A. 請問礦用隔爆開關上遠控有一二極體，此二極體有什麼作用屬於什麼二極體
是QJZ-60.或者是QJZ-315，用是能用的，但不能吸合，接觸器一直跳，只有直流才能使接觸器吸合，主要是這個先導插件，需要直流。在近控的時候，也是又二極體的，只是你看不見。
B. 開關控制板中二極體的作用
開關二極體主要特點是開關速度快、體積小、可靠性高等。廣泛應用於電子設備的開關電路、檢波電路、高頻和脈沖整流電路及自動控制電路中。
開關二極體和普通的二極體都是PN結,所不同的是開關二極體的結電容小,反應速度快.普通二極體也可以用作開關電路,
二極體在正向電壓作用下電阻很小，處於導通狀態，相當於一隻接通的開關；在反向電壓作用下，電阻很大，處於截止狀態，如同一隻斷開的開關。利用二極體的開關特性，可以組成各種邏輯電路。
二極體的特性是具有單向導電性。二極體按用途可分為幾種：開關二極體、整流二極體、穩壓二極體。按頻率分，又可分為，高頻二極體和低頻二極體。開關二極體在電路中做開關用，相當於一個開關。低頻整流二極體，在電路中可以將交流電轉換成直流電。高頻二極體可以將高頻信號進行檢波，將高頻信號中的音頻信號或視頻信號提取出來，供人們收聽收看。穩壓二極體，顧名思義，就是穩定電壓所用的，根據不同的需要，有不同的穩壓二極體，諸如：3伏穩壓二極體、5伏穩壓二極體、9伏穩壓二極體以及12伏穩壓二極體....等等。按材料分，又有硅二極體和鍺二極體，半導體二極體和電子管二極體。還有變容二極體，其作用相當於一個可變電容器。還有發光二極體，可用來作為設備的電源或音量指示燈等。
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C. QBZ-30型啟動器遠控按鈕為什麼要加二極體
好像是整流作用吧，交流整成直流才能啟動
D. 為什麼要在遠控線上接一根二極體啊 聽師傅說過又忘記了 似乎是起保護作用 還有線路斷路的時候什麼就吸合不
沒有圖……不過如果是串在這個電路里就是防止反壓的。並在電路里就是續流。都是保護電路的
E. 開關二極體有什麽作用
晶體二極體為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，並建有自建電場。當不存在外加電壓時，由於p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極體的擊穿現象
二極體種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺二極體（Ge管）和硅二極體（Si管）。根據其不同用途，可分為檢波二極體、整流二極體、穩壓二極體、開關二極體、隔離二極體、肖特基二極體、發光二極體等。按照管芯結構，又可分為點接觸型二極體、面接觸型二極體及平面型二極體。點接觸型二極體是用一根很細的金屬絲壓在光潔的半導體晶片表面，通以脈沖電流，使觸絲一端與晶片牢固地燒結在一起，形成一個「PN結」。由於是點接觸，只允許通過較小的電流（不超過幾十毫安），適用於高頻小電流電路，如收音機的檢波等。面接觸型二極體的「PN結」面積較大，允許通過較大的電流（幾安到幾十安），主要用於把交流電變換成直流電的「整流」電路中。平面型二極體是一種特製的硅二極體，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩定可靠，多用於開關、脈沖及高頻電路中。
CT---勢壘電容
Cj---結（極間）電容， 表示在二極體兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極體的總電容
Cjv---偏壓結電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結電容
Cjo/Cjn---結電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比
CTC---電容溫度系數
Cvn---標稱電容
IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極體在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極體在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極體正向電參數時給定的電流
IF（AV）---正向平均電流
IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極體的最大正向脈沖電流。發光二極體極限電流。
IH---恆定電流、維持電流。
Ii--- 發光二極體起輝電流
IFRM---正向重復峰值電流
IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）
Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)---正向過載電流
IL---光電流或穩流二極體極限電流
ID---暗電流
IB2---單結晶體管中的基極調制電流
IEM---發射極峰值電流
IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈沖電流
IP---峰點電流
IV---谷點電流
IGT---晶閘管控制極觸發電流
IGD---晶閘管控制極不觸發電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR（AV）---反向平均電流
IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；硅開關二極體兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極體在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重復平均電流
IDR---晶閘管斷態平均重復電流
IRRM---反向重復峰值電流
IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）
Irp---反向恢復電流
Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流
Izk---穩壓管膝點電流
IOM---最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極體的最大工作電流
IZSM---穩壓二極體浪涌電流
IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極體允許通過的電流
iF---正向總瞬時電流
iR---反向總瞬時電流
ir---反向恢復電流
Iop---工作電流
Is---穩流二極體穩定電流
f---頻率
n---電容變化指數；電容比
Q---優值（品質因素）
δvz---穩壓管電壓漂移
di/dt---通態電流臨界上升率
dv/dt---通態電壓臨界上升率
PB---承受脈沖燒毀功率
PFT（AV）---正向導通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向導通總瞬時耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門極平均功率
PGM---門極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關功率
PM---額定功率。硅二極體結溫不高於150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏過脈沖功率
PMS---最大承受脈沖功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Pomax---最大輸出功率
Psc---連續輸出功率
PSM---不重復浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極體允許承受的最大功率
RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RE---射頻電阻
RL---負載電阻
Rs(rs)----串聯電阻
Rth----熱阻
R(th)ja----結到環境的熱阻
Rz(ru)---動態電阻
R(th)jc---結到殼的熱阻
r δ---衰減電阻
r(th)---瞬態電阻
Ta---環境溫度
Tc---殼溫
td---延遲時間
tf---下降時間
tfr---正向恢復時間
tg---電路換向關斷時間
tgt---門極控制極開通時間
Tj---結溫
Tjm---最高結溫
ton---開通時間
toff---關斷時間
tr---上升時間
trr---反向恢復時間
ts---存儲時間
tstg---溫度補償二極體的貯成溫度
a---溫度系數
λp---發光峰值波長
△ λ---光譜半寬度
η---單結晶體管分壓比或效率
VB---反向峰值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發射極與第一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）
VF---正向壓降（正向直流電壓）
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態重復峰值電壓
VGT---門極觸發電壓
VGD---門極不觸發電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VF（AV）---正向平均電壓
Vo---交流輸入電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vn---中心電壓
Vp---峰點電壓
VR---反向工作電壓（反向直流電壓）
VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）
V（BR）---擊穿電壓
Vth---閥電壓（門限電壓）
VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）
VRWM---反向工作峰值電壓
V v---谷點電壓
Vz---穩定電壓
△Vz---穩壓范圍電壓增量
Vs---通向電壓（信號電壓）或穩流管穩定電流電壓
av---電壓溫度系數
Vk---膝點電壓（穩流二極體）
VL ---極限電壓