶体的生长，有必要在普通坩埚下降法的基础上发展新的技术，可能的发展方向有：

1）多坩埚技术：坩埚下降法能够一炉多坩埚生长，这对于提高产量和成品率，降低生产成本非常有意义，相比提拉法具有绝对优势。由于多坩埚明显破坏温场的均匀对称性，从而大大增加了生长难度，需要对多坩埚下降炉进行合理设计。可以这么说，多坩埚技术的合理使用，使得其生产成本低于焰熔法存在可能性。

2）熔剂坩埚下降法：熔剂法特别适合于生长温度高、难度大的氧化物晶体，宝石晶体恰好就是这类晶体。但是熔剂法存在很大局限性，如温度梯度小，晶体尺寸不大；坩埚下降法正好能克服熔剂法的这些局限性。如果能把这两种方法结合起来，对宝石晶体生长大有好处。比如以PbF2-PbO作助熔剂，在1350℃可获得位错密度较低的无色蓝宝石晶体，但其尺寸小，成本高，难于大量生产。如果能与坩埚下降法相结合，有可能得到改善。

3）引入强迫对流：通过引入强迫对流，可以明显加快熔体中物质传输和热量传输，从而改进晶体质量，尤其是对于宝石晶体，因为其熔点温度高，黏度大，效果尤其明显。引入强迫对流的方式有加速坩埚旋转技术或搅拌技术。如云南省玉溪市蓝晶科技有限责任公司研发成功了具有自主知识产权、带搅拌的感应加热坩埚下降法单晶生长技术，并利用这种技术率先在国内完成了生长直径2英寸，3英寸，4英寸，且无气泡、无晶界等晶体缺陷的高质量蓝宝石晶棒的中试生产，实现了年生产直径2.4英寸蓝宝石单晶基片15万片的生产能力。该技术与传统的下降法单晶生长技术相比，生长工艺稳定，生产成本低，成品率高（达90%），技术达到国内先进水平。

综上所述，坩埚下降法作为一种常用的晶体方法，通过进一步的试验研究，应该能够在宝石晶体的生长上大有作为。

参考文献

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张玉龙，唐磊.2005.人工晶体－生长技术、性能与应用.北京：化工工业出版社.

张克从，张乐蕙.1981.晶体生长.北京：科学出版社.

邹蒙，范志达，李楠.2000.坩埚下降法生长白宝石缺陷的研究.人工晶体学报，29（1）.

㈢ 蓝宝石晶体生长设备哪个国家，哪些品牌好

俄罗斯Monocrystal、法国Saint-Gon、Rubicon、四联集团，扬州华夏集成光电有限公司

㈣ 您好，您有硅 单晶炉的相关资料吗 关于其设备，材料，方法什么的，谢谢。

单晶硅生长炉是通过直拉法制备单晶硅的制造设备。

原理简介
首先，把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚，通过石墨加热器产生的高温将其熔化；然后，对熔化的硅液稍做降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体（称作籽晶）插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长；接着，控制籽晶生长出一段长为100mm 左右、直径为3～5mm的细颈，用于消除高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，这个过程就是引晶；随后，放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩；接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角；然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度，生长出一定直径规格大小的单晶柱体；最后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺；这样一个单晶拉制过程就基本完成，进行一定的保温冷却后就可以取出。
直拉法，也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法，用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单，容易实现自动控制，生产效率高，易于制备大直径单晶，容易控制单晶中杂质浓度，可以制备低电阻率单晶。据统计，世界上硅单晶的产量中70％～80％是用直拉法生产的。

目前国内外晶体生长设备的现状如下：

美国KAYEX公司
国外以美国KAYEX 公司为代表，生产全自动硅单晶体生长炉。KAYEX公司是目前世界上最大，最先进的硅单晶体生长炉制造商之一。KAYEX的产品早在80年代初就进入中国市场，已成为中国半导体行业使用最多的品牌。该公司生长的硅晶体生长炉从抽真空－检漏－熔料－引晶－放肩－等径－收尾到关机的全过程由计算机实行全自动控制。晶体产品的完整性与均匀性好，直径偏差在单晶全长内仅±1mm。主要产品有CG3000、CG6000、KAYEX100PV、 KAYEX120PV、KEYEX150，Vision300型，投料量分别为30kg、60kg、100kg、120kg、150kg、300kg。

德国CGS GmbH公司
德国Crystal Growing Systems (CGS) GmbH公司成立于1999年8月，其前身为德国莱宝公司晶体生长部。目前其产品已经覆盖生产6”到16”单晶硅棒的设备，设备主要有EKZ2700、 EKZ 3500/200、EKZ 3000/300，EKZ 3000/400型，投料量分别为60kg、150kg、300kg，400kg。

中国西安理工大学研究所
国内以西安理工大学的晶体生长设备研究所为代表，自61年起开始生产晶体生长设备。主要产品有TDR-62B、TDR-70B、TDR-80。上虞晶盛机电工程有限公司是国内单晶硅生长炉行业的后起之秀，自主研发了真正的全自动控制系统，产品迅速占领了IC级硅材料行业和高端太阳能行业，主要产品有TDR80A-ZJS、 TDR80B-ZJS、TDR80C-ZJS、TDR85A-ZJS、TDR95A-ZJS、TDR112A-ZJS。

