晶压管变流设备是什么

1. 什么是晶体管效应

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。

半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件。半导体三极管[font color=#000000]是电路中[/font]应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。

半导体三极管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极 (Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极 （Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称路最常用的用途应该是属于讯号放大这一方面，其次是阻抗匹配、讯号转换……等，晶体管在电路中是个很重要的组件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。

晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性，主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程，进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。

虽然数以百万计的单体晶体管还在使用，但是绝大多数的晶体管是和电阻、电容一起被装配在微芯片（芯片）上以制造完整的电路。模拟的或数字的或者这两者被集成在同一块芯片上。设计和开发一个复杂芯片的成本是相当高的，但是当分摊到通常百万个生产单位上，每个芯片的价格就是最小的。一个逻辑门包含20个晶体管，而2005年一个高级的微处理器使用的晶体管数量达2.89亿个。

晶体管的低成本、灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通常是更便宜、更有效地，仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。

因为晶体管的低成本和后来的电子计算机、数字化信息的浪潮来到了。由于计算机提供快速的查找、分类和处理数字信息的能力，在信息数字化方面投入了越来越多的精力。今天的许多媒体是通过电子形式发布的，最终通过计算机转化和呈现为模拟形式。受到数字化革命影响的领域包括电视、广播和报纸。
参考资料：http://ke..com/view/30363.htm

2. 晶体管有哪三种工作状态

晶体三极管的三种工作状态：

1、截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

2、放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。

3、饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

(2)晶压管变流设备是什么扩展阅读：

晶体管是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电信号来控制自身的开合，所以开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

当向三极管的基极输入正极性信号时，其基极电流会增大，容易进入饱和状态；当向三极管的基极输入负极性信号时，其基极电流会减小，容易进入截止状态。因此，解决输入信号送入放大电路能否顺利放大，主要是检查最大值（一般为正极性）的输入信号、最小值（一般为负极性）的输入信号是否引起放大电路中三极管进入了饱和状态、截止状态，如果两种输入信号都没有使三极管进入饱和、截止状态，那么该范围的输入信号送入放大电路后能被顺利放大。如果两种输入信号使三极管进入饱和或截止状态，则不能顺利放大，会引起信号饱和失真或截止失真。

3. 压力变送器有什么作用

压力变送器作用如下：

1、使用被测介质广泛，可测油、水及与316不锈钢和304不锈钢兼容的糊状物，具有一定的防腐能力；

2、高准确度、高稳定性、选用进口原装传感器，线性好，温度稳定性高；

3、体积小、重量轻、安装、调试、使用方便；

4、不锈钢全封闭外壳，防水好；

5、压力传感器直接感测被测液位压力，不受介质起泡、沉积的影响。

压力变送器主要优点

1、压力变送器具有工作可靠、性能稳定等特点；

2、专用V/I集成电路，外围器件少，可靠性高，维护简单、轻松，体积小、重量轻，安装调试极为方便；

3、铝合金压铸外壳，三端隔离，静电喷塑保护层，坚固耐用；

4、4-20mA DC二线制信号传送，抗干扰能力强，传输距离远；

5、LED、LCD、指针三种指示表头，现场读数十分方便。可用于测量粘稠、结晶和腐蚀性介质；

6、高准确度，高稳定性。除进口原装传感器已用激光修正外，对整机在使用温度范围内的综合性温度漂移、非线性进行精细补偿。

以上内容参考：网络-压力变送器

4. 带感性负载的晶阀管直流整流电路中，与负载并联的二极管续流的原理是什么

续流二极管接在电路里的极性是与可控硅输出直流电压的极性相反的，如图所示：负载接通电压时，电流IL方向是向下的，二极管处于反向电压不导通。当关断负载电压时，IL=0，由于感性负载电流不能突变，在急剧减小其电流时会产生一个自感电势，其方向是与原来的电源电压相反的，自感自感电势此时恰恰是二极管的正向电压方向，使二极管导通，泄放了出去，电流方向向上，通过负载构成回路，消耗在负载的电阻上变为热量。

