❶ 谁看成龙的电影
检举 成龙电影作品一览表《大小黄天霸》1962年《梁山伯与祝英台》1963年《秦香莲》1964年《和我痛饮》1966年《领悟禅宗》1968年《精武门》1970年《广东小老虎》1971年《巾帼英雄》1971年《女警察》1972年《合气道》1972年《金瓶双艳》1972年《顶天立地》1973年《小偷斗大贼》1973年《龙争虎斗》1973年《码头龙虎斗》1973年《香港过客》1974年《花飞满城春》1974年《喜玛拉雅》1975年《同是一家人》1975年《降龙大师》1975年《少林门》1975年《新精武门》1976年《少林木人巷》1976年《风雨双流星》1976年《死亡舞蹈》1976年《剑花·烟雨·江南》1977年《铁拳僧》1977年《天杀星》1977年《飞渡云山》1977年《点只功夫▲简单》1977年《蛇鹤八步》1978年《一招半式闯江湖》1978年《神拳》1978年《拳精》1978年《龙拳》1978年《龙腾虎跃》1978年《蛇形刁手》1978年《醉拳》1978年《笑拳怪招》1979年《36只疯拳》1979年《奇异双人组》1979年《笑拳怪招2》1980年《师弟出马》1980年《杀手壕》1980年《炮弹飞车》1981年《龙少爷》1982年《迷你特攻队》1982年《忍者战争》1982年《A计划》1983年《炮弹飞车续集》1983《奇谋妙计五福星》1983年《快餐车》1984年《黑带双雄》1984年《福星高照》1985年《夏日福星》1985年《砰、砰作响》1985年《威龙猛探》1985年《龙的心》1985年《警察故事》1985年《龙兄虎弟》1986年《坏小子》1986年《A计划续集》1987年《对不起》1987年《飞龙猛将》1987年《警察故事续集》1988年《胭脂扣》1988年《霸王花》1988年《霸王花2》1989年《通缉犯》1989年《奇迹》1989年《群龙谱》1989年《艺人的反抗》1990年龙兄虎弟续集》(又名《飞鹰计划》)1990年《双龙会》1991年《火烧岛》1991年《西藏小子》1991年《灭火群英》1992年《超级警察》1992年《西域雄狮》1992年《阮玲玉》1993年《城市猎人》1993年《S计划》1993年《重案组》1994年《大醉拳》1994年《红番区》1994年《霹雳火》1995年《警察故事四之简单任务》(又名《白金龙》)1996年《一个好人》1997年《好莱坞烈焰》1997年《我是谁》1998年《玻璃樽》1999年《尖峰时刻》1999年《赎金之王》2000年《特务迷城》2001年《尖峰时刻2》2001年《神奇燕尾服》2002年《赎金之王2》2002年《环游地球八十天》2003年《飞龙再生》2003年《新警察故事》2004年《神话》2005《功夫之王》2008 /
❷ 氢氟酸明明是可以腐蚀玻璃的药品 但在高中为什么把它分为弱酸
氢氟酸比同主族氢卤酸弱本在意料之中，但是如此之弱似乎有些反常，这主要有两个方面：1．这是由于氢－氟健一旦形成就相当的牢固很难打开（氟的极高电负性造成的），故较难电离出氢离子，所以是弱酸 2．HF分子中存在氢键，这是由于氟原子电负性高，半径很小，使得它吸引氢原子能力很强，氢原子出现“裸漏”现象（几乎无孤对电子），而在此同时另一个氟原子也可吸引这个氢原子，从而形成氢键，使HF分子出现蹄合现象（HF）n，这样对于氢氟酸电离不利，故HF是个弱酸，电离不完全！
酸性强度的划分是依据电离常数Ka（高三可能会初步接触）
1. Ka>10^3(10的立方) 时：为很强的酸（硫酸，高氯酸，盐酸等等）
2. 10^-1(10的负一次方) <ka<10^3: 强酸（硝酸，氯酸）
3. 10^-4(10的负四) <Ka<10^-1(10的负一) ：中强酸（草酸，亚硫酸，磷酸，亚硝酸，丙酮酸,氢氟酸等）
4.10^-7(10的负七) <Ka<10^-4(10的负四) ：弱酸（乙酸，丙酸，丙烯酸，硬脂酸，碳酸，氢硫酸等等）
5. Ka<10^-7: 极弱酸（次氯酸，硅酸，硼酸等）
注意：搂主可能会感到奇怪：氢氟酸不是弱酸吗？怎么你划分为中强酸啦！
其实广义上的弱酸是ka<10^-1的任何酸当然也包括中强酸了，事实上很多参考书和权威的网址信息中都认为氢氟酸是个中强酸！！！
❸ sew减速机 KA87DV112M6/BM/MIC是什么意思，主要是MIC是什么意思
MIC是微动开关的意思，你这个应该是用在行走机构上的吧？ 估计是岸桥或者厂桥，驱动比较多的设备上，这个东西主要是用来检测设备在开机的时候，制动器是否都打开了，接上线之后，在控制室能监控制动器的闭合
❹ 电器符号按国标7159-1987中中间继电器应该是KA那为什么有的书中标的却是KM呢如下图,可是分辨起来很麻烦
这一张图里怎么会有两个KM1，两个KM2？即使不是中间继电器也不符合规范，一张图里不能有两个元件同时使用同一个编号，这本粗制滥造的书你可以扔了。
❺ 聚合物薄膜厚度不同，是不是光学性能也不同请指明资料来源！
自无机发光二极管发明以来，它们在视频、数字显示、仪器监控、广告等诸多领域已经得到了广泛的应用，并取得了令人瞩目的成就。但是它们也存在着很多缺点：如显像管体积大、发光材料品种较少、器件制作工艺复杂、成本高、能损大、很难提供全色显示等。相反，有机材料薄膜电致发光器件（TFELD）出现后大大地克服了上述缺点，显示出很多无机TFELD无法比拟的优点：⑴ 选择范围很广并可进行分子设计，易获得全色显示，尤其是无机材料很难得到的蓝色发光；⑵ 亮度高、效率高；⑶ 直流低压驱动，能耗少，可与集成电路驱动相匹配；⑷ 制作工艺简单，成本低、价格低廉；⑸ 可实现超薄型的大面积平板显示；⑹ 有良好的机械特性，容易处理和加工成不同形状等。 有机物的电致发光现象早在20世纪60年代就开始了〔1～3〕，当时发现有机材料在可见光区具有很高的荧光量子效率，例如蒽单晶的电致发光效率可高达0.99。1963年，M Ka llmann 等人就制造出了简单的蒽单晶的ELD〔4〕，但是高偏压（100V以上）的要求使他们在实用上存在较大困难〔5，6〕。直到1987年，美国C W Tang〔7〕使用有机荧光体及空穴传导性材料制成了由直流低电压（约10V）驱动的高亮度（1000cd／m2）、高效率（1.5lm/W）的有机TFELD，使世界各国的科学家将注意力又集中到了它的身上。 我国从20世纪90年代就开始进行有机TFELD的研制工作， 其中上海大学嘉定校区的许少鸿教授的研究团体成绩最为突出，吉林大学的刘式墉教授与天津理工学院的华玉林等研究团体以及中科院长春物理所等很多单位也都先后开展了这方面的工作，并已取得了很大的成绩。 有机电致发光薄膜最早研制成功的是多种颜色各异的单色有机TFELD。 随着技术的发展，各种白色与彩色TFELD也不断研制成功。近年来为了提高器件的发光亮度与光谱性能，多种光学微型谐振腔式的有机TFELD也先后问世， 使有机薄膜电致发光材料与器件的研制提高到一个更高的水平。 用于电致发光的有机材料很多，大致可分成小分子材料、聚合物材料以及聚合物掺杂材料等几类。二、 小分子电致发光器件 最受人们青睐的小分子有机电致发光薄膜材料是8-hydroxyquinoline aluminum（8-羟基喹啉铝，简称Alq3），其它性能比较优越的发光薄膜材料有Perylene， aromatic diamine，TAD，TAP，TAZ，TPA，TPB，TPD，TPP等等。其部分分子结构如图1所示。图1 部分小分子有机电致发光薄膜材料分子结构图2 一种有机TFELD的结构图 1987年，C W Tang和S A Vanslyks制备出如图2所示的有机TFELD〔7〕。基底是镀有氧化铟锡（ITO）透明导电膜的玻璃。具有大约10～20Ω的薄膜电阻，它与电源正极相连，第一层是单分子结构的aromatic diamine（约75nm厚）；第二层是8-hydroxyquinoline aluminum（8-羟基喹啉铝简称Alq3）膜（约60nm厚），它属于金属络合物，负电极是镁和银的混合物（10 1）。第一层作用是输运空穴和阻挡电子， 使得没有与空穴复合的电子不能进入正电极；第二层是电致发光层。所有的膜层都是用真空淀积方法（约1.33×10-3Pa）淀积的。该器件能在连续直流或脉冲模式下工作，它的行为类似一整流管。只有在正偏下才能发光，起始工作电压为2.5V，在10V偏压下发光强度＞1000cd／m2。量子效率为10％，在5.5V偏压下发光效率为1.5lm／W，可与发光二极管或ZnS发光管相比，当以脉冲形式工作时，器件发光的上升和衰变时间均为几微秒。在连续工作时寿命约100h。 电致发光机理属于注入式的复合发光。在正向偏压的作用下，ITO电极向diamine 中注入空穴，在电场作用下向diamine／Alq3界面移动，而由铝电极注入的电子也在Alq3中向diamine／Alq3界面迁移，由于势垒的作用，电子不易进入diamine中，而在Alq3／diamine界面处，发光层（Alq3）在一侧积累。由于激子产生几率与电子和空穴浓度的乘积成正比，在空穴进入Alq3层后与电子在界面处结合而产生的激子的几率很大，因而几乎所有的激子都是在界面处Alq3层一侧很窄的区域（约36nm）内产生的，当激子进行复合时，其中很大一部分产生辐射而发光。因此发光不仅是在Alq3层中，而且主要是在diamine界面处。 