A. 半导体封装有哪些设备
半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立版芯片的过程。封装过权程为:来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片(Die),然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板(引线框架)架的小岛上,再利用超细的金属(金锡铜铝)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘(Bond Pad)连接到基板的相应引脚(Lead),并构成所要求的电路;然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护,塑封之后还要进行一系列操作,封装完成后进行成品测试,通常经过入检Incoming、测试Test和包装Packing等工序,最后入库出货。
半导体封装一般用到点胶机+胶水环氧树脂,焊机+焊膏。典型的封装工艺流程为:划片、装片、键合、塑封、去飞边、电镀、打印 、切筋和成型 、外观检查、 成品测试 、包装出货。
B. 光伏设备有哪些
我国光伏设备企业已基本具备太阳能电池制造整线装备能力,部分产品如扩散炉、 等离子刻蚀机等开始少量出口,可提供10种太阳能电池大生产线设备中的8种,其中有6种(扩散炉、等离子刻蚀机、清洗/制绒机、石英管清洗机、低温烘干炉)已在国内生产线占据主导地位,2种(管式PECVD、快速烧结炉)和进口设备并存但份额在逐步增大,3种(全自动丝网印刷机、自动分捡机、平板式PECVD)则完全依赖进口。 组件生产用的层压机、太阳模拟器等在行业获得广泛应用。 硅片加工设备中单晶炉以优良的性价比占据了国内市场的绝对统治地位并批量出口亚洲,多线切割机已取得突破,多晶硅铸锭炉推向市场指日可待。 高纯硅材料提纯设备中关键的24对棒还原炉在国家“863”计划的支持下也已研制成功。 国产太阳能光伏设备在国内用户中已建立起良好的信誉,得到业界的广泛认可,越来越多的客户从国产设备使用中受益。可以说,中国太阳能光伏产业在短短的数年间具备直面国际竞争能力,获得高速发展的利器在于技术与国际接轨的同时拥有无法比拟的低成本优势,而维持较低生产成本的原因除较低的劳动力和运营成本外,低价格(平均只有进口设备的1/3)的国产设备的大量应用使得企业投资成本大大降低是主要原因。否则光伏产业95%市场在欧美日的产业特征,很难想象国内企业能以比国外同类企业高得多的硅材料采购成本去国际市场竞争。 国产设备相继在大生产线应用 2002年我国一部分企业超常规发展通过和一流电池企业合作并引进先进的工艺技术,历经多次技术换代及升级,国产的太阳能电池关键设备相继在国内大生产线上得到应用,使我国基本具备太阳能电池制造设备整线供给能力。 高纯硅材料的严重短缺为物美价廉的国产单晶炉企业提供了极好的发展契机,近几年数十家新上的单晶拉制企业的大量订货,使得国内设备企业始终处于满负荷生产状态,并引来了日本、韩国和我国台湾的批量订单。如此多年未遇的火爆场面直接催生了2006年四家光伏设备生产企业订单过亿元,2007年的势头较之有过之而无不及的局面,这是我国电子专用设备行业多年未有的繁荣景象。 另外,尽管非晶硅太阳能电池尚没有形成规模生产,但增长速度已明显加快,相应的非晶硅电池设备也吸引了不少企业试图以同国外相仿的整线包设备和工艺的方式进入。 同国际先进水平相比,国产太阳能电池生产设备最关键的几种设备中,扩散炉、等离子刻蚀机、清洗/制绒机等达到或接近了国际先进水平,占据了国内绝大部分市场,性价比优势十分明显。管式PECVD、快速烧结炉与国际先进水平有差距,但不大,已开始在大生产线使用,市场份额逐步扩大,性价比优势明显。国内尚没有平板式PECVD,另两种关键设备全自动丝网印刷机和自动分捡机由于核心技术无法绕开国外公司的技术专利封锁,尚未取得实质性突破,整体水平和国外差距较大,国内主要大生产线几乎全部采用了价格高昂的进口设备。 硅片加工设备中,部分合资企业的高档全自动单晶炉已接近国际先进水平,但因价格较高,在光伏产业的应用数量有限,获得大量应用的反而是价格低廉适用的、自动化程度较低的中低端单晶炉。