多晶硅生产厂家要买哪些设备

A. 生产多晶硅太阳能光伏板需要哪些设备

1,沉积速率:168小时每150毫米
2,钟罩反应器里有9到12对棒.
3,原料是金属硅粉,氯气,氢气.
4,设备主要是合成炉,精馏塔,储槽,还原炉,氢化炉,还有尾气处理等设备.
最后问你个问题:我是新光硅业的,你是哪个单位的?

B. 在生产多晶硅方面一共有多少种工艺，哪些工艺会用到除尘设备。具体用在什么环节上哪

多晶硅生产包括，（氯氢化）有的公司没有，精馏，还原，气体回收，四个主要单元循环生产，辅助单元硅芯拉制单元，包装破碎单元。其中，还原单元使用的硅芯是在洁净厂房内生产。所以多晶硅生产有还原，和硅芯拉制2个单元对洁净要求很高，对空气中粉尘含量控制严格，必须用除尘设备。

C. 生产单晶硅多晶硅太阳能板 请问需要哪些设备和原材料这些设备和原材料 在那里能买到重庆千贯宝轴承夏鹏远

单晶硅，多晶硅， 磷什么的

D. 生产多晶硅的设备有哪些,现在市面上多少钱啊

多晶硅不是小作坊```需要的设备多了，一条还原线就要两个多亿。。

E. 太阳能硅片加工需要什么设备啊~我想办厂有没有懂技术的人教下我啊

这个需要的东西比较多啊，不知道你是只加工硅片还是从多晶硅到单晶硅棒一条龙生产？
如果只加工硅片，主要用酸洗设备，切片设备，检测设备等。

F. 多晶硅项目生产需要什么材料

冶金级硅粉、液氯、氢气
中间原料：三氯氢硅
多晶硅生产的原料是 三氯氢硅和氢气按照一定的比例汇合后进入还原炉内进行热分解和氢还原反应产生多晶硅，沉积在炉内硅芯上 逐渐长大 ，一般都是化学气相沉积法即CVD

G. 多晶硅生产设备

提炼多晶硅过程中要注意的一个是安全,再一个就是多晶硅的纯度了.能提供你的就这些了,其他属于保密部分,不好意思

H. 单多晶硅生产设备主要有哪些

单晶硅拉制炉

I. 多晶硅的生产工艺流程及有关设备有哪些

多晶硅的生产工艺流程及有关设备有：

1、多晶硅生产主要关键设备（在改良西门子法中）：氯化氢合成炉，三氯氢硅沸腾床加压合成炉，三氯氢硅水解凝胶处理系统，三氯氢硅粗馏、精馏塔提纯系统，硅芯炉，节电还原炉，磷检炉，硅棒切断机，腐蚀、清洗、干燥、包装系统装置，还原尾气干法回收装置；其他包括分析、检测仪器，控制仪表，热能转换站，压缩空气站，循环水站，变配电站，净化厂房等。

2、西门子改良法生产多晶硅工艺如下：

（1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅， 其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑

（2）为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水氯化氢(HCl)与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅(SiHCl3)。

其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑

反应温度为300度，该反应是放热的。同时形成气态混合物(Н2,НС1,SiНС13,SiC14,Si)。

（3）第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解:过滤硅粉，冷凝SiНС13,SiC14，而气态Н2,НС1返回到反应中或排放到大气中。然后分解冷凝物SiНС13,SiC14，净化三氯氢硅（多级精馏）。

（4）净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。 其化学反应SiHCl3+H2→Si+HCl。

多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度1.5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。

这样大约三分之一的三氯氢硅发生反应，并生成多晶硅。剩余部分同Н2,НС1,SiНС13,SiC14从反应容器中分离。这些混合物进行低温分离，或再利用，或返回到整个反应中。

J. 多晶硅生产流程是什么

多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。

1、石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅，其化学反应SiO₂+C→Si+CO₂↑。

2、为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水氯化氢（HCl）与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅（SiHCl₃）。其化学反应Si+HCl→SiHCl₃+H₂↑，反应温度为300度，该反应是放热的。同时形成气态混合物（Н₂，НСl，SiНСl₃，SiCl₄，Si）。

3、第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解：过滤硅粉，冷凝SiНСl₃，SiCl₄，而气态Н₂，НСl返回到反应中或排放到大气中。然后分解冷凝物SiНСl₃，SiCl₄，净化三氯氢硅（多级精馏）。

4、净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H₂气氛中还原沉积而生成多晶硅。其化学反应SiHCl₃+H₂→Si+HCl。

多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度1.5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。这样大约三分之一的三氯氢硅发生反应，并生成多晶硅。

剩余部分同Н₂，НСl，SiНСl₃，SiCl₄从反应容器中分离。这些混合物进行低温分离，或再利用，或返回到整个反应中。气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的，从某种程度上决定了多晶硅的成本和该工艺的竞争力。

用途

多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。

在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。