随后，日本的Adachi C等人〔8～10〕为了将发光波长推进到无机半导体难以达到的蓝色波段,检验了许多种发射蓝光的有机材料,总结出获得高效率蓝光发射器件的两个关键因素，光的第一发射层应具有优良的薄膜形成能力, 第二发射层和载流子输运层应有适当的组合以避免形成激发络合物。在器件结构上除上述双层结构外还采用了 ITO／光发射层／电子输运层／MgAg和ITO／空穴输运层／光发射层／电子输运层／MgAg结构。这里的电子输运层是Oxadia Zole的衍生物（PBD），发光发射材料最好的是1，1，4，4-tetraphenyl-1 ，-3-butadience（TPB）。当采用三层结构时，在10V和100mA／cm2条件下可得到700cd／m2的发光亮度。发射光的峰值波长是430nm，他们认为高效率主要是由于稳定、均匀和高密度的发光层所致，只是寿命太短（只有2h）。 1989年，Tang〔11〕再次报导利用染料掺杂得到黄、红、蓝绿色的有效电致发光，使有机薄膜在多色显示方面表现出比无机薄膜器件有更大的优越性。 我国上海大学的许少鸿、刘祖刚等人在1992年就研制出了玻璃／ITO／Alq3／Ag结构的发光器件，并对Alq3薄膜的光谱特性、器件的光电性能、光致发光和电致发光机理进行了研究〔12〕。随后他们又对发射蓝光的Diamine 的光电性质及其在有机电致发光器件中的应用进行了研究〔13〕。三、 聚合物薄膜电致发光器件 近年来，人们发现在发光与其它性能都比较优良的聚合物中，电致发光薄膜材料有PBD、PBP、PRL、PMMA、PPV、PVCZ等等。其部分分子结构如图3所示。图3 部分大分子有机电致发光薄膜材料分子结构 在研究工作中，人们发现小分子有机薄膜器件稳定性差，而聚合物结构与性能都很稳定，若要得到高亮度、高效率的话，通常要采用带有载流子输运层的多层结构，而以前都采用小分子材料作为输运层。由于它易于重结晶或发光层物质形成电荷转移络合物（CT complex）和激发态聚集（excimer）导致性能下降，而聚合物则能克服上述缺点，因此，人们逐渐把注意力转到聚合物上。 1990年，英国剑桥大学的Friend教授与Burroughes等人〔14〕用共轭聚合物P-Phenylene Vinylene（PPV）实现了电致发光。共轭聚合物是有机半导体，从原理上讲，这种材料比无机半导体更易于处理和制造，电荷输运与量子效率也不逊色。PPV有很强的电致发光功能，能带宽约2.2eV，可形成高质量薄膜。他们将70nm厚的PPV薄膜置于ITO正电极与负电极之间，结果发出黄绿色的光。起始工作电压低于14V，器件发射光谱与PPV光致发光光谱一致，发光峰值在2.2eV，发射光在正常照明的室内都可以看到，其量子效率高于0.05％。 美国加里福尼亚大学的A Heeger与C Zheng等人〔15〕采用了PPV的衍生物MEH-PPV，这是因为MEH-PPV溶液可直接通过旋转涂敷法（Spin coating）涂在ITO上成膜，从而简化了器件的制作过程。他们采用钙作为负电极，因为负电极需要低功函数的导电材料，而钙正符合要求，从而使量子效率大大提高。该器件能发出橙色的光，其寿命可达1000h。 1991年，Ohmori等人〔16〕应用Poly（9，9-dialkylfluorene），1992年，Hosokawa等人〔17〕应用Poly Carbonate（SA-PL），1993年，Kido〔18〕等人应用PVK／TAZ／Alq3多层结构都得到了聚合物的发光，后来Friend小组又采用PPV的双衍生物制作了从蓝绿到橙红的多种发光二极管。 1994年，郜军、华玉林等人对PPV薄膜的电致发光特性也进行了研究。他们发现，PPV不仅可作为有机TFELD器件中的发光层，也可以作为多层结构有机TFELD器件中的载流子输运层材料，且性能优异。他们用8-羟基喹啉铝（Alq3）作为发光层制备了ITO／Alq3／Al和ITO／PPV／Alq3／Al两种结构的器件。结果表明，后者要比前者在亮度、效率、 整流特性及稳定性等方面都要强很多，且器件最大亮度可达3720cd/m2，稳定性也好得多。我们于1996年也进行了上述两种结构器件的试验，ITO透明导电膜是用离子镀膜法制成的，其薄膜电阻为50Ω。PPV是用旋转涂敷法将前驱聚合物的水溶液旋甩在ITO膜上，在室温空气中蒸发掉水份后，放在真空条件下（约10-2Pa）逐渐加热2h后制成。Alq3薄膜与Mg Ag电极（10 1）则是在真空镀膜机中用热蒸发制成，Alq3采用钨丝缠绕的石英小皿，Mg采用W或Mo舟加热蒸发。在Mg、Ag两蒸发源上分别装有两个石英晶片振荡膜厚监控器，观察两个石英晶片振荡频率的变化来分别监控Mg-Ag膜的蒸发速率和厚度。通过两个独立的Mg、Ag加热电源，调整他们之间蒸发速率比，就可确定他们的成份比， 器件性能得到与华玉林等人类似的结果。四、 掺杂聚合物电致发光器件 大量研究工作发现，如果在聚合物中掺入适当的杂质（发光效率非常高的小分子有机化合物），则会使器件的性能得到很大的改善。 Junji Kido等人〔20〕将TPD和Alq3掺入聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）中，PMMA实际上是一种惰性的、不活泼的聚合物粘合剂，掺杂后形成具有电荷输运性能的二元固体溶液，这种二元固体溶液将使材料设计更为灵活，例如选择适当的发光分子浓度和聚合物材料可使发光和机械特性均可达到最佳。Alq3可输出电子，TPD具有高的空穴迁移率，而PMMA 是具有光学和电学惰性且具有良好的成膜特性，掺杂浓度为50％（重量）,TPD／Alq3比值以0.67为佳，正负极仍用ITO和MgAg。该器件发绿光，与Alq3光致发光光谱一致，若不掺TPD则无电致发光，这说明TPD起到了从ITO输运空穴作用的目的，使两种载流子在PMMA中复合。 张志林等人〔21〕利用发光量子效率非常高的有机化合物(艹)/(北)（Perylene）（效率为0.87左右）作为掺杂剂，以具有空穴导电性、玻璃转化温度高（230℃）的聚合物PVCz作为基质，制成单层薄膜结构（玻璃／ITO／PVCz／Perylene／Mg Ag），亮度达59cd／m2。 此时的流明效率为0.044lm／W。不久，他们又作了适当改进〔22〕，以PVCz作为空穴输运层。BBOT为电子输运层，制备出Glass／ITO／PVCz/Mg Ag的器件，亮度提高到1700cd／m2。 后来又研制出玻璃／ITO／PVCz TPA／Alq3／Mg Ag结构的高亮度聚合物TFELD〔23〕，其亮度高达10008cd/m2，量子效率也高达0.58％。随后不久又制备出以掺杂perylene（PRL）和triphenylamine（TPA）的Poly（N-Vinylcarbazole）（PVCz）为空穴输运层、以PBD为空穴锁住层、Alq3为电子注入层的玻璃／ITO／PVCz PRL TPA／PBD／Alq3／Mg Ag结构的高亮度高效率的蓝色聚合物TFELD。 吉林大学的唐建国等人〔24〕于1995年用有机染料8-羟基喹啉铝（Alq3）分散到聚乙烯基咔唑（PVK）中，所制得的ITO／Alq3 PVK／Al器件，在正偏压为6V时，就可以看到蓝绿光，峰值波长为510nm，最大亮度为168cd／m2。 随着科学技术的发展，人们在单色发光薄膜已经取得较大成果的基础上，必然将有机薄膜电致发光材料的研究工作重点转移至全色化上。 国内外对彩色与白光有机电致发光薄膜材料与器件开展了非常广泛而深入的研究，取得了非常丰硕的成果。他们制备彩色（或白色）有机薄膜电致发光器件（OTFELD)的方法很多，根据最近所发表的文献归纳起来大致可分为三种类型：一种是在简单的白色TFELD上集成红、绿、蓝三种滤光片就可以得到彩色发射光， 但其中各种颜色的强度是不能独立地任意调节的；第二种是将两种（例如红与蓝色）或三种（例如红、绿、蓝三色）TFELD 集成在同一基片上，通过调整各单色光TFELD的参数，就可合成出各种彩色的发射光；第三种是用不同颜色的微型腔集成在简单的宽波带TFELD上，调整各个微腔参数即能呈现出各种强度和各种色彩的彩色光。五、 白光TFELD 白光TFELD是一个诱人的目标，光发射层需要包含几种发光颜色不同的有机染料。 在真空蒸发机中同时淀积几种荧光染料，会遇到技术上的困难。简单的办法是利用聚合物作母体，同时掺入几种荧光染料，聚合物可以很方便地涂在电极上。J Kido等人〔25〕将三种荧光染料TPB（发蓝光）、Coumarin6（发绿光）和DCM-1（发橙光）掺入聚合物Poly（N-Ving Lcarbazole）（PVK）中，然后通过浸渍法（dip coating）在ITO上形成40nm厚的薄膜，接着再真空淀积3-（4-fert-butg Lphenyl）-4-phenyl-5-(4〃-biphe nyl）-1，2，4triazole（TAZ）层和Alq3层，该器件在14V电压下具有高达3400cd／m2的发光强度，既可作普通照明器件，又可作液晶显示器件的背景光源。 R H Jordan等人〔26〕将几种厚度（Δt＝0，50，100，150和600nm）的NAPOXA（2-naphthyl-4，5-bis（4-menthox yphenyl）-1，3-oxazole）夹在TAD和Alq3之间形成石英基底／ITO（600nm）／TAP（60nm）／NAPOXA（Δtnm）／Alq3（60nm）／Al结构（见图4）来产生白光发射。 