借硅材料短缺的难得契机,得以形成批量生产,占据了国内绝大部分市场并批量出口。 组件生产设备中的层压机等,高端自动化产品与国际先进水平相差无几,有明显的技术特色,但占据市场大部分份额的也是中低端产品。 硅材料提纯设备的技术水平与国外产品差距较大,只有零星产品生产。 2010年将为设备提供36亿元市场 自2003年开始,截至2006年12月,我国在短短的四年时间内新上标准太阳能电池生产线(25MW/条)47条。按现时每条线设备3000万元的平均投资计算,设备市场高达14亿元。如果算上用于解决硅片短缺而用于购买材料制造设备如多晶硅铸锭炉、单晶炉、切割机、线锯等的投资,国内相关设备的市场总额则超过了25亿元。其中约1/3的市场被国产设备占领,几年来累计为国家节约外汇近3亿美元,为用户节约投资超过20亿元,已在太阳能光伏产业具备初步的话语权。2005年共销售相关设备约330台套,销售额近4亿元,2006年则达到了7亿元。 根据业内前十名的发展规划,至2010年,我国将再增加3000MW以上的生产能力。即使采用目前成熟的国产设备和进口设备混合搭配的国内主流配置方案,也至少为设备厂家提供了36亿元的市场。若以全进口设备计算,则需设备投资84亿元。 摘自 http://ke..com/view/4476509.htm
C. 半导体封装设备有哪些比较不错的
半导体封装设备比较不错的推荐看下卓兴半导体、新益昌、ASM等,我们公司新进的一批半导体封装设备全是卓兴的,操作员反馈挺不错,很好上手,操作简单,而且效率高,基本上固晶产能可以达到40K/H,良率也是可以达到Mini LED的固晶良率标准,性能不错,应该是国产里比较厉害的设备了,网络也有很多相关资料。
D. IC封装测试生产线都需要什么设备,我们公司打算建一条小型的生产线
1、要看你封装什么产品!
2、购买WAFER(晶圆)还是自己购买DICE(晶粒)。DICE是别人减薄切好的!
3、看你是用共晶工艺还是点胶工艺!设备所有增减!
4、打线机,看要打什么线,金线和铝线的话不用吹氮气设备,铜线就需要了。
5、塑封看什么级别。够不同等级料饼,当然还有必须用对应封装模具!封装用的框架也是有等级的,至少现在有铜合金和铁合金的。
6、封装好了就要电镀,镀锡!电镀厂,可以找外协!
7、切筋正型机。
8、测试机,分选机,要看你封装形式和IC的类别选择。
9、激光打字。
10、编带,包装。
一般最简单TO92一整套200万以内可以搞定!
E. 我们中国有哪些芯片、晶圆制造商
类型 地点 封测厂名 备注
外商 上海市 英特尔(Intel) 英特尔独资
外商 上海市 安可(AmKor) 安可独资
外商 上海市 金朋(ChipPAC) [color=blue]星科金朋(STATSChippac)[/color] (原为现代电子)
外商 上海市 新加坡联合科技(UTAC) 联合科技独资
外商 江苏省苏州市 飞利浦(Philips) 飞利浦独资
外商 江苏省苏州市 三星电子(Samsung) 三星电子独资
外商 江苏省苏州市 超微(AMD) [color=blue]Spansion 专做FLASH内存[/color] (原为超微独资)
外商 江苏省苏州市 国家半导体(National Semiconctor) 国家半导体独资
(http://www.seminic.com/index.php)
外商 江苏省无锡市 无锡开益禧半导体(KEC) 韩国公司独资
外商 江苏省无锡市 东芝半导体(Toshiba) 1994年东芝与华晶电子合资,2002年4月收购成为旗下半导体公司,原名为华芝半导体公司
外商 天津市 摩托罗拉(Motorola) [color=blue]Freescale[/color] (原为摩托罗拉独资)
外商 天津市 通用半导体(General Semiconctor) General独资
外商 广东省深圳市 三洋半导体(蛇口) 曰本三洋独资
外商 广东省深圳市 ASAT ASAT LIMITED(英国)独资
外商 广东省东莞市 清溪三清半导体 三洋半导体(香港)