晶体炉特点
HD系列硅单晶炉的炉室采用3节设计。上筒和上盖可以上升并向两边转动，便于装料和维护等。炉筒升降支撑采用双立柱设计，提高稳定性。支撑柱安装在炉体支撑平台的上面，便于平台下面设备的维护。炉筒升降采用丝杠提升技术，简便干净。
全自动控制系统采用模块化设计，维护方便，可靠性高，抗干扰性好。双摄像头实时采集晶体直径信息。液面测温确保下籽晶温度和可重复性。炉内温度或加热功率控制方式可选，保证控温精度。质量流量计精确控制氩气流量。高精度真空计结合电动蝶阀实时控制炉内真空度。上称重传感器用于晶棒直径的辅助控制。伺服电机和步进电机的混合使用，即可满足转动所需的扭矩，又可实现转速的精确控制。质量流量计精确控制氩气流量。
自主产权的控制软件采用视窗平台，操作方便简洁直观。多种曲线和数据交叉分析工具提供了工艺实时监控的平台。完整的工艺设定界面使计算机可以自动完成几乎所有的工艺过程。
加热电源采用绿色纵向12脉冲直流电源。比传统直流电源节能近15%。
特殊的温场设计使晶体提拉速度提高20-30%。

㈤ 熔体提拉法生长宝石晶体

一、概述

提拉法的创始人是Czochralski，他的论文发表于1918年。这是熔体生长最常用的方法之一。很多重要的实用晶体是用这种方法制备，近年来该法获得几项重大改进，能顺利生长出一些易挥发的化合物，如GaP和含Pb晶体，以及特殊形状的晶体，如八边形硅管、漏斗形蓝宝石晶体等。

二、提拉法的原理与装置

提拉法的装置示意如图9-3-1所示，生长设备包括：坩埚、熔体、籽晶、提拉系统、加热炉、温度与气氛控制系统等。将预先混合好的原料装入坩埚，并加热到原料的熔点以上，使之熔化成熔体，在坩埚上方有一根可以旋转和升降的提拉杆，杆的下端带有一个夹头装上籽晶，降低提拉杆，使籽晶插入熔体中，只要温度合适，籽晶既不熔掉也不长大，然后缓慢地向上提拉和转动晶杆。同时，缓慢地降低加热功率，籽晶就逐渐变粗并生长(“缩颈”工艺)，不断地小心调节加热功率，就能得到所需要的晶体，整个生长装置安放在一个可以封闭的外罩里，以便保证生长环境所要求的气氛和压力。通过外罩的窗口，可以观察到晶体生长的情况。

图9-3-2 导模法生长晶体示意图

㈥ 单晶硅生长炉的单晶硅生长炉热场的设计与仿真

在直拉法生长硅单晶的过程中，硅单晶生长的成功与否以及质量的高低是由热场的温度分布决定的。温度分布合适的热场，不仅硅单晶生长顺利,而且品质较高；如果热场的温度分布不是很合理，生长硅单晶的过程中容易产生各种缺陷，影响质量，情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶。因此在投资硅单晶生长企业的前期，一定要根据生长设备，配置出最合理的热场,从而保证生产出来的硅单晶的品质。在直拉硅单晶生长工艺中,一般采用温度梯度来描述热场的温度分布情况，其中在固液界面处的温度梯度最为关键。
数值模拟是在一个低成本的情况下,利用电脑计算提供的详尽资料，用以支持真正的（且昂贵）实验。由于数值模拟提供了一个近似真实的过程，利用这一技术可以很容易的对任何类型的变化（几何尺寸、保温材料、加热器、外围环境等）对晶体质量的影响做出容易的判断。数值仿真是用来获得廉价的，完整的和全面细节的结晶过程，以此方法用来预测晶体生长,改善晶体生长技术。举例来说，对于无经验人员，可以形象化展示熔体流动的历史点缺陷和热应力细节。所以数值仿真是一种达到较高生产率和较好满足市场对晶体直径，质量要求的最好办法。
面向过程的仿真软件FEMAG为用户提供了可以深入研究的数值工具,用户通过有效的计算机模拟可以设计和优化工作流程。通过对单晶炉热场的仿真计算，优化设计单晶炉的机械结构，在拉晶过程中以仿真结果设定合理的理论拉晶曲线，就可以在实际生产中是完全可以生长出合格的单晶硅棒。

㈦ 请问：单晶硅生产线主要设备有哪些，每项设备的主要厂家、设备型号，影响最终生产效率的主要因素

要建设单晶硅生产线，除了硅晶体生长设备外，还一般要建起相关的配套设施：供配电系统、冷却水系统、惰性气体供应系统，真空系统以及生产环境所需的空调空气过滤系统，

常见的硅晶体生长炉有：上海汉红 浙江晶胜 北京经运通 华胜天龙 西安理工等
像自动化程度比较高的有 浙江晶胜 上海汉红 美国凯科斯等当然价格是很昂贵的，国产8寸的炉子价格在一百五十万以上 进口合资的更高一般两百万以上。单晶炉的设备型号主要以炉子的装料量和拉制晶棒的直径来定义：85 90等

国产半自动的炉子主要有：经运通 西安理工 晶仪 晶龙和天龙等，这些炉子只能在等径和收尾的时候自动运行人工干预的程度比上面提到的炉子要大，但价格便宜，结实来用所以也有很多厂家在用。

要拉出一根高品质的晶棒，除了运行可靠、控制平稳的炉子外更大程度是和所用原料、配料工艺以及保温热场有关，所以除了挑选合适的单晶炉外，我们还需要对原料的采购、配料工艺的制定、热场和石英坩埚的选择有严格要求。