在典型的玻璃／ITO／TAD／Alq3／Al结构中，TAD为空穴输运层，Alq3为电子输运层和绿光发射层。由于TAD阻挡电子比Alq3阻挡空穴运动更有效，因此在Alq3中复合发生，产生绿光。当将有机空穴阻挡层NAPOXA作为中间层插在TAD和Alq3层之间时，由于NAPOXA减慢空穴迁移到Alq3层的速度，使得相当一部分空穴在NAPOXA层中还未到达Alq3层就与从Alq3层中迁移过来的电子在NAPOXA层中复合。由于NAPOXA有一个从400～650nm很宽范围的发射光谱，而且其发射大部分发生在蓝色波段，因此器件发射的光谱随着NAPOXA厚度的增加而逐步向蓝光方向移动而接近于白光。 这个器件在11V偏压和10mA／cm2电流密度时具有大于0.5％的量子效率和0.45lm／W的流明效率，在20V偏压和380mA／cm2时亮度高达4750cd／m2，并具有0.56％的极好量子效率。图4 具有NAPAXA发射层的白光TFELD的结构图和所用有机材料分子的结构图六、 堆状颜色可调电致发光器件 P E Burrows等人〔27〕应用堆状结构有机光发射（OLED）多色显示器， 避免了要想将红、绿、蓝三种（或红、蓝两种）颜色OLED组合在同一基底上必须使用光刻（使用溶剂或酸碱等）而造成器件有机膜层的损害的问题。颜色可调堆状 OLED 结构的横切面的示意图如图5所示，在图中器件红色OLED生长在蓝色OLED顶上，通常红色发光有机材料在光谱的蓝绿区有很大的吸收。因此器件在生长时，使红色发光膜层对从蓝色器件发出的光吸收极小化。蓝色OLED是在小于1.33322×10-4Pa的真空下，生长在预先镀有20 Ω薄膜电阻的ITO膜的玻璃基底上，随后蒸发生长三种预先精制的有机材料：一种是60nm厚的空穴输运层（TPD）；一种是80nm厚的蓝色发光层（ALq2OPh）；一种是36nm厚的Alq3电子输运层。顶部电子注入电极在由13nm厚的Mg-Ag合金（约50 1的原子比）热蒸发后， 立即溅射50nm厚的第二层ITO膜而制成。它提供一个连续透明的导电表面，同时又保护Mg-Ag电极以防止氧化，而且对第二个OLED起到注入触点作用。这个Mg-Ag-ITO电极在可见光谱区的透射率近似为50％，第二个OLED器件是由随后蒸发60nm厚的TPD的膜层与一层60nm厚的Alq3〔将近似3％（质量）的TPP杂质用同样蒸发方法掺入到Alq3中〕和Mg-Ag电极而制成。通过一个二次遮蔽掩模，蒸发上一层150nm厚的Mg-Ag电极，同时用50nm厚的Ag 膜盖住以防止顶部电极氧化。图5 红色和蓝色可调的OLED膜层横截面示意图和所用有机材料分子的结构图6 将颜色可调的OLED中心Mg-Ag-ITO电极接地（见图5），在顶部Mg-Ag电极和底部ITO电极上分别加上负和正的偏压（VR和VB），在横跨红色和蓝色单元的各种电压驱动下，就可得到由红色和蓝色组合而形成的彩色发光，独立改变每个成份的驱动电压的比率VR／VB就可改变红色（峰值波长为655nm）和蓝色（峰值波长为470nm）发射光的任何线性叠加。为得到一个5～10μW的光学功率输出，直径1.5mm的器件的典型工作条件是0.1～1mA和15～25V，从可调OLED中的每个单元出来的光发射，可以独立于其它单元而变化，通过各单元产生的单色光的合成，最终可达到颜色连续可调的目的。七、 电压-颜色-可调多层有机TFELD J Kallnowski〔28〕等人提出一个用Alq3作为绿光发射材料和用Perylene bis（2-Pentyl） imide作为红光发射材料的电压调整颜色的TFELD器件，器件的结构如图6所示。PBP和Alq3两种材料都具有电子输运性质，为电子输运层。用armatic diamine（TPD）作为空穴输运层，它改进了EL电池发光的稳定性。 该结构是用通用的真空淀积方法， 用W舟在室温下淀积在ITO玻璃基底上。为了避免漏电，在电极上蒸发一层有机绝缘层，随后将Mg-Ag电极触点接到阴极上（EL电池的典型面积是5mm2）。八、 集成三色有机TFELD 将三种不同的有机膜层的三个不同器件集成在同一基底上。当对有机薄膜进行光刻形成图像(patterned)或者在其上旋转涂敷新的有机膜层时，由于在有机膜图像边缘会吸附溶液或水，所以它们会对已形成图像的有机聚合物产生溶解或腐蚀，使器件退化、短路或漏电。为了克服此技术难关，C C Wu等人〔29〕提出了如图7所示的二次结构，使器件暴露出的边缘电性钝化。图7 三个横截面的示意图(a)—仅具有有机膜图像的集成示意图；(b)—在ITO上具有一绝缘层的集成示意图；(c)—在ITO上具有一绝缘层同时在每个器件上又敷盖了一金属密封层的集成示意图。 详细的工艺过程如下：首先用等离子增强化学气相淀积（PECVD），在250℃清洁的 ITO上淀积一层约100nm厚的SixNy薄绝缘层，然后用光刻和标准的刻蚀工艺在SixNy上刻蚀出有效器件窗口的图像。用于器件第一部分(set) 的聚合物（比如现在是红色）薄膜用旋转涂敷法敷盖在全部表面上。第一部分的顶部金属电极是在真空中通过一遮蔽掩模用热蒸发制成，它包括50nm厚的Mg-Ag合金和约50nm厚的Ag膜以及约100nm厚的Al膜。，然后将这个结构放在氧等离子体中进行刻蚀。它能去掉被暴露的那些有机膜，但不能刻蚀Al膜或任何底下的膜层。因此等离子刻蚀是自准直的而不需要额外的掩模，亦即干刻的使用克服了在采用蚀刻方法时有机薄膜过度暴露于溶剂的弊病。在采用图7所示的结构时，在器件下一部分绿色聚合物膜旋转涂敷以前，通过另一遮蔽掩模进行密封器件第一部分的Al密封膜的蒸发，然后对下一部分绿色聚合物又进行旋转涂敷、蚀刻与Al密封膜蒸发等工艺过程，如此反复直到器件集成的完成。 器件中使用的橙、绿、蓝分子掺杂的聚合物（MDPS）分别是PVK／Alq3／nile red、PVK／Alq3／coumarin6和PVK／PBD／coumarin 47的化合物。橙、绿和蓝色的量子效率分别为0.7％、0.5％和0.4％光子／电子。在合适的工作电压下就能得到实用的亮度，比如在11～13V时，电视亮度约为100cd／m2，在20V左右时达到约4000cd／m2的高亮度。 在同一基底上，橙、绿与蓝色器件和分立的器件比较没有退化。这种集成在朝着高效率彩色有机平板显示的道路上应该是重要的一步。九、 微腔TFELD 近年来，为了改进与提高OTFELD的发光亮度，科学家们研制出一种新型的发光器件——光学微型谐振腔OTFELD，从而大大促进了OTFELD的发展。 典型的微腔TFELD是底部镜通常用一电介质为1／4波长膜堆（QWS）组成，QWS的遏止带必须足够宽，以便敷盖所用的电致发光半导体自由空间光谱范围。遏止带的宽度近似为λΔn／n，这里Δn是组成膜堆的交替膜层折射率之差，λ是遏止带的中心波长，n是平均折射率。当用一对高低折射率差的电介质时，结果形成一个宽的遏止带，膜堆峰值反射率R2是 (1)这里ri是在模堆中一对模层之间折射率之差，腔的全部光学厚度L（λ）由下式给出： （2） 在方程式（2）中第一项是电磁场对电介质模堆的渗透深度；第二项是在两个镜子之间膜层光学厚度的总和；最后一项是进入顶部金属镜子的有效渗透深度。 在金属反射镜中位相移动由下式给出： (3)这里ns是有机材料与金属接触时的折射率，同时nm和Km是金属的折射率的实数和虚数部分。腔模的位置由mλ＝2L（λ）的关系给出，这里m是模的系数，模的位置和空间能用改变 L(λ)来调整。模空间在很大程度上被方程式（3）中的第一项所决定， 它依赖于膜堆中交替模层折射率之差。 对于垂直于器件表面发射的光谱，根据近似理论由Deppe等人〔15〕通过下式计算而得到：(4)这里xj是从金属镜中发射偶极子的有效距离；R1和R2分别是金属与电介质镜的反射率；L是腔的全部光学厚度；│Enc（λ）│2是在λ处自由空间的电致发光强度。 腔模（共振腔波长）的位置能够用改变腔的厚度来改变，同时通过控制方式有可能在三个主要的颜色波长处给出发射。它能够靠刻蚀一个电学活性不好的填充层形成图像来完成。它是由三个周期的SixNy（n＝2.2）和SiO2（n＝1.5）膜层交替的电介质QWS所组成。此QWS设计成具有大于200nm的FWHM的宽遏止带，中心在550nm，中心反射率约80％。随后淀积一层 100nm厚的氮化硅（n＝1.92）填充模层，它用来规整全部腔的厚度，形成一个或两个台阶，每个具有大约40nm的高度，都刻蚀在此填充膜的一部分上，以改变器件的颜色（分别从蓝到绿到红）。薄金（11.5nm）形成一半透明膜层蒸发在填充膜上，同时形成空穴注入接触点或阴极。TAD（100nm）和Alq3（70nm）蒸发在金上，随后再镀上直径1mm的铝膜用作阴极和腔的顶部镜（R≈90％）。 TFLED在5V电压下运行，输出光强度随电流线性变化，在3×10-3A／cm2的电流密度下，产生从红、绿到蓝的TFELD电致发光。因此用SixNy材料能形成良好的图像，在整个约150nm范围内控制发射波长，而不需要三个不同材料或形成三个不同有机材料图像的方法来制备出一个彩色显示器件。十、 结论 总之，有机TFELD近年来得到了迅猛的发展。它不仅解决了无机TFELD长期难以解决的例如低电压驱动和获得蓝光等关键问题，而且在各种单色光电压可调和彩色光任意合成等方面也取得了令人鼓舞的成果，甚至在各种颜色有机TFELD集成和阵列化方面也作了不少工作。遗憾的是器件性能的稳定性和使用寿命等方面还存在较大的问题。但倘若再进一步开展研究工作，相信在不久的将来有机TFELD将会在各个方面取得广泛的应用，用有机TFELD集成的平板式全固体彩色电视进入千家万户的时代已经为期不远了。聚合物薄膜厚度不同，是不是光学性能也不同?请指明资料来源！