外商 江苏省苏州市 快捷半导体(Fairchild)
合资 上海市 上海新康电子 上海新泰新技术公司与美国siliconix公司合资
(http://www.seminic.com/index.php)
合资 上海市 松下半导体(Matsushita) 曰本松下、松下中国及上海仪电控股各出资59%、25%、16%成立
合资 上海市 上海纪元微科微电子(原阿法泰克电子) 泰国阿法泰克公司占51%,上海仪电控股占45%,美国微芯片公司占4%。
合资 江苏省苏州市 曰立半导体(Hitachi) 曰立集团与新加坡经济发展厅合资
合资 江苏省苏州市 英飞凌(Infineon) 英飞凌与中新苏州产业园区创业投资有限公司合资
合资 江苏省无锡市 矽格电子 矽格电子与华晶上华合资
合资 江苏省南通市 南通富士通微电子 南通华达微电子与富士通合资
合资 北京市 三菱四通电子 曰本三菱与四通集团合资
合资 广东省深圳市 深圳赛意法电子 深圳赛格高技术投资股份有限公司与意法半导体合资
合资 四川省乐山 乐山菲尼克斯半导体 乐山无线电厂与安森美半导体合资
(http://www.seminic.com/index.php)
合资 浙江省宁波市 宁波明昕电子 台湾地区明昕电子与宁波电子信息集团有限公司及中国新纪元有限公司和亨利企业(香港)有限公司还有宁波合泰科技投资公司合资
台商 上海市 威宇半导体 [color=blue]被曰月光收购[/color] (原为威盛董事长王雪红主导 )
台商 上海市 桐芯科技 台商独资
台商 上海市 宏盛科技 台商独资
台商 上海市 凯虹电子 台商独资
台商 上海市 捷敏电子 台商独资
台商 上海市 曰月光 台商独资
台商 上海市 南茂 台商独资
2 中国区较大的半导体企业
台商 江苏省宁波市 菱生 台商独资
台商 江苏省吴江市 巨丰电子 台商独资
台商 江苏省吴江市 超丰 台商独资
台商 广东省珠海市 珠海南科集成电子 珠海南科集团
台商 广东省东莞市 矽德 台商独资
台商 山东省阳信市 长威电子 台商独资
本土 上海市 上海华旭微电子 首刚NEC后段封测独立
本土 江苏省无锡市 无锡华润晶微电子 香港华润微电子子公司
本土 江苏省常州市 中电华威电子(原连云港华威电子) 连云港华威电子集团有限公司与深圳中电投资股份有限公司和江阴市新潮科技有限公司及南通华达微电子有限公司合资
本土 江苏省江阴市 江苏长电科技 本土最大的封测企业
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长电先进是国内第一家Wafer bumping Vendor3
本土 江苏省邗江市 邗江九星电子 本土资金
本土 江苏省锡山市 玉祁红光电子 本土资金
本土 广东省厦门市 厦门华联 本土资金
本土 广东省汕头市 汕头华汕电子 本土资金
本土 四川省西安市 骊山微电子 前身为西安微电子研究所
本土 浙江省绍兴市 华越芯装电子 本土资金
本土 广西省桂林市 南方电子有限公司 本土资金
本土 甘肃省天水市 天水华微电子 前身为国营第七四九厂
外商 上海市 金朋(ChipPAC) 原为现代电子 改为 星科金朋(STATSChippac)
台商 上海市 威宇半导体 威盛董事长王雪红主导 改为 被曰月光收购
外商 天津市 摩托罗拉(Motorola) 摩托罗拉独资 改为(Freescale)
外商 江苏省苏州市 超微(AMD) 超微独资 改为(Spansion)
添加:外商 江苏省苏州市 快捷半导体(Fairchild)
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江苏省苏州市 超微(AMD) 超微独资 改为(Spansion)专做FLASH内存
现在新建一个超微(AMD)(苏州)是做CPU成品测试的
还有AMD,国半的鼻祖,快捷(苏州)(fairchilrd)
专做代工的嘉盛半导体(苏州)有限公司
英飞凌(无锡)有限公司新义半导体(苏州)有限公司好象是帮英飞凌做代工
还有刚投资的松下半导体(苏州)有限公司
快捷(无锡)(fairchilrd)
瑞萨半导体(苏州)有限公司,三凌与曰立合作的。