有了续流二极管可以保护可控硅不能被负载的自感电势击穿。

5. 什么是变流技术

变流技术
变流技术是一种电力变换的技术，相对于电力电子器件制造技术而言，是一种电力电子器件的应用技术，它的理论基础是电路理论。变流技术主要包括：用电力电子器件构成各种电力变换的电路，对电路进行控制，以及用这些技术构成更为复杂的电力电子装置和系统．通常所说的“变流”是指：交流电变直流电，直流电变交流电，直流电变直流电和交流电变交流电。
例如，我们常见的充电器，就使用了交流电变直流电的变流技术。
变流技术是伴随着半导体器件的发展而发展出来的一种交叉新技术。半导体器件制造技术中已经先后经历了以晶闸管为代表的分立器件，以可关断晶闸管（GTO）、巨型晶体管（GTR）、功率MOSFET、绝缘栅双极晶体管（IGBT）为代表的功率集成器件（PID），以智能化功率集成电路（SPIC）、高压功率集成电路（HVIC）为代表的功率集成电路（PIC）等三个发展时期。
在器件结构上，从分立器件，发展到由分立器件组合成功率变换电路的初级模块，继而将功率变换电路与触发控制电路、缓冲电路、检测电路等组合在一起的复杂模块。功率集成器件从单一器件发展到模块的速度更为迅速，今天已经开发出具有智能化功能的模块（IPM）。
在器件的控制模式上，从电流型控制模式发展到电压型控制模式，不仅大大降低了门极（栅极）的控制功率，而且大大提高了器件导通与关断的转换速度，从而使器件的工作频率由工频→中频→高频不断提高。
变流技术发展到今天，其应用范围大致分为5个方面。
（1）整流：实现AC/DC变换；
（2）逆变：实现DC/AC变换；
（3）变频：实现AC/AC(AC/DC/AC)变换；
（4）斩波：实现DC/DC(AC/DC/DC)变换；
（5）静止式固态断路器：实现无触点的开关、断路器的功能，控制电能的通断。