❻ 常用的集成电路
1、金属封装型集成电路
金属封装型集成电路的功能较为单一，引脚数较少。其安装及代换都十分方便
2、功率塑封式集成电路
功率塑封式集成电路一般只有一列引脚，引脚数目较少一般为3~16只。
其内部电路简单，且都是用于大功率的电路；通常都设有散热片，可以贴装在其它金属散热片上，通常情况下其引脚不进行特殊的弯折处理
3、单列直插型集成电路
单列直插型集成电路其内部电路相对比较简单。引脚数目较少（3~16）只，只有一排引脚。这种集成电路造价较低，安装方便。小型的集成电路多采用这种封装形式
4、双列直插式集成电路
双列直插式集成电路多为长方形结构，两排引脚分别由两侧引出，这种集成电路内部电路较为复杂，一般采用陶瓷塑封，耐高温好，安装比较方便，应用广泛，其引脚通常情况下都是直的，没有进行特殊的折弯处理。
5、双列表面安装式集成电路
双列表面安装式集成电路的引脚分布是在两侧的，引脚数目较多，一般为5~28只。
双列表面安装式集成电路引脚很细，有特殊的弯折处理，便于粘贴在电路板上。
6、扁平封装型集成电路、
扁平封装型集成电路的引脚数目较多，且引脚之间的间隙很小。主要通过表面安装技术安装在电路板上。这种集成电路在数码产品中十分常见，其功能强大，体积很小，检修和更换都较为困难（需要使用专业工具）
7、矩形针脚插入型集成电路
矩形针脚插入型集成电路的引脚很多，内部结构十分复杂，功能强大，这种集成电路多用于高智能化的数字产品中。如计算机中的中央处理器（CPU）多采用针脚插入型封装形式。
8、球栅阵列型集成电路
球栅阵列型集成电路体积小，引脚在集成电路的下方（因此在集成电路四周看不见引脚），形状为球形，采用表面贴片焊接技术，被广泛的用在小型数码产品中。如新型手机的信号处理集成电路
❼ 上更新统(Qp<sub>3</sub>)
上更新统由晚更新世冲－湖积物(Qpal－l3)、风积(Qpeol3)、冲积(Qpal3)、残坡积(Qpspl3)、冲洪积(Qppal3)和冰水堆积(Qpfgl3)六个单元构成。
(一)晚更新世早期冲－湖积物单元(Qpal－l3)
该单元按岩性分为早期冲－湖积层(Qp1al－l3)和晚期冲－湖积物层(Qp2al－l3)两个单元。
在黑龙江省，其划归为哈尔滨组(Qp3h)，在吉林省，其划归为上更新世冲积层。在此次遥感调查研究中，根据该单元遥感影像特征和岩性特征的差异，将其分解为上更新统下部(Qp1al－l3)和上部(Qp2al－l3)两个冲湖积单元，并实现了区域上的统一。
主要分布于松辽平原东部高平原的拉哈镇、三兴镇、绥化市、双城市、扶余市、农安县、玻璃城子镇和林海镇一线。
岩性特征:淡黄色、褐黄色、土黄色黄土状亚粘土、亚砂土，厚5～15m。
在ETM图像上，呈绿色调，垄岗状、波状地貌，地表平坦，光滑影纹(图版1.2.25)。
出露于北部林甸县温家窑一带的晚更新世早期冲湖积物单元(Qp1al－l3)，岩性为土黄色亚粘土，柱状节理发育(图版1.2.26)，含白色钙质成分。顶部发育黑土层。
出露于阿城市一带晚更新世早期冲湖积物单元(Qp1al－l3)，岩性为黄褐色、黄白色亚粘土。水平层理和柱状节理发育。详见阿城宫家屯06－23观测点剖面(图版1.2.27)。
阿城宫家屯06－23观测点剖面
松辽平原第四纪地质环境与黑土退化
出露于兰西县榆树镇一带晚更新世早期冲湖积物单元(Qp1al－l3)，岩性为土灰色、黄色黄土状亚砂土，含极少量粒度为2～3cm的砾石，柱状节理和水平层理发育(图版1.2.28)。
出露于双城一带的晚更新世早期冲湖积物单元(Qp1al－l3)，岩性为土黄色亚粘土(图版1.2.29)。
出露于梨树县北部孤家镇子地区的晚更新世早期冲湖积物单元(Qp1al－l3)，岩性为土褐色亚砂土与黑色粘土互层(图版1.2.30)。
分布于下辽河滨海平原及北部丘陵地区的晚更新世早期冲湖积物单元(Qp1al－l3)为埋藏单元。
岩性分上中下三部分。
下部:岩性为灰黑色、灰色亚粘土含泥粒与细砂互层为主，含1～1.5cm的菱铁矿砾，厚8.14m。上层为灰、灰绿色细砂为主夹亚砂土，亚粘土透镜体层，上细下粗明显，厚23.33m。
孢粉组合以蒿属、松属为优势组合。草本植物占33%～72%，以蒿属、藜科为主;木本植物占17%～44%，以松属为主;蕨类植物占7.4%～22%，以水龙骨为主。属疏林荒漠植被景观，具凉爽略潮气候特点。相当于庐山冰期或辽宁下排头营子冰期沉积地层。
中部:为细粉砂类亚粘土含泥粒薄层，含泥粒和菱铁矿，泥粒径为0.3～0.5cm，菱铁矿粒径为0.5～1.0cm，大者为7.5cm。埋深46～55.53m。
孢粉以蒿属香蒲属为优势组合。草本植物占74%～75%，以香蒲属为主;木本植物占15.8%～19%，以栎属、柳属为主;蕨类植物以水龙骨孢为主。属于草原植被景观，气候温和，相当于庐山大理间冰期沉积。
上部:岩性为灰、深灰、灰黑色粘性土为主的亚粘土类粉细砂层。埋深36.76～46m。
孢粉组合为蒿属、桦属优势占6%～23.7%，以桦属、栎属、云杉属为主。古气候为寒冷阴湿，属森林草原景观。相当于末次冰期－大理冰期。
(二)晚更世中期风积物单元(Qpeol3)
分布于内蒙古养畜牧河南岸山前库仑旗地区和长岭隆起以及乾安县大布苏湖等地。按岩性划分为风积黄土(Qp2eol3)和风积砂土(Qpeol3)两个单元。
1.晚更世中期风积黄土单元(Qp2eol3)
该单元集中内蒙古养畜牧河南岸山前库仑旗地区。属风成的马兰黄土。
影像特征:在ETM图像上，显粉红间绿色色彩，平原地形，深切沟谷发育，呈“V”字形(图版1.2.31)。
岩性为浅黄色，灰黄色黄土为主，粉土为辅，粘土次之，具垂直节理，大孔隙发育，节理面上有钙质网纹及薄膜发育，在上部有一层黑灰色古土壤层，含钙质姜结石(图版1.2.32)，厚度为2～30m。
据前人资料，产东北野牛、山羊、鸵鸟蛋、黄鼠、华北鼢鼠、鼬、旱獭等哺乳动物化石
据中国地震局地质研究所测定钙质结核14C年龄，距今年龄为(38740±879)～(38740±988)a。
2.晚更新世中期风积砂土单元(Qpeol3)
主要分布在松嫩平原的中、西部地区。在双辽、瞻榆、长岭、通榆、乾安、洮南等地以风积物断块形式出露，构成横贯中西部长岭巨型沙垅的构造岩片。
在ETM图像上，显灰白、粉红、灰褐间绿色色彩，斑点、条带、斑块影纹结构，粗糙感强(图版1.2.34)。
出露于通榆县地区的晚更新世中期风积砂土单元(Qpeol3)，岩性为土黄色细粉砂土夹灰黑色砂土层，表层发育灰黑色风砂土。属于弧形断隆的组成部分。
在通榆县榆树林06－58点发现动物骨骼(图版1.2.33)。
2000年，吉林大学邓金宪等在吉林西部开展生态环境地质调查时，对双辽勃勃吐火山顶部晚更新世风砂堆积剖面作过研究，剖面各层岩性和剖面图(图1.2.25)如下。
图1.2.25 双辽勃勃吐火山顶部晚更新世风砂堆积剖面
双辽勃勃吐火山顶部风砂堆积剖面
松辽平原第四纪地质环境与黑土退化
松辽平原第四纪地质环境与黑土退化
下伏地层:勃勃吐橄榄玄武岩
在上述剖面的②、⑨层采集热释光定年样品2件，⑩层采集14C定年样品1件，获得3个定年数据，见表1.2.2。
表1.2.2 双辽勃勃吐火山风砂堆积测年数据
从上表1.2.2可以看出，勃勃吐火山风砂堆积形成于距今(7.69±0.60)×104a～(1.78±0.1)×104a期间。
对勃勃吐火山风砂堆积剖面各层进行孢粉分析，共统计92块薄片，孢粉数量仅有274粒。其中第⑩层含有193粒，占剖面孢粉总量的70%，①～⑨层仅有81粒，占30%。可见剖面孢粉含量极为贫乏。剖面所含孢粉成分，木本花粉仅有松属(Pinus)、榆属(Ulmus)和榛属(Corylus)，且仅出现于第⑤、⑥、⑨层和⑧层上部，含量也仅有8粒，草本花粉以蒿属(Artemisia)、菊科(Compositae)、藜科(Chenopodiaceae)、豆科(Legu-minasae)、麻黄属(Ephedra)和香蒲属(Typha)为主，多出现于②、⑦、⑨层和⑧层上部，可见孢粉成分十分单调，①～⑨层堆积物形成于荒漠和半荒漠草原环境。第⑩层孢粉含量超过100粒(193粒)，其中木本花粉占1.5%，草本花粉占98.5%，属于稀疏的森林草原景观，气候较温湿。可见除⑩层土壤层形成于全新世较温润的气候环境外，其他各层形成于干凉的气候环境(图1.2.26)。
出露于乾安县大布苏湖周边地带的晚更新世风积砂土单元(Qpeol3)，岩性为土黄褐色亚砂土，泥林地貌特征清晰(图版1.2.35)。
该层产披毛犀—猛犸象动物化石。地层断代40ka。
(三)晚更新世晚期冲湖积物单元(Qp2al－l3)
在松嫩低平原、东西辽河平原广泛分布。
分布在松嫩低平原的晚更新世晚期冲湖积物单元(Qp2al－l3)，岩性以土黄色亚砂土为主。
出露于北部林甸一带的晚更新世晚期冲湖积单元(Qp2al－l3)，岩性为土黄色亚砂土，含钙质成分高，可见柱状节理(图版1.2.36)。上部为黑钙土，厚度约0.9～1m。该层与大兴屯组相对应。