中心半导体论坛(http://www.seminic.com/index.php)
汇集半导体设备,半导体材料,半导体激光,半导体照明,半导体封装,半导体光电,集成电路,光电,微电子,LED,ESD,RoHS,无铅制程,防静电,SMT,固晶,焊线,IC设计,IC测试,IC封装,晶圆制造,IC芯片,平板显示,FPD,分立器件,光伏,太阳能等相关资讯。 (http://www.seminic.com/index.php)
集中探讨集成电路,光刻,刻蚀,淀积,扩散,注入,清洗,LCDLithography,Etching,Diffusion,Thin Film,Wafer Processing,Package,荧光粉等工艺技术。
F. 快要毕业,我已经签到一个晶圆厂,设备工程师,只对晶圆制造有个基本概念而已,对设备机器一点也不了解
其实设备工程师的主要工作职责是:控制、维护设备的正常工作,对设备进行保养,并能够对设备的简单故障进行维修处理。
其实这个是比较简单的,在进入公司进行一段时间的培训就可以上手了。
祝你好运哦!~~~
G. 什么是半导体设备
半导体设备即为利用半导体元件制造的电气设备。
半导体,指常温下导电性能介于导版体与绝缘体之间的材料权。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制,范围可从绝缘体至导体之间的材料。
半导体设备有激光打标机,激光喷码机,包装机,纯水机等等
半导体材料分类半导体材料按化学成分和内部结构,大致可分为以下几类:
化合物半导体由两种或两种以上的元素化合而成的半导体材料。
无定形半导体材料 用作半导体的玻璃是一种非晶体无定形半导体材料,分为氧化物玻璃和非氧化物玻璃两种。
元素半导体有锗、硅、硒、硼、碲、锑等。
有机增导体材料已知的有机半导体材料有几十种,包括萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等,目前尚未得到应用 。
H. 晶圆用什么设备拉出来的设备贵吗
就非常贵吧,这个设备是500块钱左右吧,这个设备因为金元用的是一个是被拉出来的话还是蛮好的,因为这个设备的话能够得到我们的帮助。
I. 晶圆制造
晶圆(WAFER):多指单晶硅圆片,由普通硅沙拉制提炼而成,是最常用的半导体材料。按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸等规格,近来已经发展出16英寸甚至更大规格。晶圆越大,同一圆片上可生产同规格的IC就多,可有效降低IC成本。
半导体晶圆制造的基本原理,主要是将经过精密设计的电路,藉由光罩逐层(Layer by Layer)的转移至矽晶圆上,以制造出所需的IC产品。主要的加工步骤包括化学清洗(Chemical clean)、氧化∕薄膜沈积(Oxidation∕Metal deposition)、光罩投影(Photolithography)、蚀刻(Etching)、离子植入(Ion implant)、扩散(Diffuse)、光阻去除、检验与量测等[34],总加工步骤随著历年曝光方式的改变及线路线宽的减少而与日遽增。以动态随机存取记忆体(DRAM)为例,制作过程非常困难且繁复,如将量测与检验等步骤纳入考量,总制程步骤已超过五百道以上。
晶圆制造的基本流程,是将矽晶圆投入制程中,经过化学清洗、氧化∕薄膜沈积等程序后,会於矽晶圆表面形成一层矽氧化膜,此薄膜经过上光阻液、并配合光罩於黄光区进行曝光、显影,就可将光罩上的电路图移转至矽晶圆上。经过特殊光线照射后的光阻液会产生变化,使得此部份的光阻液可利用化学药品或腐蚀性气体去除而露出矽氧化膜,此为蚀刻(Etching)过程。露出的矽氧化膜经离子植入制程,於晶圆表面植入硼、砷和磷等离子,以形成半导体电子元件。接下来以金属贱镀的方式,於晶圆表面贱镀能够导电的金属层,以连接电子元件,并以表面绝缘保护,就可完成其中一个层(Layer)的制造。如此一层一层的层叠架构,就可将电路图完全的移转至矽晶圆上,完成所制造的IC产品,不同功能的IC产品所需的层数也不相同,视其复杂度而定。以下便针对上述几个单元制作略述其制造、生产特性以及所使用的设备。