6. 什么是电力电子变流技术

电力电子变流是个交叉的学科，它是指用现代电力电子技术（电力学、电子学、控制论）来实现交流变直流，和直流变交流。他对于现在科技的发展、节能、机车的运行等有着重要的作用应用于电力领域的电子技术,使用电力电子器件(Power Electronic Device)对电能进行变换和控制的技术.电力电子技术主要用于电力变换(Power Conversion). 1.2电力电子技术的两个分支: 电力电子变流技术(Power Electronic Conversion Technique) 用电力电子器件(Power Electronic Device)构成电力变换电路(Power Conversion Circuit)和对其进行控制的技术,及构成电力电子装置(Power Electronic Equipment)和电力电子系统(Power Electronic System)的技术.电力电子技术的核心,理论基础是电路理论(Theory of Electric circuit). 电力电子器件制造技术(Manufacture Technique of Power Electronic Device)电力电子器件制造技术的基础,理论基础是半导体物理(Semiconctor Physics)。 1.3 电力变换变换器分为四大类: 交流→直流——整流 直流→交流——逆变 直流→直流——斩波 来源: http://tede.cn交流→交流——交流调压,变频 1.4 电力电子技术和电子技术的关系 电力电子器件制造技术和电子器件(Electronic Device)制造技术的理论基础是一样的,大多数工艺也相同。现代电力电子器件制造大都使用集成电路(Integrate Circuit-IC)制造工艺,采用微电子(Micro-electronics)制造技术,许多设备都和微电子器件制造设备通用,说明二者同根同源. 电力电子电路(Power Electronic Circuit)和电子电路(Electronic Circuit)许多分析方法一致,仅应用目的不同.广义而言,电子电路中的功放和功率输出也可算做电力电子电路.电力电子电路广泛用于电视机,计算机等电子装置中,其电源部分都是电力电子电路. 器件的工作状态: 信息电子,既可放大,也可开关;电力电子,为避免功率损耗过大,总在开关状态 ——电力电子技术的一个重要特征. 1.5电力电子技术与电气工程的关系 主要关系:电力电子技术广泛用于电气工程(Electrical Engineering)中. 电力电子装置广泛用于高压直流输电(High-Voltage DC Transmission),静止无功补偿(Static VAR Compensate),电力机车牵引(Electrical Power Motorcycle Driving),交直流电力传动(AC/DC Power Driving),电解(Electrolyze),励磁(Excitation),电加热(Electric Power Heating),高性能交直流电源(High-Performance AC/DC Power Supply)等电力系统(Electric Power System)和电气工程(Electrical Engineering). 请登陆:输配电设备网 浏览更多信息 通常把电力电子技术归属于电气工程学科 电力电子技术是电气工程学科中一个最为活跃的分支,其不断进步给电气工程的现代化以巨大的推动力 1.6 电力电子技术与控制理论的关系 1)控制理论广泛用于电力电子技术,使电力电子装置和系统的性能满足各种需求; 2)电力电子技术可看成"弱电控制强电"的技术,是"弱电和强电的接口",控制理论是实现该接口的强有力纽带; 3)控制理论和自动化技术密不可分,而电力电子装置是自动化技术的基础元件和重要支撑技术. 2、电力电子技术的发展史 电力电子器件的发展对电力电子技术的发展起着决定性的作用,因此,电力电子技术的发展史是以电力电子器件的发展史为纲的. 1904年出现了电子管(Vacuum tube),能在真空中对电子流进行控制,并应用于通信和无线电,从而开了电子技术之先河 20年代末出现了水银整流器(Mercury Rectifier),其性能和晶闸管(Thyristor)很相似.在30年代到50年代,是水银整流器发展迅速并大量应用的时期.它广泛用于电化学工业,电气铁道直流变电所,轧钢用直流电动机的传动,甚至用于直流输电 来源: www.tede.cn 1947年美国贝尔实验室发明晶体管(Transistor),引发了电子技术的一场革命 1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管(Thyristor) 1960年我国研究成功硅整流管(Silicon Rectifying Tube/Rectifier Diode) 1962年我国研究成功晶闸管(Thyristor) 70年代出现电力晶体管(Giant Transistor-GTR),电力场效应管(Metallic Oxide Semiconctor Field Effect Transistor-MOSFET) 80年代后期开始:复合型器件. 以绝缘栅极双极型晶体管(Insulated -Gate Bipolar Transistor-IGBT)为代表,IGBT是电力场效应管(MOSFET)和双极结型晶体管( Bipolar Junction Transistor-BJT)的复合.它集MOSFET的驱动功率小,开关速度快的优点和BJT通态压降小,载流能力大的优点于一身,性能十分优越,使之成为现代电力电子技术的主导器件.与IGBT相对应,MOS控制晶闸管(MOS Controlled Transistor-MCT)和集成门极换流晶闸管(Intelligent Gate-Commutated Thyristor-IGCT)等都是MOSFET和GTO的复合,它们也综合了MOSFET和GTO两种器件的优点. 90年代主要有: 功率模块(Power Mole):为了使电力电子装置的结构紧凑,体积减小,常常把若干个电力电子器件及必要的辅助元件 做成模块的形式,这给应用带来了很大的方便. 请登陆:输配电设备网 浏览更多信息 功率集成电路(Power Integrated Circuit-PIC):把驱动,控制,保护电路和功率器件集成在一起,构成功率集成电路(PIC).目前其功率都还较小,但代 表了电力电子技术发展的一个重要方向 . 智能功率模块(Intelligent Power Mole-IPM)则专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片集成,也称智能IGBT(Intelligent IGBT). 高压集成电路(High Voltage Integrated Circuit-HVIC):一般指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成. 智能功率集成电路(Smart Power Integrated Circuit-SPIC):一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成.

7. 求解，关于喷管和扩压管是怎样改变流体的压力的

流体流过扩压管时，流体的动能转变为流体的焓增，表现为扩压管出口流体压力的提高。
扩压管的作用是为给流体增压，使工质流过后，速度降低而压力升高。
这是一种简便的升压设备，工程上应用也较广，如喷气发动机、引射器和蒸汽喷射制冷中的喷射器中，气体的增压都要用到扩压管。气体在扩压管中的能量转换过程，正好和喷管中的过程相反。

8. 电力电子技术中甲管晶电压电流安全裕量是多少

晶闸管，一般为了安全，额定电流要留有一定安全裕量，它的额定电流定为通态平均电流的1.5~2倍。

9. 电力电子技术中甲管晶电压电流安全裕量是多少

晶闸管，一般为了安全，额定电流要留有一定安全裕量，它的额定电流定为通态平均电流的1.5~2倍。
晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极； 晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
晶闸管导通条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。
晶闸管（Thyristor）是一种开关元件，能在高电压、大电流条件下工作，并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中，是典型的小电流控制大电流的设备。1957年，美国通用电器公司开发出世界上第一个晶闸管产品，并于1958年使其商业化。