出露于嫩江西部地区晚更新世晚期冲湖积物单元(Qp2al－l3)，岩性分为上下两个部分:下部岩性为土黄色细砂，含钙质结核。上部岩性为亚砂土，厚度1.5～2m。顶部为黑钙土层，厚度20cm。水平层层理发育(图版1.2.37)。
图1.2.26 勃勃吐火山风砂堆积剖面主要成分孢粉图示
出露于五常地区的晚更新世晚期冲湖积物单元
(Qp2al－l3)，岩性为亚粘土、亚砂土、砂层。具体特征见五常市建材厂取土坑上更新统剖面(图1.2.27)。
五常市建材厂取土坑上更新统剖面
松辽平原第四纪地质环境与黑土退化
图1.2.27 五常市建材厂取土坑上更新统剖面图
分布在东西辽河平原晚更新世晚期冲湖积物单元(Qp2al－l3)，岩性为白色石英砂、砂层、水平层理发育，含贝壳碎片。具体见下述剖面。
科尔沁左翼中旗(科左中旗)CL07－2点晚更新世晚期冲湖积物单元(Qp2al－l3)剖面(图1.2.28)
松辽平原第四纪地质环境与黑土退化
图1.2.28 科左中旗CL07－2点Qp2al－l3实测剖面
在②、③层各采集光释光测年样品一件。经中国地震局王昌盛测定，年龄见表1.2.3。
表1.2.3 科左中旗CL07－2点冲洪积物光释光测年结果
根据上表测年结果，同时结合该剖面的岩性特征，充分说明晚更新世晚期松辽平原处于一个统一的古湖泊沉积环境。
内蒙古通辽市南部科尔沁沙地G0703点晚更新世晚期湖积堆积物单元(Qp2al－l3)实测剖面(图1.2.29)
松辽平原第四纪地质环境与黑土退化
松辽平原第四纪地质环境与黑土退化
图1.2.29 科尔沁沙地G0703点实测剖面
该剖面层，为灰白色细砂、砂，呈浑圆状，分选好，厚层，埋深约6m，剖面未见底。据钻孔资料而知，该沉积物厚从几米至数十米，其中含有大量的贝壳，有的贝壳直径可达十几厘米。化学分析表明，沉积物主要为石英，含量高达88%，还含少量的粘土、钾长石和斜长石。据此，认为该层沉积物为湖相沉积。
该剖面①层埋深4.5～6.0m。为砂质沉积，具有水平层理。沉积物分选好，颗粒均匀，以石英为主，达78%，含少量的粘土、钾长石和斜长石及极少量的白云石。粒度组成:粒径>1mm占0.25%，粒径为1～0.5mm占20%，粒径为0.5～0.25mm占34.05%，粒径为0.25～0.125mm占32%，粒径为0.125～0.07mm占4.6%，粒径为<0.07mm占9.1%。在极细砂中暗色矿物散见(为角闪石等)，多打磨成黑豆状或橄榄球状。
该砂粒经淘洗，筛选，在细砂极(直径为0.25～0.125mm)，石英成分最高，杂质成分较少，可做一般工业原料。只发现了2粒贝壳碎片(分别为3mm×2mm，2mm×1.7mm)，贝壳薄、脆，色白，可能为淡水贝类碎片。根据沉积物特征，得出砂样为风成砂成因，经反复打磨使磨圆度达佳至极佳，砂粒被流水带至聚水区，水中CaCO3经蒸发浓缩，沉积时胶结松散砂粒，使之成不定形团粒，CaCO3本身洁白，纯净少泥质。
该剖面②层，埋深4.5～2.5m。沉积物为灰、深灰色细砂，颜色较下层沉积物深。沉积物以石英为主，含量高达76.4%，含少量的粘土、钾长石和斜长石及极少量的方解石。该层沉积物有一定硬度，中厚层状水平层理。孢粉分析表明:该层孢粉以木本植物为主，占87.8%，其中又以松属和桦属为主，分别占53.9%和20.8%;草本植物仅占9.6%，以蒿属、藜科为主;蕨类植物中的水龙骨孢子占1.7%。孢粉组合特征说明该时期气候温和较湿。根据沉积物特征，当时为湖相沉积。
该剖面③层，埋深1.5～2.5m。沉积物为土黄色的粉砂，以石英为主，含量高达72.6%，含少量的粘土、钾长石和斜长石及极少量的方解石。透镜状，局部尖灭，具有一定斜层理。在埋深2.5处的OSL年龄为(16.6±1.8)ka，属于晚更新世。孢粉分析表明:该段孢粉以木本植物为主，占94.3%，其中以松属、桦属为主，分别为63.4%和21.1%;草本植物占4%;蕨类植物占2.7%。沉积特征表明，该时期湖泊开始萎缩，湖水水位变浅，周围的河流或是季节性面流影响该区沉积，出现斜层理。
该剖面④层，埋深0.3～1.5m。层厚约1.2m，沉积物为粉砂，深灰色，以石英为主，含量达69.7%，少量的粘土、钾长石、斜长石和白云石。具有弱的水平层理和斜层理。在该层发现了人骨、石器和瓦片等。孢粉分析表明:该段仍以木本植物为主，占91.9%，松属(51.4%)和桦属(25.7%)为主要种属;草本植物仅占5.4%;蕨类植物为2.7%。该段沉积特征显示，湖泊水位下降，并逐渐向湖沼环境转变，河流等对其影响明显。根据该层出现的人骨、石器和瓦片判断，该时期有古人类活动。从人类化石14C测年(3080±80)a、(3100±80)a(1∶25万四平幅区域地质调查报告)来看，大致相当于“红山文化”时期的人类遗址。
该剖面⑤层埋深0.3～0m。下部具有斜层理，为现代风沙沉积。
综上所述，科尔沁地区，自晚更新世晚期以来经历了由湖泊环境→湖泽环境→沙漠环境的演变过程。距今(16.6±1.8)ka时期，本区湖泊面积开始缩小，水位开始下降。到距今(3080±80)a时，湖泊基本消亡;到晚全新世，该区已经被现代风沙所覆盖。
分布于下辽河平原晚更新世晚期湖沼堆积物单元，岩性为粘土质粉砂、淤泥质粉砂、淤泥层。
沈阳道义屯晚更新世晚期湖沼沉积物剖面(图1.2.30)
上覆地层:全新统
松辽平原第四纪地质环境与黑土退化
图1.2.30 沈阳道义屯晚更新世湖沼沉积物剖面
在剖面①～⑤层中各采集1件14C样品，经中国地震局地质研究所尹金辉等测定，测年数据见表1.2.4。
表1.2.4 沈阳道义屯Q0702点剖面14C测年结果
该剖面①层，埋深6.2～5.7m。14C年龄为14363～14895a(CalBP)，属晚更新世。沉积物为黑色、灰黑色含泥炭薄层的淤泥，水平层理。可见3～4层水平泥炭层，与淤泥呈互层状。沉积物特征表明，此时本区为湖相沉积环境。孢子花粉分析表明:乔木植物花粉占76.5%，其中松属为61.4%，铁杉为7.6%，冷杉为5.3%，桦属为1.5%;草本植物仅占9.8%，见到的种类有蒿属2.3%、榛属0.7%、藜科0.7%和菊科0.7%;蕨类植物占13.7%，有水龙骨属(科)10.6%、卷柏属2.3%、海金沙属和0.7%。
该剖面②层，埋深5.7～5.2m。14C年龄为19600～19668a(CalBP)、19794～20095a(CalBP)两个年龄区间，属晚更新世。沉积物为黄褐色的粉砂与淤泥互层，具水平层理，含有蓝色铁质析出物。沉积物特征表明，当时本区湖泊面积变小，湖水深度变浅。孢粉分析表明:乔木植物花粉占38.5%，其中松属为13.5%，铁杉为13.5%，冷杉为9.6%，桦属为9.6%，桤木属为1.9%，铁杉属为1.9%，胡桃属为1.9%;草本植物占25%，见到的种类有蒿属9.6%，藜科3.9%，麻黄属1.9%，杜鹃属1.9%，莎草科3.9%，禾本科1.9%和狐尾藻属1.9%;蕨类植物高达36.5%，有水龙骨属(科)23%，卷柏属7.7%，凤尾蕨属1.9%，海金沙属1.9%和真蕨纲1.9%。孢粉组合特征说明，该层孢粉与其下部地层相比，草本和蕨类植物含量增加，木本植物减少。
该剖面③层，埋深5.2～4.8m。14C年龄为17138～17850a(CalBP)，属晚更新世。沉积物为淤泥质粉砂，含有粉砂质淤泥薄层，具有水平层理。沉积物特征说明，本区当时仍为湖泊环境，但是湖水水位较浅。孢粉分析结果表明:木本植物占81.6%，其中松属为48.2%，铁杉为0.9%，冷杉为2.6%，桦属为21.9%，桤木属为1.8%，胡桃属为2.6%，榆属为1.8%，椴属为1.8%;草本植物仅占10.5%，见到的种类有蒿属2.6%，藜科1.8%，菊科0.9%，麻黄属1.8%，蓼地属0.9%，莎草科0.9%和禾本科1.8%;蕨类植物占7.9%，有水龙骨属(科)4.4%，卷柏属0.9%，真蕨纲2.6%。
该剖面④层，埋深4.8～4.4m。14C年龄为14358～14935a(CalBP)，属晚更新世。沉积物为黄褐色粘土质粉砂，层理不明显，含铁管，长2～10cm。沉积物特征说明，当时为湖沼环境。木本植物占86.6%，其中松属占49.6%，桦属占25.8%，这两种为优势组合，还有少量的冷杉、铁杉、桤木属、胡桃属、榆属、栎属、木犀属和椴属;草本植物仅占11%，以蒿属(3.9%)、藜科(2.4%)为主;蕨类植物含量很低，为2.4%。
该剖面⑤层，埋深4.4～3.8m。14C年龄为13154～13329a(CalBP)，属晚更新世。沉积物为灰色粉砂质粘土层，含铁管，长2～8cm。沉积物特征说明，本区当时仍为湖沼环境。木本植物占83.9%，其中松属高达60.7%，桦属占16.1%，这两种为优势组合，还有少量的胡桃属和椴属;草本植物仅占10.7%，其中蒿属占3.6%，榛属、藜科、杜鹃属和禾本科所占比例均为1.8%;蕨类植物为5.4%。
该剖面⑥层埋深3.8～3.4m。沉积物为褐、浅灰、黑色的斑杂状、含炭质碎块的粉砂，无层理。含铁管，含量为1%～5%。沉积物特征说明，本区当时为沼泽环境。木本植物占82.1%，其中松属高达51.2%，桦属占19%，这两种为优势组合，还有少量的桤木属、冷杉、柳属和椴属;草本植物仅占14.3%，其中蒿属占5.9%，藜科占2.4%，榛属、菊科、紫萁属、莎草科和禾本科所占比例均为1.2%;蕨类植物为3.6%，水龙骨科(属)占2.4%，卷柏属占1.2%。
该剖面⑦层埋深3.4～2.6m。沉积物为土黄色细粉砂薄层，纹层厚1～2mm。含铁管，直径0.2～1mm，长3～5cm，含量为0.5%～1%。沉积物特征说明，当时本区又向湖沼环境演变。孢粉分析表明，该段以木本植物为主，含量为77%，其中以松属(56.7%)和桦属(6.7%)为优势组合;草本植物花粉含量为13%;蕨类植物孢子含量为10%。
该剖面⑧层，埋深2.6～1.4m。沉积物为灰褐色古土壤层，可见垂直节理，表明当时湖泊已经完全消亡。乔木花粉占68.8%，其中，松属为53.3%，桦属为8.6%，冷杉为5.7%，本层中还出现了少量的胡桃属;草本植物和灌木植物花粉占26.7%，以蒿属(13.2%)、藜科(4.7%)为主。
该剖面⑨层埋深1.4～0m。沉积物为现代土壤层。综上所述，Q0702剖面揭示了自晚更新世以来，本区经历了由湖泊环境→湖沼环境→沼泽环境→湖沼环境→现代土壤层的演变过程。
分析认为，该剖面沉积时期植被以针叶裸子植物松为主，含一定量桦等阔叶被子植物，属于针叶林或阔叶混杂林，古气候温和轻湿或轻润。
距今19600～19668a(CalBP)19794～20095a(CalBP)时，本区为冲湖积堆积物发育时期。之后，湖泛面开始缩小，水位开始下降。中全新世之后，湖泊基本消亡，该区大面积隆起。
广泛分布于东西辽河平原地区的白色石英砂层，属于埋藏单元，其上与晚更新世湖积砂层直接接触，根据其他剖面调查结果，首此将其形成时代厘定为晚更新世晚期。
该单元岩性为细粒石英砂，厚度几十米。颗粒均匀，分选性好，可作为制作玻璃的原料。
在双辽玻璃厂采坑，岩性为黄褐色、白色细砂。主要矿物成分为石英，含量约占90%，长石和暗色矿物少量，约占10%。水平层理发育(图版1.2.38)。上覆灰黑色粉砂土，见贝壳化石碎片。
从区内晚更新世剖面的岩性特征、孢粉组合反映的古气候环境可见，晚更新世晚期，即距今约(19.4±2.0)ka至(16.6±1.8)ka，松辽平原仍然存在古大湖环境，沉积一套石英砂和砂层。这一结论不但突破了前人认定松辽平原晚更新世无古湖的看法，同时湖积石英砂和砂层为后期科尔沁沙地和区内沙化形成与发展提供了物质来源。
(四)晚更新世晚期冲积物单元(Qpal3)
主要分布在松花江、嫩江及其支流两岸的阶地中，以及下辽河地区。
出露于乌裕河、通肯河、呼兰河等河流两岸的晚更新世晚期冲积物单元(Qpal3)，岩性为黄褐色、灰黄色、灰绿色、灰黑色黄土状亚砂土，亚粘土，淤泥质亚粘土、中细砂、含砾中砂、砂砾石层。基本属于伴随晚更新世晚期冲湖积环境同时发生于湖泊周边地区的河流冲积作用的结果。
按岩性和矿物组合可分上、中、下三层。
下层 米黄色中细砂，含砾中砂，砂砾石层，厚度5～10m。重矿物为角闪石、磁铁矿、绿帘石组合，其中角闪石占总量50%，绿帘石约占20%，余为磁铁矿，风化系数为0.4，表明古气候偏干冷。
本层孢粉面貌以蕨类水龙骨占优势45%～93%，次为草本植物，尚有少量桦、松，组成稀树－草原荒漠－草原景观，古气候偏湿冷，与重矿物组合所反映的古气候特征相吻合。
本层测年，顶界据热释光测年为(52.8±2.7)ka，底界为70ka。
中层 岩性为灰黑色，绿黑色淤泥质亚粘土，亚砂土，淤泥质细砂层，厚2～6m。
重矿物为角闪石，磁铁矿组合，角闪石含量低于40%，稳定矿物的磁铁矿、石英、纯铁矿，含量增加，风化系数增大，大约为0.8～1.0。与下层相比古气候明显转暖。
本层测年据热释光与14С测年，底界距今53.8ka，顶界年龄距今约23ka。
上层 岩性为土黄色，灰黄色，黄土状亚砂土、亚粘土层，含钙质结核。厚1～5m。
重矿物分析资料，非稳定矿物角闪石占总量的43%，绿帘石占20%，余为磁铁矿。风化系数为0.4。
本层大多数地区孢粉贫乏，或以蒿藜为主，组成荒漠草原或稀树－草原。
本层顶界年龄距今11.0ka。
出露于富拉尔基地区的晚更新世晚期冲积物单元(Qpal3)，岩性为砂砾石层夹中粒砂层透镜体(图版1.2.39)。顶部覆盖厚度约10～40cm的晚更新世亚砂土层。砾石成分复杂，呈次圆状，粒径一般0.5～2cm。
分布于下辽河流域中部平原地区的晚更新世晚期冲积物单元(Qpal3)，仅见于钻孔中。
岩性为灰、灰白、浅黄绿、深灰色的中粗砂含砾、细砂含砾、细粉砂及细粉砂夹粘性土薄层。北部粗，层次单一;南部细，层次多。层中含砾。粘性土薄层中含有石英和花岗岩的小砾石。位于边缘地区有黄土状亚粘土夹砂或砂砾石透镜体。该层下部含水层为砂砾石层。厚度为30～40m。
(五)晚更新世晚期坡洪积物单元(Qpspl3)
分布在下辽河地区的东、西部山前倾斜平原和北部丘陵地区斜坡地带和西辽河地区山间河谷两侧斜坡地带或丘陵的周边。
出露于下辽河地区晚更新世晚期坡洪积物单元(Qpspl3)，岩性为含砾亚粘土及砂砾石、亚砂土、细砂，含砾中粗砂、砂砾石层，以黄色为主(图版1.2.40)。砾径0.2～1.0cm、0.5～3.0cm，最大5～7cm。总厚度为15～40m。
出露于西辽河地区晚更新世晚期坡洪积物单元(Qpspl3)，岩性以黄色、黄褐色黄土状土，内含砾石或砂砾石透镜体，结构较松散，具不发育的垂直节理及大孔隙，有钙质网纹和钙质斑点，厚5～30m。产大角鹿、王氏水牛、野牛、猛犸象、羚羊、草原鼢鼠、黄鼠等化石。
(六)晚更新世晚期冲洪积物单元(Qppal3)
广泛分布于西拉木伦河、大凌河、牦牛河、老哈河、教来河、苇塘河等河流两侧，多构成阶地。
岩性以浅灰、黑灰、灰色亚粘土、亚砂土为主，结构松散。其下部为中粗砂、粉细砂含砾、砂砾石层。水平层理时而见交错层理，产马、鹿等哺乳动物化石。厚度为10～30m。
(七)晚更新世晚期海积物单元(Qpml3)
分布在下辽河平原之滨海平原地区的水源乡先锋大队及以南的广大地区。为埋藏单元，仅见于钻孔中。
岩性为灰黑、灰白色粘性土类粉细砂、中细砂层。含有大量有孔虫:缝裂希望虫、背凸卷转虫、丸桥卷转虫、卷转虫诸种、球宝卷转虫;海相介形虫主要有萨泥介未定种，有壳变形虫主要有刺盒虫未定种。此次属下辽河第二次海侵，称先锋海侵。
(八)晚更新世冰水堆积单元(QPfgl3)
区内晚更新世冰水堆积大片出露于大兴安岭东坡洮儿河、绰尔河下游，组成著名的洮儿河冰水冲积扇。
岩性由冰水堆积砾石层、砂砾石层和砂层组成。松散透水，含水，具有水平层理和透镜状层理，砾石磨圆差别大，圆状、次圆状和次棱角状均可见，砾石表面见有压坑、压弯、三角面和擦痕等。砾石成分较为复杂，酸性火山岩、花岗岩、脉石英、蛋白石、花岗片麻岩等居多，厚度由扇顶－扇中－扇缘有由薄－厚－薄的变化。采砂坑所见最大厚度20余米。
在ETM图像上，显褐色色彩，醒目的扇状堆积地貌特征。由于扇的形态和轮廓十分完整，很容易将其作为一个地层单元圈划出来。
❽ 吸血鬼骑士第一、二季 片头片尾曲的日语歌词和中文翻译的歌词，要一句一句对应哦
日语不会打
第二季片头，时光如不断延伸的光线缓缓流逝，人们在满足动摇后重生，你的笑容温暖融化我的心，仿佛那似曾相识的梦。夕阳西坠，你身影模糊。两人的影子却慢慢重叠，正如那无限遥远而深沉相交的命运，历经无数次获取与失去，直到我们相遇，天空希冀大地花儿企盼雨露，黑夜等待着黎明，而我们如此渴望着两人灵魂的交织，白玫瑰的花瓣片片凋零，两个人的爱不朽。
片尾，惨淡白云，缓缓飘过，灰色的我，只是静静看它，渐渐远去，在集众星所造的沙之城堡中，我那小小的祈愿，凋零坠落，消失于脚下暗藏波涛中。
❾ QQ音乐里【玻璃般的虚荣（水树奈奈）】有两个版本的，哪位能把这两个版的罗马音译给我啊 都要~~
[ti:ガラスの华]
[ar:绪方理奈 (CV: 水树奈々) ]
[al:TVアニメ「WHITE ALBUM」キャラクターソング 2 绪方理奈]
[by:xiao_9]
[00:00.53]ガラスの华
[00:01.71]绪方理奈 (CV: 水树奈々)
[00:03.01]作词：有里泉美
[00:04.62]作曲：藤间仁
[00:06.05]编曲：藤间仁
[00:07.55]
[00:09.06]WHITE ALBUM イメージソング
[00:10.56]
[00:17.51]友达にはもう戻れない
[00:23.11]魅かれてく 一秒ごと そっと
[00:29.34]阳差しの中のあなたは そう
[00:34.87]梦を运ぶ 风みたい
[00:40.13]
[00:41.62]ふと合った视线 思わず逸らして
[00:47.62]鼓动早くなる
[00:52.19]
[00:52.75]その胸に 私は居ますか…?
[00:59.09]闻きたい…闻けないの
[01:04.97]ガラスのような强がりより
[01:10.82]抱きたいよ、勇気を
[01:16.29]
[01:16.78]友达にはもう戻れない
[01:22.35]恋人になれなくても
[01:29.36]
[01:40.60]昨日の夕暮れに偶然
[01:46.01]二人きり歩いた并木道
[01:52.35]触れそうなほど そばに居たのが
[01:57.88]嘘みたいよ
[01:59.76]今日は远いね…
[02:03.46]
[02:04.43]ねえ、谁にでも 优しくしないで
[02:10.49]涙、渗んでく…
[02:15.17]
[02:15.71]あなただけ いつも见つめてる
[02:21.93]言いたい…言えないの
[02:27.82]どんな笑颜 差し出したら
[02:33.72]この想い叶うの…?
[02:40.51]
[03:00.03]その胸に私は居ますか…?
[03:06.33]闻きたい…闻けないの
[03:12.23]ガラスのような华で染まった
[03:18.16]心を受け止めて
[03:23.41]
[03:24.25]友达にはもう戻れない
[03:29.69]恋人になれなくても
[03:37.05]
[04:02.16]LRC BY xiao_9
[04:04.45]「千千の日の音歌のフレーズ」
[04:06.01]専门の制作，品质先に
[04:07.64]
❿ 国家明令严禁使用的淘汰材料
附件3：限制、淘汰禁止的产品目录
一、电子信息
（一）限制类
1．卫星电视接收机及关键件（高频头、天线等）
2．国家特殊规定的移动通信系统及终端（国家定点）
3．单、双面印刷电路板
4．镉镍电池
（二）淘汰禁止类
1．含汞电池
二、机械
（一）限制类
1．3立方米及以下小矿车
2．矿岩破碎机
3．矿磨机
4．单缸柴油机
5．普通工业锅炉
6．普通机床（数控机床除外）
7．电加工机床（含电火花和线切割机床等）制造项目（数控机床除外）
8．6300千牛及以下普通机械压力机制造项目（数控压力机除外）
9．锻锤
10．普通板材加工设备制造项目
11．普通刃具制造项目
12．棕钢玉、绿碳化硅、黑碳化硅等烧洁块及磨料
13．直径400毫米及以下各种结合剂砂轮
14．直径400毫米及以下人造金刚石切割锯片
15．普通通用轴承
16．普通电梯
17．普通叉车
18．普通电焊条
19．8.8级以下普通低档标准紧固件
20．100立方米及以下活塞式动力压缩机
21．起重机械
22．气瓶
23．20立方米以下螺杆压缩机
24．普通类水系统中低压碳钢阀门
25．普通运输集装干箱
26．民用普通电度表
27．12.5万千瓦及以下常规燃煤火力发电设备（综合利用机组除外）
28．10~35KV树脂绝缘干式变压器
29．S9-30~1600/10配电变压器
30．高、中、低压开关柜
31．B级聚酯漆包线
32．天然丁苯橡皮绝缘电力电缆
33．凿岩机
34．2臂以下凿岩台车
35．装岩机（立爪装岩机除外）
36．直径2.5米及以下绞车
37．直径3.5米及以下矿井提升机
38．40平方米及以下筛分机
39．直径700毫米及以下旋流器
40．选矿、选煤设备制造
41．800千瓦及以下采煤机
42．斗容3.5立方米以下矿用挖掘机
43．矿用搅拌、浓缩、过滤设备（真空、加压式）
44．农用运输车
45．50马力及以下拖拉机
46．电线、电缆（特种电缆及500千伏及以上超高压电缆除外）
47．电梯制造
48．轮式装载机制造
49．40吨及以下液压挖掘机制造
50．56英寸及以下单级开泵
（二）淘汰禁止类
1．B型、BA型单级单吸悬臂式离心泵系列
2．F型单级单吸耐腐蚀泵系列
3．GC型低压锅炉给水泵
4．3W-0.9/7（环状阀）空气压缩机
5．CA630普通车床
6．Q51汽车起重机
7．TD60、D62、D72型固定带式输送机
8．A571单梁起重机
9．锅炉给水泵:DG270-140、DG500-140、DG375-185
10．高压离心通风机:8-18系列、9-27系列
11．J31-250机械压力机
12．T100.、T100A推土机
13．ZP-Ⅱ、ZP-Ⅲ干式喷桨机
14．WP-3挖掘机
15．0.35立方米以下的气动抓岩机
16．矿用钢丝绳冲击式钻机
17．OY-40石油钻机
18．18平方米烧结机
19．直径1.98米水煤气发生炉
20．1200叠板轧机（二辊周期式四机架）
21．横列式线材轧机
22．CER膜盒系列
23．热电偶（分度号LL-2、LB-3、EU-2、EA-2、CK）
24．热电阻（分度号BA、BA2、G）
25．DDZ-1型电动单元组合仪表
26．GGP-01A型皮带秤
27．BLR-31型称重传感器
28．WFT-081辐射感温器
29．WDH-IE、WDH-2E光电温度计
30．BC系列单波纹管差压度
31．LCH-511、YCH-211、LCH-311、YCH-311、LCH-211、YCH-511型环称式差压计
32．EWC-01A型长图电子电位差计
33．PY5型数字温度计
34．XQWA型条形自动平衡指示仪
35．ZL3型X-Y记录仪
36．DBU-521、DBU-51C型液位变送器
37．JDO2、JDO3系列变极、多速三相异步电机
38．JD型长轴深井泵
39．KD0N-3200/3200型蓄冷器全低压流程空分设备
40．KDON-1500/1500型蓄冷器（管式）全低压流程空分设备
41．KDON-1500/1500型管板式全低压流程空分设备
42．X920键槽铣床
43．B665．B665A、B665-1牛头刨床
44．D6165电火花成型机床
45．D6185电火花成型机床
46．D5540电脉冲机床
47．J53-400双盘摩擦压力机
48．J53-630双盘摩擦压力机
49．J53-1000双盘摩擦压力机
50．Q11-1.6×1600剪板机
51．3吨直流架线式井下矿用电机车
52．4146柴油机
53．SX系列箱式电阻炉
54．热动力式疏水阀：S15H-16、S19-16、S19-16C、S49H-16、S49-16C、S19H-40、S49H-40、S19H-64、S49H-64
55．0.4-0.7吨/时立式水管固定炉排锅炉（双层固定炉排锅炉）
56．动力用往复式空气压缩机:1-10/8、1-10/7型
57．X52．X62W320×150升降台铣床
58．化油器类轿车及5座客车（指生产与销售）
59．以未安装燃油量限制器的单缸柴油机为动力装置的农用运输车（指生产与销售）
60．E135二冲程中速柴油机（包括2．4．6缸三种机型）
61．TY1100型单缸立式水冷直喷式柴油机
62．165单缸卧式蒸发水冷预燃室柴油机
63．单相电度表：DD1、DD5、DD5-2、DD5-6、DD9、DD10、DD12、DD14、DD15、DD17、DD20、DD28
64．J02、J03系列小型异步电机
65．单相容量5万千瓦及以下常规小火电机组
66．S7-30~1600/10、SL7-30~1600/10配电变压器
67．DZ10系列塑壳断路器
68．DW10系列框架断路器
69．CJ8系列交流接触器
70．DS3-10．DS3-30．DS3-50（1000、3000、5000A）快速断路器
71．DS10-10、DS10-20、DS10-30（1000、2000、3000A）快速断路器
72．QC8、QC10、QC12系列起动器
73．JR0、JR9、JR14、JR15、JR16-A、B、C、D系列热继电器
74．HD6、HD3-100、HD3-200、HD3-400（600、1000、1500）刀开关
75．PB2、PB3、PB4型矿用防火爆高压开关
76．黑铜杆
77．油性漆包线
78．硬铜绞线
79．电动机驱动旋转直流弧焊机全系列
80．BX1-135、BX2-500交流弧焊机
81．AX1-500、AP-1000直流弧焊电动发电机
82．SX系列箱式电阻炉
83．GGW系列中频无芯感应熔炼炉
84．天然丁苯橡皮绝缘控制电缆
85．天然丁苯橡皮绝缘橡套电缆
86．天然丁苯橡皮绝缘船用电缆
87．橡皮绝缘编织涂沥青电线
88．粘性油浸纸绝缘电力电缆
三、石油和化工
（一）限制类
1．电石生产装置
2．新建年产0.5万吨以下氧化铁红
3．新建年产0.5万吨以下电解二氧化锰
4．年产10万吨以下硫铁矿制酸
5．新建硫酸法钛白粉
6．新建年产10万吨以下聚酯
7．新建年产22.5万吨以下PTA
8．新建年产10万吨以下己内酰胺
9．汽车斜交轮胎
10．手推车胎
11．高毒农药原药（甲胺磷、氧化乐果、灭多威、克百威、敌鼠钠等）
（二）淘汰禁止类
1．100万吨/年及以下小炼油
2．质量低劣、安全环保未达到国家标准的成品油生产
3．1万吨/年以下干法造粒炭黑
4．年产4万吨以下硫铁矿制酸
5．年产1万吨以下电石
6．石墨阳极隔膜法烧碱
7．年产1000吨以下黄磷
8．四氯化碳、氟化烃、三氯乙烷、甲基溴生产及工艺装置
9．50万条/年及以下斜交轮胎
10．农药手工包（灌）装设备
四、纺织服装
（一）限制类
1．74型染整生产线
2．有梭布
3．甲醛、致癌致敏偶氮类印染织物
（二）淘汰禁止类
1．单线能力2万吨/年以下粘胶纤维
2．用含氯有机载体进行分散染料的载体法染色的产品
五、轻工
（一）食品饮料
限制类
1．新建制糖生产线
2．糖精等合成甜味剂生产线
3．新建白酒生产线
4．酒精生产线（燃料酒精除外）
5．二片铝制易拉罐项目
6．按传统工艺、技术新建味精生产线
7．新建年产量2万吨以下的玻璃瓶罐生产线
8．新建盐场（厂、矿）的项目
9．年产啤酒5万吨以下的新建项目（特色品种除外）
10．100瓶/分（600MP）以下的塑料瓶饮料罐装线
11．200桶/时以下的大桶饮用水罐装线，浓缩果汁生产线
12．日加工100吨以下鲜乳的乳粉生产项目，日加工50吨以下鲜乳的液体乳加工项目
13．限制新建一般油厂
14．新建柠檬酸生产线
淘汰禁止类
1．年生产能力5万吨及以下的真空制盐、湖盐和北方海盐的生产装置
2．利用矿盐卤水、油气田水且采用平锅、滩晒制盐的生产装置
3．年生产能力1万吨及以下的南方海盐生产装置
4．禁止100瓶/分以下的玻璃瓶碳酸饮料罐装线
5．禁止用再生的废旧塑料生产饮料罐装用瓶和桶
6．淘汰、禁止小规模、低水平的罐头生产线
7．淘汰、禁止生产条件差、产品质量安全无保证的烘烤企业
8．淘汰、禁止生产环境恶劣、卫生和质量低的调味品企业
9．淘汰小型分散、质量无保证、资源利用差的油厂
（二）家电
限制类
1．生产不符合国家《家用电冰箱耗电量限定值及能源效率等级》标准的冷藏箱、冷冻箱、冷藏冷冻箱（电冰箱、冷柜）新建项目
2．生产不符合国家《电动洗衣机耗电量限定值及能源效率等级》标准的洗衣机新建项目
3．生产不符合国家《房间空气调节器能效限定值及能源效率等级》标准的空调器新建项目
淘汰禁止类
1．以氯氟烃（CFCS）为发泡剂或制冷剂的冰箱、冰柜、汽车空调器、工业商业用冷藏、制冷设备生产线（根据国家履行国际公约总体计划要求进行淘汰）
2．采用CFC物质做发泡剂或制冷剂的电冰箱、电热水器、消毒碗柜产品
3．不符合国家环保政策和能耗标准的家电产品
（三）塑料
限制类
1．聚氯乙烯普通人造革生产线
2．超薄型（厚度低于0.015毫米）塑料袋生产线
淘汰禁止类
1．以氯氟烃（CFCS）为发泡剂的聚氨酯泡沫塑料产品、聚乙烯、聚苯乙烯挤出泡沫塑料生产工艺（根据国家履行国际公约总体计划要求进行淘汰）
（四）照明电器
限制类
1．生产速度低于1500只/小时的单螺旋灯丝的白炽灯生产线
（五）香料香精化妆品洗涤用品
限制类
1．新建牙膏生产线
（六）造纸及纸制品
淘汰禁止类
1．淘汰年产3.4万吨以下化学制浆生产线
（七）皮革
淘汰禁止类
1．年产30万张牛皮（猪皮60万张、羊皮180万张）以下的制革项目
2．高毒性的胶粘剂和整饰剂
（八）其他
限制类
1．新建自行车生产线
2．糊式锌锰电池
3．开口式普通铅酸蓄电池
4．新建工业平缝机系列生产线
5．新建工业包缝机系列生产线
6．电子计价称项目（准确度低于最大称量的1/3000，称量≤15千克）
7．电子汽车衡项目（准确度低于最大称量的1/3000，称量≤300吨）
8．电子轨道衡项目（准确度低于最大称量的1/1000，称量小于150吨）
9．电子皮带称项目（准确度低于最大称量的5/1000）
10．电子吊称项目（准确度低于最大称量的1/1000，称量小于50吨）
11．弹簧度盘称项目（准确度低于最大称量的1/400，称量小于8千克）
12．合成脂肪醇项目（含羰基合成醇、齐格勒醇、不含油脂加氢醇）
13．三聚磷酸钠生产线（包括新建、改建、扩建项目）
14．新建保温瓶玻璃瓶胆生产线淘汰禁止类
1．生产能力300吨/年以下的油墨厂（利用高新技术、无污染的除外）
2．四氯化炭（CTC）为清洁剂的生产工艺（根据国家履行国际公约总体计划要求进行淘汰）
3．CFC-113为清洗剂的生产工艺（根据国家履行国际公约总体计划要求进行淘汰）
4．自行车盐浴焊接炉
5．印铁制罐行业中的锡焊工艺
6．火柴排梗、卸梗生产工艺
7．火柴理梗机、排梗机、卸梗机
8．冲击式制钉机
9．打击式金属丝网织机
六、建材
（一）限制类
1．实心粘土砖
2．平口混凝土排水管
3．灰口铸铁管材管线
4．螺旋上升式铸铁水嘴
5．冷镀锌钢管
（二）淘汰禁止类
1．使用非耐碱玻纤或非低碱水泥生产的玻纤增强水泥（GRC）空心条板
2．陶土坩埚拉丝玻璃纤维增强塑料（玻璃钢）制品
3．25A空腹钢窗
4．S-2型混凝土轨枕
5．一次用水量9升以上的便器
6．角闪石石棉（即蓝石棉）
7．普通双层玻璃塑料门窗及单腔结构型的塑料门窗
8．二次加热复合成型工艺生产的聚乙烯丙纶复合防水卷材、棉涤玻纤网格（高碱）复合胎、聚氯乙烯防水卷材（S型）
9．墙体或吊顶工程用菱镁类复合板
七、医药
（一）限制类
1．劳动保护、三废治理不能达到国家标准的原料药项目
2．无新药、新技术应用的各种剂型扩大加工能力的项目（填充液体的硬胶囊除外）
3．原料为濒危、紧缺动植物药材，且尚未规模化种植或养殖的产品生产能力扩大项目
4．一次性注射器、输血器、输液器项目
八、汽车
（一）限制类
1．三轮、低速载货农用运输车
2．100ML以下化油器二冲程摩托车
3．铝轮毂
（二）淘汰禁止类
1．化油器类轿车及5座客车
2．Q51汽车起重机
3．以未安装燃油量限制器（简称限油器）的单缸柴油机为动力装置的农用运输车
4．排放超标摩托车
5．二冲程助力车
6．带石棉摩擦材料
7．CFC-12汽车空调
九、钢铁
淘汰禁止类
1．淘汰不符合国家产业政策的小铁合金
十、有色金属
（一）限制类
1．锡精矿生产
2．钨精矿、钼精矿生产
（二）淘汰禁止类
1．淘汰铜线坯
附件4：重点攻关或推广应用的行业关键技术
电子信息行业：重点发展第三代移动通信系统及终端技术、下一代网络（NGN）及终端技术、全光网通信技术、网管与软件（网络与运营支撑系统、业务平台与系统）技术、软件无线电技术、智能网技术、数字集群通信系统及终端技术、KU、KA、极高频（EHF）等卫星通信用高频段微波收发设备技术、宽带接入技术、软件开发环境技术、中文信息处理技术、基于LINUX的操作系统技术、嵌入式操作系统技术、网络支撑平台和中间件技术、计算机辅助技术（CAD、CAM、CATD等）、信息安全产品与系统技术、网络计算机技术、高性能数据存储技术、计算机系统集成及外部设备技术、集成电路设计技术与生产工艺技术、新型元器件（表面贴装元器件、光电子器件、电力电子器件、混合集成电路、高频频率器件、新型机电组件、多层高密度印刷电路板和柔性电路板、新型电源等）生产工艺技术、新型显示器件（高清晰度CRT技术、彩色液晶显示器件、等离子体显示器件、LCOS新型显示器件和有机发光器件）的开发与生产技术、表面贴装技术（SMT）、高性能电子材料（高性能电子浆料、高性能电子功能陶瓷材料，高性能磁性材料，硅单晶和化合物单晶及其外延片，液晶显示器和其它平板显示器材料，中高档覆铜板材料，绿色电池的电极材料、无铅焊料）的生产技术、高清晰度电视机（HDTV）技术、数字音频技术、高密度数字激光视盘系统及播放机关键件（含机芯、伺服系统、光头）专门技术、数字录放像技术、家庭信息网络平台技术、汽车电子技术等。
机械行业：重点发展工业自动化控制技术、网络化信息化制造技术、精密高效加工和成形技术、激光加工技术、新型传感技术、高性能伺服电机及高精度数字化智能控制技术、电力电子技术、变频调整技术、先进模具设计和制造技术、液压气动密封技术、清洁生产工艺技术、生活垃圾处理技术、污水处理技术、环境自动监测技术、水稻工厂化育秧及机械栽插技术、水稻收获和烘干技术、果蔬产地加工技术等。
石油和化工行业：重点发展高硫原油加氢脱硫组合技术、汽油及煤油加氢精制技术、聚乙烯和聚丙烯专用料生产技术、合成树脂应用技术、塑料合金生产技术、高档汽车涂料生产技术、辐射固化涂料生产技术和高固体份涂料生产技术、电子化学品生产技术、有机硅深加工产品技术、氨基酸和酶制剂生产技术、食品添加剂和饲料添加剂重点品种生产技术等。
纺织服装行业：重点发展差别化、功能化、高性能化学纤维原料开发与生产技术；高仿真、高性能差别化纤维开发与生产技术；重大绿色环保及可降解化纤开发技术；各种方法相互融合及各种材料复合的新型非织造布生产技术；熔喷法、纺熔法及高技术含量的水刺法和针刺法非织造技术；高档精梳针织纺纱技术、细旦锦纶、丙纶短纤纺纱技术、花式纱的纺纱技术；高档色织布、牛仔布开发技术、轻薄型多功能针织面料加工技术、针织牛仔面料开发技术；特种天然纤维加工技术；天然纤维面料高档化后整理技术；功能性纤维面料后整理技术；印染厂节能、节水技术，染料回收、碱回收技术及末端深度治理技术；具有亚热带特色的蚕桑业技术；真丝绸非甲醛抗皱整理技术、高档仿真产品的加工技术；纺织后加工设备及基础配套设备的开发技术；三维人体扫描测量技术的开发应用和三维服装技术的开发应用；羽绒羽毛成型加工及其制品的开发应用；高档配套室内家用纺织品的设计开发技术；纺织品绿色环保技术；服装生产快速反应系统和服装供应链管理系统开发及导热排湿性能测试技术；纺织/服装企业生产信息监测和管理系统开发等。
轻工行业：（1）食品制造行业重点发展生物工程技术，基因工程技术；新型菌种的开发应用；喷雾干燥、真空干燥、冷冻干燥技术，膜技术、超临界萃取技术，高温瞬时杀菌技术，高真空技术，深度冷加工技术，微胶囊技术，高效浓缩发酵技术，微波技术等。（2）家用电器制造行业重点发展变频控制，直流变速控制，数码变容控制，网络控制技术；制冷器具领域的冷媒流量控制技术，可回收空调器设计技术，改变系统效率的实用技术（如风路清洁技术），除尘、除菌、防霉等空气净化技术、优化两瓷结构技术、应用真空绝热材料技术、开发热泵应用技术；电热器具领域的节能、环保技术，微波分布与热力控制技术。（3）造纸行业重点发展低定量、高质量、低消耗、高效率的造纸技术；采用节水、降低污染现代制浆造纸技术；造纸企业管理信息化技术。（4）陶瓷行业重点发展陶瓷原料精制技术；等静压成型、高压注浆设备及配套技术；纳米技术；精细化工产品在陶瓷上的应用技术；智能化、清洁无害化生产，高效节能、环境保护技术等。（5）塑料行业重点发展双向拉伸技术、气体辅助注塑成型技术、多层共挤出技术、微孔泡沫塑料成型技术、热流道技术，塑料机械开发应用微电子技术等。（6）皮革行业重点发展少硫脱毛、无盐浸酸、无铬复鞣、高铬吸收鞣制、加脂剂染料高吸收等清洁生产工艺技术，转鼓群控技术等机械化、自动化生产技术，制革鞣制废水循环技术；推广计算机辅助设计和自动制版及自动裁剪技术等。（7）香料香精化妆品洗涤用品行业重点发展洗涤剂中的微生物表面活性剂以及油脂酶法水解技术，浓缩化技术；化妆品开发生物发酵技术、植物的细胞培养技术和脂质体技术等。
建材行业：重点发展日产熟料4000吨及以上规模的新型干法水泥，鼓励采用优质浮法玻璃生产技术、装备和节能、安全用平板玻璃深加工技术；高性能混凝土用外加剂的技术；大规格超薄型墙地砖生产技术和装备技术；建筑卫生陶瓷改善燃烧系统技术；低质原、燃材料的开发利用技术；散装水泥装备技术；水泥高效除尘环保技术；新型干法水泥和新型墙体材料等建材产品生产中消纳工业废弃物、城市垃圾和污泥等无害化与资源化关键技术；玻璃纤维增强塑料制品（玻璃钢）机械化成型技术等。
医药行业：重点发展药物生物工程技术及基因工程技术；现代制药工业的分离、提取结晶和合成技术；中药指纹图谱等多成分定量指标控制技术在中药质量控制中的应用；现代先进技术在中药生产中的应用（包括超临界二氧化碳提取、动态提取、大孔树脂吸附、膜技术、喷雾干燥、超微粉碎等）；微囊技术、包含物技术、渗透泵技术、脂质体技术在制剂中的应用；医疗器械智能化、数字化、光机电一体化技术，生物医学及医药新材料的生产应用技术。
汽车行业：重点发展汽车安全技术（如汽车防碰撞设计技术等），汽车环保技术（如新型环保发动机设计制造技术、电动汽车、混合动力汽车的设计生产技术），汽车节能技术（如轻量化材料的研究开发应用技术、材料可循环利用技术、电子控制燃油喷射技术等），汽车防盗技术（如全球定位系统的开发与应用技术等），智能化交通管理系统开发与应用技术，汽车车身开发设计技术，客车、专用车专用底盘设计制造技术，汽车车身模具设计制造技术，摩托车电喷化技术，摩托车联合防抱死制动技术，摩托车代用燃料应用技术，柔性加工技术，精密、快速成型技术，液压、气动、密封技术。
钢铁行业：重点发展高风温热风炉长寿技术、高炉富氧喷煤技术、高炉高效长寿综合技术、直接还原技术、熔融还原技术、高炉、转炉煤气回收及综合利用技术、铁水预处理、钢水炉外精炼、高效连铸技术、连铸坯热装热送技术、薄板坯、薄带坯等近终型连铸连轧技术、冶金综合自动化技术、控制轧制及控制冷却系统、表面镀锌（锌、铝）、镀锡、彩色涂层及复合技术、高强度机械用钢生产技术、热、冷轧不锈钢板生产技术等。
有色金属行业：重点发展有色矿山深部及难采矿床开采技术、多金属共生矿综合利用技术、难处理金矿、含金尾矿资源综合回收技术、低品位、难处理铜矿利用技术、稀有、稀散金属开发及综合利用技术、高效选矿药剂开发、超临界苹取技术、稀土应用技术、有色金属复合材料、新型合金材料制造技术、高性能磁性材料制造技术、超细粉体材料、电子浆料及其制品制造技术等。